KR20100064802A - Apparatus for treatment of plural substrates - Google Patents

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황희
허필웅
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Abstract

PURPOSE: An apparatus for processing a plurality of substrates is provided to improve yield by not re-controlling a transfer distance by including a fixing block which fixes a distance between a process chamber and a base frame. CONSTITUTION: A process chamber(120) receives a substrate transferred from a transfer chamber(110). The process chamber is connected to control the space with the transfer chamber by a space controller(150) in a thermal expansion process. A base frame(130) supports the process chamber on the lower side of the process chamber. A fixing block(140) is formed on the lower side of the process chamber and fixes the process chamber and the base frame therebetween.

Description

복수기판 처리장치{Apparatus for treatment of plural substrates}Apparatus for treatment of plural substrates}

본 발명은 반도체 소자를 제조하기 위한 기판 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 복수의 기판들에 대해 한꺼번에 공정을 처리할 수 있는 복수기판 처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a multi-substrate processing apparatus capable of processing a process on a plurality of substrates at once.

반도체 소자를 제조하기 위하여, 기판 상에 증착, 식각 등 여러 공정을 거치게 된다. 공정은 기판 처리장치에 의해 행해진다. 통상적으로, 기판 처리장치는 이송 챔버(transport chamber)와, 이송 챔버의 일측에 배치되는 공정 챔버(process chamber)를 포함하여 구성된다. In order to manufacture a semiconductor device, it is subjected to various processes such as deposition and etching on a substrate. The process is performed by the substrate processing apparatus. Typically, the substrate processing apparatus includes a transfer chamber and a process chamber disposed on one side of the transfer chamber.

이송 챔버에는 기판을 공정 챔버로 로딩하고 공정 챔버로부터 언로딩하기 위한 이송 로봇이 설치된다. 공정 챔버는 그 내부에 공정이 행해지는데, 화학기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) 또는 원자층 증착(ALD, Atomic Layer Deposition) 공정의 경우, 공정 챔버에는 기판 지지대와, 샤워 헤드가 마련된다. The transfer chamber is equipped with a transfer robot for loading and unloading the substrate into the process chamber. In the process chamber, a process is performed therein. In the case of a chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) process, the process chamber is provided with a substrate support and a shower head.

기판 지지대는 상면에 기판을 안착하는 기판 안착부를 구비하며, 발열수단에 의하여 가열 가능하다. 그리고, 기판 지지대는 회전구동수단에 의해 회전 가능하거나, 승강구동수단에 의해 승강 가능하다. 샤워 헤드는 기판 지지대의 상측에 배 치되어서, 회전하는 기판 지지대 쪽으로 소스 가스를 분사함으로써, 상기 기판 지지대의 기판 안착부에 안착된 기판에 박막이 증착되도록 한다. The substrate support has a substrate mounting portion for mounting the substrate on the upper surface, and can be heated by the heat generating means. The substrate support is rotatable by the rotation driving means or can be lifted by the lifting driving means. The shower head is disposed on an upper side of the substrate support, so that the source gas is injected toward the rotating substrate support, so that a thin film is deposited on the substrate seated on the substrate seat of the substrate support.

한편, 기판 처리 공정에 따라서는 공정 챔버의 내부가 가열되어 고온인 상태에서, 이송 로봇에 의해 이송 챔버에서 공정 챔버로 기판이 이송되기도 한다. 이 경우, 이송 챔버와 공정 챔버 간에는 고정되는 것이 일반적이어서, 공정 챔버가 가열되어 열 팽창되면, 이로 인해 공정 챔버 내의 기판 로딩위치가 상온일 때의 기판 로딩위치로부터 변경된다. On the other hand, depending on the substrate processing process, the substrate may be transferred from the transfer chamber to the process chamber by the transfer robot while the inside of the process chamber is heated to a high temperature. In this case, it is common to be fixed between the transfer chamber and the process chamber, so that when the process chamber is heated and thermally expanded, this changes the substrate loading position in the process chamber from the substrate loading position at room temperature.

즉, 고온일 때의 기판 로딩위치가 상온일 때의 기판 로딩위치보다 이송 챔버로부터 멀어지게 된다. 이러한 상태에서, 상온일 때의 기판 로딩위치로 기판이 이송된다면, 공정 불량이 발생할 수 있다. That is, the substrate loading position at high temperature is farther from the transfer chamber than the substrate loading position at normal temperature. In this state, if the substrate is transferred to the substrate loading position at room temperature, process defects may occur.

특히, 전술한 문제는 공정 챔버 내에 기판을 1장씩 공정 처리하는 싱글 기판 처리장치의 경우보다, 공정 챔버 내에서 복수의 기판들을 한꺼번에 공정 처리하는 복수기판 처리장치의 경우 더욱 심각해질 수 있다. In particular, the aforementioned problem may be more serious in the case of a multi-substrate processing apparatus which processes a plurality of substrates at once in the process chamber than in the case of a single substrate processing apparatus which processes the substrates one by one in the process chamber.

상술하자면, 복수기판 처리장치는 기판들을 기판 지지대의 상면에 기판 지지대의 회전중심 둘레를 따라 배열시켜 안착하도록 기판 안착부들을 구비한다. 이로 인해, 기판 지지대가 싱글 기판 처리장치의 기판 지지대보다 커지게 되므로, 공정 챔버가 대형화된다. 따라서, 공정 챔버의 열 팽창 정도가 커지게 되어, 기판 로딩위치의 변경 폭이 더욱 커지게 된다. 그 결과, 공정 불량이 발생할 가능성이 더욱 높아질 수 있는 것이다. In detail, the multi-substrate processing apparatus includes substrate seating portions to arrange the substrates on the upper surface of the substrate support along the rotation center of the substrate support. As a result, the substrate support becomes larger than the substrate support of the single substrate processing apparatus, so that the process chamber is enlarged. Therefore, the degree of thermal expansion of the process chamber is increased, and the change width of the substrate loading position is further increased. As a result, the likelihood of process failure may be further increased.

따라서, 공정 챔버가 고온일 때, 기판 로딩위치로 기판을 정확히 이송하기 위해서는, 이송 로봇의 이송 거리, 즉 이송 챔버의 기판 적재위치로부터 공정 챔버의 기판 로딩위치까지의 거리를 상온일 때와 다르게 재조정할 필요가 있다. 종래에 따르면, 공정 챔버가 상온일 때 작업자의 수작업 또는 프로그래밍된 자동 작업으로 이송 로봇의 이송 거리를 1차적으로 조정한 후, 공정 챔버를 고온으로 가열한 상태에서 2차적으로 조정하는 과정을 거친다. Therefore, in order to accurately transfer the substrate to the substrate loading position when the process chamber is at a high temperature, the transfer distance of the transfer robot, that is, the distance from the substrate loading position of the transfer chamber to the substrate loading position of the process chamber is readjusted differently from the normal temperature. Needs to be. According to the related art, the process distance of the transfer robot is primarily adjusted by the operator's manual or programmed automatic operation when the process chamber is at room temperature, and then the process chamber is secondarily adjusted while the process chamber is heated to a high temperature.

그런데, 기판 처리 공정에 따라 가열 온도가 다르거나, 주위 환경의 변화에 따라 공정 챔버의 열 팽창 정도가 달라지는 경우가 있을 수 있다. 이 경우에는, 열 팽창 정도에 따른 이송 로봇의 이송 거리를 새로이 재조정하는 작업이 수반되어야 하므로, 생산성 저하의 원인이 될 수 있다. However, the heating temperature may vary depending on the substrate processing process, or the degree of thermal expansion of the process chamber may vary depending on the change of the surrounding environment. In this case, since the operation of re-adjusting the transfer distance of the transfer robot according to the thermal expansion degree should be accompanied, it may cause a decrease in productivity.

본 발명의 과제는 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 공정 챔버로 기판을 이송하는 과정에서 공정 챔버가 고온 상태로 열 팽창된 경우라도 공정 챔버 내의 기판 로딩위치가 변경되지 않게 함으로써, 공정 챔버가 고온일 때의 기판 이송 거리를 조정할 필요가 없게 되는 복수기판 처리장치를 제공함에 있다. An object of the present invention is to solve the above problems, even if the process chamber is thermally expanded to a high temperature state in the process of transferring the substrate to the process chamber by not changing the loading position of the substrate in the process chamber, the process chamber is a high temperature It is an object of the present invention to provide a multi-substrate processing apparatus that eliminates the need to adjust the substrate transfer distance at the time.

상기의 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 복수기판 처리장치는, 이송 챔버; 상기 이송 챔버로부터 이송되는 기판을 복수 개로 수용하여 이들에 공정이 행해지게 하는 것으로, 열 팽창시 간격 조절부에 의해 상기 이송 챔버에 대해 간격이 조절되게 연결된 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 하측에서 상기 공정 챔버를 지지하는 베이스 프레임; 및 상기 공정 챔버의 열 팽창시 상기 공정 챔버의 중앙과 상기 공정 챔버 내의 기판 로딩위치 사이에 발생하는 열 팽창을 억제하기 위한 것으로, 상기 기판 로딩위치의 센터에 대응되게 상기 공정 챔버의 하측에 배치되며, 상기 공정 챔버와 상기 베이스 프레임 사이에서 이들을 고정시키는 고정 블록;을 구비한다. The multi-substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object, the transfer chamber; A process chamber configured to receive a plurality of substrates transferred from the transfer chamber and to perform a process thereon, the process chamber being connected to be controlled with respect to the transfer chamber by a gap adjusting unit during thermal expansion; A base frame supporting the process chamber under the process chamber; And to suppress thermal expansion occurring between the center of the process chamber and the substrate loading position in the process chamber during thermal expansion of the process chamber, and disposed below the process chamber to correspond to the center of the substrate loading position. And a fixing block for fixing them between the process chamber and the base frame.

본 발명에 따르면, 공정 챔버의 내부가 가열되어 열 팽창된 상태에서 기판을 이송하더라도, 기판 로딩위치가 변경되지 않게 되므로, 이송 챔버로부터 공정 챔버로 기판이 이송되는 거리를 상온일 때 조정한 값 그대로 이용할 수 있다. 따라서, 기판을 기판 로딩위치로 정확히 이송하기 위해, 공정 챔버를 고온으로 가열한 상태에서 추가로 조정하는 과정이 생략될 수 있다. According to the present invention, since the substrate loading position is not changed even when the substrate is transferred while the inside of the process chamber is heated and thermally expanded, the distance at which the substrate is transferred from the transfer chamber to the process chamber is adjusted as it is at room temperature. It is available. Therefore, in order to precisely transfer the substrate to the substrate loading position, further adjustment of the process chamber while heated to a high temperature can be omitted.

그리고, 본 발명에 따르면, 기판 처리 공정에 따라 가열 온도가 다르거나, 주위 환경의 변화에 따라 공정 챔버의 열 팽창 정도가 달라지더라도, 기판 로딩위치가 변경되지 않을 수 있다. 따라서, 기판 이송 거리를 새로이 재조정될 필요가 없게 되므로, 생산성 향상이 도모될 수 있는 효과가 있다. In addition, according to the present invention, even if the heating temperature is different according to the substrate processing process or the degree of thermal expansion of the process chamber is changed according to the change of the surrounding environment, the substrate loading position may not be changed. Therefore, the substrate transfer distance does not need to be readjusted anew, so that there is an effect that productivity can be improved.

이하 첨부된 도면을 참조하여, 바람직한 실시예에 따른 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수기판 처리장치에 대한 단면도이고, 도 2는 도 1에 있어서, 이송 챔버와 공정 챔버의 내부에 대한 평면도이다. 그리고, 도 3은 도 1에 있어서, 공정 챔버가 가열되어 팽창된 상태를 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a multi-substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a plan view of the interior of the transfer chamber and the process chamber in FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a state in which the process chamber is heated and expanded in FIG. 1.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 복수기판 처리장치(100)는 복수의 기판(W)들을 한꺼번에 공정 처리하기 위한 것으로, 이송 챔버(110)와, 공정 챔버(120)와, 베이스 프레임(130), 및 고정 블록(140)을 포함하여 구성된다. 1 to 3, the multi-substrate processing apparatus 100 is for processing a plurality of substrates W at once, and includes a transfer chamber 110, a process chamber 120, and a base frame 130. , And a fixed block 140.

이송 챔버(110)는 기판(W)을 공정 처리하기 위해 공정 챔버(120)로 이송하고, 공정 챔버(120)에서 공정 완료된 기판(W)을 회수하기 위한 것이다. 이를 위해, 이송 챔버(110)는 내부에 이송 로봇(111)을 구비할 수 잇다. 이송 로봇(111)은 이송 챔버(110)로 공급된 기판(W)을 공정 챔버(120) 내로 로딩하고, 공정 챔 버(120) 내에서 공정 완료된 기판(W)을 이송 챔버(110)로 언로딩할 수 있게 한다. The transfer chamber 110 transfers the substrate W to the process chamber 120 to process the substrate W, and recovers the substrate W processed in the process chamber 120. To this end, the transfer chamber 110 may be provided with a transfer robot 111 therein. The transfer robot 111 loads the substrate W supplied to the transfer chamber 110 into the process chamber 120, and unloads the substrate W processed in the process chamber 120 into the transfer chamber 110. Enable loading.

공정 챔버(120)는 이송 챔버(110)로부터 이송되는 기판(W)을 복수 개로 수용하여 이들에 공정이 행해지게 하는 것이다. 여기서, 공정이란 반도체 제조 공정일 수 있다. 공정 챔버(120)는 일 예로서, 기판(W) 상에 공정용 가스를 분사하여 박막을 증착시키는 공정, 즉, 화학기상 증착 공정 또는 원자층 증착 공정을 수행하는 진공 챔버일 수 있다. 그리고, 기판(W)은 웨이퍼(wafer)일 수 있다. The process chamber 120 accommodates a plurality of substrates W transferred from the transfer chamber 110 so that a process may be performed on them. Here, the process may be a semiconductor manufacturing process. The process chamber 120 may be, for example, a vacuum chamber in which a process gas is sprayed onto the substrate W to deposit a thin film, that is, a chemical vapor deposition process or an atomic layer deposition process. In addition, the substrate W may be a wafer.

베이스 프레임(130)은 공정 챔버(120)를 지지하기 위한 것으로, 공정 챔버(120)의 하측에 설치된다. 베이스 프레임(130)은 공정 챔버(120)로부터 후술할 기판 지지대(122)의 회전 축(122a)이 하측으로 인출된 경우, 상기 회전 축(122a)을 지지할 수 있는 구조로 이루어질 수 있다. The base frame 130 is for supporting the process chamber 120, and is installed below the process chamber 120. The base frame 130 may have a structure capable of supporting the rotation shaft 122a when the rotation shaft 122a of the substrate support 122 to be described later is drawn out from the process chamber 120.

고정 블록(140)은 도 3에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(120)의 열 팽창시 공정 챔버(120)의 중앙과 공정 챔버(120) 내의 기판 로딩위치(121) 사이, 즉 A로 나타낸 구간에서 발생하는 열 팽창을 억제하기 위한 것이다. 따라서, 공정 챔버(120)가 열 팽창되더라도, 공정 챔버(120) 내의 기판 로딩위치(121)가 변경되지 않을 수 있다. As shown in FIG. 3, the fixing block 140 is a section indicated by A between the center of the process chamber 120 and the substrate loading position 121 in the process chamber 120 during thermal expansion of the process chamber 120. This is to suppress the thermal expansion occurring in the. Therefore, even when the process chamber 120 is thermally expanded, the substrate loading position 121 in the process chamber 120 may not be changed.

이를 위해, 고정 블록(140)은 기판 로딩위치(121)의 센터에 대응되게 공정 챔버(120)의 하측에 배치된다. 고정 블록(140)의 센터는 기판 로딩위치(121)의 센터와 동일한 수직 축 상에 위치함이 바람직하다. 그리고, 고정 블록(140)은 공정 챔버(120)와 베이스 프레임(130) 사이에서 이들을 고정시키도록 설치된다. 고정 블록(140)은 양단이 공정 챔버(120)와 베이스 프레임(130)에 각각 고정되어, 공정 챔버(120)와 베이스 프레임(130)을 고정시킬 수 있다. To this end, the fixing block 140 is disposed below the process chamber 120 to correspond to the center of the substrate loading position 121. The center of the fixing block 140 is preferably located on the same vertical axis as the center of the substrate loading position 121. In addition, the fixing block 140 is installed to fix them between the process chamber 120 and the base frame 130. Both ends of the fixing block 140 may be fixed to the process chamber 120 and the base frame 130 to fix the process chamber 120 and the base frame 130.

고정 블록(140)은 충분한 강성을 지니는 재질로 이루어지며, 열 팽창을 억제하는 효과를 높일 수 있는 구조로 이루어짐이 바람직하다. 일 예로, 고정 블록(140)은 스테인리스 강 등의 금속 재질로 이루어질 수 있으며, 종단면이 'Ｉ' 형상으로 이루어질 수 있다. Fixing block 140 is made of a material having a sufficient rigidity, preferably made of a structure that can increase the effect of suppressing thermal expansion. For example, the fixing block 140 may be made of a metal material such as stainless steel, and may have a longitudinal section having an 'I' shape.

전술한 바와 같이, 공정 챔버(120)가 가열되어 열 팽창되더라도, 기판 로딩위치(121)가 변경되지 않게 되므로, 이송 로봇(111)의 이송 거리, 즉 이송 챔버(110)의 기판 적재위치로부터 공정 챔버(120)의 기판 로딩위치(121)까지의 거리를 상온일 때 조정한 값 그대로 이용할 수 있다. 즉, 공정 챔버(120)가 상온일 때 작업자의 수작업 또는 프로그래밍된 자동 작업으로 이송 로봇(111)의 이송 거리를 조정한 값 그대로 이용할 수 있다. 따라서, 기판(W)을 기판 로딩위치(121)로 정확히 이송하기 위해, 공정 챔버(120)를 고온으로 가열한 상태에서 추가로 조정하는 과정이 생략될 수 있다. As described above, even when the process chamber 120 is heated and thermally expanded, since the substrate loading position 121 is not changed, the process is performed from the transfer distance of the transfer robot 111, that is, the substrate loading position of the transfer chamber 110. The distance to the substrate loading position 121 of the chamber 120 can be used as it is adjusted at room temperature. That is, when the process chamber 120 is at room temperature, it is possible to use the adjusted value of the transfer distance of the transfer robot 111 by a manual operation or a programmed automatic operation of the operator. Therefore, in order to accurately transfer the substrate W to the substrate loading position 121, a process of further adjusting the heating of the process chamber 120 to a high temperature may be omitted.

또한, 기판 처리 공정에 따라 가열 온도가 다르거나, 주위 환경의 변화에 따라 공정 챔버(120)의 열 팽창 정도가 달라지더라도, 기판 로딩위치(121)가 변경되지 않게 된다. 따라서, 이송 로봇(111)의 이송 거리가 새로이 재조정될 필요가 없게 되므로, 생산성 향상이 도모될 수 있다. In addition, even if the heating temperature is different according to the substrate treatment process or the degree of thermal expansion of the process chamber 120 is changed according to the change of the surrounding environment, the substrate loading position 121 is not changed. Therefore, since the transfer distance of the transfer robot 111 does not need to be readjusted newly, productivity can be improved.

한편, 공정 챔버(120)의 중앙을 기준으로 고정 블록(140)의 반대 쪽, 즉 공정 챔버(120)의 우측 영역에는 열 팽창 안내부(160)가 더 구비될 수 있다. 열 팽 창 안내부(160)는 공정 챔버(120)의 우측 영역에서 발생하는 열 팽창이 자유로이 안내될 수 있도록 하기 위한 것이다. 열 팽창 안내부(160)는 공정 챔버(120)와 베이스 프레임(130) 사이에 마련된다. 열 팽창 안내부(160)는 공정 챔버(120)가 베이스 프레임(130) 상에 안정적으로 지지되게 하면서, 공정 챔버(120)가 열 팽창될 때 베이스 프레임(130)에 의해 구속되지 않게 한다. Meanwhile, the thermal expansion guide 160 may be further provided on the opposite side of the fixing block 140, ie, on the right side of the process chamber 120, based on the center of the process chamber 120. The thermal expansion guide 160 is for allowing the thermal expansion generated in the right region of the process chamber 120 to be guided freely. The thermal expansion guide 160 is provided between the process chamber 120 and the base frame 130. Thermal expansion guide 160 allows the process chamber 120 to be stably supported on the base frame 130, while not being constrained by the base frame 130 when the process chamber 120 is thermally expanded.

열 팽창 안내부(160)는 다양하게 구성될 수 있는데, 일 예로, 가이드 레일(161)과, 안내 블록(162)을 포함하여 구성될 수 있다. 가이드 레일(161)은 베이스 프레임(130) 상에 설치되어, 안내 블록(162)의 수평 이동을 안내하기 위한 것이다. 안내 블록(162)은 일단이 공정 챔버(120)에 고정되고, 타단이 가이드 레일(161)에 슬라이드 가능하게 결합된다. The thermal expansion guide 160 may be configured in various ways. For example, the thermal expansion guide 160 may include a guide rail 161 and a guide block 162. The guide rail 161 is installed on the base frame 130 to guide the horizontal movement of the guide block 162. One end of the guide block 162 is fixed to the process chamber 120, and the other end of the guide block 162 is slidably coupled to the guide rail 161.

따라서, 공정 챔버(120)가 열 팽창하게 되면, 안내 블록(162)이 공정 챔버(120)와 베이스 프레임(130) 사이에서 이들을 지지하면서, 가이드 레일(161)의 안내를 받아 수평 이동하여 공정 챔버(120)의 우측 영역이 자유로이 열 팽창될 수 있는 것이다. Therefore, when the process chamber 120 is thermally expanded, the guide block 162 supports them between the process chamber 120 and the base frame 130, while being guided by the guide rail 161 to move horizontally. The right side region of 120 can be freely thermally expanded.

도시하고 있지는 않지만, 다른 예로, 열 팽창 안내부(160)는 플렉시블 블록(flexible block)을 구비할 수 있다. 플랙시블 블록은 플렉시블한 재질로 이루어지고, 공정 챔버(120)와 베이스 프레임(130)에 양단이 고정된다. 이에 따라, 공정 챔버(120)가 열 팽창하게 되면, 플랙시블 블록이 공정 챔버(120)와 베이스 프레임(130) 사이에서 이들을 지지하면서 변형되어, 공정 챔버(120)의 우측 영역이 자유로이 열 팽창될 수 있는 것이다. Although not shown, as another example, the thermal expansion guide 160 may include a flexible block. The flexible block is made of a flexible material, and both ends of the flexible block are fixed to the process chamber 120 and the base frame 130. Accordingly, when the process chamber 120 is thermally expanded, the flexible block deforms while supporting them between the process chamber 120 and the base frame 130, so that the right region of the process chamber 120 is freely thermally expanded. It can be.

상기 공정 챔버(120)는 열 팽창시 간격 조절부(150)에 의해 이송 챔버(110)에 대해 간격이 조절되게 연결된다. 이는 도 3에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(120)가 열 팽창될 때 좌우로 자유로이 변형될 수 있게 하여, 공정 챔버(120) 내에 설정된 기판 로딩 위치(121)가 변경되는 것을 최소화하기 위함이다. The process chamber 120 is connected to adjust the spacing relative to the transfer chamber 110 by the spacing controller 150 during thermal expansion. This is to allow the process chamber 120 to be freely deformed from side to side when the process chamber 120 is thermally expanded, as shown in FIG. 3, to minimize the change of the substrate loading position 121 set in the process chamber 120.

즉, 기판 처리 공정에 따라서는 공정 챔버(120)의 내부가 가열되어 열 팽창될 수 있다. 만일, 비교예로서, 이송 챔버(110)와 공정 챔버(120) 사이가 일정한 간격으로 고정되어 있다면, 공정 챔버(120)의 열 팽창시 이송 챔버(110)를 향한 쪽, 즉 좌측 영역에 발생하는 열 팽창이 억제된다. 이로 인해, 공정 챔버(120)는 이송 챔버(110)를 향한 쪽의 반대 쪽에 열 팽창 변형이 커지게 되는바, 기판 로딩 위치(121)가 변경되는 폭도 커지게 된다. That is, depending on the substrate processing process, the inside of the process chamber 120 may be heated and thermally expanded. If, as a comparative example, between the transfer chamber 110 and the process chamber 120 is fixed at regular intervals, the thermal expansion of the process chamber 120 is directed toward the transfer chamber 110 during the thermal expansion. Thermal expansion is suppressed. As a result, the thermal expansion deformation is increased on the opposite side of the process chamber 120 toward the transfer chamber 110, and the width at which the substrate loading position 121 is changed is also increased.

하지만, 본 실시예는 이송 챔버(110)와 공정 챔버(120) 사이가 간격 조절부(150)에 의해 간격이 조절될 수 있으므로, 공정 챔버(120)의 열 팽창시 이송 챔버(110)를 향한 쪽에서 발생한 열 팽창이 억제되지 않게 된다. 따라서, 공정 챔버(120)는 열 팽창시 좌우로 자유로이 변형될 수 있으므로, 비교예에 비해 기판 로딩 위치(121)가 변경되는 폭이 작아질 수 있는 것이다. However, in the present embodiment, since the gap between the transfer chamber 110 and the process chamber 120 may be adjusted by the gap adjusting unit 150, the thermal transfer of the process chamber 120 toward the transfer chamber 110 occurs. The thermal expansion occurring at the side is not suppressed. Therefore, since the process chamber 120 may be freely deformed from side to side during thermal expansion, the width at which the substrate loading position 121 is changed may be smaller than that of the comparative example.

한편, 간격 조절부(150)는 신축성 있는 벨로우즈(bellows)를 구비할 수 있다. 벨로우즈는 공정 챔버(150)에서 기판 로딩위치(121) 부위와 이송 챔버(110) 쪽의 단부 사이, 즉 B로 나타낸 구간에서 열 팽창하여 이송 챔버(110) 쪽으로 확장될 때 수평으로 수축된다. 이에 따라, 공정 챔버(120)와 이송 챔버(110) 사이의 간격이 좁아질 수 있다. 따라서, 공정 챔버(120)의 열 팽창시 공정 챔버(120)의 좌측 영역에서 발생한 열 팽창이 억제되지 않을 수 있는 것이다. On the other hand, the gap adjusting unit 150 may be provided with elastic bellows. The bellows shrinks horizontally when it expands toward the transfer chamber 110 by thermal expansion between the portion of the substrate loading position 121 in the process chamber 150 and the end portion of the transfer chamber 110, that is, the section indicated by B. FIG. Accordingly, the gap between the process chamber 120 and the transfer chamber 110 may be narrowed. Therefore, thermal expansion generated in the left region of the process chamber 120 may not be suppressed during thermal expansion of the process chamber 120.

또한, 벨로우즈는 공정 챔버(120)가 열 팽창되었다가 이송 챔버(110)의 반대 쪽으로 복원될 때 수평으로 신장된다. 이에 따라, 공정 챔버(120)와 이송 챔버(110) 사이의 간격이 넓어질 수 있다. 한편, 이송 챔버(110)와 공정 챔버(120) 사이에는 기판 반출입을 위한 게이트(gate, 171)와, 게이트(171)를 개폐하기 위한 게이트 밸브(172)가 구비될 수 있다. The bellows also extend horizontally when the process chamber 120 is thermally expanded and then restored to the opposite side of the transfer chamber 110. Accordingly, the gap between the process chamber 120 and the transfer chamber 110 can be widened. Meanwhile, a gate 171 for carrying in and out of the substrate and a gate valve 172 for opening and closing the gate 171 may be provided between the transfer chamber 110 and the process chamber 120.

게이트 밸브(172)는 이송 챔버(110)로부터 공정 챔버(120)로 기판(W)이 이송되거나, 공정 챔버(120)로부터 이송 챔버(110)로 기판(W)이 이송될 때, 게이트(171)를 개방하고, 공정 챔버(120)에서 공정이 행해지는 동안 게이트(171)를 폐쇄하도록 동작할 수 있다. 이 경우, 벨로우즈는 이송 챔버(110)와 게이트 밸브(172) 사이에서 이들에 양단이 고정될 수 있다. The gate valve 172 is a gate 171 when the substrate W is transferred from the transfer chamber 110 to the process chamber 120 or the substrate W is transferred from the process chamber 120 to the transfer chamber 110. ) And close the gate 171 while the process is performed in the process chamber 120. In this case, the bellows may be fixed at both ends between the transfer chamber 110 and the gate valve 172.

이에 한정되지 않고, 벨로우즈는 게이트 밸브(172)와 공정 챔버(120) 사이에서 이들에 양단이 고정되거나, 게이트 밸브(172)를 거치지 않고 이송 챔버(110)와 공정 챔버(120) 사이에서 이들에 양단이 직접 고정될 수도 있다. The bellows is not limited thereto, and both ends thereof are fixed between the gate valve 172 and the process chamber 120, or between the transfer chamber 110 and the process chamber 120 without passing through the gate valve 172. Both ends may be fixed directly.

다른 예로, 간격 조절부(250)는 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 슬라이드 안내부(251)와, 제2 슬라이드 안내부(252), 및 실링 부재(253)를 구비할 수 있다. 제1 슬라이드 안내부(251)는 이송 챔버(110)에 형성된다. 제2 슬라이드 안내부(252)는 공정 챔버(120) 쪽에, 도시된 바에 따르면 게이트 밸브(172)에 형성되며, 제1 슬라이드 안내부(251)와 슬라이드 이동 가능하게 결합된다. 여기서, 제1 슬라이드 안내부(251)와 제2 슬라이드 안내부(252)는 서로 간에 수평으로 슬라이드 이동할 수 있게 결합된다. As another example, as shown in FIG. 4, the gap adjuster 250 may include a first slide guide 251, a second slide guide 252, and a sealing member 253. The first slide guide 251 is formed in the transfer chamber 110. The second slide guide 252 is formed at the side of the process chamber 120, as shown in the gate valve 172, and is slidably coupled to the first slide guide 251. Here, the first slide guide 251 and the second slide guide 252 are coupled to be able to slide horizontally with each other.

제2 슬라이드 안내부(252)는 공정 챔버(120)가 B 구간에서 열 팽창하여 이송 챔버(110) 쪽으로 확장될 때, 제1 슬라이드 안내부(251)의 안내를 받아 공정 챔버(120)와 이송 챔버(110) 사이가 가까워지게 슬라이드 이동한다. 이에 따라, 공정 챔버(120)와 이송 챔버(110) 사이의 간격이 좁아질 수 있다. 따라서, 공정 챔버(120)의 열 팽창시 공정 챔버(120)의 좌측 영역에서 발생한 열 팽창이 억제되지 않을 수 있는 것이다. The second slide guide part 252 is transferred to the process chamber 120 under the guidance of the first slide guide part 251 when the process chamber 120 is thermally expanded in the section B to be extended toward the transfer chamber 110. The slides move closer to each other between the chambers 110. Accordingly, the gap between the process chamber 120 and the transfer chamber 110 may be narrowed. Therefore, thermal expansion generated in the left region of the process chamber 120 may not be suppressed during thermal expansion of the process chamber 120.

또한, 제2 슬라이드 안내부(252)는 공정 챔버(120)가 열 팽창되었다가 이송 챔버(110)의 반대 쪽으로 복원될 때 제1 슬라이드 안내부(251)의 안내를 받아 공정 챔버(120)와 이송 챔버(110) 사이가 멀어지게 슬라이드 이동한다. 이에 따라, 공정 챔버(120)와 이송 챔버(110) 사이의 간격이 넓어질 수 있다. In addition, the second slide guide 252 is guided by the first slide guide 251 when the process chamber 120 is thermally expanded and then restored to the opposite side of the transfer chamber 110. The slide moves away from the transfer chamber 110. Accordingly, the gap between the process chamber 120 and the transfer chamber 110 can be widened.

실링 부재(253)는 제1 슬라이드 안내부(251)에 대해 제2 슬라이드 안내부(252)가 슬라이드 이동하는 과정에서 이송 챔버(110)와 공정 챔버(120) 사이가 실링되게 한다. 공정 챔버(120)와 이송 챔버(110)가 진공인 상태를 유지하면서 공정 챔버(120)가 가열되어 열 팽창될 수 있다. 이때, 실링 부재(253)는 제1 슬라이드 안내부(251)에 대해 제2 슬라이드 안내부(252)가 슬라이드 이동하는 과정에서 진공인 상태를 유지할 수 있게 한다. The sealing member 253 allows the transfer between the transfer chamber 110 and the process chamber 120 while the second slide guide 252 slides with respect to the first slide guide 251. The process chamber 120 may be heated and thermally expanded while maintaining the vacuum in the process chamber 120 and the transfer chamber 110. In this case, the sealing member 253 may maintain the vacuum state in the process of the slide movement of the second slide guide 252 relative to the first slide guide 251.

한편, 공정 챔버(120) 내에는 기판 지지대(122)가 설치된다. 기판 지지대(122)는 복수의 기판(W)들이 안착되어 지지되게 하는 것이다. 기판 지지대(122)는 회전구동수단(미도시)에 의해 회전 가능할 수 있고, 승강구동수단(미도시)에 의 해 승강 가능할 수 있다.Meanwhile, the substrate support 122 is installed in the process chamber 120. The substrate support 122 allows a plurality of substrates W to be seated and supported. The substrate support 122 may be rotatable by a rotation driving means (not shown), and may be liftable by a lifting driving means (not shown).

기판 지지대(122)는 상면에 회전 중심 둘레를 따라 복수의 기판(W)들이 안착되게 기판 안착부(123)들을 구비한다. 기판 안착부(123)는 기판(W)이 안착될 수 있는 다양한 구조로 각각 이루어질 수 있다. 그 일 예로, 기판 안착부(123)는 기판(W)이 상부로부터 수용되어 안착될 수 있게 기판 지지대(122)의 상면으로부터 오목한 형상을 가질 수 있다. The substrate support 122 includes substrate mounting portions 123 on the top surface of the substrate support 122 such that the plurality of substrates W are seated along the rotation center. The substrate mounting part 123 may be formed in various structures in which the substrate W may be mounted. For example, the substrate mounting part 123 may have a concave shape from an upper surface of the substrate support 122 so that the substrate W may be received and seated from the top.

기판 안착부(123)들은 기판 지지대(122)가 회전함에 따라 기판 로딩위치(121)에 순차적으로 놓일 수 있게 된다. 이에 따라, 기판 안착부(123)들에 기판(W)이 하나씩 순차적으로 로딩될 수 있는 것이다. 기판 안착부(123)에는 다수의 기판 지지핀(124)들이 설치될 수 있다. The substrate mounting parts 123 may be sequentially placed in the substrate loading position 121 as the substrate support 122 rotates. Accordingly, the substrates W may be sequentially loaded one by one on the substrate seating portions 123. A plurality of substrate support pins 124 may be installed in the substrate seating part 123.

기판 지지핀(124)들은 기판 지지대(122)가 하강하면 지지핀 홀더(125)에 의해 상부로 밀려서 기판 안착부(123)로부터 상승하고, 기판 지지대(122)가 상승하면 지지핀 홀더(125)에 의해 상부로 밀려진 상태가 해제되어 기판 안착부(123)로 하강한다. 이 과정에서 기판(W)이 로딩 또는 언로딩될 수 있다. The substrate support pins 124 are pushed upward by the support pin holder 125 when the substrate support 122 is lowered to be lifted from the substrate seating part 123, and the support pin holder 125 when the substrate support 122 is raised. As a result, the state pushed upward is released and descends to the substrate seating part 123. In this process, the substrate W may be loaded or unloaded.

한편, 공정 챔버(120) 내에는 기판 지지대(122)의 상측에 샤워 헤드(126)가 설치되는데, 샤워 헤드(126)는 회전하는 기판(W)들에 공정용 가스를 분사하여, 기판(W)들에 박막이 각각 증착되도록 한다. Meanwhile, a shower head 126 is installed above the substrate support 122 in the process chamber 120. The shower head 126 injects a process gas onto the rotating substrates W, thereby providing a substrate W. FIG. Thin films are deposited respectively.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다 양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the accompanying drawings, this is merely exemplary, and various modifications and equivalent other embodiments are possible to those skilled in the art. I can understand. Accordingly, the true scope of protection of the invention should be defined only by the appended claims.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수기판 처리장치에 대한 단면도. 1 is a cross-sectional view of a multi-substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 있어서, 이송 챔버와 공정 챔버의 내부에 대한 평면도. 2 is a plan view of the interior of the transfer chamber and the process chamber of FIG.

도 3은 도 1에 있어서, 공정 챔버가 가열되어 팽창된 상태를 도시한 단면도. 3 is a cross-sectional view of the process chamber shown in FIG.

도 4는 도 1에 있어서, 간격 조절부의 다른 예를 도시한 단면도. 4 is a cross-sectional view showing another example of the gap adjusting portion in FIG.

〈도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명〉<Brief description of the major symbols in the drawings>

110..이송 챔버 111..이송 로봇110. Transfer chamber 111. Transfer robot

120..공정 챔버 121..기판 로딩위치120. Process chamber 121. Substrate loading position

122..기판 지지대 123..기판 안착부122..Board support 123..Board seat

130..베이스 프레임 140..고정 블록130..base frame 140..fixed block

150,250..간격 조절부 160..열 팽창 안내부150.250. Spacing 160. Thermal expansion guide

172..게이트 밸브 W..기판172 gate valve W. substrate

Claims (8)

이송 챔버; Transfer chamber; 상기 이송 챔버로부터 이송되는 기판을 복수 개로 수용하여 이들에 공정이 행해지게 하는 것으로, 열 팽창시 간격 조절부에 의해 상기 이송 챔버에 대해 간격이 조절되게 연결된 공정 챔버; A process chamber configured to receive a plurality of substrates transferred from the transfer chamber and to perform a process thereon, the process chamber being connected to be controlled with respect to the transfer chamber by a gap adjusting unit during thermal expansion; 상기 공정 챔버의 하측에서 상기 공정 챔버를 지지하는 베이스 프레임; 및 A base frame supporting the process chamber under the process chamber; And 상기 공정 챔버의 열 팽창시 상기 공정 챔버의 중앙과 상기 공정 챔버 내의 기판 로딩위치 사이에 발생하는 열 팽창을 억제하기 위한 것으로, 상기 기판 로딩위치의 센터에 대응되게 상기 공정 챔버의 하측에 배치되며, 상기 공정 챔버와 상기 베이스 프레임 사이에서 이들을 고정시키는 고정 블록; In order to suppress thermal expansion occurring between the center of the process chamber and the substrate loading position in the process chamber during the thermal expansion of the process chamber, disposed below the process chamber to correspond to the center of the substrate loading position, A fixed block fixing the space between the process chamber and the base frame; 을 구비하는 복수기판 처리장치. A plurality of substrate processing apparatus having a. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 공정 챔버의 열 팽창시 상기 공정 챔버의 중앙을 기준으로 상기 고정 블록의 반대 쪽에서 발생하는 열 팽창이 자유로이 안내될 수 있게 상기 공정 챔버와 상기 베이스 프레임 사이에 열 팽창 안내부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 복수기판 처리장치. A thermal expansion guide is further provided between the process chamber and the base frame to freely guide thermal expansion occurring on the opposite side of the fixed block with respect to the center of the process chamber during thermal expansion of the process chamber. Multi-substrate processing apparatus. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 열 팽창 안내부는: The thermal expansion guide is: 상기 베이스 프레임 상에 설치된 가이드 레일과, A guide rail installed on the base frame, 일단이 상기 공정 챔버에 고정되고, 타단이 상기 가이드 레일에 슬라이드 가능하게 결합되는 안내 블록을 구비하는 것을 특징으로 하는 복수기판 처리장치. And a guide block having one end fixed to the process chamber and the other end slidably coupled to the guide rail. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 열 팽창 안내부는:The thermal expansion guide is: 플렉시블(flexible)한 재질로 이루어지고, 상기 공정 챔버와 상기 베이스 프레임에 양단이 고정된 플렉시블 블록을 구비하는 것을 특징으로 하는 복수기판 처리장치. And a flexible block formed of a flexible material and having both ends fixed to the process chamber and the base frame. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 간격 조절부는 신축성 있는 벨로우즈(bellows)를 구비하는 것을 특징으로 하는 복수기판 처리장치. The spacing adjuster is a multi-substrate processing apparatus, characterized in that it has elastic bellows. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 이송 챔버와 상기 공정 챔버 사이에는 기판 반출입을 위한 게이트(gate)와, 상기 게이트를 개폐하기 위한 게이트 밸브가 구비되며; A gate for carrying in and out of a substrate and a gate valve for opening and closing the gate are provided between the transfer chamber and the process chamber; 상기 벨로우즈는 상기 이송 챔버와 상기 게이트 밸브 사이, 및 상기 게이트 밸브와 상기 공정 챔버 사이 중 어느 한 쪽에 설치된 것을 특징으로 하는 복수기판 처리장치. The bellows is a plurality of substrate processing apparatus, characterized in that provided between any one of the transfer chamber and the gate valve, and between the gate valve and the process chamber. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 간격 조절부는: The gap adjusting unit: 상기 이송 챔버에 형성된 제1 슬라이드 안내부와, A first slide guide formed in the transfer chamber; 상기 공정 챔버에 상기 제1 슬라이드 안내부와 슬라이드 이동 가능하게 결합되는 제2 슬라이드 안내부, 및 A second slide guide part slidably coupled to the first slide guide part in the process chamber; 상기 제1 슬라이드 안내부에 대해 상기 제2 슬라이드 안내부가 슬라이드 이동하는 과정에서 상기 이송 챔버와 상기 공정 챔버 사이가 실링되게 하는 실링 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 복수기판 처리장치. And a sealing member configured to seal between the transfer chamber and the process chamber during the slide movement of the second slide guide portion with respect to the first slide guide portion. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 공정 챔버 내에는 상면에 중심 둘레를 따라 복수의 기판들이 안착되게 기판 안착부들을 구비한 기판 지지대가 회전 가능하게 설치되며; A substrate support on the upper surface of the process chamber is rotatably mounted with substrate mounting portions to allow a plurality of substrates to be seated along a center circumference thereof; 상기 기판 지지대가 회전함에 따라 상기 기판 안착부들은 상기 기판 로딩위치에 순차적으로 놓일 수 있게 된 것을 특징으로 하는 복수기판 처리장치. The substrate mounting portion of the plurality of substrate processing apparatus, characterized in that can be sequentially placed in the substrate loading position as the substrate support rotates.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101421645B1 (en) * 2009-09-01 2014-07-22 주식회사 원익아이피에스 Substrate processing apparatus
KR101426993B1 (en) * 2012-06-28 2014-08-06 하이디스 테크놀로지 주식회사 Liquid crystal display
KR101453776B1 (en) * 2013-03-21 2014-10-22 주식회사 에스에프이 Chip bonding apparatus
CN105762098A (en) * 2014-12-17 2016-07-13 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Chip conveying system and semiconductor processing equipment
CN113707573A (en) * 2020-05-20 2021-11-26 东京毅力科创株式会社 Connection processing container, substrate processing system, and substrate processing method

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101421645B1 (en) * 2009-09-01 2014-07-22 주식회사 원익아이피에스 Substrate processing apparatus
KR101426993B1 (en) * 2012-06-28 2014-08-06 하이디스 테크놀로지 주식회사 Liquid crystal display
KR101453776B1 (en) * 2013-03-21 2014-10-22 주식회사 에스에프이 Chip bonding apparatus
CN105762098A (en) * 2014-12-17 2016-07-13 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Chip conveying system and semiconductor processing equipment
CN113707573A (en) * 2020-05-20 2021-11-26 东京毅力科创株式会社 Connection processing container, substrate processing system, and substrate processing method
KR20210143657A (en) * 2020-05-20 2021-11-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Coupled processing containers, substrate processing system, and substrate processing method
CN113707573B (en) * 2020-05-20 2023-12-22 东京毅力科创株式会社 Connection processing container, substrate processing system, and substrate processing method

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