KR100758541B1

KR100758541B1 - light emitting diode having light emitting cells arranged in matrix layout and method for fabricating the same

Info

Publication number: KR100758541B1
Application number: KR1020050076874A
Authority: KR
Inventors: 이재호
Original assignee: 서울옵토디바이스주식회사
Priority date: 2005-08-22
Filing date: 2005-08-22
Publication date: 2007-09-13
Also published as: KR20070087726A

Abstract

본 발명은 행렬로 배치된 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 발광셀들과 발광셀들에 의해 발광된 빛 중 기판에 대해 수평방향으로 진행하는 빛들을 모아 외부로 방출시키는 광가이드부를 행렬로 규칙적으로 배열하여 발광효율을 높인 행렬로 배치된 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode having light emitting cells arranged in a matrix and a method of manufacturing the same. Particularly, among the light emitting cells and the light emitted by the light emitting cells, light emitted in a horizontal direction with respect to a substrate is collected and emitted to the outside. The present invention relates to a light emitting diode having light emitting cells arranged in a matrix in which light guide portions are arranged regularly in a matrix to increase luminous efficiency and a method of manufacturing the same.

이를 위하여 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 제1 본딩패드 및 제2 본딩패드; 상기 제1 본딩패드 및 제2 본딩패드 사이에 행렬로 배치되고 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 발광셀들; 상기 행과 열이 만나는 교차점에 위치한 발광셀의 제1 전극을 그것들에 인접한 발광셀들의 제2 전극, 제1 또는 제2 본딩패드에 각각 전기적으로 연결하는 금속배선들;을 포함하는 행렬로 배치된 발광셀들을 갖는 발광 다이오드를 제공한다.To this end, the present invention is a substrate; First and second bonding pads positioned on the substrate; Light emitting cells arranged in a matrix between the first bonding pad and the second bonding pad and including a first electrode and a second electrode; Metal wires electrically connecting a first electrode of a light emitting cell positioned at an intersection where the rows and columns meet to a second electrode, a first or a second bonding pad of light emitting cells adjacent thereto; Provided is a light emitting diode having light emitting cells.

발광 다이오드, 행렬, 광가이드부 Light emitting diode, matrix, light guide part

Description

A light emitting diode having light emitting cells arranged in a matrix and a method of manufacturing the light emitting diode having a light emitting cell arranged in matrix layout and method for fabricating the same

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 회로도이다.1 is a circuit diagram of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 평면도이다.2 is a plan view of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위해 도 2의 절취선 A-A'를 따라 취해진 부분 단면도이다.3 is a partial cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2 to illustrate a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위해 도 2의 절취선 B-B'를 따라 취해진 부분 단면도이다.4 is a partial cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 2 to illustrate a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 광가이드부의 단면도이다.5A is a cross-sectional view of an optical guide unit according to an embodiment of the present invention.

도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광가이드부의 단면도이다.5B is a cross-sectional view of an optical guide unit according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 6 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.6 to 9 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광셀들의 금속배선 연결 상태를 설명하기 위한 부분평면도들이다.10A to 10D are partial plan views illustrating a metal wiring connection state of light emitting cells according to an exemplary embodiment of the present invention.

<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1: 발광 다이오드 20: 버퍼층1: light emitting diode 20: buffer layer

30: 반도체층들 31: n형 층30: semiconductor layers 31: n-type layer

32: 활성층 33: p형 층32: active layer 33: p-type layer

40: 투명전극층 50a,50b: 제1 전극,제2 전극40: transparent electrode layer 50a, 50b: first electrode, second electrode

60a,60b: 전극패드 70: 광반사 방지층60a, 60b: electrode pad 70: light reflection prevention layer

100: 기판 200: 발광셀들100: substrate 200: light emitting cells

300a,300b: 본딩패드 400: 금속배선300a, 300b: bonding pad 400: metal wiring

500: 광가이드부500: light guide part

본 발명은 행렬로 배치된 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 발광셀들과 발광셀들에 의해 발광된 빛 중 기판에 대해 수평방향으로 진행하는 빛들을 모아 외부로 방출시키는 광가이드부를 행렬로 규칙적으로 배열하여 발광효율을 개선한 행렬로 배치된 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode having light emitting cells arranged in a matrix and a method of manufacturing the same. Particularly, among the light emitting cells and the light emitted by the light emitting cells, light emitted in a horizontal direction with respect to a substrate is collected and emitted to the outside. A light emitting diode having light emitting cells arranged in a matrix in which light guide portions are regularly arranged in a matrix to improve luminous efficiency and a method of manufacturing the same.

발광 다이오드는 N형 반도체와 P형 반도체가 서로 접합된 구조를 가지는 광전변환 반도체 소자로서, 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발산한다. 이러한 발광 다이오드는 표시소자 및 백라이트로 널리 이용되고 있다. 또한, 발광 다이오드는 기존의 전구 또는 형광등에 비해 소모 전력이 작고 수명이 길어, 백열전구 및 형광등을 대체하여 일반 조명 용도로 그 사용 영역을 넓히고 있다. A light emitting diode is a photoelectric conversion semiconductor device having a structure in which an N-type semiconductor and a P-type semiconductor are bonded to each other and emit light by recombination of electrons and holes. Such light emitting diodes are widely used as display devices and backlights. In addition, the light emitting diode consumes less power and has a longer lifespan than existing light bulbs or fluorescent lamps, thereby replacing its incandescent lamps and fluorescent lamps, thereby expanding its use area for general lighting.

발광 다이오드는 교류전원하에서 전류의 방향에 따라 온/오프를 반복한다. 따라서, 발광 다이오드를 교류전원에 직접 연결하여 사용할 경우, 발광 다이오드가 연속적으로 빛을 방출하지 못하며, 역방향 전류에 의해 쉽게 파손되는 문제점이 있다.The light emitting diode is repeatedly turned on and off in accordance with the direction of the current under AC power. Therefore, when the light emitting diode is directly connected to an AC power source, the light emitting diode does not emit light continuously and is easily damaged by reverse current.

이러한 발광 다이오드의 문제점을 해결하여, 고전압 교류전원에 직접 연결하여 사용할 수 있는 발광 다이오드가 국제공개번호 WO 2004/023568(A1)호에 "발광 성분을 갖는 발광소자"(LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS)라는 제목으로 사카이 등(SAKAI et. al.)에 의해 개시된 바 있다. In order to solve the problem of the light emitting diode, a light emitting diode which can be directly connected to a high voltage AC power source is disclosed in International Publication No. WO 2004/023568 (A1) "Light-Emitting Device Having Light-Emitting Component" (LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT- EMITTING ELEMENTS, which was disclosed by SAKAI et. Al.

상기 WO 2004/023568(A1)호에 따르면, LED들이 사파이어 기판과 같은 절연성 기판 상에서 금속배선들에 2차원적으로 직렬연결된 LED 어레이들을 형성한다. 이러한 두 개의 LED 어레이들이 상기 기판 상에서 역병렬로 연결된다. 그 결과, AC 파워 서플라이에 의해 상기 어레이들이 서로 교대로 온-오프를 반복하여 광을 방출한다. According to WO 2004/023568 (A1), the LEDs form LED arrays two-dimensionally connected in series with metal wires on an insulating substrate such as a sapphire substrate. These two LED arrays are connected in anti-parallel on the substrate. As a result, the AC power supply causes the arrays to alternately turn on and off each other to emit light.

그러나, 상기 WO 2004/023568(A1)호에 개시된 바에 따르면, 상기 발광셀들에 의해 발광되는 빛 중 상기 발광셀들에 대해 수평방향으로 진행하는 빛들은 다른 인접한 발광셀들을 통과하여 외부로 방출됨에 따라 발광되는 빛의 광도가 낮아 발광 다이오드의 발광효율이 낮은 문제점이 있다. 이를 해결하기 위해, 발광셀들에 의해 발광된 빛 중 기판에 대해 수평방향으로 진행하는 빛들을 모아 외부로 방출시키는 광가이드부를 추가로 발광 다이오드에 포함시킬 수 있다. However, as disclosed in WO 2004/023568 (A1), among the light emitted by the light emitting cells, the light traveling in the horizontal direction with respect to the light emitting cells is emitted to the outside through other adjacent light emitting cells. Accordingly, there is a problem that the luminous efficiency of the light emitting diode is low because the light intensity of the light emitted is low. In order to solve this problem, the light guide unit for collecting the light traveling in the horizontal direction with respect to the substrate of the light emitted by the light emitting cells to the outside may be further included in the light emitting diode.

그러나, 다수의 발광셀들을 2차원 행렬로 배열하여 사용하는 경우, 발광셀 어레이를 상기 WO 2004/023568(A1)호에 개시된 바와 같이 직렬로만 연결한다면 발광 다이오드 기판의 전체 면적 내에서 발광셀들과 광가이드부들을 규칙적으로 배열할 수 없을 뿐만 아니라, 상기 발광셀들을 연결하는 금속배선들의 총 길이가 지나치게 긴 문제점이 있다. However, when using a plurality of light emitting cells arranged in a two-dimensional matrix, if the light emitting cell array is connected only in series as described in WO 2004/023568 (A1), the light emitting cells and the light emitting cells within the entire area of the light emitting diode substrate Not only can the optical guide parts not be arranged regularly, but the total length of the metal wires connecting the light emitting cells is too long.

본 발명의 목적은, 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로, 다수의 발광셀들을 행렬로, 특히 정방형 행렬로 배치하여 발광 다이오드를 제작하는 경우에, 발광 다이오드의 발광효율을 높이는 광가이드부 및 발광셀들을 규칙적으로 배열할 수 있게 하여 발광 다이오드의 제조공정을 단순화 할 수 있게 함에 있다. An object of the present invention is to solve the above problems, in the case of manufacturing a light emitting diode by arranging a plurality of light emitting cells in a matrix, in particular a square matrix, the light guide portion and the light emitting cells to increase the light emitting efficiency of the light emitting diode It can be arranged on a regular basis to simplify the manufacturing process of the light emitting diode.

본 발명의 다른 목적은, 광가이드부 및 발광셀들을 규칙적으로 배열함에 따라 발광 다이오드를 제조하는데 사용되는 금속배선들의 소요량을 줄여 발광 다이오드의 제조 원가를 절감할 수 있도록 함에도 있다. Another object of the present invention is to reduce the manufacturing cost of the light emitting diode by reducing the amount of metal wires used to manufacture the light emitting diode by arranging the light guide portion and the light emitting cells regularly.

본 발명의 또 다른 목적은, 상기 발광 다이오드를 제조하는 방법을 제공할 수 있도록 함에도 있다. Still another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the light emitting diode.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 제1 본딩패드 및 제2 본딩패드; 상기 본딩패드들로부터 전원을 공급받아 발광하는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 발광셀들을 포함하여 행렬형태로 배치되되, 상기 제1 본딩패드, 제2 본딩패드, 발광셀 중 어느 하나가 행렬의 요소가 되고, 이들 행렬의 요소는 금속배선들에 의하여 전기적으로 연결되는 행렬로 배치 된 발광셀들을 갖는 발광 다이오드인 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, a substrate; First and second bonding pads positioned on the substrate; Light emitting cells including a first electrode and a second electrode that emit light by receiving power from the bonding pads are disposed in a matrix form, wherein one of the first bonding pad, the second bonding pad, and the light emitting cells is a matrix. The elements of these matrices are light emitting diodes having light emitting cells arranged in a matrix electrically connected by metal wires.

바람직하게는 상기 발광셀들 중 두 개의 행렬의 요소들에 인접하여 위치하는 발광셀의 제1 전극은 인접한 하나의 발광셀의 제2 전극 또는 본딩패드와 전기적으로 연결되고, 제2 전극은 인접한 다른 하나의 발광셀의 제1 전극 또는 본딩패드와 전기적으로 연결된다.Preferably, a first electrode of a light emitting cell positioned adjacent to elements of two matrices of the light emitting cells is electrically connected to a second electrode or a bonding pad of one adjacent light emitting cell, and the second electrode is adjacent to another adjacent light emitting cell. It is electrically connected to the first electrode or bonding pad of one light emitting cell.

더욱 바람직하게는 상기 발광셀들 중 세 개의 행렬의 요소들에 인접하여 위치하는 발광셀의 제1 전극은 인접한 하나의 발광셀의 제2 전극 또는 본딩패드 중 어느 하나와 전기적으로 연결되고 제2 전극은 인접한 다른 두 개의 발광셀의 각 제1 전극 또는 본딩패드 중 두 개와 전기적으로 연결되거나, 또는 해당 발광셀의 제1 전극은 인접한 두 개의 발광셀의 각 제2 전극 또는 본딩패드 중 두 개와 전기적으로 연결되고 제2 전극은 인접한 다른 하나의 발광셀의 제1 전극 또는 본딩패드 중 어느 하나와 전기적으로 연결된다.More preferably, the first electrode of the light emitting cell positioned adjacent to the elements of three matrixes of the light emitting cells is electrically connected to either the second electrode or the bonding pad of one adjacent light emitting cell and is connected to the second electrode. Is electrically connected to two of each first electrode or bonding pad of two adjacent light emitting cells, or the first electrode of the corresponding light emitting cell is electrically connected to two of each second electrode or bonding pad of two adjacent light emitting cells. The second electrode is electrically connected to any one of the first electrode or the bonding pad of another adjacent light emitting cell.

더욱 바람직하게는 상기 발광셀들 중 네 개의 발광셀들에 인접하여 위치하는 발광셀의 제1 전극은 인접한 두 개의 발광셀의 제2 전극과 전기적으로 연결되고, 제2 전극은 인접한 다른 두 개의 발광셀의 제1 전극과 전기적으로 연결된다.More preferably, a first electrode of a light emitting cell positioned adjacent to four light emitting cells of the light emitting cells is electrically connected to a second electrode of two adjacent light emitting cells, and the second electrode is connected to two other light emitting cells. Is electrically connected to the first electrode of the cell.

더욱 바람직하게는 상기 발광셀들 중 세 개의 발광셀들과 하나의 본딩패드에 인접하여 위치하는 발광셀의 제1 전극은 인접한 두 개의 발광셀의 제2 전극과 전기적으로 연결되고, 제2 전극은 인접한 다른 하나의 발광셀의 제1 전극 및 상기 본딩패드와 전기적으로 연결되거나, 또는 해당 발광셀의 제1 전극은 인접한 하나의 발광셀의 제2 전극 및 상기 본딩패드와 전기적으로 연결되고, 제2 전극은 인접한 다 른 두 개의 발광셀의 제1 전극과 전기적으로 연결된다. More preferably, a first electrode of a light emitting cell positioned adjacent to three light emitting cells and one bonding pad of the light emitting cells is electrically connected to a second electrode of two adjacent light emitting cells, and the second electrode is The first electrode of another adjacent light emitting cell and the bonding pads are electrically connected to each other, or the first electrode of the corresponding light emitting cell is electrically connected to the second electrode and the bonding pads of one adjacent light emitting cells, The electrode is electrically connected to the first electrodes of two adjacent light emitting cells.

더욱 바람직하게는 상기 행렬의 요소로 광가이드부를 더 포함하되, 상기 광가이드부는 인접하여 위치하는 복수의 발광셀들로부터 방출된 빛을 집중시켜 외부로 방출한다.More preferably, further comprising a light guide portion as an element of the matrix, wherein the light guide portion concentrates the light emitted from the plurality of light emitting cells located adjacent to the outside to emit.

더욱 바람직하게는 상기 광가이드부는 소정의 간격을 두고 규칙적으로 배열된다.More preferably, the light guide parts are regularly arranged at predetermined intervals.

더욱 바람직하게는 상기 금속배선들은 에어 브리지(air bridge) 또는 스텝 커버(step cover)에 의해 형성된다.More preferably, the metal wires are formed by an air bridge or a step cover.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판을 준비하고, 상기 기판 상에 위치하는 제1 본딩패드, 제2 본딩패드, 이들 본딩패드들로부터 전원을 공급받아 발광하는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 발광셀들을 행렬 형태로 배치되도록 형성하고, 상기 행렬의 요소를 금속배선들에 의하여 전기적으로 연결하는 행렬로 배치된 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 제조방법인 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention for achieving the above object, a first bonding pad, a second bonding pad positioned on the substrate, a first electrode that receives power from the bonding pads and emits light; And a light emitting cell including light emitting cells including a second electrode arranged in a matrix form and having light emitting cells arranged in a matrix electrically connecting elements of the matrix by metal wires.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 회로도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다. 1 is a circuit diagram illustrating a light emitting diode according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view illustrating a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이 오드(1)는 기판(100), 발광셀들(200), 제1 및 제2 본딩패드(300a,300b), 금속배선들(400) 및 광가이드부들(500)을 포함한다. 1 and 2, a light emitting diode 1 according to an embodiment of the present invention may include a substrate 100, light emitting cells 200, and first and second bonding pads 300a and 300b. , Metal wires 400 and light guide parts 500.

상기 기판(100)은 사파이어 또는 사파이어에 비해 열전도율이 큰 SiC 등과 같은 소재로 이루어질 수 있으며, 상기 기판(100) 위로는 패터닝된 복수의 발광셀들(200)이 형성된다. The substrate 100 may be formed of a material such as SiC having a higher thermal conductivity than sapphire or sapphire, and a plurality of patterned light emitting cells 200 are formed on the substrate 100.

상기 발광셀들(200) 각각은 N형 반도체층(31), 활성층(32), 그리고 P형 반도체층(33)이 연속적으로 적층된 구조를 이룬다. 상기 활성층(32)은 상기 N형 반도체층(31)의 일부 영역 상에 형성되며, 상기 활성층(32) 위로는 P형 반도체층(33)이 형성된다. 따라서, 상기 N형 반도체층(31)의 상면 일부 영역은 활성층(32)과 접합되어 있으며, 상면의 나머지 일부 영역은 외부로 노출된다. Each of the light emitting cells 200 has a structure in which an N-type semiconductor layer 31, an active layer 32, and a P-type semiconductor layer 33 are sequentially stacked. The active layer 32 is formed on a portion of the N-type semiconductor layer 31, and a P-type semiconductor layer 33 is formed on the active layer 32. Accordingly, a portion of the upper surface of the N-type semiconductor layer 31 is bonded to the active layer 32, and the remaining portion of the upper surface of the N-type semiconductor layer 31 is exposed to the outside.

상기 발광셀들(200)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 본딩패드(300a) 및 제2 본딩패드(300b) 사이에 행렬로, 예를 들어 정방형 행렬로 배치된다. As shown in FIGS. 1 and 2, the light emitting cells 200 are arranged in a matrix, for example, in a square matrix, between the first bonding pad 300a and the second bonding pad 300b.

상기 제1 및 제2 본딩패드(300a,300b)는 상기 금속배선들(400)을 통해 상기 발광 다이오드(1)를 외부전원에 연결하기 위한 패드들이다. 상기 제1 및 제2 본딩패드들(300a,300b)은 본딩와이어들(미도시)을 통해 외부전원에 연결될 수 있다. The first and second bonding pads 300a and 300b are pads for connecting the light emitting diode 1 to an external power source through the metal wires 400. The first and second bonding pads 300a and 300b may be connected to an external power source through bonding wires (not shown).

상기 금속배선들(400)은 상기 발광셀들(200)을 전기적으로 연결한다. 상기 금속배선들(400)은 하나의 발광셀(200)의 제1 전극(50a)과 해당 발광셀(200)과 인접한 다른 발광셀(200)의 제2 전극(50b)을 연결하여, 인접한 발광셀들(200)의 P형 반도체층(33)과 N형 반도체층(31)을 전기적으로 연결한다. 또한, 상기 금속배선들 (400)은 하나의 발광셀(200)의 제1 전극(50a) 또는 제2 전극(50b)과 해당 발광셀(200)에 인접한 상기 제1 또는 제2 본딩패드(300a,300b)를 전기적으로 연결하여 상기 발광 다이오드(1)에 전원을 공급한다.The metal wires 400 electrically connect the light emitting cells 200. The metal wires 400 connect the first electrode 50a of one light emitting cell 200 and the second electrode 50b of another light emitting cell 200 adjacent to the light emitting cell 200 to emit adjacent light. The P-type semiconductor layer 33 and the N-type semiconductor layer 31 of the cells 200 are electrically connected to each other. In addition, the metal wires 400 may include the first electrode 50a or the second electrode 50b of one light emitting cell 200 and the first or second bonding pad 300a adjacent to the light emitting cell 200. 300b is electrically connected to supply power to the light emitting diode 1.

상기 금속 배선들(400)은 상기 행과 열이 만나는 교차점에 위치한 발광셀(200)의 제1 전극(50a) 및 제2 전극(50b) 각각을 그것들에 인접한 발광셀들(200)의 제2 전극(50b) 및 제1 전극(50a) 각각, 제1 본딩패드(300a) 또는 제2 본딩패드(300b)에 전기적으로 연결한다. The metal wires 400 each of the first electrode 50a and the second electrode 50b of the light emitting cell 200 located at the intersection where the row and the column meet each other, the second of the light emitting cells 200 adjacent thereto. Each of the electrode 50b and the first electrode 50a is electrically connected to the first bonding pad 300a or the second bonding pad 300b.

특히, 도 10a에 도시된 바와 같이, 상기 발광셀들(200) 중 두 개의 행렬의 요소들(200,300a,300b)에 인접하여 위치하는 발광셀(200)의 제1 전극(50a)은 인접한 하나의 발광셀(200)의 제2 전극(50b) 또는 본딩패드(300a,300b)와 전기적으로 연결되고, 제2 전극(50b)은 인접한 다른 하나의 발광셀(200)의 제1 전극(50a) 또는 본딩패드(300a,300b)와 전기적으로 연결된다. In particular, as shown in FIG. 10A, the first electrode 50a of the light emitting cell 200 positioned adjacent to the elements 200, 300a and 300b of two matrixes of the light emitting cells 200 is an adjacent one. The second electrode 50b of the light emitting cell 200 or the bonding pads 300a and 300b are electrically connected to each other, and the second electrode 50b is the first electrode 50a of the other adjacent light emitting cell 200. Or it is electrically connected to the bonding pads (300a, 300b).

행렬배치 상에서, 인접하여 위치하는 행렬의 요소들(200,300a,300b)(상기 광가이드부(500) 제외)이 두 개인 경우, 상기 금속배선(400)은 두 개가 요구되며, 다이오드의 동작을 위해서는 하나의 발광셀(200)의 제1 전극(50a)은 다른 발광셀(200)의 제2 전극(50b)에 연결되어야 하므로 도 10a와 같은 배선연결 구성만이 존재한다. In the matrix arrangement, when there are two elements 200, 300a, and 300b (except the light guide unit 500) of adjacent matrixes, two metal wires 400 are required for the operation of the diode. Since the first electrode 50a of one light emitting cell 200 should be connected to the second electrode 50b of the other light emitting cell 200, only the wiring connection configuration as shown in FIG. 10A exists.

그리고, 도 10b 및 도 10c에 도시된 바와 같이, 상기 발광셀들(200) 중 세 개의 행렬의 요소들(200,300a,300b)에 인접하여 위치하는 발광셀(200)의 제1 전극(50a)은 인접한 하나의 발광셀(200)의 제2 전극(50b) 또는 본딩패드(300a,300b) 중 어느 하나와 전기적으로 연결되고 제2 전극(50b)은 인접한 다른 두 개의 발광셀(200)의 각 제1 전극(50a) 또는 본딩패드(300a,300b) 중 두 개와 전기적으로 연결되거나, 또는 해당 발광셀(200)의 제1 전극(50a)은 인접한 두 개의 발광셀(200)의 각 제2 전극(50b) 또는 본딩패드(300a,300b) 중 두 개와 전기적으로 연결되고 제2 전극(50b)은 인접한 다른 하나의 발광셀(200)의 제1 전극(50a) 또는 본딩패드(300a,300b) 중 어느 하나와 전기적으로 연결된다. 10B and 10C, the first electrode 50a of the light emitting cell 200 positioned adjacent to the elements 200, 300a and 300b of three matrixes of the light emitting cells 200 is shown. Is electrically connected to one of the second electrode 50b or the bonding pads 300a and 300b of one adjacent light emitting cell 200 and the second electrode 50b is each of the two adjacent light emitting cells 200. The first electrode 50a of the light emitting cell 200 is electrically connected to two of the first electrode 50a or the bonding pads 300a and 300b, or each second electrode of two adjacent light emitting cells 200 is provided. The second electrode 50b is electrically connected to two of the 50b or the bonding pads 300a and 300b, and the second electrode 50b is one of the first electrode 50a or the bonding pads 300a and 300b of the other adjacent light emitting cell 200. It is electrically connected to either.

행렬배치 상에서, 인접하여 위치하는 행렬의 요소들(200,300a,300b)(상기 광가이드부(500) 제외)이 세 개인 경우, 상기 금속배선(400)은 세 개가 요구되며, 다이오드의 동작을 위해서는 하나의 발광셀(200)의 제1 전극(50a)은 다른 발광셀(200)의 제2 전극(50b)에 연결되어야 하므로 도 10b 또는 도 10c와 같은 배선연결 구성만이 존재한다. In the matrix arrangement, when there are three elements 200, 300a, and 300b (except the light guide unit 500) of adjacent matrixes, three metal wires 400 are required for the operation of the diode. Since the first electrode 50a of one light emitting cell 200 should be connected to the second electrode 50b of the other light emitting cell 200, only a wiring connection configuration as shown in FIG. 10B or 10C exists.

또한, 도 10d에 도시된 바와 같이, 상기 발광셀들(200) 중 네 개의 발광셀들(200)에 인접하여 위치하는 발광셀(200)의 제1 전극(50a)은 인접한 두 개의 발광셀(200)의 제2 전극(50b)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극(50b)은 인접한 다른 두 개의 발광셀(200)의 제1 전극(50a)과 전기적으로 연결된다. In addition, as shown in FIG. 10D, the first electrode 50a of the light emitting cell 200 positioned adjacent to four light emitting cells 200 among the light emitting cells 200 may be formed of two adjacent light emitting cells ( The second electrode 50b of the 200 is electrically connected, and the second electrode 50b is electrically connected to the first electrode 50a of the two other adjacent light emitting cells 200.

이에 더해, 도 10d에 도시된 바와 같이, 상기 발광셀들(200) 중 세 개의 발광셀들(200)과 하나의 본딩패드(300a,300b)에 인접하여 위치하는 발광셀(200)의 제1 전극(50a)은 인접한 두 개의 발광셀(200)의 제2 전극(50b)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극(50b)은 인접한 다른 하나의 발광셀(200)의 제1 전극(50a) 및 상기 본딩패드(300a,300b)와 전기적으로 연결되거나, 또는 해당 발광셀(200)의 제1 전극 (50a)은 인접한 하나의 발광셀(200)의 제2 전극(50b) 및 상기 본딩패드(300a,300b)와 전기적으로 연결되고, 제2 전극(50b)은 인접한 다른 두 개의 발광셀(200)의 제1 전극(50a)과 전기적으로 연결된다. In addition, as illustrated in FIG. 10D, the first of the light emitting cells 200 positioned adjacent to the three light emitting cells 200 and the bonding pads 300a and 300b of the light emitting cells 200. The electrode 50a is electrically connected to the second electrode 50b of the two adjacent light emitting cells 200, and the second electrode 50b is the first electrode 50a and the other adjacent light emitting cell 200. The first electrode 50a of the light emitting cell 200 is electrically connected to the bonding pads 300a and 300b, or the second electrode 50b of the adjacent light emitting cell 200 and the bonding pad 300a. 300b is electrically connected to the second electrode 50b, and the second electrode 50b is electrically connected to the first electrode 50a of the two other adjacent light emitting cells 200.

행렬배치 상에서, 인접하여 위치하는 행렬의 요소들(200,300a,300b)(상기 광가이드부(500) 제외)이 네 개인 경우, 상기 금속배선(400)은 네 개가 요구되며, 다이오드의 동작을 위해서는 하나의 발광셀(200)의 제1 전극(50a)은 다른 발광셀(200)의 제2 전극(50b)에 연결되어야 하므로 도 10d와 같은 배선연결 구성이 가능하다. In the matrix arrangement, if there are four elements 200, 300a, and 300b (except for the light guide part 500) of adjacent matrixes, four metal wires 400 are required for the operation of the diode. Since the first electrode 50a of one light emitting cell 200 should be connected to the second electrode 50b of the other light emitting cell 200, a wiring connection configuration as shown in FIG. 10D is possible.

상기 광가이드부(500)는 상기 발광셀들(200) 및 상기 본딩패드(300a,300b)와 함께 행렬 형태로 배치되도록 형성되고, 인접하여 위치하는 복수의 발광셀들(200)로부터 방출된 빛을 집중시켜 외부로 방출되도록 가이드(guide)하는 역할을 수행한다. 특히, 상기 광가이드부(500)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 소정의 간격을 두고 규칙적으로 배열되어 상기 발광 다이오드(1)의 제조 공정을 단순화시킴과 동시에 제조원가를 절감시키는 것이 바람직하다. The light guide part 500 is formed to be arranged in a matrix form together with the light emitting cells 200 and the bonding pads 300a and 300b, and the light emitted from the plurality of light emitting cells 200 adjacent to each other. It concentrates and guides the discharge to the outside. In particular, as shown in FIGS. 1 and 2, the light guide part 500 is regularly arranged at predetermined intervals to simplify the manufacturing process of the light emitting diode 1 and reduce manufacturing cost. desirable.

상기 광가이드부(500)는 위에서 바라본 형상이 도 2에 도시된 바와 같이 원형일 수 있으나 사각형 또는 오각형 등의 각진 모양을 가질 수 있음은 물론이다. The light guide part 500 may have a circular shape as shown in FIG. 2, but may have an angular shape such as a square or a pentagon.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위해 도 2의 절취선 A-A`를 따라 취해진 부분단면도이다. 3 is a partial cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2 to illustrate a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 기판(100) 상에 서로 이격된 발광셀들(200)이 위치한다. 상기 발광셀들(200) 각각은 N형 반도체층(31)과, 상기 N형 반도체층(31)의 일부 영 역 상에 위치하는 P형 반도체층(33) 및 상기 N형 반도체층(31)과 P형 반도체층(33) 사이에 개재된 활성층(32)을 포함한다. Referring to FIG. 3, light emitting cells 200 spaced apart from each other are disposed on a substrate 100. Each of the light emitting cells 200 is an N-type semiconductor layer 31, a P-type semiconductor layer 33 and the N-type semiconductor layer 31 positioned on a portion of the N-type semiconductor layer 31. And an active layer 32 interposed between the P-type semiconductor layer 33.

여기서, 상기 N형 반도체층(31)은 제1 전극(50a)의 역할을 한다. 한편, 상기 P형 반도체층(33) 상에 제2 전극(50b)이 형성된다. 상기 제2 전극(50b)은 광이 투과할 수 있는 투명전극층(40)일 수 있다. Here, the N-type semiconductor layer 31 serves as the first electrode 50a. On the other hand, the second electrode 50b is formed on the P-type semiconductor layer 33. The second electrode 50b may be a transparent electrode layer 40 through which light can pass.

상기 발광셀들(200)은 상기 기판(100) 상에 각 반도체층들(30) 및 투명전극층(40)을 형성한 후, 사진 및 식각 공정을 사용하여 패터닝하여 형성할 수 있다. The light emitting cells 200 may be formed by forming each of the semiconductor layers 30 and the transparent electrode layer 40 on the substrate 100 and then patterning the same using a photolithography and an etching process.

상기 N형 반도체층(31)의 일 영역 상에 전극패드(60b)가 형성될 수 있으며, 상기 제2 전극(40) 상에 전극패드(60a)가 형성될 수 있다. 상기 전극패드들(60a, 60b)은 리프트-오프(lift-off)법을 사용하여 원하는 위치에 형성될 수 있다. An electrode pad 60b may be formed on one region of the N-type semiconductor layer 31, and an electrode pad 60a may be formed on the second electrode 40. The electrode pads 60a and 60b may be formed at a desired position by using a lift-off method.

상기 금속배선들(400)은 에어브리지(air-bridge) 공정 또는 스텝커버(step-cover) 공정을 사용하여 함께 형성될 수 있다. The metal wires 400 may be formed together using an air-bridge process or a step-cover process.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위해 도 2의 절취선 B-B`를 따라 취해진 부분단면도이다. 4 is a partial cross-sectional view taken along the line B-B ′ of FIG. 2 to illustrate a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 기판(100) 상에 서로 이격된 발광셀들(200)이 위치하며 상기 발광셀들(200) 사이에 광가이드부(500)가 위치한다. Referring to FIG. 4, light emitting cells 200 spaced apart from each other are positioned on a substrate 100, and an optical guide part 500 is positioned between the light emitting cells 200.

상기 발광셀들(200)은 상기 도 3에 도시된 발광셀들(200)과 동일한 구성을 가진다. The light emitting cells 200 have the same configuration as the light emitting cells 200 shown in FIG. 3.

상기 광가이드부(500)는 상기 반도체층들(30) 및 투명전극층(40)을 형성한 후에 상기 기판(100)이 드러나도록 중앙 부분을 식각하여 형성할 수 있다. 상기 광 가이드부(500)는 도 5a에 도시된 바와 같이 중앙 부분이 기판(100)에 대해 경사를 가지도록 식각되거나 도 5b에 도시된 바와 같이 기판(100)에 대해 수직이 되도록 식각될 수 있다. 상기 광가이드부(500)는 인접한 발광셀들(200)에서 발광된 빛들을 수집하여 소정의 방향, 예를 들어 상기 기판에 대해 수직 방향으로 출사되도록 가이드(guide)하는 역할을 수행한다. The light guide part 500 may be formed by etching the central portion so that the substrate 100 is exposed after the semiconductor layers 30 and the transparent electrode layer 40 are formed. The light guide part 500 may be etched such that the central portion thereof is inclined with respect to the substrate 100 as shown in FIG. 5A or perpendicular to the substrate 100 as shown in FIG. 5B. . The light guide part 500 collects light emitted from adjacent light emitting cells 200 and guides the light guide part 500 to be emitted in a predetermined direction, for example, perpendicular to the substrate.

상기 발광셀들(200)을 행과 열, 예를 들어 2차원 정방형으로 배치하는 경우, 상기 광가이드부(500) 없이 상기 발광셀들(200)만이 배치되면 상기 발광셀들(200)에서 출사된 빛 중 상기 기판(100)에 대해 수평 방향으로 진행하는 빛들은 인접한 발광셀들(200)을 거침에 따라 그 휘도가 감소하여 상기 발광 다이오드(1)의 전체적인 발광효율이 저하된다. 이에 따라, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 광가이드부(500)를 일정 간격으로 배치하여 상기 광가이드부(500)에 인접한 발광셀들(200)로부터 수평방향으로 입사된 빛들을 수집하고 수직방향으로 출사시키도록 하여 상기 발광 다이오드(1)의 발광 효율을 향상시킨다. When arranging the light emitting cells 200 in rows and columns, for example, a two-dimensional square, when only the light emitting cells 200 are disposed without the light guide part 500, the light emitting cells 200 are emitted from the light emitting cells 200. Among the lights, the light traveling in the horizontal direction with respect to the substrate 100 passes through adjacent light emitting cells 200, and the luminance thereof decreases, thereby lowering the overall luminous efficiency of the light emitting diode 1. Accordingly, as illustrated in FIGS. 1 and 2, the light guide parts 500 are disposed at predetermined intervals to emit light incident from the light emitting cells 200 adjacent to the light guide parts 500 in the horizontal direction. The light emitting efficiency of the light emitting diode 1 is improved by collecting and emitting the light in the vertical direction.

또한, 상기 광가이드부(500)에는 상기 광가이부(500)의 광투과율을 높이기 위한 광반사 방지 물질을 코팅하여 광반사 방지층(70)이 형성될 수 있다. 상기 광반사 방지층의 두께는 바람직하게는 λ/4n이다. 여기서, λ는 상기 인접한 발광셀로부터 입사되는 빛의 파장길이, n은 상기 광반사 방지 물질의 굴절율이다. 상기 광반사 방지 물질은 바람직하게는 굴절율이 1.3 내지 1.7인 물질로서, 예를 들어 SiO₂, Al₂O₃ 또는 Si₃N₄일 수 있다. 상기 광반사 방지층(70)은 상기 광반사 물질을 상기 광가이드부(500) 위에 스퍼터링(sputtering)하여 형성할 수 있다. In addition, the light reflection prevention layer 70 may be formed on the light guide part 500 by coating a light reflection prevention material for increasing the light transmittance of the light guide part 500. The thickness of the light reflection prevention layer is preferably λ / 4n. Is the wavelength of light incident from the adjacent light emitting cells, and n is the refractive index of the light reflection preventing material. The anti-reflective material is preferably a material having a refractive index of 1.3 to 1.7, and may be, for example, SiO ₂ , Al ₂ O _3, or Si ₃ N ₄ . The light reflection prevention layer 70 may be formed by sputtering the light reflection material on the light guide part 500.

이하, 본 실시예들에 따른 발광 다이오드 제조방법을 상세히 설명한다. Hereinafter, a light emitting diode manufacturing method according to the present embodiments will be described in detail.

도 6 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 6 to 9 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 기판(10) 상에 버퍼층(20)을 형성하고, 상기 버퍼층(20) 상에 N형 반도체층(31), 활성층(32), P형 반도체층(33) 및 투명전극층(40)을 차례로 형성한다. Referring to FIG. 6, a buffer layer 20 is formed on a substrate 10, and an N-type semiconductor layer 31, an active layer 32, a P-type semiconductor layer 33, and a transparent electrode layer are formed on the buffer layer 20. 40 are formed in sequence.

상기 버퍼층(20) 및 반도체층들(30)은 금속유기 화학 기상증착(MOCVD), 분자선 성장(MBE) 또는 기상 성장(HVPE) 방법 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 반도체층들(30)은 동일한 공정 챔버에서 연속적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(20)은 AlN 또는 반절연 GaN층과 같은 절연성 물질막으로 형성될 수 있으나, 경우에 따라 도전성 물질막, 예컨대 N형 GaN층으로 형성될 수 있다. The buffer layer 20 and the semiconductor layers 30 may be formed using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), molecular beam growth (MBE) or vapor phase growth (HVPE). In addition, the semiconductor layers 30 may be continuously formed in the same process chamber. The buffer layer 20 may be formed of an insulating material film, such as an AlN or semi-insulating GaN layer, but may be formed of a conductive material film, for example, an N-type GaN layer.

상기 투명전극층(40)은 Ni/Au 또는 인티움틴산화막(ITO)로 형성된 투명전극층일 수 있다. The transparent electrode layer 40 may be a transparent electrode layer formed of Ni / Au or indium tin oxide (ITO).

도 7을 참조하면, 상기 투명전극층(40)이 형성된 후, 사진 및 식각 공정을 사용하여 상기 반도체층들(30) 및 투명전극층(40)을 패터닝하여 서로 이격되어 행렬로 배치된 반도체 패턴들(200, 500)을 형성한다. Referring to FIG. 7, after the transparent electrode layer 40 is formed, the semiconductor patterns 30 are spaced apart from each other by patterning the semiconductor layers 30 and the transparent electrode layer 40 by using a photolithography and etching process. 200, 500).

도 8을 참조하면, 상기 반도체 패턴들(200,500)이 형성된 후, 상기 반도체 패턴들 중 발광셀들(200)로 제작할 반도체 패턴들을 사진 및 식각 공정을 사용하여 상기 P형 반도체층(33) 및 활성층(32)을 패터닝하여 상기 N형 반도체층(31) 상부의 일부 영역이 노출되도록 한다. Referring to FIG. 8, after the semiconductor patterns 200 and 500 are formed, the P-type semiconductor layer 33 and the active layer of the semiconductor patterns to be made of the light emitting cells 200 are photographed and etched using a photolithography process. The 32 is patterned to expose a portion of the upper portion of the N-type semiconductor layer 31.

그 후, 상기 반도체 패턴들 중 광가이부(500)로 제작할 반도체 패턴들에 패터닝을 수행하여 인접한 상기 발광셀들(200)로터 빛들이 입사되는 외주부와 상기 입사된 빛을 소정의 방향으로 출사하도록 가이드하는 내주부를 갖는 광가이드부(500)를 형성한다. Thereafter, patterning is performed on semiconductor patterns to be manufactured by the light guide part 500 of the semiconductor patterns so that the light emits the outer circumferential part of the light emitting cells 200 and the incident light is emitted in a predetermined direction. An optical guide part 500 having an inner circumference to guide is formed.

그 후, 상기 노출된 N형 반도체층(31) 상에 전극패드(60b)를 형성한다. 상기 전극패드(60b)는 리프트 오프(lift-off)법을 사용하여 형성될 수 있다. 그 후, 인접한 발광셀의 전극패드(60b)와 전극패드(60a)를 금속배선들(400)로 연결한다. 상기 금속배선들(400)은 에어 브리지(air bridge) 또는 스텝 커버(step cover) 공정 등을 통해 형성될 수 있다. Thereafter, an electrode pad 60b is formed on the exposed N-type semiconductor layer 31. The electrode pad 60b may be formed using a lift-off method. Thereafter, the electrode pad 60b and the electrode pad 60a of the adjacent light emitting cell are connected to the metal wires 400. The metal wires 400 may be formed through an air bridge or step cover process.

도 9를 참조하면, 상기 광가이드부(500)가 형성된 후, 상기 광가이드부(500)에 입사된 빛의 광투과율을 높이기 위해 상기 광가이드부(500) 위에 광반사 방지 물질을 스퍼터링(sputtering)하여 상기 외주부를 제외한 광가이드부 표면을 덮는 광반사 방지층(70)을 형성한다. 상기 광반사 방지 물질은 SiO₂, Al₂O₃ 또는 Si₃N₄일 수 있으며, 상기 광반사 방지층(70)의 두께는 λ/4n일 수 있다. 여기서, λ는 상기 인접한 발광셀(200)로부터 입사되는 빛의 파장길이, n은 상기 광반사 방지 물질의 굴절율을 의미한다. Referring to FIG. 9, after the light guide part 500 is formed, sputtering a light reflection preventing material on the light guide part 500 to increase the light transmittance of light incident on the light guide part 500. ) To form a light reflection prevention layer 70 covering the surface of the light guide portion except for the outer circumferential portion. The anti-reflective material may be SiO ₂ , Al ₂ O _3, or Si ₃ N ₄ , and the thickness of the anti-reflective layer 70 may be λ / 4n. Here, λ denotes the wavelength of light incident from the adjacent light emitting cell 200, and n denotes the refractive index of the light reflection preventing material.

본 발명을 설명함에 있어서, 상기 광가이드부(500)를 상기 투명전극층(40)이 형성된 후에 형성하는 것으로 설명했으나 상기 반도체층들(30)을 형성한 후에 상기 광가이드부(500)를 형성할 수도 있음은 물론이다. In the present invention, the optical guide part 500 is described as being formed after the transparent electrode layer 40 is formed. However, the optical guide part 500 may be formed after the semiconductor layers 30 are formed. Of course you can.

이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications and changes can be made by those skilled in the art, which are included in the spirit and scope of the present invention as defined in the appended claims.

상기와 같은 본 발명에 따르면 있는 다수의 발광셀들을 행렬로, 특히 정방형 행렬로 배치하여 발광 다이오드를 제작하는 경우에, 발광 다이오드의 발광효율을 높이는 광가이드부 및 발광셀들을 규칙적으로 배열할 수 있게 하여 발광 다이오드의 제조공정을 단순화 할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention as described above, in the case of manufacturing a light emitting diode by arranging a plurality of light emitting cells in a matrix, in particular in a square matrix, it is possible to regularly arrange the light guide portion and the light emitting cells to increase the luminous efficiency of the light emitting diode. Therefore, the manufacturing process of the light emitting diode can be simplified.

또한, 상기와 같은 본 발명에 따르면 있는 광가이드부 및 발광셀들을 규칙적으로 배열함에 따라 발광 다이오드를 제조하는데 사용되는 금속배선들의 소요량을 줄여 발광 다이오드의 제조 원가를 절감할 수 있는 효과도 있다.In addition, according to the present invention as described above by arranging the light guide portion and the light emitting cells regularly there is an effect that can reduce the manufacturing cost of the light emitting diode by reducing the amount of metal wires used to manufacture the light emitting diode.

또한, 상기와 같은 본 발명에 따르면 상기 발광 다이오드를 제조하는 방법을 제공할 수 있는 효과도 있다.In addition, according to the present invention as described above there is an effect that can provide a method for manufacturing the light emitting diode.

Claims

Board;

Bonding pads on the substrate;

A plurality of light emitting cells arranged in a matrix on the substrate;

Wiring means for electrically connecting the bonding pads and the plurality of light emitting cells; And

An optical guide part disposed at a position of an element of the matrix,

The wiring means includes a plurality of metal wires connecting between one electrode of one light emitting cell and electrodes of other light emitting cells adjacent to the one light emitting cell,

The light guide unit is characterized in that the light emitted from the plurality of light emitting cells located adjacent to the light emitting diode, characterized in that for emitting to the outside.

The light emitting cell of claim 1, wherein the first electrode of the light emitting cell positioned adjacent to the elements of two matrixes of the light emitting cells is electrically connected to the second electrode or bonding pad of one adjacent light emitting cell. A light emitting diode having light emitting cells arranged in a matrix, wherein the light emitting cells are electrically connected to a first electrode or a bonding pad of another adjacent light emitting cell.

The light emitting cell of claim 1, wherein the first electrode of the light emitting cell positioned adjacent to the elements of three matrixes of the light emitting cells is electrically connected to any one of the second electrode or the bonding pad of one adjacent light emitting cell. The electrode is electrically connected to two of each first electrode or bonding pad of two adjacent light emitting cells, or the first electrode of the corresponding light emitting cell is electrically connected to two of each second electrode or bonding pad of two adjacent light emitting cells. And light emitting cells arranged in a matrix, the second electrode being electrically connected to either the first electrode or the bonding pad of another adjacent light emitting cell.

The light emitting cell of claim 1, wherein the first electrode of the light emitting cell positioned adjacent to four of the light emitting cells is electrically connected to the second electrode of two adjacent light emitting cells, and the second electrode of the light emitting cell is the other two adjacent light emitting cells. A light emitting diode having light emitting cells arranged in a matrix, the light emitting cells being electrically connected to a first electrode of the light emitting cells.

The method of claim 1, wherein the first electrode of the light emitting cell positioned adjacent to the three light emitting cells and one bonding pad of the light emitting cells are electrically connected to the second electrode of the two adjacent light emitting cells, the second electrode Is electrically connected to the first electrode and the bonding pad of another adjacent light emitting cell, or the first electrode of the light emitting cell is electrically connected to the second electrode and the bonding pad of one adjacent light emitting cell, 2. The light emitting diode having the light emitting cells arranged in a matrix, wherein the two electrodes are electrically connected to the first electrode of two adjacent light emitting cells.

delete

The light emitting diode of claim 1, wherein the light guide parts are arranged regularly at predetermined intervals.

The light emitting diode of claim 1, wherein the metal lines are formed by an air bridge or a step cover.

Preparing a substrate;

Forming bonding pads and a plurality of light emitting cells on the substrate, wherein the plurality of light emitting cells are arranged in a matrix;

Electrically connecting the bonding pads and the plurality of light emitting cells with a plurality of metal wires;

The optical guide is arranged at the position of the element of the matrix,

At least two metal wires connecting between one electrode of one light emitting cell and one electrode of another light emitting cell adjacent to the one light emitting cell among the plurality of metal wires are included, and the light guide is adjacent to the light guide. AC light emitting diode manufacturing method characterized in that the light emitted from the plurality of light emitting cells to concentrate and emit to the outside.

10. The method of claim 9, wherein the first electrode of the light emitting cell positioned adjacent to the elements of two matrixes of the light emitting cells is electrically connected to the second electrode or bonding pad of the adjacent one light emitting cell, A method of manufacturing an alternating light emitting diode having light emitting cells arranged in a matrix, the light emitting cells being electrically connected to a first electrode or a bonding pad of another adjacent light emitting cell.

The light emitting cell of claim 9, wherein the first electrode of the light emitting cell positioned adjacent to the elements of three matrixes of the light emitting cells is electrically connected to either the second electrode or the bonding pad of the adjacent one light emitting cell. The electrode is electrically connected to two of each first electrode or bonding pad of two adjacent light emitting cells, or the first electrode of the corresponding light emitting cell is electrically connected to two of each second electrode or bonding pad of two adjacent light emitting cells. And a second electrode connected to the first electrode or the bonding pad of another adjacent light emitting cell, wherein the second electrode is electrically connected to the second electrode.

The method of claim 9, wherein the first electrode of the light emitting cell positioned adjacent to the four light emitting cells of the light emitting cells is electrically connected to the second electrode of the two adjacent light emitting cells, the second electrode is the other two adjacent light emitting cells A method of manufacturing an alternating light emitting diode having light emitting cells arranged in a matrix, the light emitting cells being electrically connected to a first electrode of the light emitting cells.

The method of claim 9, wherein the first electrode of the light emitting cell positioned adjacent to the three light emitting cells and one bonding pad of the light emitting cells is electrically connected to the second electrode of the two adjacent light emitting cells, the second electrode Is electrically connected to the first electrode and the bonding pad of another adjacent light emitting cell, or the first electrode of the light emitting cell is electrically connected to the second electrode and the bonding pad of one adjacent light emitting cell, And the second electrode is electrically connected to the first electrode of two adjacent light emitting cells.

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The method of claim 9, wherein the light guide unit is formed to be regularly arranged at a predetermined interval. 11.

The method of claim 9, wherein the metal wires are formed by air bridges or step covers.