JPH10294275A - Heat treatment device and heat treatment method - Google Patents

Heat treatment device and heat treatment method

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JPH10294275A
JPH10294275A JP11633997A JP11633997A JPH10294275A JP H10294275 A JPH10294275 A JP H10294275A JP 11633997 A JP11633997 A JP 11633997A JP 11633997 A JP11633997 A JP 11633997A JP H10294275 A JPH10294275 A JP H10294275A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
substrate
mounting plate
heat treatment
cooling
Prior art date
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Pending
Application number
JP11633997A
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Japanese (ja)
Inventor
Masao Tsuji
雅夫 辻
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication of JPH10294275A publication Critical patent/JPH10294275A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide heat treatment device/method which can uniformly and cleanly heat-treat a substrate. SOLUTION: The heat treatment device is provided with a mount plate 13 arranged in a treatment room 12, a heating plate 14 heating the substrate W through the mount plate 13 by making it abut on the lower face of the mount plate 13, a cooling plate 15 cooling the substrate W through the mount plate 13 by making it abut on the lower face of the mount plate 13 and supporting pins 16 supporting the substrate W and raising/lowering it are provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは、半導体製造装置
用マスク基板等の基板を加熱および冷却することによ
り、当該基板を熱処理する熱処理装置および熱処理方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus and a heat treatment method for heating and cooling a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display panel, or a mask substrate for a semiconductor manufacturing apparatus. .

【0002】[0002]

【従来の技術】基板に対してレジスト塗布処理や現像処
理等の薬液処理を施す基板処理装置においては、薬液処
理の前後に基板を加熱処理装置により一旦加熱した後、
この基板を冷却処理装置により常温まで冷却する熱処理
が実行される。
2. Description of the Related Art In a substrate processing apparatus for performing a chemical treatment such as a resist coating process or a development process on a substrate, the substrate is temporarily heated by a heat treatment device before and after the chemical solution treatment.
A heat treatment for cooling the substrate to room temperature by a cooling processing device is performed.

【0003】このような熱処理を実行する加熱処理装置
や冷却処理装置などの熱処理装置は、ヒータなどの加熱
手段を内蔵した加熱プレートまたはペルチェ素子などの
冷却手段を内蔵した冷却プレートを処理室内に備え、こ
の加熱プレート又は冷却プレートの上面に基板を載置し
た状態で基板を加熱または冷却する構成となっている。
また、例えば実開昭63−193833号公報に記載さ
れたように、加熱プレートまたは冷却プレートの上面よ
り微小高さ突出する球体を配設し、加熱プレートまたは
冷却プレート上に、いわゆるプロキシミティギャップと
称される微小な間隔を保って基板を近接支持させた状態
で、基板を加熱または冷却するものもある。
A heat treatment apparatus such as a heat treatment apparatus or a cooling treatment apparatus for performing such heat treatment includes a heating plate having a built-in heating means such as a heater or a cooling plate having a built-in cooling means such as a Peltier element in a processing chamber. The substrate is heated or cooled while the substrate is placed on the upper surface of the heating plate or the cooling plate.
Further, as described in, for example, Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 63-193833, a sphere projecting a minute height from the upper surface of the heating plate or the cooling plate is provided, and a so-called proximity gap is formed on the heating plate or the cooling plate. In some cases, the substrate is heated or cooled in a state in which the substrate is closely supported at a small interval.

【0004】このような熱処理装置で基板を加熱及び冷
却処理する場合においては、搬送アームを有する基板搬
送機構により、基板を加熱処理装置に搬送して基板を加
熱処理した後、次にこの基板を冷却処理装置に搬送して
冷却処理する構成となっている。
[0004] When a substrate is heated and cooled by such a heat treatment apparatus, the substrate is transferred to a heat processing apparatus by a substrate transfer mechanism having a transfer arm, and the substrate is subjected to heat treatment. It is configured to be conveyed to a cooling processing device to perform a cooling process.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の熱
処理装置においては、基板を加熱処理する加熱処理装置
と基板を冷却処理する冷却処理装置とが別々のユニット
として構成されていることから、基板に対して加熱処理
と冷却処理とを施すために、基板を加熱処理装置から冷
却処理装置まで搬送する必要がある。
As described above, in the conventional heat treatment apparatus, the heat treatment apparatus for heating the substrate and the cooling treatment apparatus for cooling the substrate are configured as separate units. In order to perform heat treatment and cooling treatment on the substrate, it is necessary to transport the substrate from the heat treatment device to the cooling treatment device.

【0006】このため、基板の搬送時に基板が外気の影
響を受けて冷却され、基板の熱履歴が均一とならず、こ
れに伴い基板の処理結果が不均一となる場合がある。
For this reason, the substrate is cooled under the influence of the outside air when the substrate is transported, so that the heat history of the substrate is not uniform, and as a result, the processing result of the substrate may be non-uniform.

【0007】また、基板が加熱処理装置から冷却処理装
置まで搬送される間に汚染される場合がある。特に、化
学増幅型レジストを使用した場合等においては、基板の
搬送路に酸やアルカリ成分が存在した場合、基板がこれ
らの成分により汚染され、処理後の基板による製品の歩
留まりが低下する。
Further, the substrate may be contaminated while being transported from the heat processing apparatus to the cooling processing apparatus. In particular, when a chemically amplified resist is used, if an acid or alkali component is present in the transport path of the substrate, the substrate is contaminated by these components, and the product yield of the processed substrate is reduced.

【0008】さらには、基板を加熱した後冷却処理する
までの時間が長時間となった場合や、この時間を一定に
維持できない場合には、基板の処理が不均一となり、処
理後の基板による製品の歩留まりが低下する。例えば、
化学増幅型レジストを使用した場合においては、露光に
よりレジスト中に含まれる光酸発生剤にて酸を発生さ
せ、加熱処理の一種であるポストエクスポージャーベー
ク(PEB)によりこの酸を活性化して架橋反応または
分解反応を起こさせた後、冷却処理を行うことでその反
応を停止し、しかる後現像処理を行う工程を経ることか
ら、加熱処理から冷却処理に至る搬送時間を一定の時間
で、かつ、極力短い時間とすることが好ましい。
Further, when the time from heating the substrate to the cooling process is long, or when this time cannot be maintained constant, the processing of the substrate becomes uneven, and Product yield decreases. For example,
When a chemically amplified resist is used, a photoacid generator contained in the resist is used to generate an acid upon exposure, and the acid is activated by post-exposure bake (PEB), a type of heat treatment, to effect a crosslinking reaction. Or, after causing a decomposition reaction, the reaction is stopped by performing a cooling process, and then a developing process is performed.Thus, the transport time from the heating process to the cooling process is a fixed time, and Preferably, the time is as short as possible.

【0009】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、基板を均一かつ清浄に熱処理すること
のできる熱処理装置及び熱処理方法を提供することを目
的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a heat treatment apparatus and a heat treatment method capable of uniformly and cleanly heat treating a substrate.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、基板を載置するための載置部と、前記載置部に当接
または近接することにより、前記載置部を介して当該載
置部に載置された基板を加熱する加熱手段と、前記載置
部に当接または近接することにより、前記載置部を介し
て当該載置部に載置された基板を冷却する冷却手段とを
備えたことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, a mounting portion for mounting a substrate, and an abutment or close proximity to the mounting portion, allow the substrate to be placed through the mounting portion. Heating means for heating the substrate mounted on the mounting portion, and cooling the substrate mounted on the mounting portion via the mounting portion by contacting or approaching the mounting portion. And a cooling means.

【0011】請求項2に記載の発明は、基板を載置する
ための載置プレートと、前記載置プレートの下面に当接
または近接することにより、前記載置プレートを介して
当該載置プレートに載置された基板を加熱する加熱プレ
ートと、前記載置プレートの下面に当接または近接する
ことにより、前記載置プレートを介して当該載置プレー
トに載置された基板を冷却する冷却プレートとを備えた
ことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a mounting plate for mounting a substrate, and the mounting plate is brought into contact with or close to the lower surface of the mounting plate via the mounting plate. A heating plate that heats the substrate placed on the plate; and a cooling plate that cools the substrate placed on the placement plate via the placement plate by contacting or approaching the lower surface of the placement plate. And characterized in that:

【0012】請求項3に記載の発明は、請求項2に記載
の発明において、前記加熱プレートまたは前記冷却プレ
ートのいずれか一方を、前記載置プレートの下面に当接
または近接する熱処理位置と、前記載置プレートの下方
から側方に退避した退避位置との間で移動させる移動手
段と、前記加熱プレートまたは前記冷却プレートの他方
を、前記載置プレートの下面に当接または近接する熱処
理位置と、前記載置プレートから下方に離隔した退避位
置との間で、前記載置プレートに対して相対的に昇降さ
せる昇降手段とを備えている。
According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the present invention, one of the heating plate and the cooling plate is provided with a heat treatment position in contact with or close to a lower surface of the mounting plate; A moving means for moving between a retracted position retracted laterally from below the mounting plate, and a heat treatment position in which the other of the heating plate or the cooling plate abuts or approaches the lower surface of the mounting plate. Lifting means for raising and lowering relatively to the mounting plate between a retracted position separated downward from the mounting plate.

【0013】請求項4に記載の発明は、請求項3に記載
の発明において、前記移動手段は前記加熱プレートを前
記熱処理位置と前記退避位置との間で移動させるととも
に、前記昇降手段は前記冷却プレートを前記熱処理位置
と前記退避位置との間で前記載置プレートに対して相対
的に昇降させている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the invention, the moving means moves the heating plate between the heat treatment position and the retreat position, and the elevating means moves the cooling plate. The plate is moved up and down relatively to the mounting plate between the heat treatment position and the retracted position.

【0014】請求項5に記載の発明は、請求項2乃至4
いずれかに記載の発明において、前記支持プレートに穿
設された貫通孔を通過して前記基板をその下方から支持
することにより、当該基板を、前記載置プレート上に載
置された熱処理位置と、前記載置プレートの表面から上
方に離隔した受け渡し位置との間で、前記載置プレート
に対して相対的に昇降させる支持ピンをさらに有してい
る。
[0014] The invention according to claim 5 is the invention according to claims 2 to 4.
In the invention according to any one of the above, by supporting the substrate from below through a through hole formed in the support plate, the substrate, the heat treatment position placed on the mounting plate described above And a support pin that moves up and down relatively with respect to the mounting plate between a transfer position that is separated upward from the surface of the mounting plate.

【0015】請求項6に記載の発明は、基板を載置プレ
ート上に載置する搬入工程と、加熱プレートを前記載置
プレートの下面に当接または近接させることにより、前
記載置プレートを介して前記基板を加熱する加熱工程
と、前記加熱プレートを前記載置プレートの下面から離
隔させた後、冷却プレートを前記載置プレートの下面に
当接または近接させることにより、前記載置プレートを
介して前記基板を冷却する冷却工程と、前記基板を前記
載置プレートから搬出する搬出工程とを備えている。
According to a sixth aspect of the present invention, a carrying-in step of placing a substrate on a placing plate and a step of bringing a heating plate into contact with or approaching a lower surface of the placing plate allow the substrate to be moved through the placing plate. Heating the substrate by heating the heating plate, separating the heating plate from the lower surface of the mounting plate, and then contacting or approaching the cooling plate to the lower surface of the mounting plate. A cooling step of cooling the substrate by using a cooling plate, and a carrying-out step of carrying out the substrate from the mounting plate.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図1は、この発明に係る熱処理
装置の側面概要図である。なお、この図においては、後
述する冷却プレート15の昇降機構や加熱プレート14
の移動機構等については、図示を省略している。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic side view of a heat treatment apparatus according to the present invention. In this figure, an elevating mechanism of a cooling plate 15 and a heating plate
The moving mechanism and the like are not shown.

【0017】この熱処理装置は、処理室12内に配設さ
れた載置プレート13と、加熱プレート14と、冷却プ
レート15と、支持ピン16とを備える。
This heat treatment apparatus includes a mounting plate 13, a heating plate 14, a cooling plate 15, and support pins 16 disposed in a processing chamber 12.

【0018】載置プレート13は、基板Wを載置して熱
処理するためのものであり、例えば、アルミニウムまた
はセラミック製からなるその厚みが3mm程度の板状部
材から構成される。なお、この載置プレートは、熱伝導
性を有する各種の部材から構成することができる。
The mounting plate 13 is for mounting and heat-treating the substrate W, and is made of, for example, a plate-like member made of aluminum or ceramic and having a thickness of about 3 mm. In addition, this mounting plate can be comprised from various members which have thermal conductivity.

【0019】この載置プレート13には、支持ピン16
を貫通するための貫通孔21が穿設されている。また、
この載置プレート13は、図5及び図6に示すように、
鉛直方向を向く一対の支持棒22によりその対角線上の
位置を支持されている。なお、載置プレート13は、一
対の支持棒22に付設されたストッパー23によりその
下方向への移動を規制されている。このため、載置プレ
ート13は、上方へは移動可能となっている。
The mounting plate 13 has support pins 16
A through-hole 21 for penetrating through is provided. Also,
As shown in FIGS. 5 and 6, the mounting plate 13
The position on the diagonal line is supported by a pair of support rods 22 pointing in the vertical direction. The mounting plate 13 is restricted from moving downward by a stopper 23 attached to the pair of support bars 22. For this reason, the mounting plate 13 is movable upward.

【0020】再度図1を参照して、冷却プレート15
は、その内部にペルチェ素子と水冷機構とを内蔵する。
また、この冷却プレート15には、載置プレート13同
様、支持ピン16を貫通するための貫通孔24が穿設さ
れている。この冷却プレート15は、図5及び図6に示
すように、その一端に形成された突起部において前記支
持棒22と係合している。また、この冷却プレート15
は、他方に形成された突起部において鉛直方向を向くボ
ールネジ25と螺合している。このため、この冷却プレ
ート15は、モータ26の駆動でボールネジ25が回転
することにより、後述する載置プレート13の下面に当
接する冷却位置と載置プレート13から下方に離隔した
退避位置との間を昇降する。
Referring again to FIG. 1, cooling plate 15
Has a Peltier element and a water cooling mechanism built therein.
Further, in the cooling plate 15, similarly to the mounting plate 13, a through hole 24 for penetrating the support pin 16 is formed. As shown in FIGS. 5 and 6, the cooling plate 15 is engaged with the support rod 22 at a protrusion formed at one end thereof. The cooling plate 15
Is screwed with a ball screw 25 which faces in a vertical direction at a protrusion formed on the other side. For this reason, the cooling plate 15 is moved between a cooling position in contact with a lower surface of the mounting plate 13 described later and a retracted position separated from the mounting plate 13 by rotating the ball screw 25 by driving of the motor 26. Up and down.

【0021】再度図1を参照して、加熱プレート14
は、その内部にヒータを内蔵する。この加熱プレート1
4は、後述する移動機構により、後述する載置プレート
13の下面に当接する加熱位置と載置プレート13の下
方から側方に退避した退避位置との間を往復移動するよ
う構成されている。
Referring again to FIG. 1, the heating plate 14
Has a built-in heater inside. This heating plate 1
Numeral 4 is configured to reciprocate between a heating position in contact with a lower surface of the mounting plate 13 described later and a retracted position retracted laterally from below the mounting plate 13 by a moving mechanism described later.

【0022】図7は、加熱プレート14の移動機構を示
す斜視図である。加熱プレート14は、支持ブロック3
2に穿設された貫通孔を貫通して上下移動可能で、その
下端部に連結部材を介して車輪33が配設された一対の
昇降部材34に支持されている。支持ブロック32は、
同期ベルト35と連結されており、モータ36の駆動に
より、一対の案内部材37に案内されて水平方向に往復
移動する。また、車輪33が当接する案内面38は、そ
の一端が他の位置に比べ高くなる形状となっている。
FIG. 7 is a perspective view showing a mechanism for moving the heating plate 14. The heating plate 14 supports the support block 3.
2 can be moved up and down through a through-hole drilled in 2, and supported by a pair of lifting members 34 provided with wheels 33 at the lower end thereof via a connecting member. The support block 32
It is connected to a synchronous belt 35, and is guided by a pair of guide members 37 by a driving of a motor 36 to reciprocate in a horizontal direction. Further, the guide surface 38 with which the wheel 33 abuts is shaped such that one end is higher than other positions.

【0023】このような構成において、モータ36の駆
動により支持ブロック32が図7に示す矢印方向に移動
すれば、加熱プレート14も支持ブロック32とともに
矢印方向に移動した後、車輪33が案内面38に案内さ
れて昇降部材34が上方向に移動することにより、後述
する加熱位置まで上昇する。
In such a configuration, if the support block 32 moves in the direction of the arrow shown in FIG. 7 by driving the motor 36, the heating plate 14 also moves in the direction of the arrow along with the support block 32, and then the wheels 33 move to the guide surfaces 38. The ascending and descending member 34 is moved upward by being guided by the above, and ascends to a heating position described later.

【0024】再度図1を参照して、支持ピン16は、支
持アーム42上に立設されている。この支持アーム42
は、案内部材43により上下方向に移動可能に支持され
ており、エアシリンダ44の駆動により上昇位置と下降
位置との間を昇降可能に構成されている。
Referring again to FIG. 1, the support pin 16 is provided upright on the support arm 42. This support arm 42
Is supported by a guide member 43 so as to be movable in the vertical direction, and is configured to be able to move up and down between an ascending position and a descending position by driving an air cylinder 44.

【0025】支持アーム42には、蓋体45が付設され
ている。この蓋体42は、図1に示すように、支持アー
ム42が下降位置にある状態において載置プレート13
表面と当接することにより、熱処理すべき基板Wを覆う
処理空間を形成する。
A lid 45 is attached to the support arm 42. As shown in FIG. 1, the lid 42 holds the mounting plate 13 when the support arm 42 is at the lowered position.
By contacting the surface, a processing space that covers the substrate W to be heat-treated is formed.

【0026】また、支持アーム42端部の垂直部分に
は、開口部46が形成されている。この開口部46は、
支持アーム42が上昇位置にある状態において、処理室
12に形成された開口部47と対向し、これらの開口部
46、47により基板Wの通過口が形成される。
An opening 46 is formed in a vertical portion at the end of the support arm 42. This opening 46 is
When the support arm 42 is in the raised position, it faces the opening 47 formed in the processing chamber 12, and the opening 46, 47 forms a passage port for the substrate W.

【0027】次に、この熱処理装置による基板Wの熱処
理動作について説明する。
Next, the heat treatment operation of the substrate W by this heat treatment apparatus will be described.

【0028】先ず、熱処理を行うべき基板Wを処理室1
2内に搬入する。この状態においては、図2に示すよう
に、モータ26の駆動により、冷却プレート15を載置
プレート13の下面に当接する冷却位置に移動させる。
また、エアシリンダ44の駆動で支持アーム42を上昇
させることにより、支持ピン16を上昇位置に移動させ
る。さらに、加熱プレート14は、載置プレート13の
下方から側方に退避した退避位置に移動させておく。そ
して、図示しない基板搬送機構の搬送アームに支持され
た基板Wを、開口部46、47を通過させることにより
処理室12内に搬入し、支持ピン16上に載置する。
First, the substrate W to be subjected to the heat treatment is placed in the processing chamber 1.
Carry in 2 In this state, as shown in FIG. 2, the cooling plate 15 is moved to a cooling position in contact with the lower surface of the mounting plate 13 by driving the motor 26.
In addition, by raising the support arm 42 by driving the air cylinder 44, the support pin 16 is moved to the raised position. Further, the heating plate 14 is moved to a retracted position retracted laterally from below the mounting plate 13. Then, the substrate W supported by the transfer arm of the substrate transfer mechanism (not shown) is carried into the processing chamber 12 by passing through the openings 46 and 47 and is placed on the support pins 16.

【0029】次に、図3に示すように、支持ピン16を
下降位置まで下降させる。これにより、基板Wが載置プ
レート13上に載置される。また、蓋体45が載置プレ
ート13表面と当接することにより、基板Wを覆う処理
空間が形成される。
Next, as shown in FIG. 3, the support pin 16 is lowered to the lowered position. Thereby, the substrate W is placed on the placing plate 13. The processing space that covers the substrate W is formed by the lid 45 abutting on the surface of the mounting plate 13.

【0030】また、冷却プレート15を載置プレート1
3から下方に離隔した退避位置まで移動させる。そし
て、モータ36の駆動により、加熱プレート14を退避
位置から図7に示す矢印方向に移動させる。これによ
り、加熱プレート14は、図3に示すように、載置プレ
ート13の下面に当接する加熱位置に移動する。
The cooling plate 15 is placed on the mounting plate 1.
3 to a retracted position separated downward. Then, by driving the motor 36, the heating plate 14 is moved from the retracted position in the direction of the arrow shown in FIG. Thereby, the heating plate 14 moves to the heating position in contact with the lower surface of the mounting plate 13 as shown in FIG.

【0031】この状態において、載置プレート13は、
その下面に接触する加熱プレート14によって加熱され
る。従って、載置プレート13上に載置された基板W
は、載置プレート13を介して加熱プレート14により
加熱されることになる。
In this state, the mounting plate 13
It is heated by the heating plate 14 that contacts the lower surface. Therefore, the substrate W mounted on the mounting plate 13
Is heated by the heating plate 14 via the mounting plate 13.

【0032】基板Wに対する加熱処理が終了すれば、加
熱プレート14を加熱位置から退避位置に移動させる。
そして、図4に示すように、冷却プレート15を載置プ
レート13の下面に当接する冷却位置に移動させる。
When the heating process on the substrate W is completed, the heating plate 14 is moved from the heating position to the retracted position.
Then, as shown in FIG. 4, the cooling plate 15 is moved to a cooling position where the cooling plate 15 contacts the lower surface of the mounting plate 13.

【0033】これにより、載置プレート13は、その下
面に接触する冷却プレート15によって冷却される。従
って、載置プレート13上に載置された基板Wは、載置
プレート13を介して冷却プレート15により冷却され
ることになる。
Thus, the mounting plate 13 is cooled by the cooling plate 15 contacting the lower surface. Therefore, the substrate W mounted on the mounting plate 13 is cooled by the cooling plate 15 via the mounting plate 13.

【0034】基板Wに対する冷却処理が終了すれば、図
2に示すように、支持ピン16を上昇位置に移動させる
ことにより、基板Wを載置テーブル13表面より上昇さ
せる。そして、図示しない基板搬送機構の搬送アームに
より基板Wを支持し、開口部46、47を通過させて後
段の処理工程に向け搬送する。
When the cooling process for the substrate W is completed, as shown in FIG. 2, the substrate W is raised from the surface of the mounting table 13 by moving the support pins 16 to the raised position. Then, the substrate W is supported by a transfer arm of a substrate transfer mechanism (not shown), and transferred through openings 46 and 47 toward a subsequent processing step.

【0035】このような構成の熱処理装置においては、
基板Wを処理室12内の載置プレート13に載置したま
まの状態で、基板Wに対する加熱処理と冷却処理とを実
行することが可能となる。このため、従来のように、基
板Wを加熱処理装置から冷却処理装置まで搬送する必要
はない。従って、基板Wを均一かつ清浄な状態で、迅速
に加熱処理及び冷却処理することが可能となり、従来の
装置のように、基板が外気の影響を受けてその熱履歴が
不均一となったり汚染されたりすることを防止すること
ができる。
In the heat treatment apparatus having such a configuration,
The heating process and the cooling process for the substrate W can be performed while the substrate W remains mounted on the mounting plate 13 in the processing chamber 12. For this reason, it is not necessary to transfer the substrate W from the heat processing apparatus to the cooling processing apparatus as in the related art. Therefore, the substrate W can be quickly heated and cooled in a uniform and clean state, and the substrate is affected by the outside air, and the heat history becomes uneven or contaminated, unlike the conventional apparatus. Can be prevented.

【0036】また、加熱処理と冷却処理とを単一の装置
で実行することができることから、基板Wに対する一連
の処理を実行するための基板処理装置全体の占有面積を
低減することが可能となる。
Further, since the heating process and the cooling process can be performed by a single device, the area occupied by the entire substrate processing device for performing a series of processes on the substrate W can be reduced. .

【0037】また、従来の加熱処理装置においては、基
板Wの搬入搬出時に基板を通過させるためにシャッター
等を開放する必要があることから、加熱装置の処理室内
においてシャッター側の温度が低下して処理室内に熱勾
配を生じ、基板W全体を均一に処理することができなか
ったが、上記の熱処理装置においては、処理室12内が
加熱状態とはなっていない常温の状態においてのみ、開
口部46、47による基板の通過領域が形成されること
から、処理室12内にこのような熱勾配が生じることを
防止することができる。
Further, in the conventional heat treatment apparatus, it is necessary to open a shutter or the like in order to allow the substrate to pass through when the substrate W is loaded and unloaded, so that the temperature on the shutter side decreases in the processing chamber of the heating apparatus. Although a thermal gradient was generated in the processing chamber, the entire substrate W could not be uniformly processed. However, in the above-described heat treatment apparatus, the opening was formed only in the normal temperature state where the inside of the processing chamber 12 was not heated. Since the substrate passage area is formed by the substrates 46 and 47, it is possible to prevent such a thermal gradient from being generated in the processing chamber 12.

【0038】さらに、上記熱処理装置においては、熱処
理装置に基板Wを搬入しあるいは熱処理装置から基板W
を搬出する基板搬送装置に搬送アームは、常に常温状態
となった処理室12内に進入し、あるいは、常に冷却処
理を終了して常温となった基板Wと接触することにな
る。このため、搬送アームが暖められることを防止する
ことができ、レジスト塗布処理や現像処理等の薬液処理
を行う薬液処理ユニットに暖められた搬送アームが進入
し、あるいは薬液処理を施される基板Wが暖められた搬
送アームにより加熱されることに起因する基板Wの処理
不良を防止することが可能となる。
Further, in the above heat treatment apparatus, the substrate W is loaded into the heat treatment apparatus or the substrate W is transferred from the heat treatment apparatus.
The transfer arm enters the processing chamber 12 which is always in a normal temperature state, or comes into contact with the substrate W which has finished the cooling process and has become a normal temperature. For this reason, it is possible to prevent the transfer arm from being heated, and the heated transfer arm enters a chemical solution processing unit that performs a chemical solution process such as a resist coating process or a development process, or a substrate W on which a chemical solution process is performed. It is possible to prevent processing defects of the substrate W due to heating of the substrate W by the heated transfer arm.

【0039】なお、上述した実施の形態においては、基
板Wを載置テーブル13に対してその全面に接触する状
態で載置する場合について説明したが、例えば実開昭6
3−193833号公報に記載されたように、載置プレ
ート13の上面より微小高さ突出する球体を配設し、こ
の載置プレート13における球体上に基板Wを載置する
ことにより、載置プレート13上に微小な間隔を保って
基板Wを近接支持させた状態で、基板Wを加熱または冷
却するようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the case where the substrate W is mounted on the mounting table 13 in contact with the entire surface thereof has been described.
As described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-193833, a sphere projecting from the upper surface of the mounting plate 13 by a small height is provided, and the substrate W is mounted on the sphere on the mounting plate 13 so as to be placed. The substrate W may be heated or cooled in a state where the substrate W is closely supported on the plate 13 with a small interval.

【0040】また、上述した実施の形態においては、加
熱プレート14及び冷却プレート15を載置プレート1
3の下面に当接されることにより、載置プレート13を
加熱しあるいは冷却する場合について説明したが、載置
プレート13と加熱プレート14あるいは冷却プレート
15とを微細な距離だけ離隔した近接状態で配置するこ
とにより、載置プレート13を加熱しあるいは冷却する
ようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the heating plate 14 and the cooling plate 15 are
Although the case where the mounting plate 13 is heated or cooled by being in contact with the lower surface of the mounting plate 3 has been described, the mounting plate 13 and the heating plate 14 or the cooling plate 15 are closely separated from each other by a minute distance. By arranging, the mounting plate 13 may be heated or cooled.

【0041】さらに、上述した実施の形態においては、
比較的移動が容易な加熱プレート14を熱処理位置と退
避位置との間で往復移動させるとともに、水冷ユニット
等を内蔵することから長距離の移動が困難な冷却プレー
ト15を熱処理位置と退避位置との間でのみ昇降させる
場合について説明したが、加熱プレート14を昇降させ
冷却プレート15を往復移動させるようにしてもよい。
Further, in the above-described embodiment,
The relatively easy-moving heating plate 14 is reciprocated between the heat treatment position and the retreat position, and the cooling plate 15 that is difficult to move over a long distance because of the built-in water cooling unit is moved between the heat treatment position and the retreat position. Although the case where the heating plate 14 is moved up and down only has been described, the heating plate 14 may be moved up and down and the cooling plate 15 may be reciprocated.

【0042】また、上述した実施の形態においては、載
置プレート13を固定し、加熱プレート14、冷却プレ
ート15及び支持ピン16を昇降する構成としている
が、これに限られるものではなく、載置プレート13、
加熱プレート14、冷却プレート15及び支持ピン16
のうちのいずれか1個を固定し、他の3個を昇降する構
成であれば、いずれを固定してもよい。また、載置プレ
ート13、加熱プレート14、冷却プレート15及び支
持ピン16のすべてを昇降するようにすることも可能で
ある。
In the above-described embodiment, the mounting plate 13 is fixed, and the heating plate 14, the cooling plate 15, and the support pins 16 are raised and lowered. However, the present invention is not limited to this. Plate 13,
Heating plate 14, cooling plate 15, and support pins 16
Any one of them may be fixed as long as one of them is fixed and the other three are raised and lowered. Further, it is also possible to move all of the mounting plate 13, the heating plate 14, the cooling plate 15 and the support pins 16 up and down.

【0043】[0043]

【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、基板を
載置するための載置部と、載置部に当接または近接する
ことにより、載置部を介して当該載置部に載置された基
板を加熱する加熱手段と、載置部に当接または近接する
ことにより、載置部を介して当該載置部に載置された基
板を冷却する冷却手段とを備えたことから、基板を載置
部に載置したままの状態で加熱処理及び冷却処理するこ
とが可能となる。従って、基板を加熱処理装置から冷却
処理装置まで搬送する必要がなくなり、基板を清浄な状
態で均一かつ迅速に熱処理することができる。
According to the first aspect of the present invention, a mounting portion for mounting a substrate, and the mounting portion is brought into contact with or close to the mounting portion, through the mounting portion. Heating means for heating the substrate placed on the mounting portion, and cooling means for cooling the substrate placed on the mounting portion via the mounting portion by contacting or approaching the mounting portion. Therefore, it is possible to perform the heating process and the cooling process while the substrate is mounted on the mounting portion. Therefore, it is not necessary to transport the substrate from the heat treatment device to the cooling treatment device, and the substrate can be heat-treated uniformly and quickly in a clean state.

【0044】請求項2に記載の発明によれば、基板を載
置するための載置プレートと、載置プレートの下面に当
接または近接することにより、載置プレートを介して当
該載置プレートに載置された基板を加熱する加熱プレー
トと、載置プレートの下面に当接または近接することに
より、載置プレートを介して当該載置プレートに載置さ
れた基板を冷却する冷却プレートとを備えたことから、
基板を載置プレートに載置したままの状態で加熱処理及
び冷却処理することが可能となる。従って、基板を加熱
処理装置から冷却処理装置まで搬送する必要がなくな
り、基板を清浄な状態で均一かつ迅速に熱処理すること
ができる。
According to the second aspect of the present invention, the mounting plate for mounting the substrate and the lower surface of the mounting plate are brought into contact with or close to the lower surface of the mounting plate so that the mounting plate is interposed therebetween. A heating plate that heats the substrate placed on the mounting plate, and a cooling plate that cools the substrate placed on the mounting plate via the mounting plate by contacting or approaching the lower surface of the mounting plate. Having prepared,
Heating and cooling can be performed while the substrate remains on the mounting plate. Therefore, it is not necessary to transport the substrate from the heat treatment device to the cooling treatment device, and the substrate can be heat-treated uniformly and quickly in a clean state.

【0045】請求項3に記載の発明によれば、加熱プレ
ートまたは冷却プレートのいずれか一方を熱処理位置と
退避位置との間で移動させる移動手段と、加熱プレート
または冷却プレートの他方を熱処理位置と退避位置との
間で載置プレートに対して相対的に昇降させる昇降手段
とを備えることから、加熱プレートまたは冷却プレート
を選択的に載置プレートに当接または近接させる動作を
効率的に実行することが可能となる。
According to the third aspect of the present invention, the moving means for moving one of the heating plate and the cooling plate between the heat treatment position and the retreat position, and the other of the heating plate and the cooling plate being moved to the heat treatment position. Elevating means for elevating and lowering the mounting plate relative to the retracted position is provided, so that the operation of selectively bringing the heating plate or the cooling plate into contact with or approaching the mounting plate is efficiently performed. It becomes possible.

【0046】請求項4に記載の発明によれば、加熱プレ
ートを熱処理位置と退避位置との間で移動させるととも
に、冷却プレートを熱処理位置と退避位置との間で載置
プレートに対して相対的に昇降させることから、水冷ユ
ニット等を内蔵することから長距離の移動が困難な冷却
プレートの移動量を最小限にとどめることが可能とな
る。
According to the fourth aspect of the present invention, the heating plate is moved between the heat treatment position and the retreat position, and the cooling plate is moved relative to the mounting plate between the heat treatment position and the retreat position. As a result, the amount of movement of the cooling plate, which is difficult to move over a long distance because of the built-in water cooling unit and the like, can be minimized.

【0047】請求項5に記載の発明によれば、支持プレ
ートに穿設された貫通孔を通過して基板をその下方から
支持することにより、当該基板を、載置プレート上に載
置された熱処理位置と、載置プレートの表面から上方に
離隔した受け渡し位置との間で、載置プレートに対して
相対的に昇降させる支持ピンをさらに有していることか
ら、載置プレート上の基板を効率的に基板搬送装置との
間で受け渡すことが可能となる。
According to the fifth aspect of the present invention, the substrate is placed on the placing plate by supporting the substrate from below through the through hole formed in the supporting plate. Between the heat treatment position and the transfer position, which is separated upward from the surface of the mounting plate, since it further has support pins that move up and down relative to the mounting plate, the substrate on the mounting plate can be moved. It is possible to efficiently transfer the data to and from the substrate transfer device.

【0048】請求項6に記載の発明によれば、基板を載
置プレート上に載置する搬入工程と、加熱プレートを載
置プレートの下面に当接または近接させることにより、
載置プレートを介して基板を加熱する加熱工程と、加熱
プレートを載置プレートの下面から離隔させた後、冷却
プレートを載置プレートの下面に当接または近接させる
ことにより、載置プレートを介して基板を冷却する冷却
工程と、基板を載置プレートから搬出する搬出工程とを
備えることから、基板を載置プレートに載置したままの
状態で加熱処理及び冷却処理することが可能となる。従
って、基板を加熱処理装置から冷却処理装置まで搬送す
る必要がなくなり、基板を清浄な状態で均一かつ迅速に
熱処理することができる。
According to the sixth aspect of the present invention, the carrying-in step of mounting the substrate on the mounting plate and the contacting or approaching of the heating plate to the lower surface of the mounting plate can be performed.
A heating step of heating the substrate via the mounting plate, and, after separating the heating plate from the lower surface of the mounting plate, by contacting or approaching the cooling plate to the lower surface of the mounting plate, Since the method includes the cooling step of cooling the substrate and the unloading step of unloading the substrate from the mounting plate, it is possible to perform the heating process and the cooling process while the substrate remains mounted on the mounting plate. Therefore, it is not necessary to transport the substrate from the heat treatment device to the cooling treatment device, and the substrate can be heat-treated uniformly and quickly in a clean state.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明に係る熱処理装置の側面概要図であ
る。
FIG. 1 is a schematic side view of a heat treatment apparatus according to the present invention.

【図2】この発明に係る熱処理装置の側面概要図であ
る。
FIG. 2 is a schematic side view of a heat treatment apparatus according to the present invention.

【図3】この発明に係る熱処理装置の側面概要図であ
る。
FIG. 3 is a schematic side view of a heat treatment apparatus according to the present invention.

【図4】この発明に係る熱処理装置の側面概要図であ
る。
FIG. 4 is a schematic side view of a heat treatment apparatus according to the present invention.

【図5】冷却プレート15の昇降機構等を示す側面概要
図である。
FIG. 5 is a schematic side view showing an elevating mechanism of the cooling plate 15 and the like.

【図6】冷却プレート15の昇降機構等を示す斜視図で
ある。
FIG. 6 is a perspective view showing an elevating mechanism of the cooling plate 15 and the like.

【図7】加熱プレート14の移動機構を示す斜視図であ
る。
FIG. 7 is a perspective view showing a moving mechanism of the heating plate 14.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12 処理室 13 載置プレート 14 加熱プレート 15 冷却プレート 16 支持ピン 25 ボールネジ 26 モータ 32 支持ブロック 33 車輪 35 同期ベルト 36 モータ 38 案内面 42 支持アーム 44 エアシリンダ 45 蓋体 W 基板 12 Processing Room 13 Placement Plate 14 Heating Plate 15 Cooling Plate 16 Support Pin 25 Ball Screw 26 Motor 32 Support Block 33 Wheel 35 Synchronous Belt 36 Motor 38 Guide Surface 42 Support Arm 44 Air Cylinder 45 Cover W Substrate

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を載置するための載置部と、 前記載置部に当接または近接することにより、前記載置
部を介して当該載置部に載置された基板を加熱する加熱
手段と、 前記載置部に当接または近接することにより、前記載置
部を介して当該載置部に載置された基板を冷却する冷却
手段と、 を備えたことを特徴とする熱処理装置。
1. A mounting portion for mounting a substrate, and the substrate mounted on the mounting portion is heated via the mounting portion by contacting or approaching the mounting portion. A heat treatment comprising: a heating unit; and a cooling unit that abuts on or approaches the mounting unit to cool a substrate mounted on the mounting unit via the mounting unit. apparatus.
【請求項2】 基板を載置するための載置プレートと、 前記載置プレートの下面に当接または近接することによ
り、前記載置プレートを介して当該載置プレートに載置
された基板を加熱する加熱プレートと、 前記載置プレートの下面に当接または近接することによ
り、前記載置プレートを介して当該載置プレートに載置
された基板を冷却する冷却プレートと、 を備えたことを特徴とする熱処理装置。
2. A mounting plate on which a substrate is mounted, and a substrate mounted on the mounting plate via the mounting plate by contacting or approaching a lower surface of the mounting plate. A heating plate for heating; and a cooling plate for cooling a substrate mounted on the mounting plate via the mounting plate by contacting or approaching a lower surface of the mounting plate. Characteristic heat treatment equipment.
【請求項3】 請求項2に記載の熱処理装置において、 前記加熱プレートまたは前記冷却プレートのいずれか一
方を、前記載置プレートの下面に当接または近接する熱
処理位置と、前記載置プレートの下方から側方に退避し
た退避位置との間で移動させる移動手段と、 前記加熱プレートまたは前記冷却プレートの他方を、前
記載置プレートの下面に当接または近接する熱処理位置
と、前記載置プレートから下方に離隔した退避位置との
間で、前記載置プレートに対して相対的に昇降させる昇
降手段と、 を備えた熱処理装置。
3. The heat treatment apparatus according to claim 2, wherein one of the heating plate and the cooling plate is in a heat treatment position in contact with or close to a lower surface of the mounting plate, and below the mounting plate. Moving means for moving between the retreat position retracted to the side from, and the other of the heating plate or the cooling plate, a heat treatment position in contact with or close to the lower surface of the mounting plate, from the mounting plate A heat elevating means for elevating and lowering relative to the mounting plate, between the evacuation position separated downward and the evacuation position.
【請求項4】 請求項3に記載の熱処理装置において、 前記移動手段は前記加熱プレートを前記熱処理位置と前
記退避位置との間で移動させるとともに、前記昇降手段
は前記冷却プレートを前記熱処理位置と前記退避位置と
の間で前記載置プレートに対して相対的に昇降させる熱
処理装置。
4. The heat treatment apparatus according to claim 3, wherein the moving means moves the heating plate between the heat treatment position and the retreat position, and the elevating means moves the cooling plate to the heat treatment position. A heat treatment apparatus for elevating and lowering the mounting plate relative to the retreat position.
【請求項5】 請求項2乃至4いずれかに記載の熱処理
装置において、 前記支持プレートに穿設された貫通孔を通過して前記基
板をその下方から支持することにより、当該基板を、前
記載置プレート上に載置された熱処理位置と、前記載置
プレートの表面から上方に離隔した受け渡し位置との間
で、前記載置プレートに対して相対的に昇降させる支持
ピンをさらに有する熱処理装置。
5. The heat treatment apparatus according to claim 2, wherein the substrate is supported from below by passing through a through hole formed in the support plate, thereby supporting the substrate. A heat treatment apparatus further comprising a support pin that moves up and down relatively to the mounting plate between a heat treatment position mounted on the mounting plate and a transfer position that is separated upward from a surface of the mounting plate.
【請求項6】 基板を載置プレート上に載置する搬入工
程と、 加熱プレートを前記載置プレートの下面に当接または近
接させることにより、前記載置プレートを介して前記基
板を加熱する加熱工程と、 前記加熱プレートを前記載置プレートの下面から離隔さ
せた後、冷却プレートを前記載置プレートの下面に当接
または近接させることにより、前記載置プレートを介し
て前記基板を冷却する冷却工程と、 前記基板を前記載置プレートから搬出する搬出工程と、 を備えた熱処理方法。
6. A carrying-in step of mounting a substrate on a mounting plate, and a heating step of heating the substrate via the mounting plate by bringing the heating plate into contact with or near the lower surface of the mounting plate. A cooling step of cooling the substrate via the mounting plate by separating the heating plate from the lower surface of the mounting plate and then abutting or approaching the cooling plate to the lower surface of the mounting plate. A heat treatment method comprising: a step; and an unloading step of unloading the substrate from the mounting plate.
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