KR100752025B1 - Manufacturing method of printed circuit board - Google Patents

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KR100752025B1
KR100752025B1 KR1020060064592A KR20060064592A KR100752025B1 KR 100752025 B1 KR100752025 B1 KR 100752025B1 KR 1020060064592 A KR1020060064592 A KR 1020060064592A KR 20060064592 A KR20060064592 A KR 20060064592A KR 100752025 B1 KR100752025 B1 KR 100752025B1
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지신우
오창건
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삼성전기주식회사
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Abstract

A method of manufacturing a printed circuit board is provided to simplify a manufacturing process of the PCB(Printed Circuit Board) by forming a convexo-concave surface on an insulation layer using a release film. An insulation layer(10) is provided. A release film is attached to the insulation layer. The release film includes a convexo-concave forming layer, on which a convexo-concave surface is formed. A convexo-concave plane(12) is formed on the insulation layer. The release film is peeled off. A circuit layer(30) is formed on the convexo-concave plane of the insulation layer. The insulation layer configures a core layer or a build-up layer.

Description

인쇄회로기판의 제조 방법{MANUFACTURING METHOD OF PRINTED CIRCUIT BOARD}MANUFACTURING METHOD OF PRINTED CIRCUIT BOARD

도 1a 내지 도 1m은 본 발명에 따른 인쇄회로기판의 제조 방법을 도시한 공정 단면도이다. 1A to 1M are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a printed circuit board according to the present invention.

도 2는 본 발명에 적용될 수 있는 또 다른 이형필름을 도시한 단면도이다. Figure 2 is a cross-sectional view showing another release film that can be applied to the present invention.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명에서 회로층을 형성하는 또 다른 방법을 도시한 공정 단면도이다. 3A to 3C are cross-sectional views showing another method of forming a circuit layer in the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 참조부호의 설명> <Description of reference numerals for the main parts of the drawings>

10: 절연층 12: 요철면10: insulating layer 12: uneven surface

14: 비아홀 20, 120: 이형필름14: via hole 20, 120: release film

22, 122: 요철면 24, 124: 요철형성층22, 122: uneven surface 24, 124: uneven surface forming layer

26: 보강층 30: 회로층26: reinforcement layer 30: circuit layer

32a: 무전해 동도금층 34: 전해 동도금층32a: electroless copper plating layer 34: electrolytic copper plating layer

36: 니켈도금층 37: 금도금층36: nickel plated layer 37: gold plated layer

40, 40': 도금 레지스트 50: 솔더 레지스트40, 40 ': plating resist 50: solder resist

본 발명은 인쇄회로기판의 제조 방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 본 발명은 절연층과 회로층의 접착력을 향상시켜 절연층으로 다양한 물질을 이용할 수 있는 인쇄회로기판의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing a printed circuit board, and more particularly, the present invention relates to a method of manufacturing a printed circuit board that can use a variety of materials as an insulating layer by improving the adhesion between the insulating layer and the circuit layer.

인쇄회로기판은 전자 통신 기기 등에 사용되는 가장 기본적인 전자 부품으로서, 전자 통신 기술의 급속한 발전에 따라 인쇄회로기판 기술 또한 급속하게 발전하고 있다. 전자 통신 기기의 특성을 향상시키기 위하여 인쇄회로기판의 회로 패턴을 미세화하는 등 인쇄회로기판의 특성을 향상시키기 위한 연구가 진행되고 있다. Printed circuit boards are the most basic electronic components used in electronic communication devices and the like, and with the rapid development of electronic communication technology, printed circuit board technology is also rapidly developing. In order to improve the characteristics of electronic communication devices, research is being conducted to improve the characteristics of printed circuit boards such as miniaturizing circuit patterns of printed circuit boards.

미세한 회로 패턴을 형성하기 위하여 동박적층판의 동박을 식각하고 동도금층을 형성한 다음 이들을 패터닝하는 방법이 있다. 그러나, 이 방법에 따르면 공정이 복잡하고 시간이 많이 걸린다. 그리고, 동박의 표면 요철이 큰 경우에는 패터닝을 위해 동도금층을 식각할 때 동박의 표면 요철 내부에 형성되는 동도금층을 제거하는 것이 어려울 수 있다. 이 때, 동도금층을 효과적으로 제거하기 위하여 과식각을 하는 경우에는 언더 컷 현상에 의해 불량이 증가하여 수율이 저하될 수 있다. 반면, 동박의 표면 요철이 작은 경우에는 접착력이 약하여 이후 공정에서 회로 패턴이 박리될 수 있다. In order to form a fine circuit pattern, there is a method of etching the copper foil of the copper-clad laminate and forming a copper plating layer, and then patterning them. However, this method is complex and time consuming. And, when the surface irregularities of the copper foil is large, it may be difficult to remove the copper plating layer formed inside the surface irregularities of the copper foil when etching the copper plating layer for patterning. In this case, when overetching is performed in order to effectively remove the copper plating layer, the defect may increase due to the undercut phenomenon, and the yield may decrease. On the other hand, when the surface irregularities of the copper foil is small, the adhesive strength is weak, so that the circuit pattern may be peeled off in a subsequent process.

다른 방법으로 3㎛ 내지 5㎛ 두께의 캐리어 금속박을 구비하는 동박적층판에 서브트랙티브(subtractive) 법으로 회로 패턴을 형성하는 방법이 있다. 그러나 이 방법 또한 비아홀 형성 후에 동도금층을 형성하게 되면 식각해야 할 두께가 20㎛ 이상이 되며 서브트랙티브 법을 이용하여, 회로 패턴의 미세화에 어려움이 있고 수율이 낮은 문제가 있다. As another method, there is a method of forming a circuit pattern by a subtractive method on a copper foil laminated plate having a carrier metal foil having a thickness of 3 µm to 5 µm. However, if the copper plating layer is formed after the formation of the via hole, the thickness to be etched is 20 μm or more, and the subtractive method makes it difficult to refine the circuit pattern and has a low yield.

세미 어디티브(semi-additive) 법으로 회로 패턴을 형성하는 방법은, 절연층을 구성하는 물질이 회로 패턴과의 접착력을 향상시킬 수 있는 물질, 즉 세미 어디티브용 수지 조성물 또는 UV 선택 열경화성 수지 조성물 등으로 한정되어야 하는 문제가 있다. 상기 수지 조성물에는 첨가되는 첨가제 등에 의해 인쇄회로기판의 흡수 후 내열성, 내약품성, 내마이그레이션 특성이 저하될 수 있으며, 전송 손실이 커질 수 있다. 또한, 강성을 향상시키는 무기 충전제의 양에 제한이 있어 인쇄회로기판의 휘어짐 또는 비틀어짐을 효과적으로 방지할 수 없다. 또한 고주파용 인쇄회로기판의 제조에 어려움이 있다. A method of forming a circuit pattern by a semi-additive method is a material in which the material constituting the insulating layer can improve the adhesion with the circuit pattern, that is, a resin composition for semi-additive or a UV selective thermosetting resin composition. There is a problem that should be limited to such. The resin composition may have low heat resistance, chemical resistance, and migration resistance after absorption of the printed circuit board due to an additive added thereto, and may increase transmission loss. In addition, there is a limit to the amount of the inorganic filler to improve the rigidity can not effectively prevent the bending or twisting of the printed circuit board. In addition, there is a difficulty in manufacturing a high frequency printed circuit board.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 본 발명의 목적은 절연층과 회로층의 접착력을 단순한 공정에 의해 향상시킬 수 있으며 절연층을 다양한 물질로 형성할 수 있는 인쇄회로기판의 제조 방법을 제공하는 데 있다. The present invention was devised to solve the above problems, and an object of the present invention is to improve the adhesion between the insulating layer and the circuit layer by a simple process, and to manufacture a printed circuit board capable of forming the insulating layer from various materials. To provide a way.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 인쇄회로기판의 제조 방법은, (a) 절연층을 준비하는 단계; (b) 요철면이 형성된 요철형성층을 포함하는 이형필름을 상기 절연층에 부착하여, 상기 절연층에 요철면을 형성하는 단계; (c) 상기 이형필름을 박리하는 단계; 및 (d) 상기 절연층의 요철면에 회로층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, a method of manufacturing a printed circuit board according to the present invention includes: (a) preparing an insulating layer; (b) attaching a release film including an uneven surface on which the uneven surface is formed to the insulating layer, thereby forming the uneven surface on the insulating layer; (c) peeling off the release film; And (d) forming a circuit layer on the uneven surface of the insulating layer.

상기 본 발명의 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서, 상기 절연층이 코어층 또는 빌드업층을 구성하는 것을 특징으로 한다. In the method of manufacturing a printed circuit board of the present invention, the insulating layer constitutes a core layer or a buildup layer.

상기 본 발명의 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서, 상기 이형필름의 요철면이 2㎛ 내지 10㎛의 10점 평균거칠기(Rz)를 가지는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 이형필름의 요철면은 3㎛ 내지 9㎛의 10점 평균거칠기를 가지는 것이 더 바람직하다. In the method of manufacturing a printed circuit board of the present invention, the uneven surface of the release film has a ten point average roughness (Rz) of 2 μm to 10 μm. Here, it is more preferable that the uneven surface of the release film has a ten point average roughness of 3 μm to 9 μm.

상기 본 발명의 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서, 상기 이형필름은, 상기 이형필름의 요철면의 반대측에 부착되는 보강층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In the method of manufacturing a printed circuit board of the present invention, the release film is characterized in that it further comprises a reinforcing layer attached to the opposite side of the uneven surface of the release film.

상기 본 발명의 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서, 상기 보강층은 알루미늄, 철, 동 및 이의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. In the method of manufacturing a printed circuit board of the present invention, the reinforcing layer is characterized in that it comprises a material selected from the group consisting of aluminum, iron, copper and alloys thereof. However, the present invention is not limited thereto.

상기 본 발명의 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서, 상기 요철형성층은 열경화성 수지, 열가소성 수지 및 이들의 혼합 수지로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다. In the method of manufacturing a printed circuit board of the present invention, the uneven layer may include a material selected from the group consisting of a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and a mixed resin thereof.

상기 본 발명의 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서, 상기 절연층은 열경화성 수지, 열가소성 수지 및 이들의 혼합 수지로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다. In the method of manufacturing a printed circuit board of the present invention, the insulating layer is characterized in that it comprises a material selected from the group consisting of a thermosetting resin, a thermoplastic resin and a mixed resin thereof.

상기 본 발명의 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서, 상기 (d) 단계 이후에, 상기 (c) 단계와 상기 (d) 단계를 적어도 한 회 이상 반복하여 수행하는 것을 특징으로 한다. In the method of manufacturing a printed circuit board of the present invention, after the step (d), the step (c) and the step (d) is repeated at least one or more times.

상기 본 발명의 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서, 상기 (d) 단계는, 상기 절연층 위에 무전해 동도금층을 형성하는 단계; 상기 무전해 동도금층 위에 기설정된 패턴의 도금 레지스트를 형성하는 단계; 상기 도금 레지스트의 패턴에 따라 상기 무전해 동도금층 위에 전해 동도금층을 형성하는 단계; 상기 도금 레지스트를 제거하는 단계; 및 상기 무전해 동도금층 중에서 상기 전해 동도금층이 형성되지 않은 부분을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the method of manufacturing a printed circuit board of the present invention, the step (d) may include forming an electroless copper plating layer on the insulating layer; Forming a plating resist having a predetermined pattern on the electroless copper plating layer; Forming an electrolytic copper plating layer on the electroless copper plating layer according to the pattern of the plating resist; Removing the plating resist; And removing a portion of the electroless copper plating layer in which the electrolytic copper plating layer is not formed.

상기 본 발명의 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서, 상기 (d) 단계는, 상기 절연층 위에 기설정된 패턴의 도금 레지스트를 형성하는 단계; 상기 도금 레지스트의 패턴에 따라 상기 절연층 위에 무전해 동도금층을 형성하는 단계; 상기 도금 레지스트의 패턴에 따라 상기 무전해 동도금층 위에 전해 동도금층을 형성하는 단계; 및 상기 도금 레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the method of manufacturing a printed circuit board of the present invention, the step (d) may include forming a plating resist having a predetermined pattern on the insulating layer; Forming an electroless copper plating layer on the insulating layer according to the pattern of the plating resist; Forming an electrolytic copper plating layer on the electroless copper plating layer according to the pattern of the plating resist; And removing the plating resist.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 인쇄회로기판의 제조 방법을 상세하게 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a printed circuit board according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a 내지 도 1m은 본 발명에 따른 인쇄회로기판의 제조 방법을 도시한 공정 단면도이다. 1A to 1M are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a printed circuit board according to the present invention.

먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 절연층(10)을 준비한다. 본 명세서에서 절연층(10)이라 함은 코어층, 즉 내부 중심부에 위치하여 다층 인쇄회로기판 제조의 기초가 되는 절연층 뿐만 아니라, 빌드업층, 즉 코어층의 외부에서 회로층을 덮으면서 형성되는 절연층을 모두 포함하는 개념이다. 명확한 이해를 위해 도면에서는 절연층(10)을 코어층으로 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.First, as shown in FIG. 1A, an insulating layer 10 is prepared. In the present specification, the insulating layer 10 is formed by covering the circuit layer outside the core layer, that is, the core layer, that is, the core layer, that is, the build-up layer, that is, the core layer, as well as the insulating layer that is the basis for manufacturing the multilayer printed circuit board. The concept includes all the insulating layers. In the drawings for the sake of clarity, the insulating layer 10 is illustrated as a core layer, but the present invention is not limited thereto.

본 발명에서 절연층(10)은 열경화성 수지, 열가소성 수지 등을 포함하며, 반경화 상태(B-stage)인 것이 바람직하다. 이러한 절연층(10)은 바탕 재료에 상기 수지를 침투시킨 프리프레그 또는 내열성 필름 등을 이용하여 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 방법으로 절연층(10)을 형성할 수 있음은 물론이다. In the present invention, the insulating layer 10 includes a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and the like, and is preferably in a semi-cured state (B-stage). The insulating layer 10 may be formed using a prepreg or a heat resistant film in which the resin has penetrated the base material. However, the present invention is not limited thereto, and the insulating layer 10 may be formed in various ways.

열경화성 수지로는 시안산에스테르 수지, 마레이미드 수지, 폴리이미드 수지, 관능기 부가 폴리페닐렌에테르 수지, 벤조시클로부텐 수지, 에폭시 수지 등이 있다. Thermosetting resins include cyanate ester resins, marimide resins, polyimide resins, functional group addition polyphenylene ether resins, benzocyclobutene resins, epoxy resins, and the like.

여기서, 시안산에스테르 수지로는 1,3-디시아네이트벤젠, 1,4-디시아네이트벤젠, 1,3,5-트리시아네이트벤젠, 1,3-디시아네이트나프탈렌, 1,4-디시아네이트나프탈렌, 1,6-디시아네이트나프탈렌, 1,8-디시아네이트나프탈렌, 2,6-디시아네이트나프탈렌, 2,7-디시아네이트나프탈렌, 1,3,6-트리시아네이트나프탈렌, 4,4-디시아네이트비페닐, 비스(4-시아네이트페닐)메탄, 2,2-비스(4-시아네이트페닐)프로판, 2,2-비스(3,5-디브로모-4-시아네이트페닐)프로판, 비스(4-시아네이트페닐)에테르, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 비스(4-시아네이트페닐)술폰, 트리스(4-시아네이트페닐)아인산염, 트리스(4-시아네이트페일)인산염, 및 노볼락과 할로겐화시안과의 반응에 의해서 얻을 수 있는 시아네이트 류를 들 수 있다. Here, as cyanate ester resin, 1, 3- dicyanate benzene, 1, 4- dicyanate benzene, 1, 3, 5- tricyanate benzene, 1, 3- dicyanate naphthalene, 1, 4- dish Anatenaphthalene, 1,6-dicyanatenaphthalene, 1,8-dicyanatenaphthalene, 2,6-dicyanatenaphthalene, 2,7-dicyanatenaphthalene, 1,3,6-tricyanatenaphthalene, 4,4-dicyanatebiphenyl, bis (4-cyanatephenyl) methane, 2,2-bis (4-cyanatephenyl) propane, 2,2-bis (3,5-dibromo-4- Cyanatephenyl) propane, bis (4-cyanatephenyl) ether, bis (4-cyanatephenyl) thioether, bis (4-cyanatephenyl) sulfone, tris (4-cyanatephenyl) phosphite, tris ( And cyanates obtained by the reaction of 4-cyanate fail) phosphate and novolac and cyanide halide.

이 외에도, 일본 특공소 제41-11712호, 일본 특공소 제43-18468호, 일본 특공소 제44-4791호, 일본 특공소 제45-11712호, 일본 특공소 제46-41112호, 일본 특공소 제47-26853호, 일본 특개소 제51-63149호에 기재된 시안산 에스테르 류도 이 용될 수 있다.In addition to this, Japan Commando 41-11712, Japan Commando 43-18468, Japan Commando 44-4791, Japan Commando 45-11712, Japan Commando 46-41112, Japan Commando Cyanic acid esters described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 47-26853 and Japanese Patent Laid-Open No. 51-63149 can also be used.

또한, 시안산에스테르 화합물의 시아네이트기의 3량화에 의해 형성되는 트리아진 환을 가지는 분자량 400 내지 6000의 프레포리마가 사용될 수도 있다. 일례로, 프레포리마는 상기 시안산 에스테르 모노머를, 무기산, 루이스산 등의 산과, 나트륨알코레이트와, 제3급 아민류 등의 염기류와, 탄산나트륨 등의 염류 등을 촉매로서 중합시키는 것으로 형성할 수 있다. 그러나 이 외의 다양한 방법에 의해 프레포리마를 형성할 수 있음은 물론이다. 이 프레포리마 중에는 미반응의 모노머도 포함되어 모노머와 프레포리마와의 혼합물의 형태를 가지게 되므로, 본 발명의 열경화성 수지로 적합하게 사용될 수 있다. In addition, preporima having a molecular weight of 400 to 6000 having a triazine ring formed by trimerization of the cyanate group of the cyanate ester compound may be used. For example, the preformima can be formed by polymerizing the cyanate ester monomer with a catalyst such as an acid such as an inorganic acid or Lewis acid, bases such as sodium alcohol, tertiary amines, and salts such as sodium carbonate as a catalyst. . However, it is a matter of course that the preformima can be formed by various other methods. Since this preporima also contains an unreacted monomer, it has a form of a mixture of a monomer and preporima, and can be suitably used as the thermosetting resin of the present invention.

또한, 액상의 시안산에스테르 류를 사용할 수 있다. 그리고, 불소 첨가물, 인 함유물 등도 사용할 수 있는데, 다만 논할로겐으로 형성하기 위해서는 불소 첨가물을 사용하지 않는다. Moreover, liquid cyanate esters can be used. In addition, although a fluorine additive and phosphorus containing etc. can also be used, in order to form with non-halogen, a fluorine additive is not used.

열가소성 수지로는 액정 폴리에스테르 수지 등이 있다. 이 액정 폴리에스테르 수지는 고주파용 인쇄회로기판에 적용되어 고주파 특성을 향상시키는 데 기여할 수 있다. Thermoplastic resins include liquid crystal polyester resins. This liquid crystal polyester resin can be applied to printed circuit boards for high frequency and can contribute to improving high frequency characteristics.

상기 열경화성 수지, 열가소성 수지에는 다양한 첨가물을 첨가할 수 있다. 예를 들어, 유기 충전제, 무기 충전제, 염료, 안료, 증점제, 윤활제, 소포제, 분산제, 레벨링제, 광증감제, 광택제, 중합 개시제, 칙소성 부여제 등이 목적, 용도에 따라 적당히 배합된다. 열경화성 수지, 열가소성 수지로는 난연화되지 않은 것도 사용할 수 있으나, 인, 불소 등으로 난연화되거나, 논할로겐의 난연제가 첨가된 것 을 사용할 수도 있다. Various additives can be added to the thermosetting resin and the thermoplastic resin. For example, organic fillers, inorganic fillers, dyes, pigments, thickeners, lubricants, defoamers, dispersants, leveling agents, photosensitizers, brighteners, polymerization initiators, thixotropic agents, and the like are suitably blended according to the purpose and use. As the thermosetting resin and the thermoplastic resin, those which are not flame retardant may be used, but those which are flame retarded with phosphorus, fluorine, or the like and which have a non-halogen flame retardant added thereto may be used.

그리고, 열경화성 수지에는 작업성, 경제성 등을 고려하여 경화제, 촉매 등을 첨가할 수 있다. 경화제, 촉매 등의 첨가량은 열경화성 수지를 100 중량부로 할 때 0.005 내지 10 중량부가 바람직하며, 0.01 내지 5 중량부인 것이 더 바람직하다. 상기 물질들이 너무 많이 첨가된 경우 비용이 상승될 수 있으며 물성이 저하될 수 있다. 또한, 상기 물질들이 너무 적게 첨가된 경우 반응 속도가 느려져 완전 경화가 되지 않을 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 경화제, 촉매 등을 첨가하지 않는 것도 가능하며 이 또한 본 발명의 범위에 속한다. In addition, a curing agent, a catalyst, and the like can be added to the thermosetting resin in consideration of workability, economical efficiency, and the like. The addition amount of the curing agent, the catalyst and the like is preferably 0.005 to 10 parts by weight, more preferably 0.01 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the thermosetting resin. If too much material is added, the cost may be increased and the physical properties may be degraded. In addition, if too little of the above materials are added, the reaction rate may be slow and may not be completely cured. However, the present invention is not limited thereto, and it is also possible not to add a curing agent, a catalyst, or the like, which also belongs to the scope of the present invention.

한편, 절연층(10)으로 사용될 프리프레그를 형성하기 위한 바탕 재료로는 유리포, 유기포, 무기포 및 이들의 혼초를 이용할 수 있다. 유리포로는 E, T(S), NE, E, 석영 등의 섬유를 이용한 유리 직포 또는 유리 부직포가 사용될 수 있다. 유기포로는 액정 폴리에스테르, 전방향족, 폴리옥시벤자졸, 이들의 혼초를 이용할 수 있다. 강성을 향상시키기 위하여 유리 직포를 다층으로 적층하여 사용할 수 있다. On the other hand, as a base material for forming the prepreg to be used as the insulating layer 10, a glass cloth, an organic cloth, an inorganic cloth and a mixture of these can be used. As the glass cloth, a glass cloth or a glass nonwoven fabric using fibers such as E, T (S), NE, E, or quartz may be used. As organic foam, liquid crystalline polyester, wholly aromatic, polyoxybenzazole, and these mixtures can be used. In order to improve rigidity, a glass woven fabric can be laminated and used in multiple layers.

절연층(10)으로 사용될 내열성 필름으로는 폴리이미드 필름, 전방향족 폴리아미드 필름, 액정 폴리에스테르 필름 등을 들 수 있다. As a heat resistant film used as the insulating layer 10, a polyimide film, a wholly aromatic polyamide film, a liquid crystal polyester film, etc. are mentioned.

이와 같이 본 발명에서는 절연층(10)으로 다양한 물질을 이용할 수 있는데, 인쇄회로기판의 용도 등을 고려하여 적절한 물질을 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 인쇄회로기판이 고주파 용도로 사용되는 경우에는 낮은 유전 특성을 위하여 시안산에스테르 수지, 관능기 부가 폴리페닐렌에테르 수지를 절연층(10)으로 사용하는 것이 바람직하다. 20GHz 이상의 고주파에서는, 전송 손실을 줄이기 위하여 시안산에스테르 수지를 단독으로 사용하거나 바탕 재료로 유리포 대신 액정 폴리에스테르 수지포를 사용하는 것이 바람직하다. As described above, in the present invention, various materials may be used as the insulating layer 10, and it is preferable to select and use an appropriate material in consideration of the use of the printed circuit board. For example, when a printed circuit board is used for high frequency, it is preferable to use a cyanate ester resin and a functional group-added polyphenylene ether resin as the insulating layer 10 for low dielectric properties. At high frequency of 20 GHz or more, it is preferable to use cyanate ester resin alone or to use liquid crystal polyester resin cloth instead of glass cloth as the base material in order to reduce transmission loss.

이러한 절연층(10)은 공정에서의 열에 견딜 수 있도록 270℃ 이상의 융점을 가지는 것이 바람직하다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. The insulating layer 10 preferably has a melting point of 270 ° C. or higher to withstand heat in the process. However, the present invention is not limited thereto.

그리고 절연층(10)은 3㎛ 내지 200㎛의 두께를 가지는 것이 바람직하며, 20㎛ 내지 70㎛의 두께를 가지는 것이 바람직하다. 절연층(10)의 두께가 너무 얇을 때에는 절연층으로 비아홀을 충진하는 경우에 비아홀을 충분하게 충진할 수 없으며 절연층으로 회로층을 충분히 덮을 수 없다. 또한, 절연층(10)의 두께가 너무 두꺼우면 인쇄회로기판의 박형화에 어려움이 있다. 즉, 상기 절연층(10)의 두께는 이러한 점들을 고려하여 적절하게 한정한 것이다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 인쇄회로기판의 용도 및 기술 발전 등에 의해 절연층(10)의 두께가 변화될 수 있음은 물론이다. In addition, the insulating layer 10 preferably has a thickness of 3 μm to 200 μm, and preferably has a thickness of 20 μm to 70 μm. When the thickness of the insulating layer 10 is too thin, when the via hole is filled with the insulating layer, the via hole may not be sufficiently filled and the circuit layer may not be sufficiently covered with the insulating layer. In addition, if the thickness of the insulating layer 10 is too thick, it is difficult to thin the printed circuit board. That is, the thickness of the insulating layer 10 is appropriately defined in consideration of these points. However, the present invention is not limited thereto, and the thickness of the insulating layer 10 may be changed by the use of the printed circuit board and the development of technology.

이어서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 이형필름(20)을 준비한다. Subsequently, as shown in FIG. 1B, a release film 20 is prepared.

여기서, 이형필름(20)은 요철면(22)이 형성된 요철형성층(24)과, 이 요철형성층(24)을 물리적으로 보강하는 보강층(26)을 포함하여 구성된다. In this case, the release film 20 includes an uneven surface forming layer 24 having an uneven surface 22 and a reinforcing layer 26 physically reinforcing the uneven surface forming layer 24.

여기서, 요철형성층(24)은 열경화성 수지에 이형제가 첨가된 수지층으로 이루어질 수 있다. 열경화성 수지로 상기 절연층(10)에서 설명한 다양한 물질 중 어느 하나 또는 둘 이상이 사용될 수 있다. 요철형성층(24)의 두께는 일정 두께에 특별히 한정되지는 않지만, 작업성 및 경제성을 고려하여 10㎛ 내지 50㎛의 두께를 가지는 것이 바람직하며, 20㎛ 내지 30㎛의 두께를 가지는 것이 더 바람직하다.Here, the concave-convex forming layer 24 may be formed of a resin layer in which a release agent is added to the thermosetting resin. As the thermosetting resin, any one or two or more of the various materials described in the insulating layer 10 may be used. Although the thickness of the concave-convex forming layer 24 is not particularly limited to a certain thickness, it is preferable to have a thickness of 10 μm to 50 μm, more preferably 20 μm to 30 μm in consideration of workability and economical efficiency. .

요철형성층(24)에 형성된 요철면(22)은 샌드 블라스트, 화학적 처리, 금형 등을 이용하여 형성할 수 있다. 이 때, 요철면(22)은 2㎛ 내지 10㎛의 10점 평균거칠기(Rz)의 10점 평균거칠기를 가질 수 있다. 요철면(22)의 10점 평균거칠기가 10㎛를 초과하는 경우에는 미세 회로의 형성에 어려움이 있으며, 2㎛ 미만인 경우에는 접착력이 부족할 수 있기 때문이다. 이를 고려할 때 요철면(22)의 10점 평균거칠기는 3㎛ 내지 9㎛인 것이 더욱 바람직하다. The concave-convex surface 22 formed on the concave-convex forming layer 24 may be formed using sand blast, chemical treatment, a mold, or the like. At this time, the uneven surface 22 may have a 10-point average roughness of the 10-point average roughness (Rz) of 2㎛ to 10㎛. If the ten-point average roughness of the uneven surface 22 exceeds 10㎛, it is difficult to form a fine circuit, if less than 2㎛ because the adhesive force may be insufficient. In consideration of this, the ten-point average roughness of the uneven surface 22 is more preferably 3 μm to 9 μm.

그리고, 보강층(26)은 요철형성층(24)을 물리적으로 보강할 수 있도록 알루미늄, 철, 동 등으로 이루어질 수 있다. 이 때, 특별히 한정되지는 않지만 보강층(26)은 10㎛ 내지 35㎛의 두께를 가지는 것이 바람직하다. In addition, the reinforcement layer 26 may be made of aluminum, iron, copper, or the like so as to physically reinforce the concave-convex forming layer 24. At this time, although not particularly limited, the reinforcing layer 26 preferably has a thickness of 10 μm to 35 μm.

상기에서는 요철형성층(24) 및 금속층(26)을 모두 포함하는 이형필름(20)을 도시 및 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 도 2에 도시된 바와 같이, 요철면(122)이 형성된 요철형성층(124)만을 구비한 이형필름(120)을 이용하여 절연층에 요철면을 형성할 수도 있고, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다. 이 경우 요철형성층(124)은 이형 폴리에스테르 필름, 이형 불소 수지 필름과 같은 열경화성 수지, 또는 상기에서 설명한 바와 같이 열경화성 수지에 이형제가 첨가된 수지층으로 이루어질 수 있다. In the above, the release film 20 including both the concave-convex forming layer 24 and the metal layer 26 is illustrated and described, but the present invention is not limited thereto. Accordingly, as shown in FIG. 2, the uneven surface may be formed on the insulating layer using the release film 120 having only the uneven surface forming layer 124 having the uneven surface 122 formed therein, which is also the scope of the present invention. Belongs to. In this case, the concave-convex forming layer 124 may include a thermosetting resin such as a release polyester film, a release fluororesin film, or a resin layer in which a release agent is added to the thermosetting resin as described above.

이어서, 도 1c 내지 도 1e에 도시된 바와 같이, 절연층(10)에 요철면(12)을 형성한다. 즉, 도 1c에 도시된 바와 같이, 요철면(22)이 절연층(10)을 향하도록 절연층(10)의 양측 각각에 이형필름(20)을 위치시킨 후, 도 1d에 도시된 바와 같이, 가압 및 가열을 하여 이형필름(20)을 절연층(10)에 부착시킨 다음, 도 1e에 도시된 바와 같이, 이형필름(20)을 박리한다. 이형필름(20)의 요철면(22)에 의해 반경화 상태의 절연층(10)에 요철면(12)이 형성된다. Subsequently, as shown in FIGS. 1C to 1E, the uneven surface 12 is formed in the insulating layer 10. That is, as shown in FIG. 1C, after placing the release film 20 on each side of the insulating layer 10 so that the uneven surface 22 faces the insulating layer 10, as shown in FIG. 1D. After pressing and heating, the release film 20 is attached to the insulating layer 10, and as shown in FIG. 1E, the release film 20 is peeled off. The uneven surface 12 is formed on the insulating layer 10 in a semi-cured state by the uneven surface 22 of the release film 20.

절연층(10)에 이형필름(20)을 부착할 때 절연층(10)을 50% 내지 90% 정도로 경화하는 것이 바람직하다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 이 단계에서의 절연층(10)의 경화 정도는 다양하게 변화시킬 수 있다. When the release film 20 is attached to the insulating layer 10, it is preferable to cure the insulating layer 10 to about 50% to 90%. However, the present invention is not limited thereto, and the degree of curing of the insulating layer 10 at this stage may vary.

여기서, 절연층(10)이 열경화성 수지로 이루어지는 경우에는 적층 시의 온도가 100℃ 내지 300℃인 것이 바람직하고, 110℃ 내지 250℃인 것이 더 바람직하다. 절연층(10)과 이형필름(20)에 가하는 압력은 1kgf/cm2 내지 50 kgf/cm2 인 것이 바람직하다. 가열 및 가압 시간은 5분 내지 120분인 것이 바람직하고, 진공도는 30mmHg 이하, 더 바람직하게는 10mmHg 이하인 것이 바람직하다. 그러나, 본 발명이 이러한 공정 조건에 한정되는 것은 아니며 열경화성 수지의 종류에 따라 이를 변화될 수 있다. Here, when the insulating layer 10 consists of a thermosetting resin, it is preferable that the temperature at the time of lamination | stacking is 100 degreeC-300 degreeC, and it is more preferable that it is 110 degreeC-250 degreeC. The pressure applied to the insulating layer 10 and the release film 20 is preferably 1 kgf / cm 2 to 50 kgf / cm 2 . It is preferable that heating and pressurization time are 5 minutes-120 minutes, and a degree of vacuum is 30 mmHg or less, More preferably, it is 10 mmHg or less. However, the present invention is not limited to these process conditions and may be changed according to the type of thermosetting resin.

절연층(10)이 액정 폴리에스테르 수지로 이루어지는 경우에는 적층 시의 온도가 액정 폴리에스테르 수지의 융점 이상인 것이 바람직하고, 융점보다 10℃ 내지 50℃ 정도의 높은 온도인 것이 바람직하다. 절연층(10)과 이형필름(20)은 1kgf/cm2 내지 50 kgf/cm2로 가압하는 것이 바람직하고, 5kgf/cm2 내지 30kgf/cm2 정도가 더 바람직하다. 가열 및 가압 시간은 2분 내지 40분인 것이 바람직하고, 진공 상태에서 적층이 이루어지는 것이 바람직하다. When the insulating layer 10 consists of liquid crystalline polyester resin, it is preferable that the temperature at the time of lamination | stacking is more than melting | fusing point of liquid crystalline polyester resin, and it is preferable that it is temperature which is about 10 degreeC-about 50 degreeC higher than melting | fusing point. The insulating layer 10 and the release film 20 are preferably pressed at 1 kgf / cm 2 to 50 kgf / cm 2 , and more preferably at about 5 kgf / cm 2 to 30 kgf / cm 2 . It is preferable that heating and pressurization time are 2 minutes-40 minutes, and it is preferable that lamination is performed in a vacuum state.

이어서, 도 1f에 도시된 바와 같이, 절연층(10)을 관통하는 비아홀(14)을 형 성하고 디스미어 공정을 수행한다. 도면에서는 비아홀(14)이 절연층(10)을 관통하는 관통홀인 것을 도시하였으나, 절연층(10)이 코어층 이외의 절연층, 즉 다층 인쇄회로기판에서 회로층(도시하지 않음)을 덮으면서 형성되는 절연층인 경우에는 비아홀(14)로 블라인드 비아홀 및 관통홀을 형성할 수 있으며 이 또한 본 발명의 범위에 속한다. Subsequently, as shown in FIG. 1F, a via hole 14 penetrating the insulating layer 10 is formed and a desmear process is performed. Although the via hole 14 is a through hole penetrating the insulating layer 10 in the drawing, the insulating layer 10 covers an insulating layer other than the core layer, that is, a circuit layer (not shown) in a multilayer printed circuit board. In the case of the insulating layer formed, blind via holes and through holes may be formed through the via holes 14, which are also within the scope of the present invention.

관통홀을 형성하기 위해서는, CNC(computer numerical control) 드릴을 이용하거나 이산화탄소(CO2) 레이저, UV-YAG 레이저, UV-바나데이트(vanadate) 레이저 등을 이용할 수 있다. CNC 드릴을 이용하는 경우 회전수는 8만rpm 내지 30만rpm인 것이 바람직하며, 이에 따른 관통홀의 직경은 70㎛ 내지 1.0mm 정도이다. 이산화탄소 레이저를 이용하는 경우에는 관통홀의 직경이 80㎛ 내지 150㎛ 정도이며, UV-YAG 레이저, UV-바나데이트 레이저를 이용하는 경우에는 직경이 20㎛ 내지 100㎛ 정도이다. In order to form the through-hole, a computer numerical control (CNC) drill may be used, or a carbon dioxide (CO 2 ) laser, a UV-YAG laser, a UV-vanadate laser, or the like may be used. In the case of using a CNC drill, the rotational speed is preferably 80,000 rpm to 300,000 rpm, and the diameter of the through hole is about 70 μm to 1.0 mm. When using a carbon dioxide laser, the through hole has a diameter of about 80 μm to 150 μm, and when using a UV-YAG laser or a UV-vanadate laser, the diameter is about 20 μm to 100 μm.

블라인드 비아홀을 형성하기 위해서는, 이산화탄소 레이저, UV-YAG 레이저, UV-바나데이트 레이저 등을 이용할 수 있다. 이산화탄소 레이저를 이용하는 경우에는 블라인드 비아홀의 직경이 60㎛ 내지 150㎛ 정도이며, UV-YAG 레이저, UV-바나데이트 레이저를 이용하는 경우에는 블라인드 비아홀의 직경이 20㎛ 내지 100㎛ 정도이다. In order to form a blind via hole, a carbon dioxide laser, a UV-YAG laser, a UV-vanadate laser, or the like can be used. When using a carbon dioxide laser, the diameter of the blind via hole is about 60 µm to 150 µm, and when using a UV-YAG laser or a UV-vanadate laser, the diameter of the blind via hole is about 20 µm to 100 µm.

관통홀 및 블라인드 비아홀을 형성하기 위하여 상기의 장치 및 방법들을 병용하여 사용하는 것도 가능하며, 적절한 보조 재료를 더 사용할 수도 있다. It is also possible to use the above apparatus and methods in combination to form through holes and blind via holes, and further suitable auxiliary materials may be used.

이어서, 도 1g 내지 도 1k에 도시된 바와 같이, 절연층(10)의 요철면(12)에 회로층(30)을 형성한다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. Subsequently, as illustrated in FIGS. 1G to 1K, the circuit layer 30 is formed on the uneven surface 12 of the insulating layer 10. This is explained in more detail.

도 1g에 도시된 바와 같이, 무전해 동도금을 하여 절연층(10)의 요철면(12) 위와 비아홀(14)의 내면에 무전해 동도금층(32a)을 형성한다. 여기서, 무전해 동도금층(32a)의 두께는 0.3㎛ 내지 1.5㎛인 것이 바람직하며, 0.7㎛ 내지 1.0㎛인 것이 바람직하다. 무전해 동도금층(32a)의 두께가 너무 얇은 경우에는 불량이 일어날 수 있으며, 너무 두꺼운 경우에는 시간면에 불리할 수 있기 때문이다. 그러나, 본 발명이 이러한 두께에 한정되는 것은 아니다. As shown in FIG. 1G, electroless copper plating is performed to form the electroless copper plating layer 32a on the uneven surface 12 of the insulating layer 10 and on the inner surface of the via hole 14. Here, the thickness of the electroless copper plating layer 32a is preferably 0.3 µm to 1.5 µm, and preferably 0.7 µm to 1.0 µm. If the thickness of the electroless copper plating layer 32a is too thin, a defect may occur, and if too thick, it may be disadvantageous in terms of time. However, the present invention is not limited to this thickness.

도 1h에 도시된 바와 같이, 기설정된 패턴의 도금 레지스트(40)을 형성한다. 도금 레지스트(40)는 회로 패턴을 노출시키는 패턴을 가지며, 이러한 도금 레지스트는 감광성 물질을 이용한 포토리소그래피 공법으로 형성될 수 있다. As shown in FIG. 1H, the plating resist 40 of a predetermined pattern is formed. The plating resist 40 has a pattern for exposing a circuit pattern, and the plating resist 40 may be formed by a photolithography method using a photosensitive material.

도 1i에 도시된 바와 같이, 전해 동도금을 하여 도금 레지스트(40)의 노출된 부분에 전해 동도금층(34)을 형성한다. 생산성 및 전기적 특성을 고려할 때 전해 동도금층(34)의 두께는 15㎛ 내지 25㎛인 것이 바람직하다. 그러나, 본 발명이 이러한 두께에 한정되는 것은 아니다. As shown in FIG. 1I, electrolytic copper plating is performed to form an electrolytic copper plating layer 34 on the exposed portion of the plating resist 40. In consideration of productivity and electrical properties, the thickness of the electrolytic copper plating layer 34 is preferably 15 μm to 25 μm. However, the present invention is not limited to this thickness.

이러한 전해 동도금 단계에서 비아홀(14)을 함께 충진하는 것이 생산성 측면에서 바람직하다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 별도의 공정으로 비아홀(14)을 수지 등으로 충진하는 것도 가능하다. Filling the via holes 14 together in this electrolytic copper plating step is preferable in terms of productivity. However, the present invention is not limited thereto, and the via hole 14 may be filled with a resin or the like by a separate process.

도 1j에 도시된 바와 같이, 도금 레지스트(40)를 제거한다. As shown in FIG. 1J, the plating resist 40 is removed.

도 1k에 도시된 바와 같이, 무전해 동도금층(32a) 중 전해 동도금층(34)이 형성되지 않은 부분을 플래시 에칭 등으로 제거하여 무전해 동도금층(32)과 전해 동도금층(34)으로 이루어지는 회로층(30)을 형성한다. 이 회로층(30)에 표면처리로 흑색 산화동 처리 또는 CZ 처리 등을 수행하는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 1K, a portion of the electroless copper plating layer 32a in which the electrolytic copper plating layer 34 is not formed is removed by flash etching or the like to constitute the electroless copper plating layer 32 and the electrolytic copper plating layer 34. The circuit layer 30 is formed. It is preferable to perform black copper oxide treatment, CZ treatment, or the like on the circuit layer 30 by surface treatment.

이 회로층(30) 위로 별도의 절연층(도시하지 않음)을 형성하고, 이 별도의 절연층(도시하지 않음)에 관통홀 또는 블라인드 비아홀 등의 비아홀(도시하지 않음)을 형성한 후, 별도의 회로층(도시하지 않음)을 형성하는 공정을 반복하여 원하는 개수의 회로층을 형성할 수 있다. A separate insulating layer (not shown) is formed over the circuit layer 30, and a via hole (not shown) such as a through hole or a blind via hole is formed in the separate insulating layer (not shown), and then separately The desired number of circuit layers can be formed by repeating the process of forming the circuit layers (not shown).

이어서, 도 1l에 도시된 바와 같이, 회로층(30)을 덮으면서 솔더 레지스트(50)를 형성한다. 솔더 레지스트(50)는 전원의 공급 및 신호 교환을 위해 외부와 연결될 부분만이 개구된다. Subsequently, as shown in FIG. 1L, the solder resist 50 is formed while covering the circuit layer 30. Solder resist 50 has only an opening to be connected to the outside for power supply and signal exchange.

이어서, 도 1m에 도시된 바와 같이, 솔더 레지스트(50)의 개구된 부분에 니켈도금층(36) 및 금도금층(37)을 차례로 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 1M, the nickel plating layer 36 and the gold plating layer 37 are sequentially formed in the opened portion of the solder resist 50.

이렇게 제조된 인쇄회로기판에 와이어 본딩 또는 플립칩 본딩을 이용하여 반도체 칩 등을 탑재한다. 와이어 본딩에서는 몰드 수지 또는 포팅(potting) 등을 이용하고, 플립칩 본딩에서는 언더 필 레진을 플립 칩과 인쇄회로기판의 사이에 주입하여 경화시키는 것이 바람직하다. A semiconductor chip or the like is mounted on the printed circuit board manufactured using wire bonding or flip chip bonding. In wire bonding, a mold resin or potting is used, and in flip chip bonding, an underfill resin is injected between a flip chip and a printed circuit board to be cured.

본 발명에 따른 인쇄회로기판의 제조 방법에 따르면, 절연층(10)에 요철면(12)을 형성하므로 절연층(10)과 회로층(30)의 접착력을 향상할 수 있다. 이에 따라 회로층(30)의 박리를 방지할 수 있다. 또한, 절연층(10)의 구성 물질을 회로층(30)과의 접착력을 향상시킬 수 있는 물질로 한정하지 않아도 되므로, 절연 층(10)을 다양한 물질로 형성할 수 있다. 따라서, 절연층(10)과 회로층(30)과의 접착력을 위해 사용할 수 없었던 열경화성 수지 등을 다양하게 이용하여 흡습 후의 내열성, 내약품성, 내마이그레이션성을 향상시킴과 동시에 전송 손실을 줄일 수 있다. 또한, 강성을 향상시키기 위한 무기 충전제를 충분하게 첨가할 수 있어 인쇄회로기판이 휘어지거나 비틀어지는 것을 최소화할 수 있다. 고주파용 인쇄회로기판의 제조 또한 용이하다. According to the method of manufacturing a printed circuit board according to the present invention, since the uneven surface 12 is formed on the insulating layer 10, the adhesion between the insulating layer 10 and the circuit layer 30 can be improved. Thereby, peeling of the circuit layer 30 can be prevented. In addition, since the constituent material of the insulating layer 10 is not limited to a material capable of improving adhesion to the circuit layer 30, the insulating layer 10 may be formed of various materials. Therefore, by using various thermosetting resins, which cannot be used for adhesion between the insulating layer 10 and the circuit layer 30, heat resistance, chemical resistance, and migration resistance after moisture absorption can be improved and transmission loss can be reduced. . In addition, it is possible to add a sufficient inorganic filler to improve the rigidity can minimize the bending or twisting of the printed circuit board. The manufacture of high frequency printed circuit boards is also easy.

이 때, 이형필름(20)을 이용하여 절연층(10)에 요철면(12)을 형성하므로 공정을 단순화할 수 있으며, 식각 등을 이용하지 않으므로 안정성 측면에서도 매우 우수하다. In this case, since the uneven surface 12 is formed on the insulating layer 10 by using the release film 20, the process can be simplified, and since the etching process is not used, the stability is very excellent.

또한, 동도금층 이외의 다른 동박이 존재하지 않은 상태에서 회로층(30)을 형성하므로 식각 시 두께를 줄일 수 있으며 세미 어디티브 법을 사용하므로, 회로층(30)의 회로 패턴을 미세화하는 데 유리하다. In addition, since the circuit layer 30 is formed in a state in which no copper foil other than the copper plating layer is present, the thickness can be reduced during etching, and since the semi-additive method is used, it is advantageous for miniaturizing the circuit pattern of the circuit layer 30. Do.

이하에서는 도 3a 내지 도 3c를 참조하여 회로층(30)을 형성하는 다른 방법을 상세하게 설명한다. 도 3a 내지 도 3c는 본 발명에서 회로층을 형성하는 또 다른 방법을 도시한 공정 단면도이다. Hereinafter, another method of forming the circuit layer 30 will be described in detail with reference to FIGS. 3A to 3C. 3A to 3C are cross-sectional views showing another method of forming a circuit layer in the present invention.

도 3a 내지 도 3c에 도시한 방법에서 도 1g 내지 도 1k에 도시한 방법과 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략한다. In the method shown in Figs. 3A to 3C, detailed descriptions of parts identical or similar to those shown in Figs. 1G to 1K will be omitted.

도 3a에 도시된 바와 같이, 기설정된 패턴의 도금 레지스트(40')를 형성한다. As shown in FIG. 3A, a plating resist 40 ′ of a predetermined pattern is formed.

도 3b에 도시된 바와 같이, 도금 레지스트(40')의 노출된 부분에 무전해 동 도금층(32') 및 전해 동도금층(34')을 차례로 형성한다. 이 때, 전해 동도금층(34') 형성 시 비아홀(14)을 함께 충진하는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 3B, an electroless copper plating layer 32 'and an electrolytic copper plating layer 34' are sequentially formed on the exposed portions of the plating resist 40 '. In this case, the via hole 14 may be filled together when the electrolytic copper plating layer 34 ′ is formed.

도 3c에 도시된 바와 같이, 도금 레지스트(40')를 제거하여 무전해 동도금층(32') 및 전해 동도금층(34')으로 구성되는 회로층(30)의 제조를 완료한다. As shown in FIG. 3C, the plating resist 40 ′ is removed to complete the manufacture of the circuit layer 30 composed of the electroless copper plating layer 32 ′ and the electrolytic copper plating layer 34 ′.

이하, 본 발명의 실시예들은 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 그러나, 하기 실시예들은 본 발명을 예시하기 위한 것으로, 본 발명이 이 실시예들이 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail the present invention. However, the following examples are intended to illustrate the invention, the present invention is not limited to these embodiments.

실시예 1Example 1

먼저, 다음과 같이 코어층을 형성하고 이 코어층에 요철면을 형성하였다. First, a core layer was formed as follows and an uneven surface was formed in this core layer.

두께가 0.1mm이고 크기가 300mm X 300mm인 프리프레그(상품명: GHPL-832LD, 제조사: Mitsubishi Gas Chemical Co. Ltd.) 4매 적층하고, 이의 양측에 요철면이 프리프레그를 향하도록 제1 이형필름(상품명: 세파니움, 제조사: Sun Aluminum Ind. Ltd.)을 위치시켰다. 이 때, 상기 요철면의 10점 평균거칠기는 8.9㎛였다. Four prepregs (0.1 mm thick and 300 mm x 300 mm) are laminated (trade name: GHPL-832LD, manufacturer: Mitsubishi Gas Chemical Co. Ltd.), and the first release film is provided with the uneven surface facing the prepreg on both sides thereof. (Trade name: Sepanium, manufacturer: Sun Aluminum Ind. Ltd.) was placed. At this time, the 10-point average roughness of the uneven surface was 8.9 µm.

그리고, 상기 4매의 프리프레그와 제1 이형필름을 5mmHg 이하, 190℃에서 90분간 25kgf/cm2으로 가압하여, 4매의 프리프레그로 이루어진 코어층에 제1 이형필름을 부착하였다. 이에 의해 코어층에 요철면이 형성되었다. Then, the four prepregs and the first release film were pressed at 25 kgf / cm 2 for 90 minutes at 5 ° C. or less and 190 ° C., and the first release film was attached to a core layer made of four prepregs. As a result, an uneven surface was formed in the core layer.

이어서, 제1 이형필름을 박리하였다. Next, the first release film was peeled off.

이어서, 코어층에 이산화탄소 레이저를 조사하여 100㎛의 직경을 가지면서 코어층을 관통하는 비아홀을 형성한 다음, 디스미어 처리를 수행하였다. Subsequently, the core layer was irradiated with a carbon dioxide laser to form a via hole penetrating the core layer while having a diameter of 100 μm, followed by a desmear process.

이어서, 코어층 위에 회로 패턴의 폭이 35㎛이고, 회로 패턴들 사이가 15㎛인 제1 회로층을 형성하고 이 제1 회로층에 CZ 처리를 하였다. 이 때, 0.7㎛ 두께의 무전해 동도금층을 형성하고, 도금 레지스트를 형성하고, 이 도금 레지스트의 패턴에 따라 21㎛ 두께의 전해 동도금층을 형성한 다음, 도금 레지스트를 제거하고 전해 동도금층의 패턴에 따라 무전해 동도금을 플래쉬 에칭하여, 제1 회로층을 형성하였다. Subsequently, a first circuit layer having a width of a circuit pattern of 35 mu m and a circuit pattern of 15 mu m was formed on the core layer, and the first circuit layer was subjected to CZ treatment. At this time, an electroless copper plating layer having a thickness of 0.7 µm was formed, a plating resist was formed, and an electrolytic copper plating layer having a thickness of 21 µm was formed according to the pattern of the plating resist, and then the plating resist was removed and the pattern of the electrolytic copper plating layer was removed. The electroless copper plating was flash etched accordingly to form a first circuit layer.

한편, 다음과 같이 빌드업층을 형성하였다. On the other hand, a buildup layer was formed as follows.

2,2-비스(4-시아네이트페닐)프로판 900중량부, 비스(4-마레이미드페닐)메탄 100중량부를 150℃에서 용해, 교반하여 프레포리마와 모노머의 혼합물을 얻었다. 이 혼합물을 메틸에틸케톤과 N,N'-디메틸폼아미드의 혼합 용제에 용해하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지(상품명: 에피코트 1001, 제조사: 재팬 에폭시 레진 주식회사) 500중량부 및 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(상품명: ESCN-220 F, 제조사: Sumitomo Chemical Ind. Ltd.) 500중량부를 첨가하여 혼합한 다음, 무기 충전제로 평균 입경이 0.9㎛인 구상 실리케이트를 1300중량부 첨가하여 바니스를 형성하였다. 이 바니스를 두께가 20㎛인 유리 직포에 함침한 다음 170℃에서 160초간 건조하여 두께가 50㎛인 빌드업층을 형성하였다.900 parts by weight of 2,2-bis (4-cyanatephenyl) propane and 100 parts by weight of bis (4-maleimidephenyl) methane were dissolved and stirred at 150 ° C to obtain a mixture of preformima and monomers. This mixture was dissolved in a mixed solvent of methyl ethyl ketone and N, N'-dimethylformamide, and 500 parts by weight of a bisphenol A epoxy resin (trade name: Epicoat 1001, manufacturer: Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) and cresol novolac epoxy 500 parts by weight of a resin (trade name: ESCN-220 F, manufacturer: Sumitomo Chemical Ind. Ltd.) was added and mixed, and then 1300 parts by weight of a spherical silicate having an average particle size of 0.9 μm was added to the inorganic filler to form a varnish. The varnish was impregnated into a glass woven fabric having a thickness of 20 μm and then dried at 170 ° C. for 160 seconds to form a build up layer having a thickness of 50 μm.

이어서, 상기 코어층과 제1 회로층의 양측에 상기 빌드업층과 함께 요철면의 10점 평균거칠기가 3.8㎛인 제2 이형필름을 적층하고, 10mmHg이하, 190℃에서 90분 간 25kgf/cm2로 가압하여, 코어층과 제1 회로층에 빌드업층과 제2 이형필름을 부착하였다. 이에 의해 빌드업층에 요철면이 형성되었다. Subsequently, on the both sides of the core layer and the first circuit layer, a second release film having a ten-point average roughness of 3.8 μm of the uneven surface was laminated together with the build-up layer, and 25 kgf / cm 2 for 10 minutes at 190 ° C. or less. It pressurized by, and the buildup layer and the 2nd release film were affixed on the core layer and the 1st circuit layer. As a result, an uneven surface was formed in the buildup layer.

이어서, 제2 이형필름을 박리하였다. Next, the second release film was peeled off.

이어서, 빌드업층에 UV-바나데이트 레이저를 조사하여 50㎛의 직경을 가지는 블라인드 비아홀을 형성한 다음, 디스미어 처리를 수행하였다. Subsequently, the build-up layer was irradiated with a UV-vanadate laser to form a blind via hole having a diameter of 50 μm, followed by a desmear process.

이어서, 빌드업층 위에 회로 패턴의 폭이 15㎛이고, 회로 패턴들 사이가 15㎛인 제2 회로층을 형성하고 이 제2 회로층에 CZ 처리를 하였다. 이 때, 0.7㎛ 두께의 무전해 동도금층을 형성하고, 도금 레지스트를 형성하고, 이 도금 레지스트의 패턴에 따라 21㎛ 두께의 전해 동도금층을 형성한 다음, 도금 레지스트를 제거하고 전해 동도금층의 패턴에 따라 무전해 동도금을 플래쉬 에칭하여, 제2 회로층을 형성하였다. Subsequently, a second circuit layer having a width of a circuit pattern of 15 µm and a circuit pattern of 15 µm was formed on the buildup layer, and the second circuit layer was subjected to CZ treatment. At this time, an electroless copper plating layer having a thickness of 0.7 µm was formed, a plating resist was formed, and an electrolytic copper plating layer having a thickness of 21 µm was formed according to the pattern of the plating resist, and then the plating resist was removed and the pattern of the electrolytic copper plating layer was removed. The electroless copper plating was flash etched accordingly to form a second circuit layer.

이어서, 상기 빌드업층과 제2 회로층의 형성 공정을 반복하여 회로층이 총 6층이 되도록 하였다.  Subsequently, the formation process of the said buildup layer and the 2nd circuit layer was repeated, and 6 circuit layers were made in total.

이어서, 이의 양측 외면에 상기 빌드업층과 25㎛ 두께의 이형 불소 수지 필름을 함께 적층한 후 상기 이형 불소 수지 필름을 박리하여 솔더 레지스트를 형성하였다. 이산화탄소 레이저를 이용하여 솔더 레지스트에 플립칩 접속용 패드 및 핸더 볼 패드에 대응하도록 블라인드 비아홀을 형성하고 디스미어 처리를 수행하였다. 이 블라인드 비아홀 내부에 니켈도금층, 금도금층을 차례로 형성하여 인쇄회로기판을 제조하였다. 이 인쇄회로기판의 크기는 40mm X 40mm였다. Subsequently, the buildup layer and the release fluorine resin film having a thickness of 25 μm were laminated together on both outer surfaces thereof, and then the release fluorine resin film was peeled off to form a solder resist. A blind via hole was formed in the solder resist so as to correspond to the flip chip connection pad and the hand ball pad using a carbon dioxide laser, and desmearing was performed. A nickel plated layer and a gold plated layer were sequentially formed in the blind via hole to manufacture a printed circuit board. The size of this printed circuit board was 40 mm x 40 mm.

이 인쇄회로기판의 표면 중앙에 크기 10mm X 10mm의 플립칩을 납프리(Pb-free) 핸더 리플로우로 접속한 후, 언더 필 레진(상품명: CRP4152-D-1, 제조사: Sumitomo-Bakelite Co. Ltd.)을 인쇄회로기판과 반도체칩 사이에 흘려 넣고 경화하여 반도체 패키지를 제조하였다. After connecting a 10mm by 10mm flip chip with Pb-free hand reflow at the center of the surface of the printed circuit board, the underfill resin (trade name: CRP4152-D-1, manufacturer: Sumitomo-Bakelite Co. Ltd.). Ltd.) was poured between the printed circuit board and the semiconductor chip to cure to manufacture a semiconductor package.

실시예 2Example 2

상기 실시예 1에서와 동일한 방법으로 요철면이 형성된 코어층, 그리고 빌드업을 각기 별도로 형성하였다. In the same manner as in Example 1, the core layer having the uneven surface and the build-up were separately formed.

상기 코어층에 UV-YAG 레이저를 조사하여 50㎛의 직경을 가지면서 코어층을 관통하는 비아홀을 형성하였다. The core layer was irradiated with UV-YAG laser to form via holes penetrating the core layer while having a diameter of 50 μm.

이어서, 코어층 위에 회로 패턴의 폭이 15㎛이고, 회로 패턴들 사이가 15㎛인 제1 회로층을 형성하고 이 제1 회로층에 CZ 처리를 하였다. 이 때, 도금 레지스트를 형성하고, 이 도금 레지스트의 패턴에 따라 0.8㎛ 두께의 무전해 동도금층 및 20㎛ 두께의 전해 동도금층을 형성한 다음, 도금 레지스트를 제거하여, 제1 회로층을 형성하였다. Subsequently, a first circuit layer having a width of a circuit pattern of 15 µm and a circuit pattern of 15 µm was formed on the core layer, and the first circuit layer was subjected to CZ treatment. At this time, a plating resist was formed, an electroless copper plating layer having a thickness of 0.8 mu m and an electrolytic copper plating layer having a thickness of 20 mu m was formed according to the pattern of the plating resist, and then the plating resist was removed to form a first circuit layer. .

이어서, 상기 코어층과 제1 회로층의 양측에 상기 빌드업층과 함께 요철면의 10점 평균거칠기가 6.0㎛인 제2 이형필름을 적층하고, 10mmHg이하, 190℃에서 90분간 25kgf/cm2로 가압하여, 코어층과 제1 회로층에 빌드업층과 제2 이형필름을 부착하였다. 이에 의해 빌드업층에 요철면이 형성되었다. Subsequently, a second release film having a ten-point average roughness of 6.0 µm on an uneven surface was laminated on both sides of the core layer and the first circuit layer at 25 kgf / cm 2 for 90 minutes at 190 ° C. or less at 10 mmHg or less. Pressurized, the buildup layer and the second release film were attached to the core layer and the first circuit layer. As a result, an uneven surface was formed in the buildup layer.

이어서, 제2 이형필름을 박리하였다. Next, the second release film was peeled off.

이어서, 빌드업층에 UV-YAG 레이저를 조사하여 50㎛의 직경을 가지는 블라인드 비아홀을 형성한 다음, 디스미어 처리를 수행하였다. Subsequently, the build-up layer was irradiated with UV-YAG laser to form a blind via hole having a diameter of 50 μm, and then desmearing was performed.

이어서, 빌드업층 위에 회로 패턴의 폭이 12㎛이고, 회로 패턴들 사이가 12㎛인 제2 회로층을 형성하고 이 제2 회로층에 CZ 처리를 하였다. 이 때, 도금 레지스트를 형성하고, 이 도금 레지스트의 패턴에 따라 0.7㎛ 두께의 무전해 동도금층 및 20㎛ 두께의 전해 동도금층을 형성한 다음, 도금 레지스트를 제거하여, 제2 회로층을 형성하였다. Subsequently, a second circuit layer having a width of 12 占 퐉 and a circuit pattern of 12 占 퐉 was formed on the buildup layer, and the second circuit layer was subjected to CZ treatment. At this time, a plating resist was formed, and an electroless copper plating layer having a thickness of 0.7 µm and an electrolytic copper plating layer having a thickness of 20 µm were formed according to the pattern of the plating resist, and then the plating resist was removed to form a second circuit layer. .

이어서, 상기 빌드업층과 제2 회로층의 형성 공정을 반복하여 회로층이 총 6층이 되도록 하였다. Subsequently, the formation process of the said buildup layer and the 2nd circuit layer was repeated, and 6 circuit layers were made in total.

이어서, 이의 양측 외면에 융점이 275℃이고 두께가 30㎛인 액정 폴리에스테르 수지층 및 두께가 25㎛인 이형 불소 수지 필름을 함께 적층한 후 5mmHg이하, 283℃에서 20분간 15kgf/cm2로 가압하여 솔더 레지스트를 형성하였다. 이산화탄소 레이저를 이용하여 솔더 레지스트에 플립칩 접속용 패드 및 핸더 볼 패드에 대응하도록 블라인드 비아홀을 형성하고 디스미어 처리를 수행하였다. 이 블라인드 비아홀 내부에 니켈도금층, 금도금층을 차례로 형성하여 인쇄회로기판을 제조하였다. 제조된 인쇄회로기판은 40mm X 40mm 크기의 단위개체로 절단하였다. Subsequently, after laminating together a liquid crystalline polyester resin layer having a melting point of 275 ° C. and a thickness of 30 μm and a release fluorine resin film having a thickness of 25 μm on both outer surfaces thereof, the substrate was pressurized at 15 kgf / cm 2 for 20 minutes at 283 ° C. or less. The solder resist was formed. A blind via hole was formed in the solder resist so as to correspond to the flip chip connection pad and the hand ball pad using a carbon dioxide laser, and desmearing was performed. A nickel plated layer and a gold plated layer were sequentially formed in the blind via hole to manufacture a printed circuit board. The prepared printed circuit board was cut into unit objects having a size of 40 mm x 40 mm.

이 인쇄회로기판을 이용하여 실시예 1에서와 동일한 방법으로 반도체 패키지를 제조하였다. Using this printed circuit board, a semiconductor package was manufactured in the same manner as in Example 1.

비교예 1Comparative Example 1

양면에 12㎛ 두께의 동박이 형성된 0.4mm의 양면 동반적층판(상품명: CCL-HL832HS, 제조사: Mitsubishi Gas Chemical Co. Ltd.)의 동박을 2㎛ 두께로 식각하였다. The copper foil of the 0.4 mm double-sided companion laminate (trade name: CCL-HL832HS, manufacturer: Mitsubishi Gas Chemical Co. Ltd.) having a 12 μm thick copper foil on both sides was etched to a thickness of 2 μm.

이 동박적층판에 이산화탄소 레이저를 조사하여 100㎛의 직경을 가지면서 동박적층판을 관통하는 비아홀을 형성한 다음, 디스미어 처리를 수행하였다. The copper foil laminated plate was irradiated with a carbon dioxide laser to form a via hole penetrating the copper laminated sheet having a diameter of 100 μm, and then desmearing was performed.

이어서, 코어층 위에 회로 패턴의 폭이 30㎛이고, 회로 패턴들 사이가 30㎛인 제1 회로층을 형성하고 이 제1 회로층에 CZ 처리를 하였다. 본 비교예에서는 0.7㎛ 두께의 무전해 동도금층 및 15㎛ 두께의 전해 동도금층을 형성한 후 서브트랙티브(subtractive)법을 이용하여 제1 회로층을 형성하였다. Subsequently, a first circuit layer having a width of a circuit pattern of 30 탆 and a circuit pattern of 30 탆 was formed on the core layer, and the first circuit layer was subjected to CZ treatment. In this comparative example, an electroless copper plating layer having a thickness of 0.7 μm and an electrolytic copper plating layer having a thickness of 15 μm were formed, and then a first circuit layer was formed by using a subtractive method.

이어서, 상기 제1 회로층 위에 빌드업층을 형성하였다. 본 실시예에서는 상품명이 ABF GX-3이고 제조사가 Ajinomoto Co. Inc.인 세미 어디티브용 수지 시트를 제1 회로층 위에 적층한 후, 5mmHg 이하, 100℃에서 1분간 5kgf/cm2로 가압하고 폴리에틸렌테레프텔레이트 필름을 박리한 다음 100℃에서 30분, 170℃에서 30분 동안 오븐 내에서 경화하여, 빌드업층을 형성하였다. Subsequently, a buildup layer was formed on the first circuit layer. In this embodiment, the trade name is ABF GX-3 and the manufacturer is Ajinomoto Co. Ltd. Inc., the resin sheet for the semi-additive was laminated on the first circuit layer, pressurized at 5kgf / cm 2 for 1 minute at 100 ° C or less, 5 mmHg, peeled off the polyethylene terephthalate film and then 30 minutes at 100 ° C, Curing in an oven at 170 ° C. for 30 minutes yielded a buildup layer.

이어서, 빌드업층에 UV-YAG 레이저를 조사하여 50㎛의 직경을 가지는 블라인드 비아홀을 형성한 다음, 디스미어 처리를 수행하였다. Subsequently, the build-up layer was irradiated with UV-YAG laser to form a blind via hole having a diameter of 50 μm, and then desmearing was performed.

이어서, 빌드업층 위에 회로 패턴의 폭이 15㎛이고, 회로 패턴들 사이가 15㎛인 제2 회로층을 형성하고 이 제2 회로층에 CZ 처리를 하였다. 이 때, 0.7㎛ 두께의 무전해 동도금층을 형성하고, 도금 레지스트를 형성하고, 이 도금 레지스트의 패턴에 따라 21㎛ 두께의 전해 동도금층을 형성한 다음, 도금 레지스트를 제거하고 전해 동도금층의 패턴에 따라 무전해 동도금을 플래쉬 에칭하여, 제2 회로층을 형성하였다. 전해 동도금층 형성 시 전해 동도금으로 블라인드 비아홀을 함께 충진하였다. Subsequently, a second circuit layer having a width of a circuit pattern of 15 µm and a circuit pattern of 15 µm was formed on the buildup layer, and the second circuit layer was subjected to CZ treatment. At this time, an electroless copper plating layer having a thickness of 0.7 µm was formed, a plating resist was formed, and an electrolytic copper plating layer having a thickness of 21 µm was formed according to the pattern of the plating resist, and then the plating resist was removed and the pattern of the electrolytic copper plating layer was removed. The electroless copper plating was flash etched accordingly to form a second circuit layer. When forming the electrolytic copper plating layer, blind via holes were filled with electrolytic copper plating.

이어서, 상기 빌드업층과 제2 회로층의 형성 공정을 반복하여 회로층이 총 6층이 되도록 하였다. Subsequently, the formation process of the said buildup layer and the 2nd circuit layer was repeated, and 6 circuit layers were made in total.

이어서, 이의 양측 외면에 액상 UV 선택 열경화형 솔더 레지스트(상품명: PSR4000AUS5, 제조사: Taiyo Ink MFG Co. Ltd.)를 20㎛의 두께로 도포한 후, 건조, 노광, 현상 및 경화하여 솔더 레지스트를 형성하였다. 이산화탄소 레이저를 이용하여 솔더 레지스트에 플립칩 접속용 패드 및 핸더 볼 패드에 대응하도록 블라인드 비아홀을 형성하고 디스미어 처리를 수행하였다. 이 블라인드 비아홀 내부에 니켈도금층, 금도금층을 차례로 형성하여 인쇄회로기판을 제조하였다. 제조된 인쇄회로기판은 40mm X 40mm 크기의 단위개체로 절단하였다. Subsequently, a liquid UV selective thermosetting solder resist (trade name: PSR4000AUS5, manufactured by Taiyo Ink MFG Co. Ltd.) was applied to the outer surfaces of both sides thereof to a thickness of 20 μm, and then dried, exposed, developed and cured to form a solder resist. It was. A blind via hole was formed in the solder resist so as to correspond to the flip chip connection pad and the hand ball pad using a carbon dioxide laser, and desmearing was performed. A nickel plated layer and a gold plated layer were sequentially formed in the blind via hole to manufacture a printed circuit board. The prepared printed circuit board was cut into unit objects having a size of 40 mm x 40 mm.

이 인쇄회로기판을 이용하여 실시예 1에서와 동일한 방법으로 반도체 패키지를 제조하였다. Using this printed circuit board, a semiconductor package was manufactured in the same manner as in Example 1.

비교예 2Comparative Example 2

상품명이 IDL-322이고 제조사가 JSR Co. Ltd.인 세미 어디티브용 수지를 사용하였으며 빌드업층을 25㎛의 두께로 형성한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 인쇄회로기판 및 반도체 패키지를 제조하였다. The brand name is IDL-322, and the manufacturer is JSR Co. Ltd. was used as a semi-additive resin and a printed circuit board and a semiconductor package were manufactured in the same manner as in Comparative Example 1 except that the build-up layer was formed to a thickness of 25 μm.

비교예 3Comparative Example 3

요철면을 형성할 때 제1 이형필름의 요철면의 10점 평균거칠기가 1㎛인 점을 제외하고는 실시예 2에서와 동일한 방법으로 코어층을 형성하였다. 그리고, 이 코어층에 실시예 2에서와 동일한 방법으로 제1 회로층을 제조하였다. A core layer was formed in the same manner as in Example 2 except that the 10-point average roughness of the uneven surface of the first release film was 1 μm when forming the uneven surface. Then, a first circuit layer was manufactured in this core layer in the same manner as in Example 2.

이어서, 상기 코어층과 상기 제1 회로층 위에, 불소로 난연화된 FR-5로 이루어지는 50㎛ 두께의 빌드업층과 함께 요철면의 10점 평균거칠기가 1㎛인 제2 이형필름을 적층한 다음, 진공하에서 90분간 경화시켜 빌드업층에 요철면을 형성하였다. Subsequently, on the core layer and the first circuit layer, a second release film having a 10-micron average roughness of 1 μm on the uneven surface was laminated together with a build-up layer having a thickness of 50 μm made of FR-5 flame retarded. And cured under vacuum for 90 minutes to form an uneven surface in the buildup layer.

이어서, 제2 이형필름을 박리하였다. Next, the second release film was peeled off.

이어서, 빌드업층에 UV-YAG 레이저를 조사하여 50㎛의 직경을 가지는 블라인드 비아홀을 형성한 다음, 디스미어 처리를 수행하였다. Subsequently, the build-up layer was irradiated with UV-YAG laser to form a blind via hole having a diameter of 50 μm, and then desmearing was performed.

이어서, 빌드업층 위에 회로 패턴의 폭이 15㎛이고, 회로 패턴들 사이가 15㎛인 제2 회로층을 형성하고 이 제2 회로층에 CZ 처리를 하였다. 이 때, 도금 레지스트를 형성하고, 이 도금 레지스트의 패턴에 따라 0.7㎛ 두께의 무전해 동도금층 및 21㎛ 두께의 전해 동도금층을 형성한 다음, 도금 레지스트를 제거하여, 제2 회로층을 형성하였다. 이 때, 제2 회로층의 박리가 일부 발생하였다. Subsequently, a second circuit layer having a width of a circuit pattern of 15 µm and a circuit pattern of 15 µm was formed on the buildup layer, and the second circuit layer was subjected to CZ treatment. At this time, a plating resist was formed, and an electroless copper plating layer having a thickness of 0.7 µm and an electrolytic copper plating layer having a thickness of 21 µm were formed according to the pattern of the plating resist, and then the plating resist was removed to form a second circuit layer. . At this time, part of peeling of the second circuit layer occurred.

이어서, 상기 빌드업층과 제2 회로층의 형성 공정을 반복하여 회로층이 총 6층이 되도록 하였다. Subsequently, the formation process of the said buildup layer and the 2nd circuit layer was repeated, and 6 circuit layers were made in total.

이어서, 비교예 1과 같은 방법으로 솔더 레지스트, 블라인드 비아홀, 니켈 도금층 및 금도금층 등을 형성하여 인쇄회로기판을 제조하였으며, 이 인쇄회로기판을 이용하여 비교예 1에서와 동일한 방법으로 반도체 패키지를 제조하였다. Subsequently, a solder resist, a blind via hole, a nickel plating layer, and a gold plating layer were formed in the same manner as in Comparative Example 1 to manufacture a printed circuit board. A semiconductor package was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1 using the printed circuit board. It was.

비교예 4Comparative Example 4

코어층에 요철면을 형성할 때, 요철면의 10점 평균거칠기가 12㎛인 이형필름을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 인쇄회로기판 및 반도체 패키지를 제조하였다. When forming the concave-convex surface on the core layer, a printed circuit board and a semiconductor package were manufactured in the same manner as in Example 1, except that a release film having a ten-point average roughness of the concave-convex surface was used.

이 경우에는 회로 패턴에 언더컷이 발생하여 균일한 형상의 회로 패턴을 얻을 수 없었다. 또한 도금 레지스트가 완전히 제거되지 않고 요철 부분에 일부 잔존하는 현상이 발생하였으며, 회로 패턴의 일부가 박리되었다. In this case, undercut occurred in the circuit pattern, and a circuit pattern of uniform shape could not be obtained. In addition, a phenomenon in which the plating resist was partially removed in the uneven portion without being completely removed, and a part of the circuit pattern was peeled off.

상기와 같은 실시예들 및 비교예들에서 아래와 같은 사항을 검사 및 측정하였다. In the above examples and comparative examples, the following items were examined and measured.

(1) 제1 회로층의 박리 여부 (1) Whether the first circuit layer is peeled off

제2 절연층을 형성한 후 제1 회로층의 박리 여부를 검사하여, 그 결과를 표 1의 (1)에 나타내었다. After the formation of the second insulating layer, whether the first circuit layer was peeled off was examined, and the results are shown in Table 1 (1).

(2) 공정 진행 중 회로층의 박리 여부 (2) Whether the circuit layer is peeled off during the process

전체 공정을 수행한 후 회로층의 박리 여부를 검사하여, 그 결과를 표 1의 (2)에 나타내었다. After carrying out the entire process, it was examined whether the circuit layer was peeled off, and the results are shown in Table 1 (2).

(3) 회로층의 불량 여부 (3) Whether the circuit layer is defective

회로 패턴의 폭이 15㎛이고, 회로 패턴들 사이 간격이 15㎛인 제1 회로층을 형성한 다음 제1 회로층의 불량 여부를 검사하여, 그 결과를 표 1의 (3)에 나타내었다. 그런데, 상술한 바와 같이 비교예 1에서는 제1 회로층을 회로 패턴의 폭을 30㎛, 회로 패턴들 사이 간격을 30㎛으로 제조하였다. 비교를 위하여, 비교예 1에 대해서는 회로 패턴의 폭을 15㎛, 회로 패턴들 사이 간격을 15㎛로 하는 제1 회로층을 비교예 1에 제시한 방법과 동일하게 제조한 후 그 불량 여부를 검사하여, 이를 표 1의 해당 부분에 나타내었다. After forming a first circuit layer having a width of a circuit pattern of 15 µm and a gap of 15 µm between circuit patterns, the defects of the first circuit layer were examined, and the results are shown in Table 1 (3). However, as described above, in Comparative Example 1, the first circuit layer was manufactured to have a width of a circuit pattern of 30 μm and a space between circuit patterns of 30 μm. For comparison, for Comparative Example 1, a first circuit layer having a width of 15 μm and a distance between circuit patterns 15 μm was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, and then inspected for defects. This is shown in the corresponding part of Table 1.

(4) 휘어짐, 비틀어짐 정도(4) degree of warping and twisting

휘어짐, 비틀어짐의 정도를 인쇄회로기판의 제조를 완료한 후(a), 인쇄회로기판에 플립칩을 접속한 후(b), 언더 필 수지를 충전 및 경화하여 반도체 패키지 제조를 완료한 후(c)에 각기 측정하여, 그 결과를 표 1의 (4)에 나타내었다. After the manufacturing of the printed circuit board is completed (a), the flip chip is connected to the printed circuit board (b), and the underfill resin is filled and cured to complete the semiconductor package manufacturing. Each measurement was carried out in c) and the results are shown in Table 1 (4).

(5) 흡습 후의 내열성 (5) heat resistance after moisture absorption

인쇄회로기판을 2.1기압, 121℃에서 2시간 처리하고 꺼내어, 260℃의 핸도 욕(浴)에 30초간 침지한 후 부풀어오르는지를 관찰하였다. 각기 100개의 인쇄회로기판에서 부풀어오름이 발생한 인쇄회로기판의 개수를 표 1의 (5)에 나타내었다. The printed circuit board was treated at 2.1 atm and 121 ° C. for 2 hours, taken out, and immersed in a 260 ° C. hand bath for 30 seconds to see if it swelled. The number of printed circuit boards that swelled in each of the 100 printed circuit boards is shown in Table 1 (5).

(6) 내약품성 (6) chemical resistance

표면에 솔더 레지스트가 형성되지 않은 상태에서 회로층을 20%의 HCl 용액에 침지시킨 후 물로 세정하고 125℃에서 24시간 동안 건조한 다음 중량을 측정하여, 그 중량의 변화량을 표 1에 나타내었다. 동일한 실험을 20%의 NaOH 용액에서도 수행하여, 그 중량의 변화량을 표 1의 (6)에 나타내었다. The circuit layer was immersed in 20% HCl solution in a state where no solder resist was formed on the surface, washed with water, dried at 125 ° C. for 24 hours, and weighed, and the weight change is shown in Table 1 below. The same experiment was carried out in 20% NaOH solution, and the change in weight is shown in Table 6 (6).

(7) 전송 손실 (7) transmission loss

최외층에 마이크로 스트립 라인으로, 두께가 50±7㎛인 절연층, 폭이 25±5㎛이고 두께가 20±4㎛인 라인을 제작하여 25 GHz에서의 전송 손실을 측정하여, 이 를 표 1의 (7)에 나타내었다. Using a microstrip line at the outermost layer, an insulation layer having a thickness of 50 ± 7 μm, a line having a width of 25 ± 5 μm and a thickness of 20 ± 4 μm was measured, and the transmission loss at 25 GHz was measured. It is shown in (7).

(8) 내(耐)마이그레이션(migration)성(8) migration resistance

직류 전압 70V를 인가하면서 내부회로층들 간의 내마이그레이션성 및 최외층회로층들 간의 내마이그레이션성을 검사하였다. 이를 위하여 최초, 200시간 후, 600시간 후의 절연 저항값을 측정하여, 그 결과를 표 1의 (8)에 나타내었다. The migration resistance between the inner circuit layers and the migration resistance between the outermost circuit layers were examined while applying a DC voltage of 70V. For this purpose, the insulation resistance value after the first, 200 hours and 600 hours was measured, and the results are shown in Table 1 (8).

Figure 112006049303717-pat00001
Figure 112006049303717-pat00001

표 1의 (1) 내지 (3)를 참조하면, 실시예들이 회로층 박리되는 문제를 방지할 수 있으며 회로 패턴을 미세화하여도 회로층에 불량이 발생하지 않는다는 점에서 비교예들에 비해 우수한 특성을 가짐을 알 수 있다. 특히 비교예 4에서는 균일한 회로 패턴을 얻을 수 없기 때문에 각 값의 측정조차 불가능하였음을 알 수 있다. Referring to Table 1 (1) to (3), the embodiments can prevent the problem of peeling the circuit layer and excellent characteristics compared to the comparative examples in that no defect occurs in the circuit layer even if the circuit pattern is miniaturized It can be seen that it has. In particular, in Comparative Example 4, since it was not possible to obtain a uniform circuit pattern, it was found that even measurement of each value was impossible.

표 1의 (4)를 참조하면, 실시예들이 비교예들에 비해 휘어짐, 비틀어짐의 정도가 크게 작은 것을 알 수 있다. Referring to Table 1 (4), it can be seen that the degree of warpage and twist are significantly smaller than those of the comparative examples.

표 1의 (5)를 참조하면, 실시예들은 부풀어오름 현상이 전혀 발생하지 않았지만 비교예들에서는 매우 많은 숫자로 부풀어오름 현상이 발생함을 알 수 있다. 즉, 실시예들은 비교예들에 비해 흡습 후의 내열성이 우수함을 알 수 있다. Referring to Table 1 (5), it can be seen that the Examples did not occur swelling at all, but the swelling phenomenon occurs in a very large number in the comparative examples. That is, the examples can be seen that the heat resistance after the moisture absorption is superior to the comparative examples.

표 1의 (6)을 참조하면, 실시예들은 중량 변화율이 0.2% 내지 0.6%에 불과한 반면 비교예들은 중량 변화율이 3.0% 내지 7.3%로 매우 큰 것을 알 수 있다. 즉, 실시예들의 내약품성이 더 우수한 것을 알 수 있다. Referring to Table 1 (6), it can be seen that the examples have a weight change rate of only 0.2% to 0.6% while the comparative examples have a very large weight change rate of 3.0% to 7.3%. That is, it can be seen that the chemical resistance of the embodiments is better.

표 1의 (7)을 참조하면, 실시예들은 전송 손실이 4 내지 9에 불과한 반면 비교예들은 전송 손실이 21 내지 39에 달하는 매우 큰 값을 가짐을 알 수 있다. 이와 같이 본 실시예에서는 전송 손실을 크게 줄일 수 있음을 알 수 있다.Referring to (1) of Table 1, it can be seen that the embodiments have very large values of transmission loss of 21 to 39 while the transmission examples have only 4 to 9 transmission loss. As described above, it can be seen that the transmission loss can be greatly reduced in this embodiment.

표 1의 (8)을 참조하면, 실시예들은 시간이 경과하여도 절연 저항값이 크게 변화하지 않는 반면 비교예들은 108 Ω이하로 낮아져 절연 저항값이 크게 변화하는 것을 알 수 있다. 이러한 결과로부터 실시예들은 비교예들보다 내마이그레이션성이 더 우수한 것을 알 수 있다. Referring to Table 1 (8), it can be seen that the Examples do not significantly change the insulation resistance value over time, while the Comparative Examples are lowered to 10 8 kPa or less, and the insulation resistance value is greatly changed. From these results, it can be seen that the examples have better migration resistance than the comparative examples.

이상을 통해 본 발명의 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형 또는 변경하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다. Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and the present invention may be modified or modified in various ways within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it is within the scope of the present invention.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 인쇄회로기판의 제조 방법에 따르면, 절연층에 요철면을 형성하여 절연층과 회로층의 접착력을 향상할 수 있다. 이에 따라 회로층의 박리를 방지할 수 있다. 그리고, 다양한 물질로 절연층을 형성할 수 있어 흡습 후의 내열성, 내약품성, 내마이그레이션성을 향상시키고 전송 손실 및 인쇄회로기판의 휘어짐, 비틀어짐 등을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한 고주파용 인쇄회로기판의 제조에 적용할 수 있다. 즉, 우수한 특성의 인쇄회로기판을 제조할 수 있다. As described above, according to the method of manufacturing a printed circuit board according to the present invention, an uneven surface may be formed on the insulating layer to improve adhesion between the insulating layer and the circuit layer. Thereby, peeling of a circuit layer can be prevented. In addition, since the insulating layer may be formed of various materials, heat resistance, chemical resistance, and migration resistance after moisture absorption may be improved, and transmission loss, bending of the printed circuit board, and twisting may be effectively prevented. It can also be applied to the manufacture of high frequency printed circuit boards. That is, a printed circuit board having excellent characteristics can be manufactured.

그리고, 이형필름을 이용하여 형성함으로써 이형필름을 부착하고 박리하는 간단한 공정으로 절연층에 요철면을 형성할 수 있어 공정을 단순화할 수 있다. 또한, 식각 등의 방법을 이용하는 경우에 비해 안정성 측면에서도 매우 우수하다. 즉, 단순한 공정으로 우수한 안정성의 인쇄회로기판을 제조할 수 있다. In addition, by using the release film, the uneven surface may be formed on the insulating layer by a simple process of attaching and peeling off the release film, thereby simplifying the process. In addition, it is also very excellent in terms of stability compared to the case of using an etching method. That is, it is possible to manufacture a printed circuit board of excellent stability in a simple process.

또한, 동도금층 이외의 다른 동박이 존재하지 않은 상태에서 회로층을 형성하므로 회로층의 회로 패턴을 미세화할 수 있다. Moreover, since a circuit layer is formed in the state in which no copper foil other than a copper plating layer exists, the circuit pattern of a circuit layer can be refined.

Claims (11)

(a) 절연층을 준비하는 단계; (a) preparing an insulating layer; (b) 요철면이 형성된 요철형성층을 포함하는 이형필름을 상기 절연층에 부착하여, 상기 절연층에 요철면을 형성하는 단계; (b) attaching a release film including an uneven surface on which the uneven surface is formed to the insulating layer, thereby forming the uneven surface on the insulating layer; (c) 상기 이형필름을 박리하는 단계; 및 (c) peeling off the release film; And (d) 상기 절연층의 요철면에 회로층을 형성하는 단계(d) forming a circuit layer on the uneven surface of the insulating layer 를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조 방법. Method of manufacturing a printed circuit board comprising a. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 코어층 또는 빌드업층을 구성하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조 방법. The method of claim 1, wherein the insulating layer constitutes a core layer or a build-up layer. 제1항에 있어서, 상기 이형필름의 요철면이 2㎛ 내지 10㎛의 10점 평균거칠기(Rz)를 가지는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조 방법. The method of claim 1, wherein the uneven surface of the release film has a ten point average roughness (Rz) of 2 μm to 10 μm. 제3항에 있어서, 상기 이형필름의 요철면이 3㎛ 내지 9㎛의 10점 평균거칠기를 가지는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조 방법. The method of claim 3, wherein the uneven surface of the release film has a ten point average roughness of 3 μm to 9 μm. 제1항에 있어서, 상기 이형필름은,The method of claim 1, wherein the release film, 상기 이형필름의 요철면의 반대측에 부착되는 보강층을 더 포함하는 것을 특 징으로 하는 인쇄회로기판의 제조 방법. The method of manufacturing a printed circuit board further comprising a reinforcing layer attached to the opposite side of the uneven surface of the release film. 제5항에 있어서, 상기 보강층은 알루미늄, 철, 동, 및 이의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조 방법. The method of claim 5, wherein the reinforcement layer comprises a material selected from the group consisting of aluminum, iron, copper, and alloys thereof. 제1항에 있어서, 상기 요철형성층은 열경화성 수지, 열가소성 수지 및 이들의 혼합 수지로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조 방법. The method of claim 1, wherein the unevenness forming layer comprises a material selected from the group consisting of a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and a mixed resin thereof. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 열경화성 수지, 열가소성 수지 및 이들의 혼합 수지로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조 방법. The method of claim 1, wherein the insulating layer comprises a material selected from the group consisting of a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and a mixed resin thereof. 제1항에 있어서, 상기 (d) 단계 이후에,The method of claim 1, wherein after step (d), 상기 (c) 단계와 상기 (d) 단계를 적어도 한 회 이상 반복하여 수행하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조 방법. A method of manufacturing a printed circuit board, comprising repeating steps (c) and (d) at least once. 제1항에 있어서, 상기 (d) 단계는, The method of claim 1, wherein step (d) 상기 절연층 위에 무전해 동도금층을 형성하는 단계; Forming an electroless copper plating layer on the insulating layer; 상기 무전해 동도금층 위에 기설정된 패턴의 도금 레지스트를 형성하는 단계; Forming a plating resist having a predetermined pattern on the electroless copper plating layer; 상기 도금 레지스트의 패턴에 따라 상기 무전해 동도금층 위에 전해 동도금층을 형성하는 단계; Forming an electrolytic copper plating layer on the electroless copper plating layer according to the pattern of the plating resist; 상기 도금 레지스트를 제거하는 단계; 및 Removing the plating resist; And 상기 무전해 동도금층 중에서 상기 전해 동도금층이 형성되지 않은 부분을 제거하는 단계Removing a portion of the electroless copper plating layer in which the electrolytic copper plating layer is not formed 를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조 방법. Method of manufacturing a printed circuit board comprising a. 제1항에 있어서, 상기 (d) 단계는, The method of claim 1, wherein step (d) 상기 절연층 위에 기설정된 패턴의 도금 레지스트를 형성하는 단계; Forming a plating resist having a predetermined pattern on the insulating layer; 상기 도금 레지스트의 패턴에 따라 상기 절연층 위에 무전해 동도금층을 형성하는 단계; Forming an electroless copper plating layer on the insulating layer according to the pattern of the plating resist; 상기 도금 레지스트의 패턴에 따라 상기 무전해 동도금층 위에 전해 동도금층을 형성하는 단계; 및 Forming an electrolytic copper plating layer on the electroless copper plating layer according to the pattern of the plating resist; And 상기 도금 레지스트를 제거하는 단계Removing the plating resist 를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조 방법. Method of manufacturing a printed circuit board comprising a.
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