KR100759087B1 - 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법 - Google Patents

플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법에 관한 것으로, 특히 기판 상에 증착된 버퍼층 상에 SiON 박막을 증착함으로써, 컴프레시브 스트레스(compressive stress) 또는 텐서 스트레스(tenser stress)에 의하여 발생되는 기판의 휨을 방지할 수 있는 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법에 관한 것이다.
본 발명인 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법을 이루는 구성수단은, 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법에 있어서, 플렉시블 기판 상에 버퍼층과 상기 플렉시블 기판의 휨을 방지할 수 있는 스트레스 조절층을 교대로 증착하는 것을 특징으로 한다.
기판, 버퍼층, 휨

Description

플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법{method for depositing buffer layer of flexible substrates}
도 1a 및 도 1b는 종래의 플렉시블 기판의 휨 발생을 설명하기 위한 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법에 따라 증착된 버퍼층과 스트레스 조절층의 예시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 SiON 박막의 N2O 가스 양에 따른 스트레스 변화 그래프이다.
본 발명은 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법에 관한 것으로, 특히 기판 상에 증착된 버퍼층 상에 SiON 박막을 증착함으로써, 컴프레시브 스트레스(compressive stress) 또는 텐서 스트레스(tenser stress)에 의하여 발생되는 기판의 휨을 방지할 수 있는 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법에 관한 것이다.
박막 트랜지스터를 제조함에 있어서는 기판 상에 버퍼층을 형성시키고, 상기 버퍼층 상에 게이트 전극, 절연층, 활성층 및 소스/드레인 전극 등의 TFT층을 형성시킨다.
상기 기판으로서, 플렉시블 기판을 사용하는 경우에, 상기 플렉시블 기판과 상기 버퍼층의 열팽창율의 차이에 의하여 기판이 휘어지는 문제가 발생하는 것이 일반적이다.
즉, 도 1a에 도시된 바와 같이, 플렉시블 기판이 컴프레시브 스트레스(compressive stress)를 받아서 위쪽으로 휘어지는 경우가 발생한다. 이는 상기 플렉시블 기판(10)의 열팽창율이 상기 버퍼층(20)의 열팽창율보다 더 커서, 상기 플렉시블 기판(10)이 상기 버퍼층(20)보다 더 빨리 수축되기 때문에 발생한다.
반대로, 도 1b에 도시된 바와 같이, 플렉시블 기판이 텐서 스트레스(tenser stress)를 받아서 아랫쪽으로 휘어지는 경우가 발생한다. 이는 상기 플렉시블 기판(10)의 열팽창율이 상기 버퍼층(20)의 열팽창율보다 더 작아서, 상기 플렉시블 기판(10)이 상기 버퍼층(20)보다 더 늦게 수축되기 때문에 발생한다.
상기와 같이 종래에는 플렉시블 기판 상에 버퍼층을 증착시킬 때, 플렉시블 기판이 휘어지는 문제를 안고 있다. 따라서, 상기 플렉시블 기판과 버퍼층의 열팽창율의 차이에 따라 발생하는 기판의 휨을 방지해야 하는 기술이 시급하게 요청되고 있는 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 기판 상에 증착된 버퍼층 상에 SiON 박막을 증착함으로써, 컴프레시브 스트레스(compressive stress) 또는 텐서 스트레스(tenser stress)에 의하여 발생되는 기판의 휨을 방지할 수 있는 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 제안된 본 발명인 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법을 이루는 구성수단은, 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법에 있어서, 플렉시블 기판 상에 버퍼층과 상기 플렉시블 기판의 휨을 방지할 수 있는 스트레스 조절층을 교대로 증착하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 스트레스 조절층은 SiON 박막인 것을 특징으로 한다. 즉, 상기 SiON 박막은 상기 버퍼층과 상기 기판의 열팽창율의 차이에 따라 발생하는 기판 휨을 방지하기 위하여 상기 버퍼층 상에 증착되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 SiON 박막은 SiH4, NH3, N2 및 N2O 가스를 이용하여 상기 버퍼층 상에 증착되는 것을 특징으로 한다. 즉, 공정 챔버 내에 상기 네 가지의 가스를 공급하여 상기 버퍼층 상에 SiON 박막이 증착되도록 한다.
또한, 상기 SiON 박막은 상기 N2O 가스의 양을 변화시켜 기판의 컴프레시브 스트레스(compressive stress) 또는 텐서 스트레스(tenser stress)에 의한 휨을 방 지하는 것을 특징으로 한다.
즉, 상기 기판이 컴프레시브 스트레스(compressive stress)를 받아 휘어진 경우에는, 상기 N2O 가스의 양을 증가시켜 상기 SiON 박막에 의하여 상기 기판이 텐서 스트레스(tenser stress)를 받도록 함으로써, 상기 기판이 휘지 않도록 하고, 상기 기판이 텐서 스트레스(tenser stress)를 받아 휘어진 경우에는, 상기 N2O 가스의 양을 감소시켜 상기 SiON 박막에 의하여 상기 기판이 컴프레시브 스트레스(compressive stress)를 받도록 함으로써, 상기 기판이 휘지 않도록 하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 상기와 같은 구성수단으로 이루어져 있는 본 발명인 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법에 관한 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명인 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법에 따라 얻어진 박막 트랜지스터이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따라 버퍼층(20)을 플렉시블 기판(10) 상에 증착함에 있어서는 버퍼층(20) 상에 스트레스 조절층(30)을 함께 증착시킨다. 이 스트레스 조절층(30)은 플렉시블 기판(10)의 휨을 방지하기 위한 구성요소로서, 본 발명의 특징적인 사항이다. 한편, 상기 버퍼층(20)과 상기 스트레스 조절층(30)을 교대로 증착한 후에 TFT층(40)을 증착시켜 박막 트랜지스터를 완성시킨다.
본 발명은 상기 플렉시블 기판(10) 상에 버퍼층을 증착하는 과정에서, 상기 플렉시블 기판(10)과 상기 버퍼층(20)의 열팽창율 차이에 따라 발생하는 플렉시블 기판(10)의 휨을 방지하기 위하여 상기 스트레스 조절층(30)을 상기 버퍼층(20) 상에 증착한다.
즉, 상기 플렉시블 기판(10) 상에 버퍼층(20)을 형성함에 있어서, 상기 플렉시블 기판(10) 상에 버퍼층(20)과 상기 플렉시블 기판(10)의 휨을 방지할 수 있는 스트레스 조절층(30)을 교대로 증착하는 것을 본 발명의 특징으로 한다.
상기 스트레스 조절층(30)은 상기 플렉시블 기판(10)에 컴프레시브 스트레스(compressive stress)와 텐서 스트레스(tenser stress)를 모두 부여할 수 있는 재질로 형성된다. 따라서, 본 발명에서는 상기 스트레스 조절층(30)으로, SiON 박막을 이용한다.
상기 스트레스 조절층(30)으로 사용되는 SiON 박막은 공정 챔버 내에 SiH4, NH3, N2 및 N2O 가스를 주입하여 상기 버퍼층 상에 증착된다. 상기 가스 중에서 SiH4, NH3, N2 가스는 고정된 양으로 공정 챔버 내로 주입되나, 상기 N2O 가스는 상기 SiON 박막이 컴프레시브 스트레스(compressive stress) 또는 텐서 스트레스(tenser stress)를 상기 플렉시블 기판(10)에 부여할 수 있도록 가변적인 양으로 공정 챔버 내로 주입된다.
즉, 상기 SiON 박막은 상기 N2O 가스의 양을 변화시켜 상기 플렉시블 기판(10)의 컴프레시브 스트레스(compressive stress) 또는 텐서 스트레스(tenser stress)에 의한 휨을 방지할 수 있다.
도 3은 상기 SiON 박막이 상기 플렉시블 기판(10)에 부여하는 스트레스 그래프이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 SiON 박막은 상기 N2O 가스의 양에 따라 상기 플렉시블 기판(10)에 부여하는 스트레스 정도가 변화된다.
구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 N2O 가스의 양이 작은 경우(약 60sccm 이하)에는 상기 SiON 박막이 상기 플렉시블 기판(10) 상에 컴프레시브 스트레스(compressive stress)를 부여하고, 상기 N2O 가스의 양이 큰 경우(약 60sccm 이상)에는 상기 SiON 박막이 상기 플렉시블 기판(10) 상에 텐서 스트레스(tenser stress)를 부여한다.
도 3에서, 스트레스 값이 음인 경우에는 상기 SiON 박막이 상기 플렉시블 기판 상에 컴프레시브 스트레스(compressive stress)를 부여하는 것이고, 상기 스트레스 값이 양인 경우에는 상기 SiON 박막이 상기 플렉시블 기판 상에 텐서 스트레스(tenser stress)를 부여하는 것이다.
따라서, 상기 플렉시블 기판(10)이 컴프레시브 스트레스(compressive stress)를 받아 휘어진 경우에는, 상기 N2O 가스의 양을 증가시켜 상기 스트레스 조절층(30)인 SiON 박막에 의하여 상기 플렉시블 기판(10)이 텐서 스트레스(tenser stress)를 받도록 함으로써, 상기 플렉시블 기판(10)이 휘지 않도록 조절할 수 있다.
반대로, 상기 플렉시블 기판(10)이 텐서 스트레스(tenser stress)를 받아 휘어진 경우에는, 상기 N2O 가스의 양을 감소시켜 상기 스트레스 조절층(30)인 SiON 박막에 의하여 상기 플렉시블 기판(10)이 컴프레시브 스트레스(compressive stress)를 받도록 함으로써, 상기 플렉시블 기판(10)이 휘지 않도록 조절할 수 있다.
상기와 같은 구성 및 바람직한 실시예를 가지는 본 발명인 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법에 의하면, 기판 상에 증착된 버퍼층 상에 SiON 박막을 증착함으로써, 컴프레시브 스트레스(compressive stress) 또는 텐서 스트레스(tenser stress)에 의하여 발생되는 기판의 휨을 방지할 수 있는 장점이 있다.

Claims (6)

  1. 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법에 있어서,
    플렉시블 기판 상에 버퍼층과 상기 플렉시블 기판의 휨을 방지할 수 있는 스트레스 조절층을 교대로 증착하되, 상기 스트레스 조절층은 SiH4, NH3, N2 및 N2O 가스를 이용하여 상기 버퍼층 상에 증착되는 SiON 박막이고, 상기 SiON 박막은 상기 N2O 가스의 양을 변화시켜 기판의 컴프레시브 스트레스(compressive stress) 또는 텐서 스트레스(tenser stress)에 의한 휨을 방지하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판이 컴프레시브 스트레스(compressive stress)를 받아 휘어진 경우에는, 상기 N2O 가스의 양을 증가시켜 상기 SiON 박막에 의하여 상기 기판이 텐서 스트레스(tenser stress)를 받도록 함으로써, 상기 기판이 휘지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판이 텐서 스트레스(tenser stress)를 받아 휘어진 경우에는, 상기 N2O 가스의 양을 감소시켜 상기 SiON 박막에 의하여 상기 기판이 컴프레시브 스트레스(compressive stress)를 받도록 함으로써, 상기 기판이 휘지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판의 버퍼층 증착 방법.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010111832A1 (en) * 2009-03-31 2010-10-07 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Co. Ltd Substrate warpage-reducing structure
US7879438B2 (en) 2009-03-26 2011-02-01 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Substrate warpage-reducing structure
US9166191B2 (en) 2012-11-26 2015-10-20 Samsung Display Co., Ltd. Display device, method of manufacturing the display device and carrier substrate for manufacturing display device
US9312270B2 (en) 2010-09-14 2016-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of manufacturing three-dimensional semiconductor memory devices
CN105702564A (zh) * 2016-03-29 2016-06-22 上海华力微电子有限公司 一种改善晶圆翘曲度的方法
WO2018138812A1 (ja) * 2017-01-25 2018-08-02 シャープ株式会社 Ｏｌｅｄパネルの製造方法、ｏｌｅｄパネルの製造装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6955998B2 (en) 2003-06-16 2005-10-18 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming low dielectric layer of semiconductor device
KR100529383B1 (ko) 1999-06-28 2005-11-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 전극 형성방법
KR100685832B1 (ko) 2005-05-13 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 무기막 및 그의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100529383B1 (ko) 1999-06-28 2005-11-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 전극 형성방법
US6955998B2 (en) 2003-06-16 2005-10-18 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming low dielectric layer of semiconductor device
KR100685832B1 (ko) 2005-05-13 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 무기막 및 그의 제조 방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7879438B2 (en) 2009-03-26 2011-02-01 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Substrate warpage-reducing structure
WO2010111832A1 (en) * 2009-03-31 2010-10-07 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Co. Ltd Substrate warpage-reducing structure
US9312270B2 (en) 2010-09-14 2016-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of manufacturing three-dimensional semiconductor memory devices
US9166191B2 (en) 2012-11-26 2015-10-20 Samsung Display Co., Ltd. Display device, method of manufacturing the display device and carrier substrate for manufacturing display device
CN105702564A (zh) * 2016-03-29 2016-06-22 上海华力微电子有限公司 一种改善晶圆翘曲度的方法
WO2018138812A1 (ja) * 2017-01-25 2018-08-02 シャープ株式会社 Ｏｌｅｄパネルの製造方法、ｏｌｅｄパネルの製造装置

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