KR101117188B1 - Apparatus for processing a substrate - Google Patents

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Abstract

개시된 기판 처리 장치는 하부 패널을 갖는 공정 챔버와, 상기 공정 챔버 내의 기판 상으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 기판을 지지하고 가열하기 위하여 상기 공정 챔버 내에 배치되며 평판 형태를 갖는 히터와, 상기 히터의 중앙 부위를 지지하는 서포트 부재와, 상기 히터의 가장자리 부위들에 결합되어 상기 히터의 가장자리 부위들을 수직 방향으로 지지하며 상기 하부 패널 상에서 수평 방향으로 슬라이드 가능하도록 구성된 다수의 보강부들을 포함한다. 상기 히터의 가장자리 부위들에서 처짐 현상이 개선될 수 있으며, 또한 상기 히터의 수평 방향 열팽창이 제한되지 않는다.The disclosed substrate processing apparatus includes a process chamber having a lower panel, a gas supply unit supplying a process gas onto a substrate in the process chamber, a heater disposed in the process chamber to support and heat the substrate, and having a flat plate shape; A support member for supporting a central portion of the heater, and a plurality of reinforcement parts coupled to edge portions of the heater to support edge portions of the heater in a vertical direction and slidable in a horizontal direction on the lower panel; . The deflection at the edge portions of the heater can be improved, and the horizontal thermal expansion of the heater is not limited.

Description

기판 처리 장치 {Apparatus for processing a substrate}Substrate processing unit {Apparatus for processing a substrate}

본 발명의 실시예들은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판을 처리하기 위하여 상기 기판을 지지하고 가열하는 히터를 이용하여 상기 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a substrate processing apparatus. More particularly, the present invention relates to an apparatus for processing the substrate using a heater that supports and heats the substrate to process the substrate.

일반적으로, 반도체 장치, 디스플레이 장치, 태양 전지 셀 등을 제조하기 위하기 위한 미세 처리 공정에서 기판 상에는 다양한 막들이 형성될 수 있으며 상기 막들은 목적하는 형태로 패터닝될 수 있다.In general, various films may be formed on a substrate in a microtreatment process for manufacturing a semiconductor device, a display device, a solar cell, and the like, and the films may be patterned into a desired shape.

예를 들면, 기판 상에는 화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD), 물리 기상 증착(physical vapor deposition; PVD), 등의 방법으로 다양한 막들이 형성될 수 있으며, 상기 막들은 건식 또는 습식 식각에 의해 패터닝될 수 있다. 특히, 상기 증착 방법들과 건식 식각 방법은 일반적으로 진공 상태에서 수행될 수 있으며, 목적하는 막 또는 패턴의 특성에 따라 플라즈마를 이용하는 증착 또는 식각 방법이 사용될 수 있다. 예를 들면, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(plasma enhanced CVD; PECVD), 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착(high density plasma CVD; HDP CVD, 반응성 이온 식각(reactive ion etching; RIE), 고밀도 플라즈마 식 각(HDP etching) 등과 같은 미세 처리 공정이 목적하는 막 또는 패턴의 특성에 따라 선택될 수 있다.For example, various films may be formed on a substrate by chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), or the like, which may be patterned by dry or wet etching. Can be. In particular, the deposition methods and the dry etching method may be generally performed in a vacuum state, and a deposition or etching method using plasma may be used according to the characteristics of the desired film or pattern. For example, plasma enhanced CVD (PECVD), high density plasma CVD (HDP CVD), reactive ion etching (RIE), high density plasma etching (HDP etching) Microtreatment processes such as and the like may be selected depending on the properties of the desired film or pattern.

상기와 같은 기판 처리 공정들을 수행하기 위한 장치는 상기 기판을 지지하고 소정의 공정 온도로 가열하기 위하여 평판 형태를 갖는 히터를 포함할 수 있다. 상기 히터는 공정 챔버 내에 배치될 수 있으며, 상기 히터의 중앙 부위가 서포트 부재에 의해 지지될 수 있다.An apparatus for performing such substrate processing processes may include a heater having a flat plate shape for supporting the substrate and heating to a predetermined process temperature. The heater may be disposed in the process chamber, and a central portion of the heater may be supported by the support member.

한편, 최근 상기 처리 장치의 쓰루풋(throughput)을 향상시키기 위하여 대면적의 기판을 이용하거나 다수의 기판들을 동시에 처리하는 방법이 개발되고 있다. 이 경우, 상기 히터의 크기가 증가될 수 있으며 이에 따라 상기 히터의 열변형이 발생될 수 있다. 특히, 상기 히터의 가장자리 부위들에서 처짐이 발생될 수 있으며, 이에 따라 박막 두께 또는 패턴 선폭의 불균일 등과 같은 공정 불량이 발생될 수 있다. 또한, 상기 히터의 열변형에 의해 상기 히터를 관통하는 리프트 핀들의 구동에 문제점이 발생될 수 있다.Recently, in order to improve throughput of the processing apparatus, a method of using a large-area substrate or processing a plurality of substrates at the same time has been developed. In this case, the size of the heater may be increased, and thus heat deformation of the heater may occur. In particular, deflection may occur at edge portions of the heater, and thus process defects such as non-uniformity of thin film thickness or pattern line width may occur. In addition, a problem may occur in driving lift pins penetrating the heater due to thermal deformation of the heater.

상술한 바와 같은 문제점들을 해결하기 위한 본 발명의 실시예들은 상술한 바와 같은 히터의 열변형에 의해 발생될 수 있는 문제점들을 감소시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Embodiments of the present invention for solving the above problems are to provide a substrate processing apparatus that can reduce the problems that may be caused by the heat deformation of the heater as described above.

본 발명의 실시예들에 따르면, 기판 처리 장치는 기판을 처리하기 위한 공간을 제공하며 하부 패널을 갖는 공정 챔버와, 상기 공정 챔버에 결합되어 상기 기판 상으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 기판을 지지하고 가열하기 위하여 상기 공정 챔버 내에 배치되며 평판 형태를 갖는 히터와, 상기 히터의 중앙 부위를 지지하는 서포트 부재와, 상기 히터의 가장자리 부위들에 결합되어 상기 히터의 가장자리 부위들을 수직 방향으로 지지하며 상기 하부 패널 상에서 수평 방향으로 슬라이드 가능하도록 구성된 다수의 보강부들을 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, a substrate processing apparatus includes a process chamber having a space for processing a substrate and having a lower panel, a gas supply unit coupled to the process chamber and supplying a process gas onto the substrate, A heater disposed in the process chamber for supporting and heating a substrate, a support member for supporting a central portion of the heater, and coupled to edge portions of the heater to move the edge portions of the heater in a vertical direction It may include a plurality of reinforcement portion for supporting and slidable in the horizontal direction on the lower panel.

본 발명의 실시예들에 따르면, 각각의 보강부는 상기 히터의 가장자리 부위에 결합되어 하방으로 연장하는 몸체와, 상기 몸체의 하부에 장착되어 상기 몸체의 수평 방향 슬라이드가 가능하도록 하는 슬라이드 부재를 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, each reinforcement part may include a body coupled to the edge portion of the heater and extending downward, and a slide member mounted on the lower portion of the body to enable horizontal sliding of the body. Can be.

본 발명의 실시예들에 따르면, 각각의 보강부는 상기 히터의 가장자리 부위에 결합되어 하방으로 연장하며 상기 히터의 가장자리 부위를 지지하기 위한 실린더 튜브와, 상기 히터를 관통하여 수직 방향으로 이동 가능하며 상기 히터에 대하여 상기 기판의 로드 및 언로드 동작을 수행하기 위한 리프트 핀과, 상기 실린더 튜브 내에 배치되어 공압 또는 유압에 의해 수직 방향으로 이동 가능하며 상기 리프트 핀과 연결된 피스톤과, 상기 실린더 튜브의 하부에 장착되어 상기 실린더 튜브의 수평 방향 슬라이드가 가능하도록 하는 슬라이드 부재를 포함할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, each reinforcing portion is coupled to the edge portion of the heater and extends downwardly, and a cylinder tube for supporting the edge portion of the heater, penetrates through the heater and is movable vertically; A lift pin for performing a load and unload operation of the substrate with respect to the heater, a piston disposed in the cylinder tube and movable in the vertical direction by pneumatic or hydraulic pressure, and mounted to the lower portion of the cylinder tube; It may include a slide member to enable the horizontal slide of the cylinder tube.

본 발명의 실시예들에 따르면, 각각의 보강부는 상기 몸체 또는 상기 실린더 튜브와 상기 슬라이드 부재 사이에 배치되는 스프링을 더 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, each reinforcement part may further include a spring disposed between the body or the cylinder tube and the slide member.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 공정 챔버의 하부 패널에는 상기 보강부들이 각각 삽입되며 상기 보강부들을 각각 지지하는 저면을 각각 갖는 다수의 홈들이 형성될 수 있다.According to the exemplary embodiments of the present invention, a plurality of grooves may be formed in the lower panel of the process chamber, respectively, wherein the reinforcement parts are respectively inserted and have bottom surfaces respectively supporting the reinforcement parts.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 보강부들과 상기 홈들 사이로 파티클들이 유입되는 것을 방지하기 위하여 상기 보강부들을 각각 감싸는 커버들을 더 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the substrate processing apparatus may further include covers respectively surrounding the reinforcement parts to prevent particles from flowing into the reinforcement parts and the grooves.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 히터의 가장자리 부위들은 보강부의 몸체 또는 실린더 튜브에 의해 수직 방향으로 지지될 수 있으며, 또한 상기 히터의 수평 방향 열팽창은 상기 보강부의 슬라이드 부재에 의해 제한되지 않을 수 있다. 상기 히터의 가장자리 부위에서의 처짐 현상이 크게 개선될 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, the edge portions of the heater can be supported in the vertical direction by the body or cylinder tube of the reinforcement portion, and the horizontal thermal expansion of the heater is limited by the slide member of the reinforcement portion It may not be. Deflection at the edge of the heater can be greatly improved.

또한, 상기 실린더 튜브 내에 배치된 피스톤과 상기 피스톤에 연결된 리프트 핀은 상기 히터의 수평 방향 열팽창에 의해 상기 실린더 튜브와 함께 이동되므로 상기 리프트 핀의 구동이 상기 히터의 열팽창에 상관없이 안정적으로 이루어질 수 있다.In addition, since the piston disposed in the cylinder tube and the lift pin connected to the piston are moved together with the cylinder tube by the horizontal thermal expansion of the heater, the driving of the lift pin may be stably performed regardless of the thermal expansion of the heater. .

따라서, 상기 히터 상으로의 기판 로드 및 언로드가 용이하게 이루어질 수 있으며, 또한 상기 기판으로의 열전달 및 상기 기판을 처리하기 위한 공정 가스 또는 플라즈마 공급이 균일하게 이루어질 수 있다. 결과적으로, 상기 히터를 포함하는 기판 처리 장치의 성능 및 공정 불량이 크게 개선될 수 있다.Accordingly, substrate loading and unloading onto the heater can be easily performed, and heat transfer to the substrate and process gas or plasma supply for treating the substrate can be made uniform. As a result, the performance and process failure of the substrate processing apparatus including the heater can be greatly improved.

이하, 본 발명의 실시예들을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below, but may be embodied in various other forms.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 보강부들을 설명하기 위한 확대 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view illustrating the reinforcement parts illustrated in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 반도체 장치의 제조를 위한 반도체 웨이퍼, 평판 디스플레이 장치의 제조를 위한 유리 기판, 태양전지 제조를 위한 실리콘 기판 등 다양한 종류의 기판들(10)에 대하여 소정의 처리 공정을 수행하기 위하여 사용될 수 있다. 예를 들면, 박막의 형성을 위한 PECVD 공정 또는 박막의 식각을 위한 RIE 공정 등이 바람직하게 수행될 수 있다. 특히, 대면적 기판(10) 또는 트레이에 수납된 다수의 기판들에 대하여 상기 처리 공정을 수행하기 위하여 바람직하게 사용될 수 있다.1 and 2, a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may include a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, a glass substrate for manufacturing a flat panel display device, and a silicon substrate for manufacturing a solar cell. The substrate 10 may be used to perform a predetermined treatment process on various kinds of substrates 10. For example, a PECVD process for forming a thin film or an RIE process for etching a thin film may be preferably performed. In particular, it can be preferably used to perform the treatment process for a large area substrate 10 or a plurality of substrates stored in the tray.

상기 기판 처리 장치(100)는 상기 처리 공정이 수행되는 밀폐 공간을 제공하는 공정 챔버(110)와, 상기 공정 챔버(110) 내에서 적어도 하나의 기판(10), 예를 들면, 대면적 기판(10) 또는 다수의 기판들이 수납된 트레이를 지지하고 가열하는 히터(120), 상기 기판(10)의 처리를 위한 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(130) 등을 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus 100 may include a process chamber 110 that provides an airtight space in which the processing process is performed, and at least one substrate 10, for example, a large area substrate in the process chamber 110. 10) or a heater 120 for supporting and heating a tray in which a plurality of substrates are stored, and a gas supply unit 130 for supplying a process gas for processing the substrate 10.

또한, 상기 기판 처리 장치(100)는 상기 공정 챔버(110)와 연결되어 상기 공정 챔버(110)의 내부 압력을 조절하기 위한 압력 조절부(136) 및 상기 가스 공급부(130)와 연결되어 상기 공정 가스를 제공하는 가스 소스(138)를 더 포함할 수 있다. 일반적으로, 상기 처리 공정은 진공 상태에서 수행되므로 상기 압력 조절부(136)는 진공 펌프, 압력 센서, 다수의 밸브 등을 포함할 수 있으며, 상기 가스 소스(138)는 상기 공정 가스가 저장된 용기, 유량 센서, 유량 제어 밸브 등을 포함할 수 있다. 특히, 상기 공정 가스로는 상기 박막을 형성하기 위한 소스 가스들, 상기 박막을 식각하기 위한 반응 가스들, 상기 소스 가스들 또는 반응 가스들을 운반하기 위한 캐리어 가스, 상기 공정 챔버(110) 내에서 플라즈마를 점화시키기 위한 플라즈마 점화용 가스, 상기 공정 챔버(110) 내부의 압력 조절 및 퍼지 기능을 수행하는 불활성 가스, 등을 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus 100 is connected to the process chamber 110 to be connected to the pressure control unit 136 and the gas supply unit 130 to adjust the internal pressure of the process chamber 110 to the process It may further include a gas source 138 that provides a gas. In general, since the treatment process is performed in a vacuum state, the pressure regulator 136 may include a vacuum pump, a pressure sensor, a plurality of valves, and the like, and the gas source 138 may include a container in which the process gas is stored; Flow sensors, flow control valves, and the like. In particular, the process gas may include source gases for forming the thin film, reactive gases for etching the thin film, carrier gas for transporting the source gases or reactive gases, and plasma in the process chamber 110. A plasma ignition gas for ignition, an inert gas for performing a pressure control and purge function in the process chamber 110, and the like.

상기 공정 챔버(110)는 개방된 상부 구조를 가질 수 있으며, 상기 가스 공급부(130)는 상기 개방된 상부를 커버하는 형태를 가질 수 있다. 특히, 상기 가스 공급부(130)는 상부 패널(132)과 평판 형태의 샤워 헤드(134)를 포함할 수 있으며, 상기 공정 가스는 상기 상부 패널(132)과 샤워 헤드(134) 사이로 먼저 공급된 후 상기 샤워 헤드(134)의 가스홀들을 통해 상기 기판(10) 상으로 공급될 수 있다. 또한, 도시된 바와 같이 상기 상부 패널(134)에는 플라즈마 형성을 위한 고주파 전원이 연결될 수도 있다. 그러나, 상기 고주파 전원은 선택적인 것이므로 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되지는 않을 것이다.The process chamber 110 may have an open upper structure, and the gas supply unit 130 may have a form covering the open upper portion. In particular, the gas supply unit 130 may include an upper panel 132 and a shower head 134 having a flat plate shape, and the process gas is first supplied between the upper panel 132 and the shower head 134. The gas holes of the shower head 134 may be supplied onto the substrate 10. In addition, as shown, the upper panel 134 may be connected to a high frequency power source for plasma formation. However, the high frequency power supply is optional and the scope of the present invention will not be limited thereby.

상기 공정 챔버(110)의 측벽에는, 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 기판(10)의 로드 및 언로드를 위한 슬릿 형태의 개구(112)와 상기 개구(112)를 개폐하기 위한 슬릿 밸브(미도시)가 구비될 수 있으며, 내측면 상에는 상기 처리 공정이 수행되는 동안 플라즈마 상태의 공정 가스에 의한 손상을 방지하기 위한 라이너(미도시)가 배치될 수 있다.Although not shown in detail, the sidewall of the process chamber 110 includes a slit-shaped opening 112 for loading and unloading the substrate 10 and a slit valve for opening and closing the opening 112. May be provided, and a liner (not shown) may be disposed on an inner side surface to prevent damage by a process gas in a plasma state while the treatment process is performed.

상기 히터(120)는 대면적 기판(10) 또는 다수의 기판들을 지지할 수 있으며, 상기 기판(10)의 형태에 따라 원형 또는 사각의 평판 형태를 가질 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나, 상기 히터(120)의 내부에는 상기 기판(10)을 가열하기 위하여 열을 발생시키는 가열 부재가 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 히터(120)에는 전기저항열선이 내장될 수 있다.The heater 120 may support the large-area substrate 10 or a plurality of substrates, and may have a circular or square flat plate shape according to the shape of the substrate 10. In addition, although not shown, a heating member for generating heat to heat the substrate 10 may be disposed in the heater 120. For example, an electric resistance heating wire may be built in the heater 120.

상기 공정 챔버(110)는 하부 패널(114)을 가질 수 있으며, 상기 히터(120)는 서포트 부재(122)에 의해 상기 공정 챔버(110)의 내부에서 수평 방향으로 유지될 수 있다. 특히, 상기 서포트 부재(122)는 상기 히터(120)의 중앙 부위를 지지할 수 있다. 도시된 바에 의하면, 상기 서포트 부재(122)가 상기 하부 패널(114)을 관통하고 있으나, 상기 서포트 부재(122)의 구성은 필요에 따라 다양하게 변경될 수 있을 것이다.The process chamber 110 may have a lower panel 114, and the heater 120 may be maintained in a horizontal direction inside the process chamber 110 by the support member 122. In particular, the support member 122 may support a central portion of the heater 120. As shown, the support member 122 penetrates the lower panel 114, but the configuration of the support member 122 may be variously changed as necessary.

상기와 같이 히터(120)의 중앙 부위가 상기 서포트 부재(122)에 의해 지지되므로 상기 히터(120)의 가장자리 부위들에서 처짐이 발생될 수 있다. 특히, 상기 기판(10)을 처리하기 위하여 상기 히터(120)의 온도가 상승되는 경우 상기 히 터(120)의 가장자리 부위들에서 처짐량은 크게 증가될 수 있다.Since the central portion of the heater 120 is supported by the support member 122 as described above, sag may occur at edge portions of the heater 120. In particular, when the temperature of the heater 120 is raised to process the substrate 10, the amount of deflection at edge portions of the heater 120 may be greatly increased.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치(100)는 상기 히터(120)의 가장자리 부위들에 결합되어 상기 히터(120)의 가장자리 부위들을 수직 방향으로 지지하며 상기 하부 패널(114) 상에서 수평 방향으로 슬라이드 가능하도록 구성된 다수의 보강부들(140)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 보강부들(140)에 의해 상기 히터(120)의 가장자리 부위들이 수직 방향으로 지지되며, 또한 상기 보강부들(140)에 의해 상기 히터(120)의 수평 방향 열변형이 자유롭게 되므로 상기 히터(120)의 가장자리 부위들에서 발생되는 처짐 현상은 크게 개선될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus 100 is coupled to edge portions of the heater 120 to support edge portions of the heater 120 in a vertical direction and on the lower panel 114. It may include a plurality of reinforcing parts 140 configured to be slidable in the horizontal direction. That is, the edge portions of the heater 120 are supported by the reinforcement parts 140 in the vertical direction, and the horizontal heat deformation of the heater 120 is freed by the reinforcement parts 140. The deflection phenomenon occurring at the edge portions of 120 may be greatly improved.

각각의 보강부(140)는 상기 히터(120)의 가장자리 부위에 결합되어 하방으로 연장하는 몸체와 상기 몸체의 하부에 장착되어 상기 몸체의 수평 방향 슬라이드가 가능하도록 하는 슬라이드 부재(150)를 포함할 수 있다.Each reinforcement portion 140 is coupled to the edge portion of the heater 120 and includes a body extending downward and a slide member 150 mounted on the lower portion of the body to enable the horizontal slide of the body Can be.

특히, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 몸체로서 유압 또는 공압 실린더의 실린더 튜브(142)가 사용될 수 있다. 이 경우, 각각의 보강부(140)는 상기 히터(120)의 가장자리 부위에 결합되어 하방으로 연장하는 실린더 튜브(142)와, 상기 히터(120)를 관통하여 수직 방향으로 이동 가능하며 상기 히터(120)에 대하여 상기 기판(10)의 로드 및 언로드 동작을 수행하기 위한 리프트 핀(144)과, 상기 실린더 튜브(142) 내에 배치되어 공압 또는 유압에 의해 수직 방향으로 이동 가능하며 상기 리프트 핀(144)과 연결된 피스톤(146)과, 상기 실린더 튜브(142)의 하부에 장착되어 상기 실린더 튜브(142)의 수평 방향 슬라이드가 가능하도록 하는 슬라이드 부재(150)를 포함할 수 있다. 즉, 상기 보강부들(140)이 리프트 핀들(144)을 포함하 도록 구성되므로 별도의 리프트 핀들과 이들의 수직 방향으로 이동시키기 위한 별도의 구동부를 구성할 필요가 없다.In particular, according to one embodiment of the invention, the cylinder tube 142 of the hydraulic or pneumatic cylinder can be used as the body. In this case, each of the reinforcement portion 140 is coupled to the edge portion of the heater 120 and extends downwardly and the cylinder tube 142, and can move in the vertical direction through the heater 120 and the heater ( A lift pin 144 for performing a load and unload operation of the substrate 10 with respect to 120, and a lift pin 144 disposed in the cylinder tube 142 and movable in a vertical direction by pneumatic or hydraulic pressure. Piston 146 connected to the) and the slide member 150 is mounted to the lower portion of the cylinder tube 142 to enable the horizontal slide of the cylinder tube 142. That is, since the reinforcement parts 140 are configured to include the lift pins 144, there is no need to configure separate lift pins and a separate driving part for moving in the vertical direction thereof.

상기 실린더 튜브(142)는 상기 히터(120)의 가장자리 부위를 수직 방향으로 지지할 수 있으며, 상기 슬라이드 부재(150)에 의해 수평 방향으로 자유롭게 이동이 가능하다. 즉, 상기 히터(120)의 열변형에 의한 처짐 현상을 충분히 감소시킬 수 있으며, 또한 히터(120)의 수평 방향 열팽창이 제한되지 않으므로 상기 히터(120)의 평탄도가 일정하게 유지될 수 있다.The cylinder tube 142 may support the edge portion of the heater 120 in the vertical direction, and can be freely moved in the horizontal direction by the slide member 150. That is, the deflection phenomenon due to the thermal deformation of the heater 120 can be sufficiently reduced, and since the horizontal thermal expansion of the heater 120 is not limited, the flatness of the heater 120 can be maintained constant.

상기 리프트 핀(144)은 실린더 튜브(142) 내에 배치되는 피스톤(146)에 연결되어 있으며 또한 상기 피스톤(146)의 수직 방향 운동에 의해 상기 히터(120)를 관통하여 수직 방향으로 이동할 수 있다. 즉, 상기 리프트 핀(144)은 상기 히터(120)의 열팽창에 의해 상기 실린더 튜브(142)와 함께 수평 방향으로 이동할 수 있으며, 이에 따라 상기 기판(10)의 로드 및 언로드 동작들에서 상기 리프트 핀(144)의 운동이 상기 히터(120)의 열팽창과는 상관없이 자유롭게 수행될 수 있다.The lift pin 144 is connected to a piston 146 disposed in the cylinder tube 142 and may move vertically through the heater 120 by the vertical movement of the piston 146. That is, the lift pin 144 may move in the horizontal direction together with the cylinder tube 142 by thermal expansion of the heater 120, and thus the lift pin in the load and unload operations of the substrate 10. The movement of 144 may be freely performed regardless of thermal expansion of the heater 120.

상기 피스톤(146)과 리프트 핀(144)은 공압 또는 유압에 의해 수직 방향으로 이동될 수 있다. 이를 위하여 상기 실린더 튜브(142)에는 공압 또는 유압을 제공하기 위한 배관들(148A, 148B)이 연결될 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 배관들(148A, 148B)이 상기 피스톤(146)의 상부 및 하부 공간들에 각각 연결될 수 있으며, 도시된 바와 같이 상기 제2 배관(148B)은 피스톤(146)의 상부 공간과 연통하며 상기 실린더 튜브(142)의 측벽을 통해 연장하는 연결 통로(142A)와 연결될 수 있다. 그러나, 상기 제1 및 제2 배관들(148A, 148B)의 연결 방법은 다양하게 변경될 수 있으며, 단순히 배관 연결 방법에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.The piston 146 and the lift pin 144 may be moved in the vertical direction by pneumatic or hydraulic pressure. To this end, the cylinder tubes 142 may be connected to pipes 148A and 148B for providing pneumatic or hydraulic pressure. For example, first and second pipes 148A and 148B may be connected to the upper and lower spaces of the piston 146, respectively, and as shown, the second pipe 148B may be a piston 146. It may be connected to the connecting passage 142A that communicates with the upper space of the extending through the side wall of the cylinder tube 142. However, the method of connecting the first and second pipes 148A and 148B may be variously changed, and the scope of the present invention may not be limited by simply the pipe connection method.

상기와는 다르게, 도시되지는 않았으나, 상기 피스톤(146)의 상부 공간에는 코일 스프링(미도시)이 배치될 수 있으며, 상기 피스톤(146)의 하부 공간에는 공압 또는 유압을 제공하기 위한 배관이 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 피스톤(146)과 리프트 핀(144)은 상기 공압 또는 유압에 의해 상승할 수 있으며, 상기 코일 스프링에 의해 하강할 수 있다.Unlike the above, although not shown, a coil spring (not shown) may be disposed in an upper space of the piston 146, and a pipe for providing pneumatic or hydraulic pressure may be connected to a lower space of the piston 146. Can be. In this case, the piston 146 and the lift pin 144 may be raised by the pneumatic or hydraulic pressure, it may be lowered by the coil spring.

한편, 상기 히터(120)는 플라즈마 형성을 위하여 전기적으로 접지되거나 고주파 전원에 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 실린더 튜브(142)는 상기 히터(120)와 전기적으로 절연되는 것이 바람직하며, 이를 위하여 상기 히터(120)와 실린더 튜브(142) 사이에는 절연체(160)가 구비될 수 있다.On the other hand, the heater 120 may be electrically grounded or connected to a high frequency power source for plasma formation. In this case, the cylinder tube 142 is preferably electrically insulated from the heater 120, and for this purpose, an insulator 160 may be provided between the heater 120 and the cylinder tube 142.

상기 슬라이드 부재(150)는 상기 히터(120)의 수평 방향 열팽창을 자유롭게 하기 위하여 사용될 수 있다. 상기 슬라이드 부재(150)는 다수의 볼들(156)을 이용하여 상기 히터(120)가 수평 방향으로 열팽창하는 경우 상기 실린더 튜브(142)와 상기 하부 패널(114) 사이의 마찰력을 감소시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 슬라이드 부재(150)는 상부 및 하부 플레이트들(152, 154)과 상기 상부 및 하부 플레이트들(152, 154) 사이에 배치되는 다수의 볼들(156) 및 상기 다수의 볼들(156)을 수용하는 리테이너(158; retainer)를 포함할 수 있다. 그러나, 상기 상부 및/또는 하부 플레이트(152, 154)는 경우에 따라서 제거될 수도 있다. 즉, 상기 리테이너(158)가 상기 실린더 튜브(142)의 하부에 직접 장착되거나 상기 하부 패널(114)의 상부 표 면이 충분히 평탄한 경우 상기 상부 및/또는 하부 플레이트(152, 154)는 선택적으로 제거될 수도 있다.The slide member 150 may be used to free the horizontal thermal expansion of the heater 120. The slide member 150 may reduce the friction force between the cylinder tube 142 and the lower panel 114 when the heater 120 thermally expands in the horizontal direction by using the plurality of balls 156. For example, the slide member 150 includes a plurality of balls 156 and the plurality of balls 156 disposed between the upper and lower plates 152 and 154 and the upper and lower plates 152 and 154. May include a retainer (158). However, the upper and / or lower plates 152 and 154 may be removed in some cases. That is, the upper and / or lower plates 152 and 154 are selectively removed when the retainer 158 is mounted directly to the bottom of the cylinder tube 142 or when the upper surface of the lower panel 114 is sufficiently flat. May be

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 실린더 튜브(142)와 상기 슬라이드 부재(150) 사이에는 스프링(162), 예를 들면, 코일 스프링이 배치될 수 있다. 상기 스프링(162)은 상기 히터(120)의 가장자리 부위를 수직 방향으로 지지하는 기능과 상기 실린더 튜브(142)의 수평 방향 이동과 관련하여 다소의 유동성을 제공하기 위하여 사용될 수 있다. 즉, 상기 스프링(162)에 의해 상기 히터(120)의 가장자리 부위의 수직 방향 지지와 수평 방향 열팽창이 보다 안정적으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 스프링(162)은 상기 실린더 튜브(142)와 슬라이드 부재(150)의 상부 플레이트(152) 사이에 장착될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a spring 162, for example, a coil spring may be disposed between the cylinder tube 142 and the slide member 150. The spring 162 may be used to provide some fluidity with respect to the function of supporting the edge portion of the heater 120 in the vertical direction and the horizontal movement of the cylinder tube 142. That is, the vertical support and the horizontal thermal expansion of the edge portion of the heater 120 by the spring 162 can be made more stable. In this case, the spring 162 may be mounted between the cylinder tube 142 and the upper plate 152 of the slide member 150.

상기 하부 패널(114)에는 상기 보강부들(140)이 삽입되는 다수의 홈들(116)이 형성될 수 있다. 이는 상기 보강부들(140)이 상기 홈들(116)에 수용되도록 함으로써 상기 공정 챔버(110)의 크기를 감소시키기 위함이다. 이 경우 상기 보강부들(140)은 상기 홈들(116) 내에서 수평 방향으로 이동할 수 있으며, 이를 위하여 상기 홈들(116)은 상기 보강부들(140)보다 넓은 폭과 평탄한 저면을 각각 갖는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 보강부들(140)과 상기 홈들(116) 사이로 파티클들이 유입되는 것을 방지하기 위하여 상기 보강부들(140)을 감싸는 커버들(164)이 구비될 수 있다.A plurality of grooves 116 into which the reinforcement parts 140 are inserted may be formed in the lower panel 114. This is to reduce the size of the process chamber 110 by allowing the reinforcement parts 140 to be accommodated in the grooves 116. In this case, the reinforcement parts 140 may move in the horizontal direction in the grooves 116. For this purpose, the grooves 116 preferably have a wider width and a flat bottom than the reinforcement parts 140. In this case, covers 164 surrounding the reinforcement parts 140 may be provided to prevent particles from flowing between the reinforcement parts 140 and the grooves 116.

상기 커버들(164)은 도시된 바와 같이 링 형태를 가질 수 있다. 이 경우, 상기 커버들(164)은 상기 하부 패널(114) 상에 단순히 놓여질 수도 있으며, 이와 다 르게 상기 하부 패널(114)에 고정될 수도 있다. 상기 커버들(164)이 상기 하부 패널(114) 상에 고정되는 경우 상기 보강부들(140)의 수평 방향 이동을 위하여 상기 커버들(164)은 유연한 재질로 이루어질 수 있다.The covers 164 may have a ring shape as shown. In this case, the covers 164 may be simply placed on the lower panel 114, or may be fixed to the lower panel 114. When the covers 164 are fixed on the lower panel 114, the covers 164 may be made of a flexible material for horizontal movement of the reinforcement parts 140.

아울러, 도시되지는 않았으나, 상기 홈들(116) 내부로 유입된 파티클들을 제거하기 위하여 상기 홈들(116)의 측면 및/또는 저면에는 진공 시스템과 연결된 다수의 진공홀들(미도시)이 구비될 수 있다.In addition, although not shown, a plurality of vacuum holes (not shown) connected to a vacuum system may be provided at the side and / or bottom of the grooves 116 to remove particles introduced into the grooves 116. have.

도 3 내지 도 6은 도 2에 도시된 보강부의 다른 예들을 설명하기 위한 단면도들이다.3 to 6 are cross-sectional views for describing other examples of the reinforcement part illustrated in FIG. 2.

도 3을 참조하면, 보강부(140)는 공정 챔버(110)의 하부 패널(114A) 상에 배치될 수 있으며, 이 경우 상기 하부 패널(114A)에는 도 2에 도시된 바와 같은 홈들(116)이 형성되지 않으며, 또한 도 2에 도시된 바와 같은 커버(164)가 구비될 필요가 없다. 여기서, 상기 보강부(140)는 도 2에 도시된 바와 동일하므로 추가적인 설명은 생략한다.Referring to FIG. 3, the reinforcement part 140 may be disposed on the lower panel 114A of the process chamber 110, in which case the grooves 116 as shown in FIG. 2 are formed in the lower panel 114A. It is not formed and it is also not necessary to be provided with the cover 164 as shown in FIG. Here, since the reinforcing portion 140 is the same as shown in Figure 2, further description will be omitted.

도 4 및 도 5를 참조하면, 보강부(240)는 몸체(242)와 슬라이드 부재(244)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(242)는 상기 히터(120)의 가장자리 부위를 수직 방향으로 지지하기 위하여 단순히 상기 히터(120)의 가장자리 부위로부터 하방으로 연장하는 기둥 형태를 가질 수 있다. 또한, 상기 몸체(242)와 슬라이드 부재(244) 사이에는 스프링(246)이 개재될 수도 있다.4 and 5, the reinforcement part 240 may include a body 242 and a slide member 244. The body 242 may have a pillar shape extending downward from the edge portion of the heater 120 simply to support the edge portion of the heater 120 in the vertical direction. In addition, a spring 246 may be interposed between the body 242 and the slide member 244.

상기 보강부(240)는 도 4에 도시된 바와 유사하게 공정 챔버(110)의 하부 패널(114A) 상에 배치될 수도 있으며, 도 5에 도시된 바와 유사하게 공정 챔버(110) 의 하부 패널(114)에 형성된 홈(116) 내부에 배치될 수도 있다. 상기 슬라이드 부재(244)는 도 2를 참조하여 기 설명된 바와 동일하므로 추가적인 설명은 생략한다.The reinforcement part 240 may be disposed on the lower panel 114A of the process chamber 110 similarly to that shown in FIG. 4, and similar to that shown in FIG. 5, the lower panel ( It may be disposed inside the groove 116 formed in the 114. Since the slide member 244 is the same as described above with reference to FIG. 2, further description thereof will be omitted.

상기와 같이 히터(120)의 가장자리 부위를 단순히 지지하는 보강부(240)를 사용하는 경우, 도시되지는 않았으나, 상기 기판(10)의 로드 및 언로드를 위한 리프트 핀들은 상기 히터(120)의 열팽창에 의한 영향이 비교적 작은 부위들 즉 상기 히터(120)의 중앙 부위와 인접한 부위들을 통하여 배치될 수 있다.In the case of using the reinforcement part 240 that simply supports the edge portion of the heater 120 as described above, although not shown, lift pins for loading and unloading the substrate 10 are thermal expansion of the heater 120. Due to the relatively small portions may be disposed through the portions adjacent to the central portion of the heater 120.

도 6을 참조하면, 공정 챔버(110)의 하부 패널(114)에 형성된 홈(116)과 보강부(140) 사이의 공간으로 파티클들이 유입되는 것을 방지하기 위한 커버로서 수평 방향으로의 유연성을 갖는 벨로우즈(166)가 사용될 수 있다. 상기 벨로우즈(166)는 상기 히터(120)의 가장자리 부위와 상기 하부 패널(114) 사이에서 상기 보강부(140)를 전체적으로 감싸도록 설치될 수 있다.Referring to FIG. 6, a cover for preventing particles from flowing into the space between the groove 116 and the reinforcing part 140 formed in the lower panel 114 of the process chamber 110 may have flexibility in the horizontal direction. Bellows 166 may be used. The bellows 166 may be installed to completely surround the reinforcement part 140 between the edge portion of the heater 120 and the lower panel 114.

한편, 상기 보강부(140)는 도 2를 참조하여 기 설명된 바와 동일하므로 이에 대한 추가적인 설명은 생략한다. 또한, 상기 벨로우즈(166)는 도 5에 도시된 보강부(240)가 사용되는 경우에도 바람직하게 적용될 수 있다.On the other hand, since the reinforcement unit 140 is the same as described above with reference to Figure 2, further description thereof will be omitted. In addition, the bellows 166 may be preferably applied when the reinforcement part 240 shown in FIG. 5 is used.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 히터의 가장자리 부위들은 보강부에 의해 수직 방향으로 지지될 수 있으며, 또한 상기 히터의 수평 방향 열팽창이 상기 보강부의 슬라이드 부재에 의해 제한되지 않으므로, 상기 히터의 열변형 즉 처짐 현상이 크게 개선될 수 있다. 결과적으로, 상기 히터 상에 로드된 기판을 균일하게 가열할 수 있으며, 또한 상기 기판 상으로 공정 가스 또는 플라즈마가 균 일하게 제공될 수 있으므로, 상기 히터를 사용하는 기판 처리 장치의 성능 및 공정 불량이 크게 개선될 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, the edge portions of the heater can be supported in the vertical direction by the reinforcement portion, and since the horizontal thermal expansion of the heater is not limited by the slide member of the reinforcement portion, Heat deformation or sag of the heater can be greatly improved. As a result, since the substrate loaded on the heater can be heated uniformly, and a process gas or plasma can be uniformly provided on the substrate, the performance and process defect of the substrate processing apparatus using the heater can be reduced. It can be greatly improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims It can be understood that

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 보강부들을 설명하기 위한 확대 단면도이다.FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view for describing the reinforcement parts illustrated in FIG. 1.

도 3 내지 도 6은 도 2에 도시된 보강부의 다른 예들을 설명하기 위한 단면도들이다.3 to 6 are cross-sectional views for describing other examples of the reinforcement part illustrated in FIG. 2.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 기판 100 : 기판 처리 장치10: substrate 100: substrate processing apparatus

110 : 공정 챔버 114 : 하부 패널110: process chamber 114: lower panel

120 : 히터 130 : 가스 공급부120: heater 130: gas supply unit

140 : 보강부 142 : 실린더 튜브140: reinforcement 142: cylinder tube

144 : 리프트 핀 146 : 피스톤144: lift pin 146: piston

150 : 슬라이드 부재 162 : 스프링150: slide member 162: spring

164 : 커버164: cover

Claims (9)

기판을 처리하기 위한 공간을 제공하며 하부 패널을 갖는 공정 챔버;A process chamber providing a space for processing the substrate and having a lower panel; 상기 공정 챔버에 결합되어 상기 기판 상으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부;A gas supply unit coupled to the process chamber and supplying a process gas onto the substrate; 상기 기판을 지지하고 가열하기 위하여 상기 공정 챔버 내에 배치되며 평판 형태를 갖는 히터;A heater disposed in the process chamber for supporting and heating the substrate and having a flat plate shape; 상기 히터의 중앙 부위를 지지하는 서포트 부재; 및A support member for supporting a central portion of the heater; And 상기 히터의 가장자리 부위들에 결합되어 상기 히터의 가장자리 부위들을 수직 방향으로 지지하며 상기 하부 패널 상에서 수평 방향으로 슬라이드 가능하도록 구성된 다수의 보강부들을 포함하고,A plurality of reinforcements coupled to edge portions of the heater to support the edge portions of the heater in a vertical direction and configured to slide in a horizontal direction on the lower panel; 각각의 보강부는,Each reinforcement part, 상기 히터의 가장자리 부위에 결합되어 하방으로 연장하는 실린더 튜브;A cylinder tube coupled to an edge of the heater and extending downward; 상기 히터를 관통하여 수직 방향으로 이동 가능하며 상기 히터에 대하여 상기 기판의 로드 및 언로드 동작을 수행하기 위한 리프트 핀;A lift pin movable through the heater in a vertical direction and configured to perform a load and unload operation of the substrate with respect to the heater; 상기 실린더 튜브 내에 배치되어 공압 또는 유압에 의해 수직 방향으로 이동 가능하며 상기 리프트 핀과 연결된 피스톤; 및A piston disposed in the cylinder tube and movable in a vertical direction by pneumatic or hydraulic pressure and connected to the lift pin; And 상기 실린더 튜브의 하부에 장착되어 상기 실린더 튜브의 수평 방향 슬라이드가 가능하도록 하는 슬라이드 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a slide member mounted under the cylinder tube to enable horizontal slide of the cylinder tube. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 각각의 보강부는 상기 실린더 튜브와 상기 슬라이드 부재 사이에 배치되는 스프링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The apparatus of claim 1, wherein each reinforcement further comprises a spring disposed between the cylinder tube and the slide member. 제1항에 있어서, 상기 공정 챔버의 하부 패널에는 상기 보강부들이 각각 삽입되며 상기 보강부들을 각각 지지하는 저면을 각각 갖는 다수의 홈들이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the lower panel of the process chamber is provided with a plurality of grooves each having the reinforcement parts inserted therein and having a bottom surface respectively supporting the reinforcement parts. 제5항에 있어서, 상기 보강부들과 상기 홈들 사이로 파티클들이 유입되는 것을 방지하기 위하여 상기 보강부들을 각각 감싸는 커버들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The substrate processing apparatus of claim 5, further comprising covers covering the reinforcement portions to prevent particles from flowing between the reinforcement portions and the grooves. 기판을 처리하기 위한 공간을 제공하며 하부 패널을 갖는 공정 챔버;A process chamber providing a space for processing the substrate and having a lower panel; 상기 공정 챔버에 결합되어 상기 기판 상으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부;A gas supply unit coupled to the process chamber and supplying a process gas onto the substrate; 상기 기판을 지지하고 가열하기 위하여 상기 공정 챔버 내에 배치되며 평판 형태를 갖는 히터;A heater disposed in the process chamber for supporting and heating the substrate and having a flat plate shape; 상기 히터의 중앙 부위를 지지하는 서포트 부재; 및A support member for supporting a central portion of the heater; And 상기 히터의 가장자리 부위들에 결합되어 상기 히터의 가장자리 부위들을 수직 방향으로 지지하며 상기 하부 패널 상에서 수평 방향으로 슬라이드 가능하도록 구성된 다수의 보강부들을 포함하고,A plurality of reinforcements coupled to edge portions of the heater to support the edge portions of the heater in a vertical direction and configured to slide in a horizontal direction on the lower panel; 각각의 보강부는,Each reinforcement part, 상기 히터의 가장자리 부위에 결합되어 하방으로 연장하는 몸체;A body coupled to an edge of the heater and extending downward; 상기 몸체의 하부에 장착되어 상기 몸체의 수평 방향 슬라이드가 가능하도록 하는 슬라이드 부재; 및A slide member mounted to a lower portion of the body to enable a horizontal slide of the body; And 상기 몸체와 상기 슬라이드 부재 사이에 배치되는 스프링을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a spring disposed between the body and the slide member. 제7항에 있어서, 상기 공정 챔버의 하부 패널에는 상기 보강부들이 각각 삽입되며 상기 보강부들을 각각 지지하는 저면을 각각 갖는 다수의 홈들이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 7, wherein the lower panel of the process chamber is provided with a plurality of grooves each having the reinforcement portions inserted therein and having bottom surfaces respectively supporting the reinforcement portions. 제8항에 있어서, 상기 보강부들과 상기 홈들 사이로 파티클들이 유입되는 것을 방지하기 위하여 상기 보강부들을 각각 감싸는 커버들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 8, further comprising covers covering the reinforcement portions to prevent particles from flowing between the reinforcement portions and the grooves.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101341422B1 (en) * 2011-06-16 2013-12-13 주식회사 에스에프에이 Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display
KR101338746B1 (en) * 2011-12-23 2013-12-06 엘지이노텍 주식회사 Cvd apparatus
JP7198694B2 (en) * 2019-03-18 2023-01-04 東京エレクトロン株式会社 SUBSTRATE LIFT MECHANISM, SUBSTRATE SUPPORTER, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
WO2020222771A1 (en) * 2019-04-29 2020-11-05 Applied Materials, Inc. Support pin apparatus for substrate processing chambers
US20220336258A1 (en) * 2021-04-16 2022-10-20 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling lift pin movement
KR20220159003A (en) 2021-05-25 2022-12-02 세메스 주식회사 Heating unit and substrate treating apparatus including the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11145025A (en) 1997-11-10 1999-05-28 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Baking oven
JP2004095834A (en) 2002-08-30 2004-03-25 Sekisui Chem Co Ltd Method and equipment for heating plate-shaped work
JP2007005353A (en) 2005-06-21 2007-01-11 Future Vision:Kk Stage

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11145025A (en) 1997-11-10 1999-05-28 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Baking oven
JP2004095834A (en) 2002-08-30 2004-03-25 Sekisui Chem Co Ltd Method and equipment for heating plate-shaped work
JP2007005353A (en) 2005-06-21 2007-01-11 Future Vision:Kk Stage

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101871064B1 (en) 2015-12-02 2018-06-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Apparatus of processing workpiece in depressurized space

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