KR100760121B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물, 그 제조방법 및이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물, 그 제조방법 및이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물, 그 제조방법 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 하부 기판 위에 형성된 어드레스 전극; 상기 하부 기판 위에 형성되며, 어드레스 전극을 커버하는 유전체층; 상기 유전체층 위에 형성되어 방전셀을 형성하는 격벽; 및 상기 방전셀 내부에 형성된 형광체층을 포함하여 이루어지며, 상기 격벽은 중앙부의 폭이 상단부 및 하단부의 폭보다 작도록 형성된다.
이러한 특징에 의해, 본 발명은 방전 공간이 증가함으로써, 고온 오방전을 감소시켜 플라즈마 디스플레이 패널의 신뢰도를 향상시킨다.
플라즈마 디스플레이 패널, 고온 오방전

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물, 그 제조방법 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널{Lower Structure Of Plasma Display Panel, Method Of Fabricating The Same And Plasma Display Panel With The Same}
도 1은 종래의 기술에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 개략적인 구성을 나타내는 분해사시도,
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물의 제1실시예를 나타내는 단면도,
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물의 제2실시예를 나타내는 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물의 제3실시예를 나타내는 단면도,
도 5a 내지 5f는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물의 제조방법의 일실시예를 나타내는 단면도,
도 6은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 일실시예를 나타내는 단면도이다.
***도면의 주요 부호의 설명***
10 : 하부 기판 11 : 어드레스 전극
12, 23 : 유전체층 13, 13a, 13b : 격벽
14 : 형광체층 20 : 상부 기판
21 : 유지 전극 22 : 버스 전극
24 : 보호막
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물, 그 제조방법 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 방전셀 내의 방전 공간을 증가시킴으로써, 고온 오방전을 감소시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물, 그 제조방법 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널은 가스방전이라는 물리적 현상을 이용하여 화상을 표시하기 위한 것으로서 작게는 단일 디지트에서 크게는 2백만 화소를 갖는 대각선 1m 크기의 그래픽용 디스플레이에 이르기까지 광범위한 크기 범위를 갖는 표시 소자이며, 상업적 제품으로 성공을 거두고 있는 디스플레이 중의 하나이다.
플라즈마 디스플레이 패널은 매우 강한 방전의 비선형성을 갖고 있어서, 점화전압 이하에서는 방전하지 않으므로 라인 수에 대한 제한이 없어 대형 제작이 가능하고 구동회로수를 줄이기 위한 다중화 기술을 이용할 수 있다. 또한 통상의 음극선관에 비하여 장수명이며 휘도와 휘도 효율이 높고 구조가 간단하며 제작이 용이한 점 등의 여러가지 장점을 갖고 있다. 이러한 장점으로 플라즈마 디스플레이 패널은 정보사회의 급신장에 따라 그 수요가 급증하고 있다.
플라즈마 디스플레이 패널은 방전셀에 인가하는 구동전압의 형식에 따라 교류형과 직류형으로 나누어지는데, 널리 사용되는 것은 교류형으로서, 교류형에 대하여 좀더 상세히 설명하면, 각 유지 전극들이 유전체층 및 보호층에 의하여 방전층과 분리되어서 방전 현상시 발생되는 하전입자들을 상기 전극들이 흡수하지 않고 벽전하를 형성하게 되며 이 벽전하를 이용하여 다음 방전을 일으키도록 형성된 것이다.
도 1은 종래의 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 개략적인 구성을 나타낸 분해사시도이다.
도시된 바와 같이 플라즈마 표시 장치는 하부 기판(110)과, 상기 하부 기판 위에 형성된 어드레스 전극(111)과, 이 어드레스 전극이 형성된 하부 기판 위에 형성된 유전체층(112)과, 이 유전체층 상에 형성되어 방전거리를 유지시키고 셀간의 전기적 광학적 크로스 토크(Cross Talk)를 방지하는 격벽(113)과, 상기 격벽이 형성된 하부 구조물과 결합되며 상기 어드레스 전극과 직교하도록 소정의 패턴의 유지 전극쌍(114, 115)과 버스 전극쌍(114a, 115a)이 하면에 형성된 상부 구조물(116)을 구비하여 구성된다. 상기 유지 전극쌍은 빛의 투과를 위하여 투명전극이 사용되며 투명전극의 높은 저항을 보상하기 위한 버스 전극이 접합된 형태가 일반적이다. 상기 격벽에 의해 구획된 내부공간 내의 적어도 일측에는 형광체층(117)이 형성되고, 상기 유지 전극쌍과 버스 전극쌍의 하면에는 전극들이 매립되는 유전체층(118)과 보호막(119)이 형성된다. 상기 내부공간에는 네온(Ne), 크세논(Xe) 등이 혼합된 방전가스가 주입된다.
이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 화상을 구현할 때에는 전극에 방전개시전압을 인가하게 되며 보호막 위에서 플라즈마 방전이 일어난다. 이 때, 인가되는 전압의 크기는 전면과 후면하부 기판 사이에 형성되는 내부공간의 간격, 내부공간 내에 유입한 방전가스의 종류와 압력, 유전체와 보호막의 성질에 따라 결정된다. 플라즈마 방전시 내부공간 내의 양이온들과 전자들은 서로 반대의 극성(Polarization)을 가지고 이동하며 결국,보호막의 표면은 서로 반대되는 한 쌍의 다른 극성을 가진 부분으로 나누어진다. 이와 같은 벽전하들은 보호막이 근본적으로 저항이 높은 절연체이므로 보호막 표면에 남아 있으며, 이러한 벽전하의 영향으로 방전개시전압보다 낮은 전압에서 방전이 유지되는 현상, 즉 교류형 플라즈마 디스플레이 패널 고유의 메모리 기능을 갖게 된다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널은 방전에 의해 방출되는 열 및 자외선 등으로 인하여 방전셀의 온도가 상승하게 된다. 방전셀 내부의 온도가 상승하게 되면, 셀 내부에 존재하는 입자들의 에너지가 증가하여 입자들의 운동이 활발해지고, 이는 양전하 및 음전하의 결합을 증가시킨다. 또, 메모리 기능에 관여하지 않는 벽전하, 즉, 격벽의 측면 또는 하판 유전체층 표면의 벽전하가 증가하고, 이에 따라 전계가 형성됨으로써, 격벽의 측면 또는 하판 유전체층 표면의 벽전하가 보호막에 형성된 양전하 또는 음전하와 결합하게 된다.
상기 양전하 및 음전하의 결합은 벽전하에 의해 발생하는 전위를 감소시키고, 방전셀의 전위가 방전유지전압 이하로 낮아지게 되면, 방전이 일어나지 않는 현상이 나타나게 되며, 이를 고온 오방전이라고 한다.
이러한 고온 오방전을 줄이기 위하여 이용되는 방법으로, 패널에 온도 측정 부분을 설치하여 실시간으로 패널의 온도를 측정하고 온도에 따라서 서스테인(sustain) 파형 개수를 줄이는 방법 등이 사용되고 있다. 그러나, 위와 같은 방법은 휘도의 저하를 수반한다는 단점이 있다.
따라서, 위와 같은 문제점을 해결함으로써, 휘도의 저하 없이 고온 오방전을 방지할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 개발이 필요하다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 방전셀 내의 방전 공간을 증가시킴으로써, 고온 오방전을 감소시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물, 그 제조방법 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 하부 기판 위에 형성된 어드레스 전극; 상기 하부 기판 위에 형성되며, 어드레스 전극을 커버하는 유전체층; 상기 유전체층 위에 형성되어 방전셀을 형성하는 격벽; 및 상기 방전셀 내부에 형성된 형광체층을 포함하여 이루어지며, 상기 격벽은 중앙부의 폭이 상단부 및 하단부의 폭보다 작도록 형성된 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물이다.
또, 상기 격벽의 중앙부의 폭은 상단부의 폭의 0.9 내지 0.7배인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물이다.
또, 상기 격벽의 유전율은 1 내지 10인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물이다.
또, 상기 격벽은 유전율이 11 내지 15인 고유전율층; 및 상기 고유전율층 위에 형성되며, 유전율이 1 내지 10인 저유전율층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물이다.
또, 상기 유전체층은, 상기 형광체층으로부터 방출된 빛을 반사시키는 화이트 백(White Back)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물이다.
또, 상기 격벽의 높이는 95 내지 145㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물이다.
또, 상기 격벽의 상단부의 폭은 30 내지 60㎛이며, 하단부의 폭은 30 내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물이다.
또, 하부 기판 위에 어드레스 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 기판 위에 어드레스 전극을 감싸도록 유전체 페이스트를 도포하는 단계; 일면에 격벽 형상이 음각 형성되어 있으며, 지지부 및 돌출부로 이루어진 스탬프로 상기 유전체 페이스트를 가압하여 격벽 형상 및 유전체층 형상을 형성하는 단계; 상기 스탬프를 유전체 페이스트로부터 분리하고, 상기 유전체 페이스트를 소성하여 유전체층과 격벽을 완성하는 단계; 및 상기 유전체층의 상면 및 격벽의 측면에 형광체층을 형성하 는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 격벽 형상은 중앙부의 폭이 상단부 및 하단부의 폭보다 작도록 형성된 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물의 제조방법이다.
또, 상기 일면에 격벽 형상이 음각 형성되어 있으며, 지지부 및 돌출부로 이루어진 스탬프로 상기 유전체 페이스트를 가압하여 격벽 형상 및 유전체층 형상을 형성하는 단계는, 상기 스탬프를 하부 기판의 상면에 수직인 방향으로 유전체 페이스트를 가압하는 단계; 및 상기 돌출부를 이동시켜 하부 기판의 상면에 평행한 방향으로 유전체 페이스트를 가압하여 격벽 형상 및 유전체층 형상을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물의 제조방법이다.
또, 상부 기판 아래에 형성된 유지 전극, 버스 전극, 유전체층, 보호막을 포함하여 구성되는 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 구조물; 상기 상부 구조물과 결합되는, 전술한 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물을 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 기술적 특징을 상세하게 설명하기로 한다. 본 발명은 실시예에 의하여 보다 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이고, 첨부된 특허청구범위에 의하여 정해 지는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물의 제1실시예를 나타내는 단면도로서, 하부 기판(10) 위에 형성된 어드레스 전극(11); 상기 하부 기판 위에 형성되며, 어드레스 전극을 커버하는 유전체층(12); 상기 유전체층 위에 형성되어 방전셀을 형성하는 격벽(13); 상기 방전셀 내부에 형성된 형광체층(14)으로 이루어지며, 상기 격벽은 중앙부의 폭(W1)이 상단부 및 하단부의 폭(W2, W3)보다 작도록 형성된다.
상기 격벽(13)은 방전셀 간의 크로스 토크(Cross Talk)를 방지하고 내부공간을 확보하기 위한 것으로서, 유전체층과 동일 또는 유사한 재질로 형성되는 것이 일반적이다.
전술하였듯이, 플라즈마 디스플레이 패널은 방전에 의해 방출되는 열 및 자외선 등으로 인하여 방전셀의 온도가 상승하게 된다. 방전셀 내부의 온도가 상승하게 되면, 셀 내부에 존재하는 입자들의 에너지가 증가하여 입자들의 운동이 활발해지고, 이는 양전하 및 음전하의 결합을 증가시킨다. 또, 메모리 기능에 관여하지 않는 벽전하, 즉, 격벽의 측면 또는 하판 유전체층 표면의 벽전하가 증가하고, 이에 따라 전계가 형성됨으로써, 격벽의 측면 또는 하판 유전체층 표면의 벽전하가 보호막에 형성된 양전하 또는 음전하와 결합하게 된다.
이러한 전하 사이에 작용하는 힘은 쿨롱의 법칙에 따라 전하 사이의 거리의 제곱에 반비례한다. 따라서, 방전 공간이 클수록, 전하의 결합이 감소하게 되나, 방전셀이 커질수록, 동일 면적에 형성되는 화소의 수가 감소한다는 문제점이 있다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽을 형성함에 있어서, 격벽 중앙부의 폭이 상단부 및 하단부의 폭보다 작도록, 즉, 오목한 형태로 형성함으로써, 동일 면적에 형성되는 화소의 수를 감소시키지 않으면서도, 방전 공간을 증가시킨다.
상기 격벽의 높이는 95 내지 145㎛인 것이 적당하다. 상기 격벽은 하단부의 폭이 상단부보다 크게 형성되는 것이 일반적이다. 상단부의 폭(W2)은 30 내지 60㎛, 하단부의 폭(W3)은 30 내지 100㎛인 것이 적당하다. 중앙부의 폭(W1)은 상단부와 하단부의 폭에 따라 달라지나, 상단부의 폭의 0.9 내지 0.7배인 것이 적당하다. 중앙부의 폭이 작을수록, 방전 공간은 넓어져 고온 오방전을 방지하는 효과는 커지나, 과도하게 작을 경우에는 충격 또는 압력 등에 의해 파손될 위험이 커진다.
본 실시예에 있어서, 상기 격벽을 형성하기 위한 조성물은 SiO2, ZnO, PbO, B2O3 등을 포함하여 이루어지며, 구체적인 예로는 SiO2 10~30 중량%, ZnO 10~30 중량%, PbO 5~30 중량%, B2O3 10~30 중량%, K2O 2~10 중량%, Li2O 5중량% 이하, CaO 1~5 중량%, Na2O 3~8 중량%, Al2O3 1~5 중량%, Sb2O3 2중량% 이하를 포함하여 이루어진 다. SiO2 + ZnO + PbO + B2O3 의 조성비는 전체 조성물의 85중량% 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다. 한편, PbO/(SiO2 + ZnO + B2O3)의 비율이 2/5 내지 5/4 범위를 만족하도록 하는 것이 바람직하다. 이러한 조성물은 전술한 유전체층에도 적용할 수 있다.
이러한 조성물을 이용하여 형성된 격벽은 낮은 유전율을 갖기 때문에, 어드레싱 시간의 지연을 방지할 수 있으며, 메모리 기능에 관여하지 않는 벽전하의 발생을 감소시킴으로써, 고온 오방전을 방지하는 효과가 있다. 전술한 조성물을 이용하여 형성된 저유전율 격벽은 6~9의 유전율을 갖게 되나, 조성비를 조절하여 1~10의 범위에서 유전율을 갖도록 할 수 있다.
상기 격벽은 일반적인 스트라이프 타입(Stripe Type)의 격벽 뿐만 아니라, 클로즈드 타입(Closed Type)의 격벽으로 형성될 수 있으며, 차등 높이의 격벽으로 형성될 수도 있다.
상기 하부 기판(10)으로는 소다라임(Soda-Lime)계 유리 기판이 사용된다. 그 조성물은 70 중량%의 SiO2, 15 중량%의 Na2O, 10 중량%의 CaO, 소량의 Al2O3, K2O, MgO 로 이루어진다.
상기 어드레스 전극(11)은 하부 기판 위에 금속 물질을 증착함으로써 형성된 다. 이때, 상기 어드레스 전극 재료로는 금, 은, 니켈, 구리 등의 금속이 주로 이용된다.
상기 유전체층(12)은 전체 유전체층의 질량을 100중량%로 하였을 때, 산화납(PbO) 60~70중량%, 산화실리콘(SiO2) 12~17중량%, 산화붕소(B2O3) 8~15중량%, 산화아연(ZnO) 5~12중량%, 산화알루미늄(Al2O3) 0.1~5중량%의 조성을 갖는다. 상기 유전체층을 형성하는 방법으로는 스크린 인쇄법(Screen Printing Method)이 사용될 수 있다.
스크린 인쇄법은 하부 기판에 유전체 페이스트를 도포한 다음 건조시키는 방법이다. 1회의 인쇄에 의해 형성되는 유전층의 높이는 15~25㎛이므로, 원하는 유전층의 높이를 얻기 위해서는 반복적인 인쇄가 필요할 수 있다.
상기 조성의 유전체층은 10~15의 유전율을 갖게 된다. 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 구조물의 유전체층의 유전율은 15~20인데, 하부 구조물의 유전체층은 상부 구조물의 유전체층보다 유전율이 낮은 것이 바람직하다.
전술하였듯이, 면방식 교류형 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키려면, 일정한 유지전압으로 유지되고 있는 유전체층 벽면(또는 보호막 벽면)에 형성된 벽전위 상태를 하판의 어드레스 전극으로 인해서 가해지는 펄스 전압에 의해 방전을 일으키고 소거시키게 된다. 이때, 유지 전극을 덮고 있는 유전체층은 유전율이 클수 록 유전 용량이 높아지기 때문에 높은 벽전하를 형성하게 되어 플라즈마 방전시 유지전압 및 구동전압을 낮출 수 있다. 그러나, 하부 기판의 어드레스 전극의 경우는 화상신호를 플라즈마 패널내의 각 셀에 전달하는 역할을 하기 때문에 가능한 벽전하 형성이 낮은 저유전율의 유전체층을 사용하는 것이 유리하다. 그 이유는 패널내 각 셀의 방전을 신속하게 발광시키고 소거시켜야만 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 구현에 유리하기 때문이다.
상기 유전체층은 형광체층으로부터 방출되는 빛을 반사시키는 화이트 백(White Back)으로 형성할 수 있다. 상기 화이트 백은 형광체층으로부터 방출되는 빛이 플라즈마 디스플레이 패널의 하부(배면부)로 방출되어 흡수, 감쇄됨으로써, 휘도가 감소되는 것을 방지하는 역할을 한다.
상기 화이트 백을 형성하기 위한 페이스트 조성물은 파우더, 수지, 가소제 및 용매 등을 포함하여 이루어지며, 바람직하게는 파우더 65~75중량%, 수지 4~15중량%, 및 용매 25~35중량%로 이루어진다.
상기 파우더는 모상 유리, 산화 알루미늄(Al2O3), 안료(TiO2) 등을 포함하여 이루진다.
상기 수지는 상기 파우더 간의 접착 및 화이트 백과의 부착을 용이하게 하기 위한 것으로서, 구체적인 예로는 에틸셀룰로오즈, 아크릴 또는 에틸셀룰로오즈 및 아크릴의 혼합물 등이 사용될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물의 제2실시예를 나타내는 단면도로서, 하부 기판(10) 위에 형성된 어드레스 전극(11); 상기 하부 기판 위에 형성되며, 어드레스 전극을 커버하는 유전체층(12); 상기 유전체층 위에 형성되어 방전셀을 형성하는 격벽(13); 상기 방전셀 내부에 형성된 형광체층(14)으로 이루어지며, 상기 격벽은 중앙부의 폭이 상단부 및 하단부의 폭보다 작도록 형성되며, 유전율이 11 내지 15인 고유전율층(13b); 및 상기 고유전율층 위에 형성되며, 유전율이 1 내지 10인 저유전율층(13a)으로 이루어진다.
이러한 구조는 저유전율 격벽의 변형된 구조로서, 보호막과 가까운 부분, 즉 격벽의 상단 부분의 유전율을 낮춤으로써, 저유전율 격벽을 구비한 효과를 얻을 수 있다.
상기 유전율이 11 내지 15인 고유전율 유전체층은 산화납(PbO) 60~70중량%, 산화실리콘(SiO2) 12~17중량%, 산화붕소(B2O3) 8~15중량%, 산화아연(ZnO) 5~12중량%, 산화알루미늄(Al2O3) 0.1~5중량% 을 포함하여 이루어진 격벽용 조성물로 형성하며, 상기 유전율이 1 내지 10인 저유전율층은, 전술한 저유전율 격벽용 조성물로 형성한다.
도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물의 제2실시예를 나타내는 단면도로서, 하부 기판(10) 위에 형성된 어드레스 전극(11); 상기 하부 기판 위에 형성되며, 어드레스 전극을 커버하는 유전체층(12); 상기 유전체층 위에 형성되어 방전셀을 형성하는 격벽(13); 상기 방전셀 내부에 형성된 형광체층으로 이루어지며, 상기 격벽은 중앙부의 폭이 상단부 및 하단부의 폭보다 작도록 형성되며, 유전율이 11 내지 15인 고유전율층(13b); 및 상기 고유전율층의 상부 및 하부에 형성되며, 유전율이 1 내지 10인 저유전율(13a)층으로 이루어진다. 상기 실시예는 저유전율층을 구비한 격벽의 변형된 실시예이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물의 바람직한 제조방법을 설명하기로 한다.
도 5a 내지 5f는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물의 제조방법을 나타내는 단면도로서, 하부 기판(10) 위에 어드레스 전극(11)을 형성하는 단계(도 5a); 상기 하부 기판 위에 어드레스 전극을 감싸도록 유전체 페이스트(30)를 도포하는 단계(도 5b); 일면에 격벽 형상이 음각 형성되어 있으며, 지지부(40) 및 돌출부(41)로 이루어진 스탬프로 상기 유전체 페이스트(30)를 가압하여 격벽 형상 및 유전체층 형상을 형성하는 단계(도 5c 및 5d); 상기 스탬프를 유전체 페이스트(30)로부터 분리하고, 상기 유전체 페이스트를 소성하여 유전체층(12)과 격벽(13)을 완성하는 단계(도 5e); 및 상기 유전체층의 상면 및 격벽의 측면에 형 광체층(14)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 격벽 형상은 중앙부의 폭이 상단부 및 하단부의 폭보다 작도록 형성된다.
먼저, 하부 기판(10) 위에 어드레스 전극(11)을 형성한다(도 5a). 상기 어드레스 전극의 형성은 스퍼터링 또는 프린팅 방법을 이용하여 형성한다.
다음으로, 상기 하부 기판(10) 위에 어드레스 전극(11)을 감싸도록 유전체 페이스트(30)를 도포한다(도 5b). 상기 유전체 페이스트는 전술한 바와 같이, 유전율이 1~10이 되도록 조성비를 조절하여 형성한다.
다음으로, 일면에 격벽 형상이 돌출패턴으로 형성되어 있으며, 지지부(40) 및 돌출부(41)로 이루어진 스탬프로 상기 유전체 페이스트를 가압하여 격벽 형상 및 유전체층 형상을 형성한다. 보다 상세하게는 상기 스탬프를 하부 기판의 상면에 수직인 방향으로 유전체 페이스트를 가압하고(도 5c), 이 후 상기 돌출부를 이동시켜 하부 기판의 상면에 평행한 방향으로 유전체 페이스트를 가압하여 격벽 형상 및 유전체층 형상을 형성한다(도 5d).
본 발명의 격벽은 중앙부가 오목하게 형성되어 있기 때문에, 일반적인 스탬프로는 형성하기 어렵다. 따라서, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물의 제조방법은, 돌출부(41)와 지지부(40)로 이루어지며, 돌출부(41)는, 지지부(41)의 하면을 따라 이동할 수 있도록 분리된 한 쌍의 돌출 패턴으로 이루어 지는 스탬프를 이용한다. 먼저, 스탬프를 수직방향으로 가압하여 대략적인 격벽의 형상을 형성하고, 다음으로, 스탬프의 돌출부(41)가 서로 멀어지면서, 격벽 형상을 완성한다. 상기 격벽 형상이 형성되지 않은 부분은 자연히 유전체층이 된다.
다음으로, 상기 스탬프를 유전체 페이스트(30)로부터 분리하고, 상기 유전체 페이스트를 소성하여 유전체층(12)과 격벽(13)을 완성한다(도 5e). 서로 멀어졌던, 상기 스탬프의 돌출부는 다시 맞닿도록 이동한다. 따라서, 상기 스탬프는 격벽의 상단부에 장애받지 않고, 쉽게 분리될 수 있다.
상기 격벽 및 유전체층은 소성을 거쳐서 완성된다. 소성 단계는 유기물을 태워서 제거하고 유전체층의 무기 성분을 유리화하는 것으로서, 바람직하게는 450~600℃에서 이루어지는 것이 좋다.
다음으로, 상기 유전체층(12)의 상면 및 격벽(13)의 측면에 형광체층(14)을 형성한다(도 5f). 상기 형광체층은 스크린 프린팅(Screen Printing) 또는 샌드 블라스팅(Sand Blasting) 등의 방법에 의해 형성된다.
도 6은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 일실시예를 나타내는 단면도로서, 상부 기판(20) 아래에 형성된 유지 전극(21), 버스 전극(22), 유전체층(23), 보호막(24)을 포함하여 구성되는 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 구조물; 및 하부 기판(10) 위에 형성된 어드레스 전극(11); 상기 하부 기판 위에 형성되며, 어드레스 전극을 커버하는 유전체층(12); 상기 유전체층 위에 형성되어 방전셀을 형성하는 격벽(13); 상기 방전셀 내부에 형성된 형광체층(14)으로 이루어지며, 상기 격벽은 중앙부의 폭이 상단부 및 하단부의 폭보다 작도록 형성되고, 상기 상부 구조물과 결합되는 하부 구조물을 포함하여 이루어진다.
상기 상부 기판 아래에 형성된 유지 전극, 버스 전극, 유전체층, 보호막을 포함하여 구성되는 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 구조물은 공지된 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 구조물로 형성되는 것이므로, 그 구성 및 결합 관계에 관한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물은 중앙부의 폭이 상단부 및 하단부의 폭보다 작도록 형성된 격벽을 구비하여, 방전 공간이 증가함으로써, 고온 오방전을 감소시켜 플라즈마 디스플레이 패널의 신뢰도를 향상시킨다.
또, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물은 저유전율을 갖는 격벽을 구비함으로써, 벽전하의 생성을 감소시켜 고온 오방전을 줄일 수 있다.
또, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물의 제조방법은 지지부와 돌출부로 구성되며, 상기 돌출부는 지지부의 이동할 수 있도록 분리된 한 쌍의 돌출 패턴으로 이루어진 스탬프를 이용하여, 중앙부가 오목한 격벽을 용이하게 형성할 수 있다.

Claims (10)

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  4. 하부 기판 위에 형성된 어드레스 전극;
    상기 하부 기판 위에 형성되며, 어드레스 전극을 커버하는 유전체층;
    상기 유전체층 위에 형성되어 방전셀을 형성하는 격벽; 및
    상기 방전셀 내부에 형성된 형광체층을 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물에 있어서,
    상기 방전셀 내부 공간을 증가시키기 위하여, 상기 격벽이 오목한 형상으로 되도록, 상기 격벽의 중앙부 폭은 상단부 및 하단부 폭보다 작고,
    상기 격벽은 유전율이 11 내지 15인 고유전율층; 및 상기 고유전율층 위에 형성되며 유전율이 1 내지 10인 저유전율층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 하부 구조물.
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  10. 상부 기판 아래에 형성된 유지 전극, 버스 전극, 유전체층, 보호막을 포함하여 구성되는 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 구조물; 및
    상기 상부 구조물과 결합되는, 제4항에 따른 하부 구조물을 포함하여 구성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
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