KR100753722B1

KR100753722B1 - 반사식 표시 장치 및 그의 제작 방법

Info

Publication number: KR100753722B1
Application number: KR1020060020192A
Authority: KR
Inventors: 사유리 후지와라; 기요시 미노우라; 마꼬또 간베; 유따까 사와야마
Original assignee: 샤프 가부시키가이샤
Priority date: 2005-03-04
Filing date: 2006-03-03
Publication date: 2007-08-30
Also published as: CN1828381A; US20060197892A1; US8049846B2; CN100510859C; JP2006243472A; KR20060096343A; JP4020919B2

Abstract

반사식 표시 장치는 광학 변조층(34)과, 광학 변조층(34)을 사이에 보유하는 한 쌍의 기판(30, 32)과, 광학 변조층(34)의 광학 특징의 화소마다의 변화를 일으키기 위한 전극 구조물(52, 44)을 포함한다. 한 쌍의 기판들 중 하나(32)는 복수의 코너 큐브(36)로 구성된 코너 큐브 어레이를 갖는다. 코너 큐브 어레이(36)는 한 쌍의 기판(30, 32) 사이의 간격을 한정하는 복수의 돌출부(46)를 갖고, 복수의 돌출부(46)는 피크부 내에 배치된다.

반사식 표시 장치, 코너 큐브, 역반사층, 기판, 절연층, 금속층

Description

반사식 표시 장치 및 그의 제작 방법{REFLECTION-TYPE DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}

도1a는 종래의 역반사식 LCD의 구조를 도시하는 개략적인 단면도.

도1b는 도1a의 표시 장치의 반사 전극을 도시하는 평면도.

도2a 및 도2b는 각각 코너 큐브 어레이의 평면도 및 사시도.

도3a는 광리소그래피를 이용하는 종래의 스페이서 형성 방법에 의해 제작된 반사식 LCD를 도시하는 개략적인 단면도.

도3b는 도3a에 도시된 반사식 LCD 내에서 역반사층과 스페이서 형성 영역 사이의 관계를 도시하는 평면도.

도4a 및 도4b는 각각 코너 큐브 어레이의 역반사 특징을 설명하기 위한 단면도 및 평면도.

도5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반사식 표시 장치를 도시하는 개략적인 단면도.

도6a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 다른 반사식 표시 장치를 도시하는 개략적인 단면도.

도6b는 도6a의 반사식 표시 장치 내에서 코너 큐브 어레이 구성과 접속 구멍 형성 영역과 스페이서 형성 영역 사이의 관계를 도시하는 평면도.

도7a 내지 도7e는 제1 실시예에 따른 코너 큐브 어레이를 형성하기 위한 방법을 설명하기 위한 단계적 단면도.

도8a 내지 도8c는 코너 큐브 어레이를 형성하기 위해 사용되는 형판의 구성을 설명하기 위한 확대된 단면도.

도9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반사식 표시 장치를 도시하는 개략적인 단면도.

도10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반사식 표시 장치를 도시하는 개략적인 단면도.

도11a 및 도11b는 각각 제3 실시예에 따른 양호한 돌출부 배열을 설명하기 위한 평면도.

도12a 내지 도12d는 제3 실시예에 따른 코너 큐브 어레이 및 화소 전극을 형성하기 위한 방법을 설명하기 위한 단계적 단면도.

도13a 내지 도13e는 제3 실시예에 따른 코너 큐브 어레이 및 화소 전극을 형성하기 위한 다른 방법을 설명하기 위한 단계적 단면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

15 : 피크부

20 : 바닥부

30 : 전방 기판

32 : 후방 기판

34 : 액정층

36 : 코너 큐브 어레이

44 : 금속층

46 : 돌출부

52 : 투명 전극

본 발명은 반사식 표시 장치 및 그의 제작 방법에 관한 것이다.

광원으로서 주변광을 이용함으로써 표시를 수행하는 반사식 액정 표시 장치(이하에서, "LCD")가 공지되어 있다. 반사식 LCD는 투과식 LCD에서처럼 백라이트를 요구하지 않으므로, 반사식 LCD는 가벼운 무게 및 얇은 두께를 가져야 하는 다양한 장치에 대해 적합하게 사용된다. 특히, 절환 소자가 각각의 화소에 대응하여 제공되는 능동 매트릭스 구동식의 반사식 LCD는 고해상도 및 고품질의 표시를 수행할 수 있다.

반사식 LCD에서, 액정층으로 들어온 주변광은 액정층 내에서 변조되고, 그 후에 반사층에 의해 반사되어 표시를 위해 이용된다. 반사층과 같은 역반사 특징을 갖는 역반사판의 사용이 제안되었다 (예를 들어, 본 출원인에 의해 출원된 일본 특허 출원 공개 제2003-195788호 및 제2002-107519호 참조). 본원에서 사용되는 바와 같이, "역반사판"은 광선이 장치로 들어온 방향으로, 광선의 배향에 관계없이, 복수의 반사 표면에 의해 진입 광선을 반사시키는 장치이다. 예를 들어, 역반 사판은 미소한 단위 특징부들의 2차원 어레이로 구성된다.

반사층으로서 역반사판을 채용한 반사식 LCD("역반사식 LCD")는 임의의 편광판을 요구하지 않고, 따라서 편광판의 사용과 관련된 광 이용의 효율 감소가 없다. 따라서, 역반사식 LCD는 더 밝은 표시를 수행할 수 있다. 또한, 역반사식 LCD는 개선된 표시 콘트라스트 비를 구현할 수 있는 그의 잠재적인 능력 때문에 유망한 것으로 고려된다.

이하에서, 능동 매트릭스 구동식의 역반사식 LCD의 구조가 첨부된 도면을 참조하여 설명될 것이다. 도1a는 역반사식 LCD를 도시하는 개략적인 단면도이다. 도1b는 도1a의 표시 장치 내의 반사 전극들을 도시하는 평면도이다. 도1a 및 도1b에 도시된 바와 같은 구조는 예를 들어 본 출원인에 의해 출원된 일본 특허 출원 공개 제2003-195788호에 개시되어 있다.

도1a에 도시된 바와 같이, 역반사식 LCD는 색 필터(119), 투명 상대 전극(111), 및 정렬 필름(112)이 제공되어 있는 전방 기판(110)과, 전방 기판(110)에 대향하도록 제공된 후방 기판(109)과, 기판(110, 109)들 사이에 개재된 액정층(113)을 포함한다. 후방 기판(109)은 복수의 절환 소자(TFT)를 갖는 TFT 기판(101), 역반사층(106), 및 정렬층(118)을 포함한다. 역반사층(106)은 역반사 특성을 나타내는 표면 구성을 갖는 절연층(102)과, 절연층(102) 상에 형성되어 절연층(102)의 표면 구성에 대응하는 불균일 표면을 제시하는 반사 금속층(105)을 포함한다. 도1b에 도시된 바와 같이, 반사 금속층(105)은 (화상 표시의 단위를 한정하는) 화소에 대응하여, 서로로부터 이격되도록 형성된 복수의 반사 전극들로 구성된 다. 각각의 반사 전극은 절연층(102) 내에 형성된 접속 구멍(104)을 거쳐, TFT 기판(101) 상의 대응하는 절환 소자의 드레인 전극(103)에 연결된다. 역반사층(106) 위에 형성된 정렬층(118)은 절연층(102)의 표면 구성에 대응하는 돌출부 및 함몰부를 갖는다. 액정층(113)은 예를 들어 상대 전극(111)과 각각의 반사 전극(105) 사이에 인가되는 가변 전압에 따라 투광 상태와 산란광 상태(전방 산란) 사이에서 절환될 수 있는 산란형 액정 재료로 구성될 수 있다. 도1a에 도시되지 않았지만, 기판(110, 109)들 사이의 간격을 제어하기 위한 ("스페이서"로 불리는) 구조물이 2개의 기판(110, 109)들 사이에 제공된다.

이러한 구조의 표시 장치에서, 역반사층(106)은 역반사층으로서 뿐만 아니라 화소 전극으로서 기능한다. 이하에서, 이러한 표시 장치의 작동이 설명될 것이다.

액정층(113)이 투광 상태이도록 제어될 때, 표시 장치의 외부에 놓인 광원으로부터의 광 또는 주변광이 전방 기판(110) 및 액정층(113)을 통해 투과되고, 그 후에 역반사층(106)에 의해 광이 들어온 방향으로 반사된다. 이러한 조건 하의 표시 장치로부터, 관찰자 자신의 눈(들)의 영상이 관찰자에 의해 감지되고, 이에 의해 "흑색" 표시 상태가 얻어진다.

다른 한편으로, 액정층(113)이 산란 상태이도록 제어될 때, 전방 기판(110)을 통해 투과된 광원으로부터의 광 또는 주변광은 액정층(113) 내에서 산란된다. 액정층(113)이 전방 산란형 액정층인 경우에, 산란광은 역반사층(106)에 의해 반사되고, (산란 상태에 있는) 액정층(113)을 통해 더욱 이동하여, 관찰 방향으로 진출한다. 역반사층(106)의 역반사 특성이 액정층(113) 내의 산란에 의해 상쇄되므로, 입사광은 그의 입사 방향으로 다시 진출하지 않는다. 결과적으로, "백색" 표시 상태가 얻어진다.

그러한 작동 원리에 기초하여 표시를 수행함으로써, 편광기를 채용하지 않고서 흑백 표시 상태를 구현하는 것이 가능하다. 그러므로, 편광기의 사용과 관련된 광 이용의 효율 감소가 없고, 고휘도의 표시를 갖는 반사식 LCD가 구현될 수 있다.

도1a 및 도1b에 도시된 바와 같은 작동 원리에 기초한 임의의 표시 장치에서, 표시 중에 콘트라스트 비를 더욱 개선하기 위해, 흑색 표시 상태에서 관찰자에게 도달하는 불필요한 광량을 감소시키기 위해 역반사층의 역반사율을 증가시키는 것이 중요하다.

높은 역반사율을 갖는 역반사층의 한 가지 유형으로서, 코너 큐브 어레이가 공지되어 있다. 코너 큐브 어레이는 서로에 대해 수직인 3개의 면들로 각각 구성된 코너 큐브(CC)들의 2차원 어레이이다. 도2a 및 도2b는 각각 코너 큐브 어레이의 평면도 및 사시도이다. 본 출원인에 의해 출원된 일본 특허 출원 공개 제2003-066211호 및 제2003-185817호에서, 결정 구조를 갖는 기판을 이방성으로 에칭함으로써 미소한 코너 큐브들의 어레이(미세 코너 큐브 어레이, 이하에서 "MCCA"로 축약됨)를 제작하고, MCCA를 반사식 LCD의 역반사층으로서 이용하는 것이 제안되었다. 본 명세서에서, 코너 큐브들의 피크점들 사이의 최단 거리(Pcc)는 코너 큐브들의 "피치"로 불릴 것이다. 예를 들어, MCCA의 피치(Pcc)는 가시광의 파장보다 크거나 같고, 반사식 LCD 내의 각각의 화소의 폭보다 작거나 같다.

도1a 및 도1b에 도시된 바와 같은 표시 장치에서, 전술한 바와 같이, 표시는 액정층(113)을 가로질러 그의 광학 특징을 변화시키도록 전압을 인가함으로써 수행된다. 예를 들어, 중합체 분산형 액정(PDLC)의 액정층(113)이 채용된 경우에, 중합체와 액정 사이의 굴절 지수의 차이는 액정층(113)을 가로질러 인가된 전압에 따라 변하여, 액정층(113) 내의 산란 정도가 변경되고, 이에 의해 회색조 표시가 달성된다. 그러므로, 액정층(113)의 두께는 그러한 표시 장치에 의한 표시를 제어하는데 있어서 중요한 파라미터이다.

액정층(113)의 두께는 (역반사층(106)이 제공된) 후방 기판(109)과 전방 기판(110) 사이에 제공된 스페이서에 의해 한정된다. 이하에서, LCD 내에 스페이서를 형성하기 위해 일반적으로 사용되는 방법이 설명될 것이다.

스페이서를 형성하기 위한 방법으로서, 전방 및 후방 기판들 중 하나 상에 소정의 입자 크기의 스페이서들을 산란시키는 방법(스페이서 산란 방법)이 종래에 채용되었다. 그러나, 스페이서 산란 방법에서, 스페이서들은 기판 표면 상에 무작위적으로 배치되고, 기판 표면 상의 임의의 특정 위치에 스페이서를 배치하는 것이 불가능하다. 그러므로, 액정 내의 무작위적인 배향 상실이 스페이서에 의해 야기될 수 있어서, 부적절한 표시의 결과를 낳는다.

그러므로, 스페이서 산란 방법 대신에, 전방 및 후방 기판들 중 하나 상에 칼럼형 스페이서를 형성하기 위해 광리소그래피를 사용하는 방법이 실시되고 있다. 이러한 방법에 따르면, 스페이서들은 기판 상의 원하는 위치에 배치될 수 있다. 따라서, 스페이서 산란 방법에서와 달리, 스페이서와 관련된 부적절한 표시가 감소될 수 있다.

또한, 일본 특허 출원 공개 제2002-055359호는 후방 기판 상에 제공된 수지층에 대해 스페이서 및 접속 구멍을 한정하는 표면 구성을 갖는 주형을 프레싱함으로써 칼럼형 스페이서들이 형성되는, 투과식 LCD 상에 스페이서를 형성하는 방법을 개시한다. 이러한 방법에 따르면, 스페이서들은 광처리를 수행하지 않고서 원하는 위치에 배치될 수 있다.

전술한 종래의 스페이서 형성 방법을 MCCA가 역반사층(106)으로서 채용된 역반사식 표시 장치에 적용할 때, 다음의 문제점이 발생할 수 있다.

스페이서 산란 방법이 채용될 때, 스페이서들은 역반사층(106) 상에 무작위적으로 배치되고, 따라서 충분한 역반사 특징이 스페이서들이 제공된 역반사층(106)의 임의의 영역(이하에서, "스페이서 형성 영역") 내에서 나타나지 않는 점에서 문제점을 일으킨다. 결과적으로, 역반사층(106)의 역반사율이 낮아진다.

광리소그래피를 이용하는 스페이서 형성 방법에서, 광처리가 스페이서를 형성하기 위해 요구되고, 따라서 택트 타임 및 비용을 증가시킨다. 또한, 역반사층(106)의 돌출부 및 함몰부의 영향을 감소시킴으로써 액정층(113)의 두께를 균일화하기 위해, 스페이서의 바닥면의 직경(예를 들어, 원통형 스페이서의 경우)을 역반사층(106)의 피치보다 더 크게 규정하는 것이 바람직하고, 이는 낮아진 개구비의 문제점을 일으킨다.

전술한 문제점이 도면을 참조하여 구체적으로 설명될 것이다. 도3a는 광리소그래피를 이용하는 스페이서 형성 방법을 사용함으로써 제작되는 반사식 LCD의 예시적인 구조를 도시하는 개략적인 단면도이다. 도3a에 도시된 반사식 LCD는 도 1a 및 도1b에 도시된 반사식 LCD와 유사한 구조를 갖는다 (유사한 도면 부호가 유사한 구성 요소에 주어짐). 도3b는 도3a에 도시된 반사식 LCD 내에서, 역반사층(106)과 스페이서(115)가 형성된 영역(스페이서 형성 영역(115r)) 사이의 예시적인 관계를 도시하는 평면도이다. 도시된 예에서, 스페이서(115)들은 사각형 프리즘이고, 따라서 스페이서 형성 영역(115r)은 사각형 형상으로서 표현된다.

광리소그래피를 이용하는 방법에서, 기판 상의 스페이서 형성 영역(115r)의 위치를 제어하는 것이 가능하지만, 스페이서 형성 영역(115r)을 역반사층(106)의 미소한 돌출부 및 함몰부와 정밀하게 정렬시키는 것은 어렵다. 그러므로, 도3a 및 도3b로부터 알 수 있는 바와 같이, 역반사층(106)의 돌출부 및 함몰부로 인한 액정층(113)의 두께 변화를 방지하기 위해, 각각의 스페이서 형성 영역(115r)의 폭을 역반사층(106)의 코너 큐브들의 피치(Pcc)보다 더 크게 규정하는 것이 필요하다. 예를 들어, 각각의 스페이서 형성 영역(115r)의 폭은 피치(Pcc)의 2배 이상으로 규정되어, 스페이서(115)의 바닥면은 역반사층(106)의 복수의 피크점에 의해 더욱 견고하게 지지될 것이다. 그러나, 스페이서(115)의 크기가 증가됨에 따라, 역반사층(106) 내에서 스페이서 형성 영역(115r)에 의해 점유되는 분율이 증가할 것이고, 따라서 역반사층(106)의 역반사 특징을 열화시키고 표시 장치의 개구비를 낮춘다.

일본 특허 출원 공개 제2002-055359호가 투과식 표시 장치 내에 스페이서를 형성하는 전사식 방법을 개시하지만, 이는 이러한 방법을 후방 기판과 액정층 사이에 반사층을 포함하는 반사식 표시 장치에 적용하는 것에 관한 설명이 부족하다. 본 발명자는 이러한 방법을 도1a 및 도1b에 도시된 바와 같은 역반사식 표시 장치 에 적용할 때, 한 가지 가능한 방법은 예를 들어 (역반사층(106)이 형성된) 후방 기판(109) 상에 수지층을 형성한 다음 수지층 상으로 소정의 표면 구성을 전사하여 스페이서를 형성하는 것일 수 있다는 것을 확인하기 위한 연구를 수행했다. 이러한 기술에 따르면, 역반사층(106)의 표면은 수지층에 의해 평탄화될 것이고, 따라서 전술한 광리소그래피 방법에서와 같이 스페이서에 대해 큰 크기를 규정하는 것이 불필요하여, 개구비의 감소가 억제될 수 있다. 그러나, 스페이서들이 다른 방법에서와 같이 역반사층(106)의 관찰자 측면 상에 형성될 것이고, 따라서 역반사층(106)의 역반사율을 열화시키는 점에서 문제점이 있다. 그러나, 이러한 기술은 또한 제작 공정이 추가의 전사 단계로 인해 복잡해질 것이며 전체 표시 장치의 두께가 역반사층(106)과 액정층(113) 사이에 형성된 수지층 때문에 증가할 것이라는 점에서 문제점을 갖는다.

또한, 도1a 및 도1b에 도시된 반사식 표시 장치에서, 역반사층(106)의 반사 금속층(105)과 절환 소자들은 접속 구멍(104)을 거쳐 연결된다. 그러나, 접속 구멍(104)이 형성된 역반사층(106)의 임의의 영역(이하에서, "접속 구멍 형성 영역")도 스페이서 형성 영역의 경우에서와 같이, 역반사층(106)의 역반사율의 열화에 기여할 수 있다.

따라서, 종래의 역반사식 표시 장치는 충분한 역반사 특징이 역반사층의 스페이서 형성 영역 및 접속 구멍 형성 영역 내에서 나타날 수 없고, 따라서 역반사층의 역반사율을 열화시키는 점에서 문제점을 갖는다.

본 발명은 전술한 문제점을 극복하기 위해 이루어졌고, 그의 주요 목적은 역반사층을 갖는 반사식 액정 표시 장치에서, 스페이서 및/또는 접속 구멍의 형성으로 인한 역반사층의 역반사 특징의 열화를 억제하고 표시 콘트라스트를 개선하는 것이다.

본 발명에 따른 반사식 표시 장치는 광학 변조층과, 광학 변조층을 사이에 보유하는 한 쌍의 기판과, 광학 변조층의 광학 특징의 화소마다의 변화를 일으키기 위한 전극 구조물을 포함하고, 한 쌍의 기판들 중 하나는 복수의 코너 큐브들로 구성된 코너 큐브 어레이를 갖고, 코너 큐브 어레이는 한 쌍의 기판 사이의 간격을 한정하는 복수의 돌출부를 갖고, 복수의 돌출부는 피크부 내에 배치된다.

양호한 실시예에서, 코너 큐브 어레이는 코너 큐브 어레이를 관통하는 복수의 개방부를 갖고, 복수의 개방부는 피크부 내에 배치된다.

반사식 표시 장치는 코너 큐브 어레이 상에 형성된 금속층을 더 포함할 수 있고, 금속층은 코너 큐브 어레이에 의해 한정된 표면 구성을 갖는다.

양호한 실시예에서, 금속층은 화소에 대응하여 이격된 복수의 반사 전극들을 포함한다.

양호한 실시예에서, 하나의 기판은 코너 큐브 어레이의 후면 상에 배치된 복수의 절환 소자들을 더 갖고, 복수의 절환 소자 각각은 개방부들 중 대응하는 하나를 거쳐 반사 전극들 중 대응하는 하나에 연결된다.

복수의 돌출부 및 코너 큐브 어레이는 동일한 절연 재료로 형성될 수 있다.

복수의 돌출부 각각은 인접한 화소들 사이에 배치될 수 있다.

복수의 돌출부 각각은 대응하는 화소를 둘러싸는 벽을 구성할 수 있다.

복수의 돌출부 각각의 측벽은 90°보다 더 작은 경사각을 갖는다.

양호하게는, 복수의 개방부 각각의 측벽은 90°보다 더 큰 경사각을 갖는다.

양호한 실시예에서, 코너 큐브 어레이의 각각의 코너 큐브는 서로에 대해 수직인 3개의 대체로 정방형인 면들로 구성된다.

복수의 코너 큐브들은 가시광의 파장보다 크거나 같고 각각의 화소의 폭보다 작거나 같은 피치로 배열될 수 있다. 본 명세서에서, "화소의 폭"은 매트릭스 배열 내의 각각의 화소에 대해, 열방향을 따른 그의 폭 및 행방향을 따른 그의 폭 중 더 짧은 것을 말한다. 각각의 화소 내에서, 복수의 코너 큐브들이 행방향 및 열방향으로 따라 제공되는 것이 양호하다.

본 발명에 따른 다른 반사식 표시 장치는 광학 변조층과, 광학 변조층을 사이에 보유하는 한 쌍의 기판과, 광학 변조층의 광학 특징의 화소마다의 변화를 일으키기 위한 전극 구조물을 포함하고, 한 쌍의 기판들 중 하나는 복수의 코너 큐브들로 구성된 코너 큐브 어레이를 갖고, 코너 큐브 어레이는 코너 큐브 어레이를 관통하는 복수의 개방부를 갖고, 복수의 개방부는 피크부 내에 배치된다.

양호한 실시예에서, 코너 큐브 어레이는 한 쌍의 기판 사이의 간격을 한정하는 복수의 돌출부를 갖는다.

본 발명에 따른 반사식 표시 장치를 제작하기 위한 방법은 광학 변조층과, 광학 변조층을 사이에 보유하는 한 쌍의 기판과, 광학 변조층의 광학 특징의 화소마다의 변화를 일으키기 위한 전극 구조물을 포함하고, 한 쌍의 기판은 복수의 코 너 큐브들로 구성된 코너 큐브 어레이를 갖는, 반사식 표시 장치를 제작하기 위한 방법이며, 방법은 표면 상에 돌출부 및 함몰부를 갖는 형판을 제공하는 단계와, 기판을 제공하는 단계와, 형판의 돌출부 및 함몰부에 대응하는 표면을 갖는 전사층을 기판 상에 형성하는 단계를 포함하고, 형판의 돌출부 및 함몰부는 한 쌍의 기판 사이의 간격을 한정하는 복수의 돌출부를 갖는 코너 큐브 어레이의 형상을 한정하고, 복수의 돌출부는 피크부 내에 배치된다.

양호한 실시예에서, 형판의 돌출부 및 함몰부는 복수의 돌출부는 물론 복수의 개방부를 갖는 코너 큐브 어레이의 형상을 한정하고, 복수의 개방부는 코너 큐브 어레이를 관통한다.

형판의 돌출부 및 함몰부는 복수의 돌출부 및 복수의 개방부가 피크부 내에 배치된 코너 큐브 어레이의 형상을 한정할 수 있다.

양호한 실시예에서, 복수의 돌출부 각각은 화소를 한정하는 영역을 둘러싸고, 방법은 전사층을 형성한 후에, 화소를 한정하는 각각의 영역 내에 화소 전극을 형성하는 단계를 더 포함한다.

본 발명에 따른 반사식 표시 장치를 제작하기 위한 다른 방법은 광학 변조층과, 광학 변조층을 사이에 보유하는 한 쌍의 기판과, 광학 변조층의 광학 특징의 화소마다의 변화를 일으키기 위한 전극 구조물을 포함하고, 한 쌍의 기판은 복수의 코너 큐브들로 구성된 코너 큐브 어레이를 갖는, 반사식 표시 장치를 제작하기 위한 방법이며, 방법은 표면 상에 돌출부 및 함몰부를 갖는 형판을 제공하는 단계와, 기판을 제공하는 단계와, 형판의 돌출부 및 함몰부에 대응하는 표면을 갖는 전사층 을 기판 상에 형성하는 단계를 포함하고, 형판의 돌출부 및 함몰부는 코너 큐브 어레이를 관통하는 복수의 개방부를 갖는 코너 큐브 어레이의 형상을 한정하고, 복수의 개방부는 피크부 내에 배치된다.

양호한 실시예에서, 형판의 돌출부 및 함몰부는 복수의 개방부는 물론 복수의 돌출부를 갖는 코너 큐브 어레이의 형상을 한정하고, 복수의 돌출부는 한 쌍의 기판 사이의 간격을 한정한다.

본 발명에 따른 코너 큐브 어레이는 코너 큐브 어레이의 바닥부 내에 각각 제공된 복수의 돌출부와, 코너 큐브 어레이의 바닥부 내에 각각 제공된 복수의 구멍을 포함한다. 이러한 코너 큐브 어레이는 반사식 표시 장치를 제작하기 위한 전술한 방법에서 전술한 형판으로서 사용될 수 있다.

본 발명에 따르면, 역반사층으로서 코너 큐브 어레이를 포함하는 반사식 액정 표시 장치에서, 각각의 코너 큐브 내의 스페이서들의 위치 및 접속 구멍들의 위치는 스페이서 및 접속 구멍과 관련된 역반사 특징의 열화가 억제될 수 있도록, 제어될 수 있다. 결과적으로, 개선된 표시 콘트라스트가 제공될 수 있다. 스페이서 크기가 작게 유지될 수 있고, 스페이서를 형성하기 위한 위치가 제어 가능하므로, 스페이서로 인한 개구비의 저하를 억제하는 것이 가능하고, 이에 의해 더 밝은 표시가 구현된다.

또한, 본 발명에 따르면, 전술한 반사식 액정 표시 장치는 종래의 공정보다 더 복잡한 공정을 요구하지 않고서, 쉽게 제작될 수 있다.

본 발명의 다른 특징, 요소, 공정, 단계, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참 조한 본 발명의 양호한 실시예들의 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.

이하에서, 본 발명의 양호한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 설명될 것이다.

도1a 및 도1b에 도시된 바와 같은 능동 매트릭스형 역반사식 LCD에서, 역반사층으로서 코너 큐브 어레이를 사용할 때, 그의 역반사 특징이 전술한 바와 같이 역반사층 내의 스페이서 형성 영역 및 접속 구멍 형성 영역으로 인해 열화되고, 따라서 표시 콘트라스트를 낮추는 점에서 문제점이 있다. 이유는 역반사층의 표면 상의 스페이서 형성 영역 및 접속 구멍 형성 영역 내에서, 액정층을 통해 투과된 광이 소정의 각도로 반사될 수 없어서, 역반사층의 표면 상의 역반사 영역의 유효 면적이 감소하기 때문이다. 본 명세서에서, 역반사층의 표면 상에 형성된 스페이서 및 접속 구멍 때문에 역반사 특성을 더 이상 나타내지 않는 영역(스페이서 형성 영역 또는 접속 구멍 형성 영역)은 "비역반사 영역"으로 불릴 것이다.

역반사층의 역반사 특징의 개선은 비역반사 영역의 면적을 최소화함으로써 얻어질 수 있다. 그러나, 본 발명자는 비역반사 영역의 면적이 동일하게 유지되더라도, 역반사 특징은 역반사층의 각각의 단위 특징부(코너 큐브)에 대한 각각의 비역반사 영역의 위치에 의존하여 변할 것이라는, 즉 역반사 특징의 열화는 비역반사 영역의 위치를 제어함으로써 억제될 수 있다는 것을 확인하기 위한 연구를 수행했다. 특히, 역반사 특징의 열화는 각각의 비역반사 영역이 코너 큐브의 바닥점 근 방에 배치된 경우에서보다 각각의 비역반사 영역을 코너 큐브의 피크점 근방에 배치함으로써 더욱 억제될 수 있다는 것이 밝혀졌다. 이하에서, 이러한 원리가 도면을 참조하여 구체적으로 설명될 것이다.

도4a 및 도4b는 각각 서로에 대해 수직인 3개의 대체로 정방형인 면들로 각각 구성된 코너 큐브(11)들의 2차원 어레이인 코너 큐브 어레이(입방형 코너 큐브 어레이)의 단면도 및 평면도이다. 입방형 코너 큐브 어레이가 여기서 예시되었지만, 임의의 다른 유형의 코너 큐브 어레이가 대신에 사용될 수 있다.

도4a 및 도4b에 도시된 코너 큐브 어레이에서, 비역반사 영역이 코너 큐브(11)의 피크부(15) 내에 배치된 경우와 비역반사 영역이 코너 큐브(11)의 바닥부(20) 내에 배치된 경우 사이에서 역반사 특징들의 비교가 이루어졌고, 비역반사 영역들의 면적은 양 경우에 대해 동일하다. 결과적으로, 역반사 특징은 각각의 비역반사 영역이 바닥부(20) 내에 배치된 경우에서보다 각각의 비역반사 영역이 피크부(15) 내에 배치된 경우에서 더 양호하다는 것이 밝혀졌다. 이는 가정상 코너 큐브 어레이 내의 바닥부(20)가 피크부(15)보다 역반사 특징에 더 기여하기 때문이다.

본 명세서에서, 코너 큐브의 "피크점"은 광 입사 측면을 향해 돌출되어 보이는 (즉, 가장 높은) 지점(13)으로서 정의되고, 코너 큐브의 "바닥점"은 광 입사 측면으로부터 보았을 때 함몰되어 보이는 (즉, 가장 깊은) 지점(17)으로서 정의된다. "피크부(15)"는 피크점(15)과 바닥점(17) 사이의 높이 차이의 대략 1/2인 높이(H₀)에 의해 한정된 피크점(15) 둘레에 중심이 맞춰진 삼각형 피라미드 영역을 말한다. "바닥부(20)"는 전술한 높이(H₀)에 의해 한정된 바닥점(17) 둘레에 중심이 맞춰진 삼각형 피라미드 영역을 말한다.

상기 발견에 기초하여, 본 발명의 반사식 표시 장치는 비역반사 영역이 코너 큐브의 피크부(15) 내에 배치된 코너 큐브 어레이를 역반사층으로서 채용한다. 바꾸어 말하면, 본 발명에 따른 코너 큐브 어레이는 (한 쌍의 기판 사이의 간격을 한정하는) 스페이서 및/또는 (화소 전극이 그를 통해 절환 소자에 연결되는) 접속 구멍이 피크부 내에 배치되는 점을 특징으로 한다.

이하에서, 본 발명에 따른 반사식 표시 장치의 실시예가 도면을 참조하여 설명될 것이다.

(실시예 1)

도5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반사식 표시 장치를 도시하는 개략적인 단면도이다. 본 실시예에서, 역반사층으로서, 피크부에서 스페이서로서 기능하는 돌출부를 갖는 코너 큐브 어레이가 사용된다.

반사식 표시 장치는 전방 기판(30), 전방 기판(30)에 대향한 후방 기판(32), 및 전방 기판(30)과 후방 기판(32) 사이에 보유되는 액정층(34)을 포함한다. 액정층과 대면하는 전방 기판(30)의 표면 상에, 복수의 색 필터(54) 및 인접한 색 필터(54)들 사이에 개재된 흑색 매트릭스(56)와 투명 전극(52)이 이러한 순서로 제공된다. 액정층과 대면하는 후방 기판(32)의 표면 상에, 절환 소자(38)들이 각각 화소에 대응하여 형성된다. 본원에서, 박막 트랜지스터(TFT)가 절환 소자(38)로서 사 용된다. 코너 큐브 어레이(36)가 절환 소자(38)와 액정층(34) 사이에 제공된다.

본 실시예의 코너 큐브 어레이는 코너 큐브 어레이를 한정하는 표면 구성을 갖는 절연층(42)과, 절연층(42) 상에 형성되어 절연층(42)의 표면 구성을 반영하는 형상을 갖는 금속층(44)과, 코너 큐브들의 피크부 내에 배치된 복수의 돌출부(46)를 포함한다. 본원에서, 금속층(44)은 화소에 대응하도록 분할되고, 각각의 분할된 부분은 반사 전극으로서 기능한다. 복수의 돌출부(46)는 전방 기판(30)과 후방 기판(32) 사이의 간격을 한정하는 스페이서로서 기능한다. 도시된 예에서, 각각의 돌출부(46)에 의해 점유되는 영역은 도4a 및 도4b를 참조하여 설명된 바와 같이 피크부 내의 피크점을 포함한다. 그러나, 각각의 돌출부(46)는 피크점 자체 상에 배치될 필요가 없이, 단순히 피크부 내에 배치되면 된다. 양호하게는, 돌출부(46)들은 각각의 돌출부(46)가 단일 피크부 내에 수용되도록 작다. 코너 큐브 어레이(36)는 그 안에 형성된 복수의 개방부(48)를 갖고, 이들 각각은 절연층(42)을 관통하여 절환 소자(38)의 드레인 전극(40)의 표면에 도달한다. 개방부(48)는 금속층(44)을 절환 소자(38)에 연결하기 위한 접속 구멍으로서 기능한다. 개방부(48)가 코너 큐브의 바닥부 내에 형성된 것으로 도시되어 있지만, 본 실시예는 개방부(48)의 위치에 관해 제한을 두지 않는다.

본 실시예의 액정층(34)은 중합체로 구성된 광 산란형 액정층, 또는 저분자 산란형 액정 재료, 예를 들어 중합체 분산형 액정(PDLC)이고, 양호하게는 그의 중합체 구조 내에 액정 골격(메소겐 그룹)을 갖는 역전형 PLDC로 구성된다. 본 실시예에서, 전압이 투명 전극(52) 및 금속층(44)에 의해 화소마다 액정층(34)을 가로 질러 인가되고, 이에 의해 액정층(34)의 광학 특징은 (인가 전압 부재 시의) 투명 상태와 (인가 전압 하의) 산란 상태 사이에서 절환된다. 인가 전압 하에서, "백색"이 표시된다. 인가 전압 부재 시에, 액정층은 투명해져서, "흑색"이 역반사에 의해 표시된다.

본 실시예의 액정층(34)은 단지 광학 특징이 인가 전압에 따라 변하는 층이면 되고, 전술한 산란형 액정층으로 제한되지 않는 것을 알아야 한다. 액정층(34) 대신에, 광학 특징이 전압에 따라 변하는 임의의 다른 유형의 변조층이 사용될 수 있다.

본 실시예의 반사식 표시 장치에서, 스페이서로서 역할하는 돌출부(46)는 코너 큐브의 피크부 내에 배치된다. 그러므로, 코너 큐브의 바닥부는 돌출부(46)와 관련된 임의의 비역반사 영역이 없고, 따라서 바닥부에서의 역반사 특징의 열화가 억제된다. 결과적으로, 코너 큐브 어레이(36)의 역반사율이 향상되고, 표시 콘트라스트가 개선된다.

스페이서 크기가 종래보다 더 작게 만들어질 수 있으므로, 개구비도 개선된다. 개선된 개구비를 얻기 위해, 각각의 스페이서 형성 영역의 폭, 즉 (각각의 영역이 원형일 때의) 직경 또는 (각각의 영역이 사각형일 때의) 일면이 코너 큐브의 피치(Pcc)의 2배보다 더 작은 것, 예를 들어 피치(Pcc)보다 더 작은 값이 양호하다. 폭은 셀 두께를 원하는 값으로 제어하는 것이 가능한 한 피치(Pcc)의 50% 이하일 수도 있다.

스페이서로 인한 역반사율 또는 개구비의 열화를 더욱 감소시키기 위해, 돌 출부(46)를 인접한 화소들 사이에 배치하는 것이 양호하다. 예를 들어, 도5에 도시된 구조에서, 돌출부(46)가 흑색 매트릭스(56)에 의해 중첩되도록 배치되면, 스페이서에 의해 야기되는 표시 특징의 임의의 열화가 훨씬 더 효율적으로 억제될 수 있다.

돌출부(46)와 유사하게, 접속 구멍으로서 역할하는 개방부(48)가 코너 큐브의 피크부 내에 배치되는 것이 양호하다. 도6a는 돌출부(46) 및 개방부(48)가 피크부 내에 배치된 코너 큐브 어레이(36)를 갖는 반사식 표시 장치를 도시하는 개략적인 단면도이다. 간단하게 하기 위해, 도5에서와 유사한 구성 요소들은 유사한 도면 부호에 의해 표시된다. 도6b는 도6a의 반사식 표시 장치 내에서 코너 큐브 어레이 구성과 접속 구멍 형성 영역과 스페이서 형성 영역 사이의 예시적인 관계를 도시하는 평면도이다. 도6b는 후방 기판(32) 상에 제공된 소스 라인(127) 및 게이트 라인(129)을 도시하고, 이들은 함께 화소 영역을 한정한다. 각각의 화소 영역 내에 포함된 코너 큐브들의 개수는 각각의 화소 영역의 크기 및/또는 코너 큐브들의 피치에 의해 결정되며 본원에 도시된 개수로 제한되지 않는 것을 알아야 한다.

도6a 및 도6b에 도시된 구조에 따르면, 돌출부(46)와 관련된 스페이서 형성 영역(46r) 및 개방부(48)와 관련된 접속 구멍 형성 영역(48r)은 코너 큐브의 바닥부 내에 형성되지 않아서, 코너 큐브 어레이(36)의 역반사율을 더욱 개선하는 것이 가능하다.

다음으로, 도면을 참조하여, 본 실시예에 따른 반사식 표시 장치의 코너 큐브 어레이(36)를 형성하기 위한 방법이 예를 들어 도6a 및 도6b에 도시된 코너 큐 브 어레이(36)를 형성하기 위한 방법을 취함으로써 설명될 것이다.

먼저, 도7a에 도시된 바와 같이, 수지층(42a)이 표면 상에 형성된 절환 소자(38)들을 갖는 후방 기판(32) 상에 형성된다. 수지층(42a)은 스핀 코팅기, 다이 코팅기, 또는 캡 코팅기와 같은 코팅기를 사용함으로써 후방 기판(32) 상에 감광성을 갖는 수지 재료를 도포함으로써 형성될 수 있다. 그러나, 수지층(42a)을 형성하기 위한 방법은 도포 방법으로 제한되지 않는다. 대안적으로, 후방 기판(32) 상에 수지 재료를 포함하는 층(예를 들어, 건조 필름)을 부착하는 방법이 채택될 수 있다. 또한, 수지 재료로서, 그의 형상을 유지할 수 있는 임의의 다른 유형의 수지 재료가 감광 수지 재료(예를 들어, 아크릴 수지) 대신에 사용될 수 있다. 예를 들어, 열경화성 수지 재료가 사용될 수 있다.

다음으로, 표면 상에 돌출부 및 함몰부를 갖는 형판(58; 예를 들어, 금속, 수지 등으로 만들어진 다이)을 사용함으로써, 형판(58)의 돌출부 및 함몰부가 도7b에 도시된 바와 같이 엠보싱 기술 등에 의해 수지층(42a) 상으로 전사된다. 본원에서 사용되는 바와 같이, "형판"은 전사 기술에 의해 수지층(42a)을 성형하기 위한 주형을 말한다.

특히, 형판(58)은 수지층(42a)의 표면에 부착된다. 형판(58)은 도6a 및 도6b에 도시된 바와 같이 코너 큐브 어레이(36)의 표면 구성에 대응하는 돌출부 및 함몰부를 갖는다. 바꾸어 말하면, 형판(58)은 본래 그의 바닥부 내에 돌출부(60) 및 구멍(62)을 갖는 코너 큐브 어레이이다. 돌출부(60) 및 구멍(62)은 각각 코너 큐브 어레이(36)의 개방부(접속 구멍) 및 돌출부(스페이서)를 한정한다.

그 후에, 도7c에 도시된 바와 같이, 수지층(42a)은 자외선으로 조사됨으로써 경화된다. 수지층(42a)의 노광은 후방 기판(32)의 후면측으로부터 수행되는 것으로 도시되어 있다. 대안적으로, 노광은 그를 통한 노광을 허용하는 재료(예를 들어, 유리, 석영, 또는 플라스틱)로 구성된 투명 형판(58)이 사용되는 경우에 후방 기판(32)의 전면측으로부터 수행될 수 있다. 열경화성 수지 재료가 수지층(42a)의 재료로서 사용되는 경우에, 수지층(42a)은 가열됨으로써 경화될 수 있다.

다음으로, 도7d에 도시된 바와 같이, 후방 기판(32)으로부터 형판(58)을 제거함으로써, 코너 큐브 어레이 구성을 갖는 절연층(42)이 얻어진다. 결과적인 절연층(42)은 코너 큐브의 피크부 내에 형성된 돌출부(46) 및 개방부(48)를 갖는다. 형판(58)의 제거는 도시된 바와 같이 기판(32)이 고정된 채로 형판(58)을 비스듬하게 기울이면서 수행될 수 있다. 다른 방법은 기판(32)을 초음파로 조사하면서 형판(58)을 제거하거나, 경화된 수지층(42a; 절연층(42))과 형판(58) 사이의 공간 내로 고압 기체를 분출함으로써 형판(58)을 제거하는 것이다.

다음으로, 도7e에 도시된 바와 같이, 금속층(44; 예를 들어, Ag층)이 스퍼터링 기술, 증착 기술 등에 의해 절연층(42)의 표면 상에 형성되고, 필요하다면 패턴화가 수행된다. 결과적으로, 코너 큐브 어레이(36)가 형성된다.

상기 방법에서, 수지층(42a)은 기판(32)의 표면 상으로 수지 재료를 도포함으로써 형성된다. 대안적으로, 수지 재료는 형판(58)의 표면 상으로 도포된 다음 후방 기판(32)에 대해 가압되고, 수지 재료의 경화가 뒤따를 수 있다. 각각의 경우에, 감압 하에서 기판(32)과 형판(58)의 부착을 실행하는 것이 양호하다. 이러 한 방식으로, 버블이 수지층(42a)과 형판(58) 사이의 공간 또는 수지 재료와 기판(32) 사이의 공간 내에서 발생하는 것이 방지될 수 있다. 원치 않는 버블을 이렇게 억제함으로써, 양호한 절연층(42)이 형성될 수 있다.

전술한 방법이 돌출부(46) 및 개방부(48)가 피크부 내에 배치된 코너 큐브 어레이(36)를 형성하지만, 개방부(48)는 도5에 예시된 바와 같이, 본 실시예에 따르면 피크부 내에 배치될 필요가 없다. 또한, 상기 방법이 형판(58)의 표면 구성을 전사함으로써 돌출부(46)는 물론 개방부(48)도 형성하지만, 돌출부(46)를 갖는 절연층(42)을 형성하도록 전사를 수행한 다음 절연층(42) 내에 개방부(48)를 형성하도록 광리소그래피 공정 등을 수행하는 것도 가능할 것이다.

전술한 바와 같이, 종래의 스페이서 형성 방법에서, 미소한 코너 큐브 어레이(36)의 피크부 내에 돌출부(46) 및 개방부(48)를 확실히 배치하는 것은 매우 어려울 것이다. 또한, 액정층의 두께에 대한 정밀한 제어를 행하기 위해, 코너 큐브 어레이(36)의 피치(Pcc)에 따른 큰 스페이서 형성 영역을 규정하는 것이 필요할 것이다. 특히, 각각의 스페이서 형성 영역이 원형인 경우에, 그의 직경은 코너 큐브 어레이의 피치(Pcc)의 2배 이상이어야 하고, 따라서 개구비를 낮춘다.

대조적으로, 도7a 내지 도7e를 참조하여 설명된 방법에 따르면, 코너 큐브 어레이 구성을 갖는 절연층(42)은 물론 돌출부(46) 및 개방부(48)가 전사를 통해 일체로 형성될 수 있다. 그러므로, 돌출부(46) 및 개방부(48)의 위치가 정밀하게 제어될 수 있다. 결과적으로, 더 큰 확실성으로, 돌출부(46) 및 개방부(48)가 코너 큐브의 피크부 내에 배치될 수 있고, 이에 의해 코너 큐브 어레이(36)의 역반사 특징의 열화가 억제된다. 또한, 돌출부(46)가 형성된 각각의 영역(스페이서 형성 영역)의 면적이 종래보다 더 작게 만들어질 수 있으므로, 스페이서로 인한 개구비의 감소가 억제될 수 있다. 또한, 코너 큐브 어레이(36)의 높이(즉, 피크점과 바닥점 사이의 수준차)에 관계없이, 액정층(34)의 두께는 돌출부(46)에 의해 고도로 정밀하게 제어될 수 있다.

도8a를 참조하면, 형판(58) 내의 구멍(62)이 형판(58)의 바닥부 내에 배치되므로, 각각의 구멍(62)의 종횡비(즉, 직경에 대한 깊이의 비율)는 형판(58)의 피크부 내에 배치된 구멍(62')의 종횡비보다 더 작다. 이는 형판(58)이 처리하기 쉽고 형판(58)이 기판(32)으로부터 쉽게 제거될 수 있다는 점에서 장점을 제공한다. 다른 한편으로, 형판(58)의 바닥부 내에 배치된 돌출부(60)들은 형판(58)의 피크부 내에 배치된 임의의 돌출부보다 더 높거나 (더 신장)될 것이다. 그러나, 일반적으로, 형판(58) 내의 임의의 돌출부(예를 들어, 돌출부(60))는 함몰부(예를 들어, 구멍(62))보다 수지층(42a)으로부터 제거하기가 더 쉽고, 따라서 제거 시에 많은 문제점이 없다.

기판(32)으로부터의 형판(58)의 제거를 더욱 용이하게 하기 위해, 도8b 및 도8c에 도시된 바와 같이, 형판(58)의 구멍(62) 및 돌출부(60)의 측벽은 양호하게는 경사진다. 도8b 및 도8c는 형판(58)이 기판(32)에 대해 가압되고 수지층(42a)이 경화된 후에 형판(58)이 기판(32)으로부터 제거되기 전의 상태를 각각 도시하는 개략적인 단면도이다. 간단하게 하기 위해, 기판(32) 상의 절환 소자들은 도면으로부터 생략되었다.

먼저, 도8b에 도시된 바와 같이, 형판(58)의 각각의 구멍(62)의 측벽(들)은 양호하게는 경사지고, 이에 의해 구멍(62)은 구멍(62)의 바닥면에 대해 평행하게 취해진 임의의 단면의 면적이 구멍(62)의 깊이 방향에서 더 작게 되도록 성형된다. 이러한 경우에, 구멍(62)의 형상이 결과적인 코너 큐브 어레이(36) 내에서 반영되어, 대응하는 돌출부(46)의 측벽(들)은 90° 미만의 경사각(α)을 갖는다. 본 명세서에서, "돌출부(46)의 측벽(들)의 경사각(α)"은 돌출부(46)의 측벽(들)과 기판(32)의 표면 사이의 각도로서 정의되고, 각도는 "내면" 상에서 (즉, 형판(58)의 구멍(62)의 중심에 더 근접하여) 취해진다.

또한, 도8c에 도시된 바와 같이, 형판(58)의 각각의 돌출부(60)의 측벽(들)은 양호하게는 경사지고, 이에 의해 돌출부(60)는 그의 높이 방향으로 더 얇아지도록 형성된다. 이러한 경우에, 돌출부(60)의 형상은 결과적인 코너 큐브 어레이(36) 내에서 반영되어, 대응하는 개방부(48)의 측벽(들)은 90°보다 더 큰 경사각(β)을 갖는다. 본 명세서에서, "개방부(48)의 측벽(들)의 경사각(β)"은 개방부(48)의 측벽(들)과 기판(32)의 표면 사이의 각도로서 정의되고, 각도는 "내면" 상에서 (즉, 형판(58)의 돌출부(60)의 중심에 더 근접하여) 취해진다.

본 실시예에 따른 코너 큐브 어레이(36)를 형성하기 위해 사용되는 형판(58)은 예를 들어 본 출원인의 일본 특허 출원 공개 제2003-066211호에 개시된 방법을 사용함으로써, 이방성 에칭을 통해 코너 큐브 어레이(형판)를 형성한 후에, 결과적인 코너 큐브 어레이(형판)의 바닥부 내에 돌출부(60) 및 구멍(62)을 형성함으로써 제조될 수 있다. 돌출부(60) 및 구멍(62)은 예를 들어 에칭을 통해 형성될 수 있 다.

대안적으로, 이방성 에칭을 통해 얻어진 코너 큐브 어레이에 대해, 광리소그래피 공정이 레지스트를 갖는 돌출부(60)를 형성하도록 수행될 수 있고, 그 다음 구멍(62)은 단독으로 에칭에 의해 형성될 수 있다. 그러나, 이렇게 형성된 코너 큐브 어레이가 반복되는 전사 공정에 대한 형판(58)으로서 사용되면, 돌출부(60)를 구성하는 레지스트는 반복된 전사 공정을 통해 열화될 수 있다. 이를 회피하기 위해, 전해 성형 주형이 돌출부(60) 및 구멍(62)이 형성된 코너 큐브 어레이 상에 도금을 수행함으로써 제작될 수 있다. 이렇게 얻어진 전해 성형 주형은 전사 공정에서의 반복된 사용 후에도 잘 열화되지 않기 때문에 유리하다.

대안적으로, 이방성 에칭을 통해 얻어진 전술한 코너 큐브 어레이 상에, 도금(예를 들어, 전해 도금 또는 무전해 도금) 등이 코너 큐브 어레이 구성을 갖는 전해 성형 주형을 제조하기 위해 수행될 수 있고, 그 후에 구멍(62)이 엔드밀과 같은 미세 가공 드릴을 사용함으로써 이러한 전해 성형 주형 내에서 형성될 수 있다.

도7a 내지 도7e를 참조하여 설명된 상기 방법에서, 절연층(42) 및 코너 큐브 어레이(36)의 돌출부(46)는 동일한 수지 재료로 형성된다. 그러나, 이러한 소자들은 상이한 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 복수의 수지층을 포함하는 다층 수지층(42a)이 형성될 수 있고, 형판(58)의 돌출부 및 함몰부가 수지층(42a) 상으로 전사될 수 있고, 따라서 돌출부(46)의 적어도 일부의 재료가 절연층(42)의 재료와 다른 코너 큐브 어레이(36)를 형성한다.

본 실시예의 반사식 표시 장치의 구조는 도5, 도6a, 및 도6b에 도시된 구조 로 제한되지 않는다.

도5, 도6a, 및 도6b에 도시된 구조에서, 스페이서로 역할하는 각각의 돌출부(46)의 일부는 화소 내부에 배치되고, 따라서 표시 장치의 개구비에 영향을 줄 수 있다. 그러므로, 돌출부(46)가 흑색 매트릭스(56)에 의해 중첩되어 돌출부(46)를 화소들 사이에 위치시키는 방식으로 돌출부(46)와 흑색 매트릭스(56)(컬러 필터(54))를 정렬시키는 것이 양호하다. 결과적으로, 표시 장치의 개구비는 더욱 개선된다.

또한, 도5, 도6a, 및 도6b에 도시된 구조에서, 금속층(44)은 코너 큐브 어레이(36)의 반사 표면을 구성할 뿐만 아니라 화소에 대응하여 이격된 반사 전극들로서 기능한다. 그러나, 금속층(44)은 반사 전극으로서 기능할 필요는 없다. 그러한 경우에, 코너 큐브 어레이(36)와 액정층(34) 사이에 투명 화소 전극을 더 형성하는 것이 필요하다.

본 실시예의 코너 큐브 어레이(36)는 서로에 대해 수직인 3개의 대체로 정방형인 면들로 각각 구성된 코너 큐브들을 포함하는 입방형 코너 큐브 어레이로서 도시되어 있다. 그러나, 임의의 다른 유형의 코너 큐브, 예를 들어 서로에 대해 수직인 3개의 직각 이등변 삼각형 면들로 각각 구성된 코너 큐브들을 포함하는 코너 큐브 어레이가 대안적으로 사용될 수 있다.

코너 큐브 어레이(36)의 피치에 대해 제한이 없지만, 피치는 예를 들어 가시광의 파장보다 크거나 같고, 화소 폭보다 작거나 같을 수 있다. 결과적으로, 색의 혼합과 같은 표시 특징의 문제점이 억제될 수 있다. 또한, 도7a 내지 도7e를 참조 하여 설명된 코너 큐브 어레이를 형성하기 위한 전사에 기초한 방법은 임의의 종래의 방법에 의해 스페이서 형성 영역을 정밀하게 제어하기 어려운 크기의 코너 큐브 어레이(36)를 형성하기 위해 특이 유리하게 사용된다 (피치: 예를 들어, 25 ㎛ 이하, 더욱 양호하게는 2.5 ㎛ 이하).

(실시예 2)

이하에서, 본 발명에 따른 반사식 표시 장치의 제2 실시예가 설명될 것이다. 본 실시예의 반사식 표시 장치는 코너 큐브 어레이의 돌출부 및 개방부의 위치를 제외하고는, (도5를 참조하여 설명된) 실시예 1의 반사식 표시 장치와 유사한 구조를 갖는다.

도9는 본 실시예에 따른 코너 큐브 어레이를 도시하는 개략적인 단면도이다. 코너 큐브 어레이(66)는 코너 큐브 어레이를 한정하는 표면 구성을 갖는 절연층(72)과, 절연층(72) 상에 형성되어 절연층(72)의 표면 구성을 반영하는 형상을 갖는 금속층(74)과, 코너 큐브의 피크부 내에 배치되어 절연층(72)을 관통하는 복수의 개방부(78)를 포함한다. 도5에 도시된 구조에서와 같이, 금속층(74)은 화소에 대응하도록 분할되고, 각각의 분할된 부분은 반사 전극으로서 기능한다. 돌출부(76)는 스페이서로서 기능하고, 개방부(78)는 접속 구멍으로서 기능한다. 도시된 예에서, 각각의 개방부(78)에 의해 점유되는 영역은 도4a 및 도4b를 참조하여 설명된 바와 같이 피크부 내의 피크점을 포함한다. 그러나, 각각의 개방부(78)는 피크부 내에 배치되기만 하면 된다. 본 실시예에서, 코너 큐브 내에서의 돌출부(76)의 위치에 대한 제한은 없다.

본 실시예의 반사식 표시 장치에서, 접속 구멍으로 역할하는 개방부(78)는 코너 큐브의 피크부 내에 배치된다. 그러므로, 코너 큐브의 바닥부는 개방부(78)와 관련된 임의의 비역반사 영역이 없고, 따라서 바닥부에서의 역반사 특징의 열화가 억제된다. 결과적으로, 코너 큐브 어레이(66)의 역반사율이 향상되고, 표시 콘트라스트가 개선된다.

도시된 코너 큐브 어레이(66)는 절연층(72)의 표면 구성에 대응하는 돌출부 및 함몰부를 갖는 형판을 사용하여, 도7a 내지 도7e를 참조하여 설명된 방법에 의해 쉽게 형성될 수 있다. 이는 개방부(78)의 위치가 정밀하게 제어될 수 있는 점에서 장점을 제공한다. 스페이서로서 역할하는 돌출부(76)가 전사를 통해 형성되므로, 돌출부(76)의 크기는 종래보다 더 작게 만들어질 수 있고, 그러므로 표시 장치의 개구비의 감소가 억제될 수 있다. 또한, 돌출부(76)의 위치는 전사를 위해 사용되는 형판의 표면 구성에 기초하여 제어될 수 있으며, 돌출부(76)는 표시 장치의 화소들 사이에 배치될 수 있고, 이에 의해 개구비가 더욱 개선될 수 있다.

대안적으로, 바닥부 내에 돌출부를 갖는 코너 큐브 어레이 구성을 갖는 형판이 개방부(78)를 갖는 절연층(72)을 형성하기 위한 전사를 수행하는데 사용될 수 있고, 그 후에 스페이서가 종래의 방법에 의해 형성될 수 있다.

(실시예 3)

이하에서, 본 발명에 따른 반사식 표시 장치의 제3 실시예가 설명될 것이다. 본 실시예의 반사식 표시 장치는 코너 큐브 어레이의 돌출부가 스페이서는 물론 화소들 사이의 격벽으로서 기능하고, 코너 큐브 어레이의 (돌출부 및 함몰부를 갖는) 표면이 평탄화되고, 상층 전극(화소 전극)들이 코너 큐브 어레이 상에 더 제공되는 점에서, 실시예 1 및 2의 반사식 표시 장치와 다르다.

도10은 본 실시예의 반사식 표시 장치를 도시하는 개략적인 단면도이다. 간단하게 하기 위해, 도5에 도시된 반사식 표시 장치의 구성 요소와 유사한 구성 요소는 유사한 도면 부호에 의해 표시되었고, 그의 설명은 생략되었다.

코너 큐브 어레이(80)가 반사식 표시 장치의 후방 기판(32) 상에 형성된다. 코너 큐브 어레이(80)는 코너 큐브 어레이 구성을 한정하는 절연층(82)과, 절연층(82)의 표면 상에 형성된 금속층(84)과, 복수의 개방부(88) 및 복수의 돌출부(86)를 포함한다. 본원에서, 각각의 돌출부(86)는 대응하는 화소를 둘러싸는 벽으로서 성형되고, 스페이서는 물론 화소들 사이의 격벽으로서 기능한다. 금속층(84)은 화소에 대응하도록 돌출부(86)에 의해 분리된다. 돌출부(86)에 의해 둘러싸인 각각의 영역(90; 화소 영역) 내에서, 투명 상층 전극(89; 화소 전극)이 제공된다. 각각의 화소 전극(89)의 표면은 대체로 평편하고, 그러므로 액정층(34)은 후방 기판과 대면하는 대체로 평편한 표면을 갖는다. 각각의 화소 전극(89)은 개방부(88)를 거쳐 대응하는 절환 소자(38)의 드레인 전극(40)에 연결된다. 도시된 개방부(88)가 코너 큐브의 피크부 내에 배치된 것으로 도시되어 있지만, 본 실시예의 코너 큐브 어레이(80)는 개방부(88) 및/또는 돌출부(86)가 도시된 구조로 제한되지 않고서, 피크부 내에 배치되는 것을 특징으로 한다.

본 실시예에서, "돌출부(86)가 피크부 내에 배치되었다"고 말하는 것은 벽형 돌출부(86)가 코너 큐브의 피크부 내에 배치된 것을 의미하고, 이는 벽형 돌출부 (86)가 또한 피크부 내에 뿐만 아니라 안장점 및/또는 바닥부 위에 배치되는 것을 배제하지 않는다. 도11a 및 도11b는 화소 영역(90)을 한정하는 벽형 돌출부의 양호한 배열을 각각 설명하는 평면도이다. 도11a는 코너 큐브의 피크점들을 연결하는 선을 따라 형성된 것으로 (평면도에서) 보이는 돌출부(86a)를 도시한다. 이러한 경우에, 돌출부(86)가 코너 큐브의 임의의 바닥부 내에 배치되지 않기 때문에, 높은 역반사율이 얻어질 수 있다. 도11b는 피크부 위에 뿐만 아니라 바닥부 및 안장점 위에 배치된 돌출부(86b)를 도시한다. 그러나, 돌출부(86)에 의해 영향을 받는 형상을 갖는 바닥부의 개수가 돌출부(86b)에 의해 영향을 받는 형상을 갖는 피크부의 개수보다 더 작으므로, 역반사율의 열화가 억제된다. 각각의 예에서, 돌출부(86a 또는 86b)의 폭(W)은 양호하게는 코너 큐브의 피치(Pcc)보다 더 작고, 더욱 양호하게는 피치(Pcc)의 50% 이하이다.

본 명세서에서, "돌출부(86)가 화소를 둘러싼다"고 말하는 것은 돌출부(86)가 화소를 둘러싼 하나의 연속적인 벽을 구성하는 경우뿐만 아니라 돌출부(86)가 이격되어 있지만 여전히 화소를 한정하는 복수의 벽을 포함하는 경우도 의미한다.

전술한 임의의 다른 실시예에서와 같이, 본 실시예의 반사식 표시 장치는 개방부(88) 및/또는 돌출부(86)가 코너 큐브의 피크부 내에 배치된 코너 큐브 어레이(80)를 포함하고, 이에 의해 코너 큐브 어레이(80)의 역반사 특징이 개선될 수 있다. 또한, 본 실시예에 따르면, 코너 큐브 어레이(80)의 (돌출부 및 함몰부를 갖는) 표면은 화소 전극(89)에 의해 평탄화되어, 액정층(34)은 후방 기판과 대면하는 대체로 평편한 표면을 갖는다. 그러므로, 양호한 액정 배향이 후방 기판의 표면 근방에서도 구현될 수 있다. 또한, 스페이서로서 역할하는 돌출부(86)가 화소들 사이에 배치되므로, 화소 내에 제공되는 스페이서와 관련된 개구비의 임의의 감소가 억제될 수 있다.

본 실시예의 코너 큐브 어레이(80) 및 화소 전극(89)은 예를 들어 다음의 방법에 의해 형성될 수 있다.

먼저, 도12a에 도시된 바와 같이, 절연층(82)이 후방 기판(32) 상에 형성된 후에, 금속층(84')이 절연층(82)을 덮도록 형성된다. 절연층(82)은 절연층(82)의 전술한 표면 구성에 대응하는 돌출부 및 함몰부를 갖는 형판을 채용할 필요가 있는 점을 제외하고는, 도7a 내지 도7e를 참조하여 설명된 전사에 기초한 방법과 유사한 방법에 의해 형성될 수 있다. 결과적인 절연층(82)은 피크부 내에 있는 벽형 돌출부(86) 및 개방부(88)를 갖는다. 돌출부(86)에 의해 둘러싸인 절연층(82)의 각각의 해자형 영역은 표시 장치의 표시 영역(90)이 된다. 금속층(84')은 스퍼터링 기술, 증착 기술 등에 의해 형성될 수 있다.

다음으로, 도12b에 도시된 바와 같이, 레지스트층(92)이 스핀 코팅기, 다이 코팅기, 또는 캡 코팅기와 같은 코팅 장치를 사용하여 금속층 상에 감광성을 갖는 수지 재료를 도포함으로써 금속층(84') 상에 형성된다. 수지 재료를 도포하기 위한 조건은 레지스트층(92)의 두께가 돌출부(86)의 높이보다 더 낮아서 각각의 돌출부(86)의 일부가 레지스트층(92) 위로 노출되게 허용하도록 조정된다.

다음으로, 도12c에 도시된 바와 같이, 레지스트층(92) 위의 금속층(84')의 노출부가 제거되고, 그 후에 레지스트층(92)이 제거되고, 이에 의해 화소에 대응하 여 분할된 금속층(84)이 얻어진다. 금속층(84')의 노출부는 레지스트층(92)이 형성된 후방 기판(32)을 에칭제 내에 원하는 시간 동안 침지시킴으로써 제거될 수 있다 (습식 에칭). 금속층(84')의 노출부는 또한 임의의 다른 방법에 의해 제거될 수 있다. 따라서, 역반사층으로서 역할하는 코너 큐브 어레이가 형성된다.

그 후에, 도12d에 도시된 바와 같이, 화소 전극(89)이 돌출부(86)에 의해 둘러싸인 각각의 화소 영역(90) 내에 형성된다. 화소 전극(89)은 전기 전도성을 갖는 미세 입자를 함유하는 전도성 액체를 화소 영역(90)에 도포하여 소결함으로써 형성될 수 있다. 결과적인 화소 전극(89)들은 각각 대체로 평탄한 표면을 가지며, 금속층(84)의 (돌출부 및 함몰부를 갖는) 표면을 평탄화하는 평탄화층으로서 기능한다. 또한, 각각의 화소 전극(89)은 그러한 화소 영역(90) 내에 제공된 금속층(84)의 부분과 접촉하고, 부분적인 금속층(84)은 접속 구멍(88)을 거쳐 대응하는 절환 소자에 연결된다.

전도성 액체를 도포하기 위한 방법에 관한 제한은 없지만, 스핀 코팅기, 다이 코팅기, 또는 캡 코팅기와 같은 코팅 장치가 채용될 수 있다. 대안적으로, 잉크 제트 장치 또는 분배기가 사용될 수 있다. 전술한 전도성 액체로서, (전도성 미세 입자들이 수십 nm의 주 입자 크기 및 수백 nm의 부 입자 크기를 갖는) 산화인듐 및 산화주석으로 구성된 ITO 용액 등이 사용될 수 있다. 전도성 액체를 도포할 때, 도포 조건은 도포되는 전도성 액체가 돌출부(86)의 높이보다 더 작은 두께를 가져서, 각각의 돌출부(86)의 일부를 전도성 액체 위로 노출시키도록 조정되어야 한다는 것을 알아야 한다.

상기 방법에서, 각각의 돌출부(86)는 양호하게는 화소 영역(90)을 둘러싸는 하나의 연속적인 벽이지만, 이격되어 있지만 여전히 화소 영역(90)을 한정하는 복수의 벽(돌출부)을 포함할 수도 있다. 그러나, 그러한 복수의 벽들 사이의 간격은 전도성 액체가 전도성 액체의 도포 중에 화소 영역(90) 밖으로 유동하지 않도록 충분히 작게 유지되어야 한다.

도12a 내지 도12d를 참조하여 설명된 방법은 종래의 방법에 대해 다음의 장점을 갖는다.

종래에는, 평탄화층 및 화소 전극이 분리된 단계에서 형성되었다. 특히, 코너 큐브 어레이 구성을 갖는 역반사층 상에 평탄화층을 형성한 후에, 광리소그래피를 사용함으로써 평탄화층 내에 접속 구멍을 형성하고, 이후에 화소 전극을 형성하기 위해 광리소그래피 및 에칭 공정을 수행하는 것이 필요했다. 대조적으로, 전술한 방법에 따르면, 화소들 사이의 격벽으로서 역할하는 돌출부(86)가 미리 형성되고, 그 후에 전도성 액체가 화소 전극(89)을 형성하도록 사용되어, 코너 큐브 어레이 구성이 광리소그래피 또는 에칭 공정을 채용할 필요가 없이 평탄화될 수 있으며 화소에 대응하여 이격된 화소 전극(89)들이 형성될 수 있는 점에서 장점으로 이어진다. 따라서, 금속층(84')의 패턴화, 금속층(84)의 평탄화, 및 화소 전극(89)의 형성은 광리소그래피를 사용한 임의의 패턴화 단계를 수행할 필요가 없이, 종래의 방법보다 더 간단하고 저렴한 방법에 의해 수행될 수 있다.

본 발명의 반사식 표시 장치의 구조는 도10에 도시된 구조로 제한되지 않는다는 것을 알아야 한다. 본 실시예의 반사식 표시 장치는 화소 영역(90)을 한정하 는 돌출부(86)를 갖는 코너 큐브 어레이(80) 상에 형성된 평탄화층, 및 그러한 평탄화층 상에 제공된 화소 전극을 가질 수도 있다. 이러한 경우에, 평탄화층 및 화소 전극은 예를 들어 다음의 방법에 의해 형성된다.

먼저, 도12a 내지 도12c를 참조하여 설명된 것과 유사한 방법에 의해, 코너 큐브 어레이(80; 도13a)가 형성된다. 코너 큐브 어레이(80)는 화소 영역(90)을 각각 한정하며 스페이서로서 기능하는 돌출부(86)와, 화소에 대응하여 분할된 금속층(84)과, 각각의 부분적인 금속층(84)을 대응하는 절환 소자에 연결하기 위한 개방부(88)를 포함한다. 개방부(88) 및 돌출부(86)는 모두 코너 큐브의 피크부 내에 배치된다.

다음으로, 도13b에 도시된 바와 같이, 평탄화 수지층(94)이 코너 큐브 어레이(80) 상에 형성된다. 특히, 수지층이 감광성을 갖는 투명 수지 재료를 코너 큐브 어레이(80)의 돌출부(86)에 의해 한정된 각각의 화소 영역(90)에 도포함으로써 형성된 후에, 접속 구멍(96)이 광리소그래피를 사용하여 수지층 내에 형성된다. 이 때, 수지 재료를 도포하기 위한 조건은 평탄화 수지층(94)의 두께가 돌출부(86)의 높이를 초과하지 않아서 각각의 돌출부(86)의 일부가 평탄화 수지층(94) 위로 노출되게 허용하도록 조정된다. 접속 구멍(96)이 양호하게는 코너 큐브 어레이(80) 내의 개방부(88)에 대해 정렬되어 이들의 위치가 일치하지만, 접속 구멍(96) 및 개방부(88)의 위치들이 일치할 필요는 없다.

그 후에, 도13c에 도시된 바와 같이, 전도성층(98')이 평탄화 수지층(94) 및 돌출부(86)의 노출부 상에 그리고 접속 구멍(96) 내에 형성된다. 전도성층(98')은 투명 전도성 재료를 사용하여 스퍼터링 기술에 의해 형성될 수 있다.

전도성층(98')이 형성된 후에, 도13d에 도시된 바와 같이, 레지스트층(99)이 각각의 화소 영역(90)에 대응하도록 형성된다. 레지스트층(99)은 스핀 코팅기, 다이 코팅기, 또는 캡 코팅기와 같은 코팅 장치를 사용하여 전도성층(98') 상으로 감광성을 갖는 수지 재료를 도포함으로써 형성될 수 있다. 수지 재료를 도포하기 위한 조건은 레지스트층(99)의 두께가 돌출부(86)의 높이보다 더 작도록 조정되어야 한다.

다음으로, 레지스트층(99)이 형성된 기판(32)은 에칭제 내에 원하는 시간 동안 침지되어, 레지스트층(99) 위의 전도성층(98')의 노출부를 제거하고 (습식 에칭), 이후에 레지스트층(99)은 기판(32)으로부터 제거된다. 결과적으로, 도13e에 도시된 바와 같이, 화소에 대응하여 이격된 화소 전극(98)들이 평탄화 수지층(94) 상에 형성될 수 있다. 전도성층(89')의 노출부의 제거는 습식 에칭 이외의 임의의 방법에 의해 수행될 수 있다는 것을 알아야 한다.

전술한 방법에 따르면, 화소 영역(90)을 한정하는 돌출부(86)를 갖는 코너 큐브 어레이(80)가 형성된 후에, 평탄화층(94) 및 화소 전극(98)이 순차적으로 형성된다. 결과적으로, 평탄화층(94) 및 화소 전극(98)을 패턴화하기 위한 광리소그래피 공정이 종래의 방법에 비해 축소될 수 있다.

본 실시예의 코너 큐브 어레이(80)는 돌출부(86) 및/또는 개방부(88)가 피크부 내에 배치되는 것을 특징으로 한다. 그러나, 금속층(84)의 역반사율의 열화를 더욱 효과적으로 억제하기 위해, 돌출부(86) 및 개방부(88) 모두가 도10, 도12a 내 지 도12c, 및 도13a 내지 도13e에 도시된 바와 같이, 피크부 내에 배치되는 것이 유리할 것이다.

본 발명에 따르면, 역반사층으로서 코너 큐브 어레이를 포함하는 반사식 표시 장치에서, 스페이서 및 접속 구멍의 형성으로 인한 코너 큐브 어레이의 역반사 특징의 열화가 억제될 수 있고, 개선된 표시 콘트라스트가 얻어질 수 있다. 또한, 스페이서 크기는 종래보다 더 작게 만들어질 수 있고, 이에 의해 개구비가 개선된다.

또한, 본 발명에 따르면, 그러한 반사식 표시 장치는 복잡한 단계를 요구하지 않고서 쉽게 제작될 수 있다.

본 발명이 그의 양호한 실시예에 대해 설명되었지만, 개시된 발명은 여러 방식으로 변형될 수 있으며 위에서 구체적으로 설명한 것 이외의 많은 실시예를 취할 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 취지 및 범주 내에 있는 본 발명의 모든 변형을 포함하는 것이 첨부된 청구범위에 의해 의도된다.

본 발명에 따르면, 역반사층으로서 코너 큐브 어레이를 포함하는 반사식 표시 장치에서, 스페이서 및 접속 구멍의 형성으로 인한 코너 큐브 어레이의 역반사 특징의 열화가 억제될 수 있고, 개선된 표시 콘트라스트가 얻어질 수 있다. 또한, 스페이서 크기는 종래보다 더 작게 만들어질 수 있고, 이에 의해 개구비가 개선된다. 아울러, 반사식 표시 장치가 복잡한 단계를 요구하지 않고서 쉽게 제작될 수 있다.

Claims

반사식 표시 장치이며,

광학 변조층과,

광학 변조층을 사이에 보유하는 한 쌍의 기판과,

광학 변조층의 광학 특징의 화소마다의 변화를 일으키기 위한 전극 구조물을 포함하고,

한 쌍의 기판들 중 하나는 복수의 코너 큐브들로 구성된 코너 큐브 어레이를 갖고,

코너 큐브 어레이는 한 쌍의 기판 사이의 간격을 한정하는 복수의 돌출부를 갖고, 복수의 돌출부는 피크부 내에 배치되는 반사식 표시 장치.
제1항에 있어서, 코너 큐브 어레이는 코너 큐브 어레이를 관통하는 복수의 개방부를 갖고, 복수의 개방부는 피크부 내에 배치되는 반사식 표시 장치.
제1항에 있어서, 코너 큐브 어레이 상에 형성된 금속층을 더 포함하고, 금속층은 코너 큐브 어레이에 의해 한정된 표면 구성을 갖는 반사식 표시 장치.
제3항에 있어서, 금속층은 화소에 대응하여 이격된 복수의 반사 전극들을 포함하는 반사식 표시 장치.
제4항에 있어서, 하나의 기판은 코너 큐브 어레이의 후면 상에 배치된 복수의 절환 소자들을 더 갖고,

복수의 절환 소자 각각은 개방부들 중 대응하는 하나를 거쳐 반사 전극들 중 대응하는 하나에 연결되는 반사식 표시 장치.
제1항에 있어서, 복수의 돌출부 및 코너 큐브 어레이는 동일한 절연 재료로 형성되는 반사식 표시 장치.
제1항에 있어서, 복수의 돌출부 각각은 인접한 화소들 사이에 배치되는 반사식 표시 장치.
제7항에 있어서, 복수의 돌출부 각각은 대응하는 화소를 둘러싸는 벽을 구성하는 반사식 표시 장치.
제1항에 있어서, 복수의 돌출부 각각의 측벽은 90°보다 더 작은 경사각을 갖는 반사식 표시 장치.
제2항에 있어서, 복수의 개방부 각각의 측벽은 90°보다 더 큰 경사각을 갖는 반사식 표시 장치.
제1항에 있어서, 코너 큐브 어레이의 각각의 코너 큐브는 서로에 대해 수직인 3개의 대체로 정방형인 면들로 구성된 반사식 표시 장치.
제1항에 있어서, 복수의 코너 큐브들은 가시광의 파장보다 크거나 같고 각각의 화소의 폭보다 작거나 같은 피치로 배열되는 반사식 표시 장치.
반사식 표시 장치이며,

광학 변조층과,

광학 변조층을 사이에 보유하는 한 쌍의 기판과,

광학 변조층의 광학 특징의 화소마다의 변화를 일으키기 위한 전극 구조물을 포함하고,

한 쌍의 기판들 중 하나는 복수의 코너 큐브들로 구성된 코너 큐브 어레이를 갖고,

코너 큐브 어레이는 코너 큐브 어레이를 관통하는 복수의 개방부를 갖고, 복수의 개방부는 피크부 내에 배치되는 반사식 표시 장치.
제13항에 있어서, 코너 큐브 어레이는 한 쌍의 기판 사이의 간격을 한정하는 복수의 돌출부를 갖는 반사식 표시 장치.
광학 변조층과,

광학 변조층을 사이에 보유하는 한 쌍의 기판과,

광학 변조층의 광학 특징의 화소마다의 변화를 일으키기 위한 전극 구조물을 포함하고,

한 쌍의 기판은 복수의 코너 큐브들로 구성된 코너 큐브 어레이를 갖는, 반사식 표시 장치를 제작하기 위한 방법이며,

표면 상에 돌출부 및 함몰부를 갖는 형판을 제공하는 단계와,

기판을 제공하는 단계와,

형판의 돌출부 및 함몰부에 대응하는 표면을 갖는 전사층을 기판 상에 형성하는 단계를 포함하고,

형판의 돌출부 및 함몰부는 한 쌍의 기판 사이의 간격을 한정하는 복수의 돌출부를 갖는 코너 큐브 어레이의 형상을 한정하고, 복수의 돌출부는 피크부 내에 배치되는 방법.
제15항에 있어서, 형판의 돌출부 및 함몰부는 복수의 돌출부는 물론 복수의 개방부를 갖는 코너 큐브 어레이의 형상을 한정하고, 복수의 개방부는 코너 큐브 어레이를 관통하는 방법.
제16항에 있어서, 형판의 돌출부 및 함몰부는 복수의 돌출부 및 복수의 개방부가 피크부 내에 배치된 코너 큐브 어레이의 형상을 한정하는 방법.
제15항에 있어서, 복수의 돌출부 각각은 화소를 한정하는 영역을 둘러싸고,

전사층을 형성한 후에, 화소를 한정하는 각각의 영역 내에 화소 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
광학 변조층과,

광학 변조층을 사이에 보유하는 한 쌍의 기판과,

광학 변조층의 광학 특징의 화소마다의 변화를 일으키기 위한 전극 구조물을 포함하고,

한 쌍의 기판은 복수의 코너 큐브들로 구성된 코너 큐브 어레이를 갖는, 반사식 표시 장치를 제작하기 위한 방법이며,

표면 상에 돌출부 및 함몰부를 갖는 형판을 제공하는 단계와,

기판을 제공하는 단계와,

형판의 돌출부 및 함몰부에 대응하는 표면을 갖는 전사층을 기판 상에 형성하는 단계를 포함하고,

형판의 돌출부 및 함몰부는 코너 큐브 어레이를 관통하는 복수의 개방부를 갖는 코너 큐브 어레이의 형상을 한정하고, 복수의 개방부는 피크부 내에 배치되는 방법.
제19항에 있어서, 형판의 돌출부 및 함몰부는 복수의 개방부는 물론 복수의 돌출부를 갖는 코너 큐브 어레이의 형상을 한정하고, 복수의 돌출부는 한 쌍의 기판 사이의 간격을 한정하는 방법.
복수의 코너 큐브들을 갖는 코너 큐브 어레이이며,

코너 큐브 어레이의 바닥부 내에 각각 제공된 복수의 돌출부와,

코너 큐브 어레이의 바닥부 내에 각각 제공된 복수의 구멍을 포함하는 코너 큐브 어레이.