KR100745062B1 - Apparatus for manufacturing semiconductor - Google Patents

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Abstract

기판을 가열 또는 냉각 등의 열처리를 할 때, 기판의 측면으로의 열손실을 최소화하여 기판 전체에 걸쳐 균일한 온도를 갖도록 하는 반도체 제조장치를 개시한다. 이는, 열처리될 기판과, 기판이 장착되는 플레이트, 그리고 기판 외곽의 플레이트 상에 위치하여 기판의 온도 균일도를 제어하는 프레임을 구비하여 이루어진다.
Disclosed is a semiconductor manufacturing apparatus for minimizing heat loss to the side surface of a substrate when the substrate is subjected to heat treatment such as heating or cooling to have a uniform temperature throughout the substrate. This includes a substrate to be heat treated, a plate on which the substrate is mounted, and a frame positioned on a plate outside the substrate to control the temperature uniformity of the substrate.

Description

반도체 제조장치{APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR} Semiconductor Manufacturing Equipment {APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR}             

도 1 내지 도 3은 종래 기판의 열처리 장치를 도식적으로 나타낸 도면들이다.1 to 3 are diagrams schematically showing a heat treatment apparatus of a conventional substrate.

도 4는 본 발명에 의한 반도체 제조장치의 일 예로서 포토마스크 가열장치를 도시한 평면도이다.4 is a plan view illustrating a photomask heating apparatus as an example of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

도 5는 도 4의 A-A' 방향의 단면도이다.5 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 4.

도 6은 도 4의 B-B' 방향의 단면도이다.6 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 4.

도 7 내지 도 9는 암(arm)이나 핫 플레이트의 모양에 따라 본 발명을 적용한 예를 도시한 평면도들이다.
7 to 9 are plan views illustrating an example in which the present invention is applied according to the shape of an arm or a hot plate.

- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -   -Explanation of symbols for the main parts of the drawings-

10 : 핫 플레이트 20 : 로딩 암10: hot plate 20: loading arm

30 : 포토마스크 기판 35 : 크롬막30: photomask substrate 35: chrome film

40 : 프락시미티 스페이서 50 : 프레임40: Proximity spacer 50: Frame

55 : 고정핀 60 : 가이드 바55: fixed pin 60: guide bar

65 : 고정핀 홈65: fixing pin groove

본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 특히 기판을 열처리하는 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to an apparatus for heat treating a substrate.

반도체 소자의 고집적화, 고기능화가 급속히 진행되고 있는 오늘날, 제조장치가 담당하는 역할은 한층 더 중요시되고 있으며, 시대의 흐름과 더불어 변화하는 공정의 요구를 반영하도록 개선되어 왔다.In today's rapidly increasing integration and high functionalization of semiconductor devices, the role of manufacturing equipment is becoming more important and has been improved to reflect the changing needs of the process with the passage of time.

반도체기판, 액정 표시소자(LCD)용 기판 또는 포토마스크 등의 기판들은 그 상부에 소정의 막을 형성하거나 형성된 막을 식각하는 등의 공정을 진행하기 위해서는 일정 온도로 기판을 가열하거나, 또는 가열된 기판을 다시 일정 온도로 냉각시켜야 한다. 이러한 기판의 가열 또는 냉각은 평면 플레이트 위에서 이루어진다.Substrates such as a semiconductor substrate, a liquid crystal display device (LCD) substrate, or a photomask may be heated to a predetermined temperature or a heated substrate may be used to perform a process such as forming a predetermined film thereon or etching the formed film. It must be cooled again to a certain temperature. This heating or cooling of the substrate takes place on a flat plate.

도 1 내지 도 3은 종래 기판의 열처리 장치를 도식적으로 나타낸 도면들로서, 포토마스크 가열장치를 예를 들어 나타내었다. 1 to 3 are diagrams schematically showing a heat treatment apparatus of a conventional substrate, showing a photomask heating apparatus as an example.

먼저, 도 1은 포토마스크(30)가 로딩되어 들어 온 상태를 도시한 것이고, 도 2는 포토마스크가 핫 플레이트(10) 위에 장착되어 가열되는 상태를 도시한 것이고, 도 3은 가열된 마스크를 언로딩(unloading)하기 전의 상태를 도시한 것이다.First, FIG. 1 illustrates a state in which a photomask 30 is loaded, and FIG. 2 illustrates a state in which a photomask is mounted on a hot plate 10 and heated. FIG. 3 illustrates a heated mask. The state before unloading is shown.

도면 참조번호 "10"은 포토마스크 기판이 로딩되어 가열되는 핫 플레이트(hot plate), "20"은 포토마스크를 로딩시키기 위한 로딩 암(loading arm), "30"은 포토마스크 기판, "35"는 상기 포토마스크 상에 형성된 크롬막, 그리 고 "40"은 포토마스크와 핫 플레이트의 간격을 조절하기 위한 프락시미티 스페이서(proximity spacer)를 각각 나타낸다.In the drawing reference numeral 10 denotes a hot plate on which a photomask substrate is loaded and heated, 20 denotes a loading arm for loading a photomask, 30 denotes a photomask substrate, and 35 Is a chromium film formed on the photomask, and "40" represents a proximity spacer for adjusting the distance between the photomask and the hot plate, respectively.

포토마스크(30)는 평면으로 이루어진 핫 플레이트(10) 위에 장착되어 하부로부터 열을 받아 가열된다. 따라서, 포토마스크 측면 방향으로의 열손실에 의해 마스크 가장자리가 중앙부다 온도가 낮아지는 문제점이 발생한다. 이러한 온도구배 현상은 시간이 안정화되어도 개선되지 않아 온도구배는 3도 이상이 되기도 한다. 이러한 온도구배에 의해 막 증착 등의 후속 단계에서 이루어지는 공정이 기판 전체에 균일하게 이루어지지 못하는 결과가 초래된다.
The photomask 30 is mounted on a flat hot plate 10 to receive heat from the bottom to be heated. Accordingly, a problem arises in that the temperature at the edge of the mask is lowered due to heat loss in the photomask side direction. The temperature gradient is not improved even when time is stabilized, so the temperature gradient may be 3 degrees or more. This temperature gradient results in a process that is not performed uniformly throughout the substrate, such as in subsequent steps such as film deposition.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 열처리되는 기판의 측면으로의 열손실을 최소화하여 기판 전체에 걸쳐 균일한 온도를 갖도록 하는 반도체 제조장치를 제공하는 데 있다.
The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, the technical problem to be achieved by the present invention, the semiconductor manufacturing apparatus to have a uniform temperature throughout the substrate to minimize the heat loss to the side of the substrate to be heat-treated To provide.

상기 과제를 이루기 위하여 본 발명에 의한 반도체 제조장치는, 열처리될 기판과, 상기 기판이 장착되는 플레이트, 및 상기 기판 외곽의 상기 플레이트 상에 위치하여 상기 기판의 온도 균일도를 제어하는 프레임을 구비하여 이루어진다. 상기 기판은 반도체기판, 마스크 기판, 액정 표시소자용 기판 또는 일정 두께의 기판 이며, 상기 프레임은 열전도성 재료로 이루어진 것으로, 상기 기판의 외곽을 둘러싸며, 이동 가능하도록 형성된다. 그리고, 상기 프레임의 내측에는, 상기 기판과 상기 프레임 사이에 최적의 거리를 유지시키기 위한 위치보정 가이드 바(guide bar)가 구비된다.
In order to achieve the above object, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention comprises a substrate to be heat treated, a plate on which the substrate is mounted, and a frame positioned on the plate outside the substrate to control temperature uniformity of the substrate. . The substrate may be a semiconductor substrate, a mask substrate, a substrate for a liquid crystal display device, or a substrate having a predetermined thickness, and the frame may be made of a thermally conductive material, and may be formed to move around the periphery of the substrate. In addition, a positioning guide bar is provided inside the frame to maintain an optimal distance between the substrate and the frame.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 의한 반도체 제조장치의 일 예로서 포토마스크 가열장치를 도시한 평면도이고, 도 5는 상기 평면도의 A-A' 방향의 단면을, 그리고 도 6은 B-B' 방향의 단면을 각각 도시한 것이다. 도 1 내지 도 3과 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타낸다.4 is a plan view showing a photomask heating apparatus as an example of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, FIG. 5 is a cross-sectional view in the AA 'direction of the plan view, and FIG. 6 is a cross-sectional view in the BB' direction. will be. The same reference numerals as in Figs. 1 to 3 denote the same members.

도면 참조번호 "10"은 핫 플레이트를, "20"은 포토마스크를 로딩시키기 위한 로딩 암을, "30"은 포토마스크 기판을, "35"는 포토마스크 기판 상에 형성된 크롬막을, "40"은 프락시미티 스페이서를, "50"은 상기 포토마스크 기판의 측면으로의 열손실을 방지하기 위한 프레임(frame)을, "55"는 상기 프레임을 고정하기 위한 프레임 고정핀을, "60"은 위치보정 가이드 바(guide bar)를, 그리고 "65"는 프레임 고정핀 홈을 각각 나타낸다.In the drawings, reference numeral 10 denotes a hot plate, 20 denotes a loading arm for loading a photomask, 30 denotes a photomask substrate, and 35 denotes a chromium film formed on the photomask substrate. Silver is a spacer spacer, "50" is a frame for preventing heat loss to the side of the photomask substrate, "55" is a frame fixing pin for fixing the frame, "60" is a position A calibration guide bar, and " 65 " represents a frame pin pin groove, respectively.

도시된 바와 같이, 핫 플레이트(10) 위에는 포토마스크 기판(30)과 일정 간격을 두고 상기 포토마스크 기판의 가장자리를 둘러싸는 모양으로 프레임(50)이 형성되어 있다. 상기 프레임(50)은 열전도성 물질로 이루어져 있고, 도 5와 같이 이 동 가능하도록 구성되어 있다. 상기 포토마스크 기판(30)과 프레임(50) 사이의 거리를 조절함으로써 최적의 온도 균일도를 얻을 수 있다. 온도 균일도 및 이물에 의한 손상을 방지하기 위하여 핫 플레이트(10)와 포토마스크 기판(30) 사이에 일정 간격을 유지시켜 주는 프락시미티 스페이서(40)가 구비되어 있다.As shown, the frame 50 is formed on the hot plate 10 to surround the edge of the photomask substrate at a predetermined distance from the photomask substrate 30. The frame 50 is made of a thermally conductive material, and is configured to be movable as shown in FIG. 5. Optimum temperature uniformity can be obtained by adjusting the distance between the photomask substrate 30 and the frame 50. In order to prevent temperature uniformity and damage caused by foreign substances, a proxy spacer 40 is provided to maintain a predetermined distance between the hot plate 10 and the photomask substrate 30.

그런데, 프레임(50)의 이동에 의해 기판의 중심이 일정하게 유지되지 않을 수 있으므로 기판이 로딩되어 장착된 상태가 항상 일정하지 않을 수 있다. 이에 대한 보정이 이루어지지 않으면 기판과 전도성 프레임간의 최적의 거리를 유지하기 어렵게 되고, 이는 최적의 온도 균일도를 얻는 데 방해가 된다. 그러므로, 마스크 기판의 중심의 변화를 보정하기 위하여 기판의 위치보정을 위한 가이드 바(60)를 기판과 프레임 사이에 고정시킨다. 상기 가이드 바(60)는 그 윗면이 기울어진 형상이기 때문에, 기판의 중심이 변화되었을지라도 일정하게 정해진 위치로 기판을 이동시켜준다.However, since the center of the substrate may not be kept constant by the movement of the frame 50, the state in which the substrate is loaded and mounted may not always be constant. If correction is not made, it becomes difficult to maintain an optimal distance between the substrate and the conductive frame, which prevents obtaining an optimum temperature uniformity. Therefore, in order to correct the change of the center of the mask substrate, the guide bar 60 for positioning the substrate is fixed between the substrate and the frame. Since the upper surface of the guide bar 60 is inclined, the guide bar 60 moves the substrate to a predetermined position even if the center of the substrate is changed.

한편, 본 발명은 기판을 이동시키는 암(arm)이나 핫 플레이트의 모양에 관계없이 적용할 수 있는데, 그 예를 도 7 내지 도 9에 도시하였다.On the other hand, the present invention can be applied regardless of the shape of the arm (arm) for moving the substrate or the hot plate, an example thereof is shown in Figs.

도 7 내지 도 9는 암(arm)이나 핫 플레이트의 모양에 따라 본 발명을 적용한 예를 도시한 평면도들로서, 도 4와 동일한 참조번호는 동일한 부분을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 본 발명은 기판을 이동시키는 암(arm)이나 마스크를 위-아래로 구동시키는 핀의 모양에 맞게 열전도성 프레임의 모양과 거리를 조절하여 적용할 수 있으며, 기판이 장착되는 핫 플레이트의 모양에 관계없이 적용할 수 있다.7 to 9 are plan views illustrating an example in which the present invention is applied according to the shape of an arm or a hot plate, and the same reference numerals as in FIG. 4 denote the same parts. As shown, the present invention can be applied by adjusting the shape and distance of the thermally conductive frame according to the shape of the pin for driving the arm or mask to move the substrate up-down, the hot substrate is mounted It can be applied regardless of the shape of the plate.

또한, 본 발명은 실시예에서 예를 든 포토마스크 뿐만 아니라, 그 외의 마스 크, 반도체기판, 액정 표시소자의 기판, 그리고 일정 두께를 갖는 모든 재질의 기판에 적용된다. 또한, 핫 플레이트에서 이루어지는 열처리 공정 외에도 기판의 가열 및 냉각 등의 모든 열처리 공정에 적용될 수 있다. 또한, 기판뿐만 아니라, 핫 플레이트의 외곽에 전도성 프레임을 설치하여 핫 플레이트의 온도 균일도 향상을 위해서도 사용할 수 있다.In addition, the present invention is applied not only to the photomask exemplified in the embodiment, but also to other masks, semiconductor substrates, substrates of liquid crystal display elements, and substrates of any material having a certain thickness. In addition, it can be applied to all heat treatment processes such as heating and cooling of the substrate in addition to the heat treatment process performed on the hot plate. In addition, not only the substrate but also a conductive frame may be provided outside the hot plate to improve the temperature uniformity of the hot plate.

또한, 도시되지는 않았지만, 공정이 이루어지는 챔버 내의 분위기 온도를 안정적으로 유지하기 위하여 본 발명의 열처리 모듈에 커버를 장착할 수도 있다.
In addition, although not shown, a cover may be attached to the heat treatment module of the present invention in order to stably maintain the atmosphere temperature in the chamber in which the process is performed.

상술한 본 발명에 의한 반도체 제조장치에 의하면, 기판이 장착되는 플레이트 상에 기판을 둘러싸는 모양의 열전도성 프레임을 형성함으로써 기판의 측면 방향으로의 열손실을 최소화할 수 있다. 따라서, 기판의 온도구배를 최소화하여 공정의 균일성을 향상시킬 수 있다.According to the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention described above, the heat loss in the lateral direction of the substrate can be minimized by forming a thermally conductive frame surrounding the substrate on the plate on which the substrate is mounted. Therefore, the uniformity of the process can be improved by minimizing the temperature gradient of the substrate.

한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.On the other hand, the present invention is not limited to the above-described embodiment, various modifications are possible by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention described in the claims to be described later.

Claims (5)

열처리될 기판이 장착되는 플레이트; 및A plate on which a substrate to be heat treated is mounted; And 상기 기판 외곽의 상기 플레이트 상에 위치하여 상기 기판의 온도 균일도를 제어하며, 열전도성 재료로 이루어진 프레임을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.Located on the plate outside the substrate to control the temperature uniformity of the substrate, characterized in that it comprises a frame made of a thermally conductive material. 제 1항에 있어서, 상기 기판은, 반도체기판, 마스크 기판, 액정 표시소자용 기판 또는 일정 두께의 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is a semiconductor substrate, a mask substrate, a substrate for a liquid crystal display, or a substrate having a predetermined thickness. 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 프레임은 상기 기판의 외곽을 둘러싸도록 형성되며, 이동가능하도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.The semiconductor manufacturing apparatus of claim 1, wherein the frame is formed to surround the substrate and is movable. 제 1항에 있어서, 상기 프레임의 내측에는,The method of claim 1, wherein the inside of the frame, 상기 기판과 상기 프레임 사이에 최적의 거리를 유지시키기 위한 위치보정 가이드 바(guide bar)가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.And a position correction guide bar for maintaining an optimum distance between the substrate and the frame.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0369111A (en) * 1989-08-08 1991-03-25 Tokyo Electron Ltd Heat treatment
JPH06216020A (en) * 1993-01-18 1994-08-05 Sigma Merutetsuku Kk Substrate heat treatment device
KR100236202B1 (en) * 1995-05-30 1999-12-15 가나타 가오루 Substrate baking apparatus and substrate baking method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0369111A (en) * 1989-08-08 1991-03-25 Tokyo Electron Ltd Heat treatment
JPH06216020A (en) * 1993-01-18 1994-08-05 Sigma Merutetsuku Kk Substrate heat treatment device
KR100236202B1 (en) * 1995-05-30 1999-12-15 가나타 가오루 Substrate baking apparatus and substrate baking method

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