KR100731849B1 - 플라즈마를 이용한 기질 에칭 방법 - Google Patents

플라즈마를 이용한 기질 에칭 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100731849B1
KR100731849B1 KR1020017016014A KR20017016014A KR100731849B1 KR 100731849 B1 KR100731849 B1 KR 100731849B1 KR 1020017016014 A KR1020017016014 A KR 1020017016014A KR 20017016014 A KR20017016014 A KR 20017016014A KR 100731849 B1 KR100731849 B1 KR 100731849B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
etching
plasma
substrate
gas
etching gas
Prior art date
Application number
KR1020017016014A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020041333A (ko
Inventor
아난드 스리니바산
칼-프레드릭 칼스트롬
거나 란드그렌
Original Assignee
서페이스 테크놀로지 시스템스 피엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from SE9902344A external-priority patent/SE9902344D0/xx
Application filed by 서페이스 테크놀로지 시스템스 피엘씨 filed Critical 서페이스 테크놀로지 시스템스 피엘씨
Publication of KR20020041333A publication Critical patent/KR20020041333A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100731849B1 publication Critical patent/KR100731849B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
    • H01L21/30621—Vapour phase etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

원소 구성물이 주기율 표에서 그룹 III 및 V로부터 선택된 기질은 예비 형성된 마스킹 영역을 갖는다. 기질을 에칭하는 것은 a) 질소와 연결된 적어도 하나의 메틸 그룹(CH3)을 갖는 분자를 포함하는 가스를 플라즈마로 형성하고;vb) 플라즈마 수단으로 기질의 마스킹되지 않은 영역을 에칭하는 단계로 구성된다. 원소 구성물이 주기율 표에서 그룹 II 및 VI으로부터 선택된 기질에 대해서, 사용된 플라즈마 에팅 가스는 트리메틸라민이다. 질소 메틸 화합울이 탄화수소 혼합물보다 낮은 접착을 하고 있기 때문에, 자유 메칠 라디칼은 얻기가 더 쉬우며 가스는 메틸 공급원 같이 더 효율적이다. 또한 탄화수소 혼합물과 비교해 볼 때, 감소된 폴리며 형성은 낮은 접착 에너지 때문에 폴리며 발생 탄화수소에 대해 메틸 라디칼의 우선적인 형성으로 인해 예상될 수 있다.

Description

플라즈마를 이용한 기질 에칭 방법{IMPROVEMENTS RELATING TO PLASMA ETCHING}
본 발명은 광전자 공학, 전자 및 마이크로 기계 장치 제품의 영역에 대한 특정한 응용 및 에칭법에 관련된다.
많은 반도체 장치는 그룹 III에서 선택된 한가지 이상의 원소와, 주기율 표의 그룹 V에서 선택된 한가지 이상의 원소로 구성된다. 이러한 재료의 예는 InP(Indium Phosphide), GaAs, 3원 물질(InxGa1-xAs), 4원 물질(InxGA1-xAsyP1-y)이 있다.
일반적으로 반도체 장치의 제조는 고체 기질의 표면을 에칭이나 증착으로 처리하는 것을 포함한다. 고체기질을 처리하기 위한 종래의 방법은 화학적으로 또는 물리적으로 기질에 반응하는 가스분자의 글로우(glow) 방출을 일으키는 가스의 플라즈마에 기질을 노출시키는 것이다.
재료 III-V는 탄화수소 가스를 사용하여 에칭될 수 있다. Avishay Katz의 "Indium Phosphide and Related Materials, Processing, Technology and Devices"(Artech House Boston, London)에 대한 책에서, InP 및 관련 재료를 에칭하는 방법이 설명되었다.
상기 책에서 기질의 표면을 에칭하는 것은 휘발성 유기금속 종류((CH3)xIn같 은 메틸-III 재료) 및 수소-V 화합물의 형성으로 이루어진다.
특히 (CH3)xIn 같은 유기금속 종류의 형성은 엄격한데, 왜냐하면, 특히 인같은 V-원소는 휘발성이어서, 표면에서 그룹 V-원소 부족이 발생할 수 있기 때문이다. 특히 인듐 같은 III-원소가 풍부해지면 인듐이 풍부한 영역은 마이크로-마스킹 효과를 야기하여, 에칭이 어려워지고 따라서 하부의 결정을 마스킹하기 어려워져, 표면 형태가 거칠어진다.
그러나, 높은 인듐 메틸 형성율을 보정하기 위해 탄화수소 에칭 가스를 증가시키면 표면 위에 에칭 방지 폴리머(polymer) 필름이 형성되어, 마스크에 심한 폴리머를 조성하게 한다.
본 발명의 목적은 V-원소의 우선 에칭을 방지하면서 III-원소의 향상된 에칭으로 에칭하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 예비형성된 마스킹 영역에 제공되는 기질을 에칭하는 방법이 제공되는데, 이러한 영역의 원소 구성성분은 주기율표의 그룹 III 및 V로부터 선택되며, 이러한 방법은 질소에 결합된 메틸 화합물을 포함하는 가스를 사용하여 플라즈마 환경에서 자유 메틸 라디칼(radical)을 제공한다.
특히 메틸라민(methylamine)(CH3NH2), 디메틸라민(dimethylamine)((CH3)2NH), 트리메틸라민(trimethylamine)((CH3)3N)이 에칭 가스로 이용될 수 있다. 선호되는 기질 재료는 InN, InP, InAs, InSb, InGaAsP, GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlP, AlAs, AlSb, AlGaAs, AlGaN 및 AlGaInn 화합물이다.
또한 그 표면 원소 구성물이 주기율 표의 그룹 III 및 V로부터 선택되는 상술한 재료 뿐만 아니라, 그 표면 원소 구성물이 주기율표 그룹 II 및 VI로부터 선택되는 물질들도 상기 에칭 가스를 이용하여 에칭될 수 있다. 하지만 후자의 경우에 에칭 가스로 트리메틸라민을 사용하는 것이 선호된다. 선호적으로 후자의 경우에 해당하는 재료는 CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, MgS, MgSe, MgTe, MnS, MnSe, MnTe, PbS, PdSe, PbTe, SnS, SnTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdHgTe 및 이러한 화합물을 기초로하는 그외 다른 합금으로 구성된다.
질소에 결합된 메틸 화합물로 구성되는 에칭가스가 다른 가스와 혼합되는 것이 또한 바람직하다. 이같은 추가적인 가스는 H2, N2, O2, 비활성 가스(가령, 아르곤) 혹은 할로겐 함유 가스(Cl2,BCl3) 혹은 이들의 조합으로 구성된다.
본 발명의 실시예에 따른 방법은 전술된 단점을 줄일 수 있고, 더욱 매끄러워진 이온 광선 에칭 표면이 제조된다.
또한 낮은 접착 에너지 때문에 폴리머 발생 탄화수소 라디칼에 대한 메틸 라디칼의 우선적으로 형성됨으로서 폴리머 형성이 저조할 것으로 예상된다. 이에 따라, 낮은 폴리머 형성을 유지하면서, 높은 메틸 함유 기체 흐름이 V-원소의 우선적인 에칭을 방해하도록 하여, 공정 최적화를 위해 유용한 매개변수 범위를 증가시킨다.
또한 이온 빔 에칭과는 다른 플라즈마 에칭을 이용하는 것이 가능하다. 즉, 자기장과 함께 극초단파(microwave) 전력을 공급하거나, 극초단파 전력 만을 공급하거나, 무선 주파수(RF) 전력 혹은 DC 전력을 공급함으로서, 플라즈마로 형성되는 상술한 에칭 기체들이 사용된다. 이러한 에칭 방식을 이용함으로서 V-원소를 우선적으로 제거하는 것을 방지하면서 III/V 화합물 재료 내에 있는 III 원소에 향상된 에칭을 하도록 한다.
본 발명은 하기 설명될 선호되는 실시예 및 다양한 방법으로 수행될 수 있으며, 도면을 참고하여 설명된다.
도 1은 본 발명의 실시예를 따르는 에칭법이 사용된 유도적으로 연결된 플라즈마 이온 광선 에칭 장치의 구조를 도시한 측면도;
도 2는 본 발명의 실시예를 따르는 에칭방법이 사용된 평행 플레이트(plate) 형식 플라즈마 에칭 장치의 구조를 도시하는 측면도;
도 3은 본 발명의 실시예를 따르는 에칭 방법을 사용한 전자 사이클로트론(cyclotron) 동조(ECR) 에칭 장치의 구조를 도시한 측면도;
도 4는 본 발명의 실시예를 따르는 에칭 방법을 사용한 유도적으로 커플링된 플라즈마(ICP) 에칭 장치 구조를 도시한 측면도;
도 5는 본 발명의 실시예를 따르는 에칭 방법이 사용된 원통 반응기 플라즈마 에칭의 구조를 도시한 측면도;
도 6은 본 발명의 실시예를 따르는 에칭 방법이 사용된 전자 사이클로트론 동조 플라즈마 이온 광선 에칭의 구조를 도시한 측면도;
도 7A는 방염 마스크를 갖는 InP 샘플을 도시하는 횡단면도;
도 7B는 방염 마스크를 제거한 후 에칭된 InP 샘플을 도시하는 횡단면도;
도 8은 본 발명의 실시예를 따르는 에칭법으로 기초 에칭을 한 후에 InP의 테스트 구조를 도시하는 전자 현미경 사진의 스캔;
도 9는 본 발명의 실시예를 따르는 에칭 방법이 사용된 다이오드 형석 플라즈마 에칭 장치 구조를 도시하는 측면도;
표 1은 원자 현미경으로 다른 에너지를 사용하여 에칭된 InP 표면의 측정된 제곱 평균 제곱근(rms.) 거칠기를 나타내는 표. 첫 번째 2열은 본 발명의 실시예를 따르는 에칭 방법에 의해 에칭되는 InP 표면의 rms. 거칠기를 나타내고, 마지막 열은 표면 아르곤 스퍼터링(sputtering)에 의해 에칭된 InP 표면의 rms. 거칠기를 나타낸다.
* 부호 설명
1 ... 플라즈마 발생 챔버 2 ... 에칭 챔버
3 ... 추출 그리드 4 ... 가속 그리드
5 ... 영구자석 6 ... 코일
7 ... 가스 주입 공동 8 ... 절연 커플링 윈도우
9 ... 배출 포트 10 ... InP 기질
11 ... 기질 테이블
본 발명에 따라 InP 기질을 에칭하는 방법이 도면을 참고로 설명될 것이다.
(1) 본 발명의 실시예에 따라 InP 기질을 에칭하는 방법이 사용된 유도적으로 커플링된 무선 주파수 플라즈마(ICP) 이온 광선 에칭 시스템의 설명.
도 1에서 플라즈마 발생 챔버(1)는 플라즈마를 형성하는데 사용된다. 플라즈마는 코일(6)로부터 플라즈마 발생 챔버(1)로 들어가는 13.56 MHz RF-전력의 유도 커플링에 의해 발생한다. RF-전력은 코일(6)의 대기압력으로부터 플라즈마 발생 챔버(1)의 진공을 절연하는 절연 커플링 윈도우(8)를 통해 코일(6)로부터 플라즈마 발생 챔버(1)에 커플링된다. 에칭 챔버(2)는 추출 그리드(3) 및 가속 그리드(4)를 통해 플라즈마 발생 챔버(1)에 연결된다. 플라즈마 발생 챔버(1)에 발생된 플라즈마의 이온은 추출 그리그(3)에 음극 바이어스(bias)를 가속 그리드(4)에는 양극 바이어스를 적용하여 InP 기질(10)을 향해 가속된다. InP 기질(10)은 추출 그리드(3) 및 가속 그리드(4)에 대해 접지되는 기질 테이블(11)에 놓인다.
영구 자석(5)은 플라즈마 발생 챔버 내에서 코일(6)로부터 가스 플라즈마에 대한 RF-전력 커플링을 강화시킨다. 가스는 가스 주입 공동(7)을 통해 플라즈마 발생 챔버(1)에 주입된다. 배출 포트(port)(9)는 에칭 챔버에(2)로부터 제공되며, 과도 에칭 가스 및 반응 가스는 이 포트를 통해 에칭 챔버의 외부로 배출된다.
유도 커플링 무선 주파수 플라즈마 이온 광선 에칭 시스템은 대상물에 대한 이온 에너지는 수 eV에서 최고 900 eV까지의 범위내에서 제어될 수 있는 특징을 갖는다. 또한, 에칭은 기질을 가열하지 않고 거의 실내 온도에 가까운데서 행해질 수 있는 특징을 갖는다.
InP 기질(10)이 에칭될 때, 기질(10)이 기질 테이블(11)에 놓인다. 그런다음, 트리메틸라민((CH3)3N) 가스는 가스 주입 공동(7)을 통해 플라즈마 발생 챔버(1)로 주입되고, RF-전력은 플라즈마를 형성하는 코일(16)로 부터의 유도 커플링으로 인해 플라즈마 발생 챔버(1)로 이입된다. 플라즈마로부터의 양극 이온 종류는 적용된 그리드 바이어스에 의해 가속 그리드(4) 및 제거 그리도(3) 사이에서 얻어진 전압으로 InP 기질(10)을 향해 가속된다. InP 기질(10)에 가해진 이온들의 이온 에너지는 기질 테이블(11)의 접지로 인한 가속 그리드(4)에 적용된 바이어스에 의해 결정된다. 가해진 이온은 InP 기질(10)을 에칭한다.
이온 광성 에칭 장치 보다 오히려 도 2에 도시된 것과 같은 평행 플레이트 형식 에칭 장치가 사용될 수 있다. 이러한 평행 형식 에칭 장치에서, 13.56MHz 주파수를 갖는 RF 전력은 마주보는 전극 사이에 공급되며, 기질(1)을 에칭하기 위해 에칭 챔버에 있는 에칭 가스를 플라즈마로 형성시킨다. 챔버는 유입구(2) 및 가스 배출구(3)을 갖는다.
도 9에 도시된 다이오드 형식 에칭 장치에서, 13.56 MHz의 주파수를 갖는 RF 전력은 기질(1)이 위치한 전극에 공급되며, 기질을 에칭하기 위해 에칭챔버에 있는 에칭 가스를 플라즈마로 형성한다. 챔버의 벽은 접지된다. 챔버는 유입구(2) 및 가스 배출구(3)를 갖는다.
도 3의 ECR 에칭 장치에서 챔버는 가스 유입구(2) 및 가스 배출구(3)를 갖고 기질(1)에 대해 장착되어 있다. 극초단파 입력은 (4) 부분에 제공되고 자석(5)은 전력 커플링을 향상시키기 위해 사용된다.
도 4의 (ICP) 형식 에칭 장치에서 챔버는 기질(1)을 지지하고 가스 유입구(2) 및 가스 배출구(3)를 갖는다.
도 5의 원통 반응 에칭 장치는 가스 유입구(2) 및 가스 배출구(3)를 갖으며 도시된 기질(1)을 지지한다.
또한 이온 광선 에칭 장치는 아무형식의 플라즈마 공급원을 갖으며, 도 6에 도시된 특히 ECR 플라즈마 공급원 혹은 도 1에 도시된 ICP 공급원에서, 이러한 장치가 사용될 수 있다. 도 5에서 기질은 (1)부분에 있고 챔버는 가스 유입구(2) 및 가스 배출구(3)를 갖는다. 전압 그리드는 전력 커플링을 향상시키기 위해 사용된 자석(5) 및 극초단파 입력(6)과 함께 제공된다.
하기 이온 광선 에칭 장치의 사용에 대해 자세히 설명되었지만, 당해업자에게 잘 알려진 모든 형식의(전술된 범위도 포함하여) 고밀도 및 저밀도 플라즈마 도구가 사용될 수 있다.
(2) 본 발명의 실시예에 따르는 InP 기질을 에칭하기 위한 방법 설명
첫째로, 스핀(spin) 코팅 방법으로 InP 기질 위에 방염이 코팅된다. 그런다음 코팅된 방염은 1.2㎛의 두께를 갖는 방염필름을 형성하기 위해 구워져서 단단해진다. 그리고 방염 필름은 선택적으로 포토마스크를 이용하여 노출되며, 필요없는 부분은 기질을 현상액에 담가 제거되며, 그 후에 도 7A에 도시된 오프닝을 갖는 방염 마스크를 완성시킨다. 도 7A에서 기질(1)은 완성된 방염 마스크(12)를 갖는 것이 도시되었다.
다음으로 도 1에 도시된 유도 커플링 플라즈마 이온 광선 에칭 장치를 사용하여 방염 마스크를 갖는 InP 기질(10)을 에칭 챔버(2)에 있는 기질 테이블(11) 위에 놓는다. 그런다음 에칭 챔버(2)의 내부 및 플라즈마 발생 챔버(1)의 내부는 배 출된다.
미리 정해진 기본 압력에 도달된 후에 트리메틸라민 가스는 플라즈마 발생 챔버(1)에 유입되며, 압력은 일정한 펌핑 속도로 인해 가스 유동을 변화시켜 1.0x10-4 Torr에서 6.0x10-4 Torr의 압력에 고정시킨다. 본 실시예의 경우에서 압력은 2.0x10-4Torr에 고정되고 트리메틸라민 가스 유동은 3sccm에 고정된다. 또한, 170W의 RF 전력은 플라즈마 발생 챔버(1)에 유입된다. 여기서 트리메틸라민은 RF-전력의 유도 커플링을 통해 플라즈마로 형성된다. 플라즈마 가스는 가속 그리드(4) 및 제거 그리드(3)를 통과해 에칭 챔버(2)로 들어가며 이온화 종류는 InP 기질을 향해 가속되며 에칭을 시작한다. 다른 고밀도 실시예에서, 이온화 종류의 가속은 전자 바이어스를 적용하는 수단에 의해 이루어지며, 적용 수단은 당해업자에 잘 알려져있다. 이러한 가속 바이어스는 에칭 처리는 하는 중에 매우 중요한 역할을 한다. 에칭을 한 후에, 방염 마스크는 도 7B에 도시된 바와 같이 아세톤에 의해 제거된다. 다른 남아있는 방염은 산화 플라즈마 처리를 통해 제거된다.
(3) 상기 에칭의 다음 결과가 설명될 것이다.
도 8은 30 분동안 에칭을 한 후 2.0x10-4 Torr의 압력에서 3sccm의 트리메틸라민 유동을 갖는 InP의 에칭 테스트 구조의 전자 현미경 사진을 스캔한 것이다. 제거 그리드(3) 및 가속 그리드(4)의 바이어스는 접지된 기질 테이블(11)에 대해 각각 -300V 및 +300V로 유지된다.
표 1은 원자 현미경으로 특정된 에칭된 InP 표면의 근. 거칠기를 나타낸다. 에칭 깊이는 모든 경우에 있어서 200nm이다.
표 1의 1열은 충격 이온의 다른 에너지에 대한 상기 설명된 트리메탈라인(TMA) 가스를 사용하여 에칭된 InP 표면의 rms. 거칠기를 나타낸다. 오직 가속 그리드 전압 및 처리 시간만이 다른 모든 매개변수가 일정할 때 변하게 된다.
표1의 2 열은 상기 설명에서 에칭된, 그런데 충격 이온의 다른 에너지에 있는 아르곤 가스 및 트리메탈라인(TMA)의 혼합을 사용하여 에칭된 InP 기질의 rms. 거칠기의 다이아그램이다. 오직 가속 그리드 전압 및 처리 시간만이 다른 모든 매개변수가 일정할 때 변하게 된다. 동일한 에칭 장치로 표 1의 1열에 설명된 것과 비슷한 조건에서 에칭이 수행된다. 트리메틸라민 및 아르곤의 가스 유동은 각각 3ccm 및 5ccm 이다.
표 1의 3열은 충격 이온의 다른 이온 에너지를 갖는 표준 아르곤 스퍼터링을 사용하여 에칭된 InP의 rms. 거칠기의 다이아그램을 나타낸다. 오직 가속 그리드 전압 및 처리 시간만이 다른 모든 매개변수가 일정할 때 변하게 된다. 동일한 에칭 장치로 표 1의 1열에 설명된 것과 비슷한 조건에서 에칭이 수행된다. 아르곤 가스 동은 5sccm이다.
원자 현미경 관찰의 결과로부터 트리메탈라인을 기초로 한 처리는 표준 아르곤 밀링과 비교해 볼 때 매우 부드러운 형태(낮은 rms. 거칠기같은)를 만들어낸다. 그러므로 본 발명의 실시예를 따르는 에칭 방법을 사용하여 매우 부드러운 에칭 InP 표면 형태를 얻을 수가 있다.
Figure 112001032843768-pct00001

Claims (12)

  1. 원소 구성물이 주기율 표에서 그룹 III 및 V로부터 선택되는 예비 형성된 마스킹 영역을 갖는 기질을 에칭하는 방법에서, 상기 방법은;
    a) 질소와 연결된 한개 이상의 메틸 그룹(CH3)을 갖는 분자를 포함하는 에칭 가스를 플라즈마로 형성하고;
    b) 상기 플라즈마를 이용하여 기질의 마스킹되지 않은 영역을 에칭하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 기질 에칭 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 에칭 가스는 메틸라민(methylamine)(CH3NH2), 디메틸라민(dimethylamine)((CH3)2NH), 트리메틸라민(trimethylamine)((CH3)3N)으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 기질 에칭 방법.
  3. 원소 구성물이 주기율 표에서 그룹 II 및 VI으로부터 선택되는 예비 형성된 마스킹 영역을 갖는 기질을 에칭하는 방법에서, 상기 방법은;
    a) 트리메틸라민((CH3)3N)을 함유한 에칭 가스를 플라즈마로 형성하고;
    b) 상기 플라즈마를 이용하여 기질의 마스킹되지 않은 영역을 에칭하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 기질 에칭 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 에칭 가스는 H2, N2, O2, 비활성 가스(Ar), 또는 할로겐 함유 가스(Cl2,BCl3), 또는, 이들의 조합과 혼합되는 것을 특징으로 하는 기질 에칭 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 단계 a)는 자기장과 함께 극초단파 전력을 에칭 가스에 공급하여 에칭 가스를 플라즈마로 형성하게 하는 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 기질 에칭 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 단계 a)는 극초단파 전력을 에칭 가스에 공급하여 에칭 가스를 플라즈마로 형성하게 하는 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 기질 에칭 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 단계 a)는 무선 주파수 전력을 에칭 가스에 공급하여 에칭 가스를 플라즈마로 형성하도록 하는 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 기질 에칭 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 단계 a)는 DC 전력을 에칭 가스에 공급하여 에칭 가스를 플라즈마로 형성하도록 하는 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 기질 에칭 방법.
  9. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 이온이 DC 바이어스에 의해 가속되는 것을 특징으로 하는 기질 에칭 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 DC 바이어스는 0-900 eV 범위의 에너지를 발생시키는 것을 특징으로 하는 기질 에칭 방법.
  11. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 공급 전력은 0-900 eV 범위의 이온 에너지로 변환되는 것을 특징으로 하는 기질 에칭 방법.
  12. 삭제
KR1020017016014A 1999-06-21 2000-06-21 플라즈마를 이용한 기질 에칭 방법 KR100731849B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9902344-2 1999-06-21
SE9902344A SE9902344D0 (sv) 1999-06-21 1999-06-21 Dry etching process of III-V-semiconductor
SE9903213-8 1999-09-10
SE9903213A SE9903213D0 (sv) 1999-06-21 1999-09-10 Dry etching process of compound semiconductor materials

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020041333A KR20020041333A (ko) 2002-06-01
KR100731849B1 true KR100731849B1 (ko) 2007-06-25

Family

ID=26663600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017016014A KR100731849B1 (ko) 1999-06-21 2000-06-21 플라즈마를 이용한 기질 에칭 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6933242B1 (ko)
EP (1) EP1188180B1 (ko)
JP (1) JP4979167B2 (ko)
KR (1) KR100731849B1 (ko)
AT (1) ATE448566T1 (ko)
DE (1) DE60043300D1 (ko)
SE (1) SE9903213D0 (ko)
WO (1) WO2000079578A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210007039A (ko) * 2014-04-01 2021-01-19 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기질의 표면 처리를 위한 방법 및 장치

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6820570B2 (en) 2001-08-15 2004-11-23 Nobel Biocare Services Ag Atomic layer deposition reactor
KR100759808B1 (ko) * 2005-12-08 2007-09-20 한국전자통신연구원 Ｉｉｉ－ｖ 족 반도체 다층구조의 식각 방법 및 이를이용한 수직공진형 표면방출 레이저 제조 방법
US20080239428A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-02 Inphase Technologies, Inc. Non-ft plane angular filters
WO2011056783A2 (en) * 2009-11-09 2011-05-12 3M Innovative Properties Company Etching process for semiconductors
KR102399578B1 (ko) * 2015-06-05 2022-05-17 램 리써치 코포레이션 GaN 및 다른 III-V 족 재료들의 원자층 에칭
US10096487B2 (en) 2015-08-19 2018-10-09 Lam Research Corporation Atomic layer etching of tungsten and other metals
US9991128B2 (en) 2016-02-05 2018-06-05 Lam Research Corporation Atomic layer etching in continuous plasma
US10566212B2 (en) 2016-12-19 2020-02-18 Lam Research Corporation Designer atomic layer etching
KR20210078264A (ko) * 2019-12-18 2021-06-28 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5534109A (en) * 1993-12-28 1996-07-09 Fujitsu Limited Method for etching HgCdTe substrate

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5527425A (en) 1995-07-21 1996-06-18 At&T Corp. Method of making in-containing III/V semiconductor devices
JPH10303181A (ja) * 1997-04-28 1998-11-13 Mitsui Chem Inc 乾式プロセスガス
JPH1116896A (ja) * 1997-06-27 1999-01-22 Fujitsu Ltd 化合物半導体装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5534109A (en) * 1993-12-28 1996-07-09 Fujitsu Limited Method for etching HgCdTe substrate

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210007039A (ko) * 2014-04-01 2021-01-19 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기질의 표면 처리를 위한 방법 및 장치
KR102306979B1 (ko) * 2014-04-01 2021-09-30 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기질의 표면 처리를 위한 방법 및 장치
US11901172B2 (en) 2014-04-01 2024-02-13 Ev Group E. Thallner Gmbh Method and device for the surface treatment of substrates

Also Published As

Publication number Publication date
US6933242B1 (en) 2005-08-23
SE9903213D0 (sv) 1999-09-10
JP4979167B2 (ja) 2012-07-18
DE60043300D1 (ko) 2009-12-24
EP1188180A1 (en) 2002-03-20
JP2003502860A (ja) 2003-01-21
ATE448566T1 (de) 2009-11-15
KR20020041333A (ko) 2002-06-01
EP1188180B1 (en) 2009-11-11
WO2000079578A1 (en) 2000-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4473435A (en) Plasma etchant mixture
US20070175856A1 (en) Notch-Free Etching of High Aspect SOI Structures Using A Time Division Multiplex Process and RF Bias Modulation
US6069092A (en) Dry etching method and semiconductor device fabrication method
US6303512B1 (en) Anisotropic, fluorine-based plasma etching method for silicon
US5310454A (en) Dry etching method
US4521286A (en) Hollow cathode sputter etcher
US6013943A (en) Etch stop for use in etching of silicon oxide
KR100731849B1 (ko) 플라즈마를 이용한 기질 에칭 방법
Horiike et al. High rate and highly selective SiO2 etching employing inductively coupled plasma and discussion on reaction kinetics
JP2013070073A (ja) プラズマ処理装置
US4640737A (en) Dry etching method of compound semiconductor
KR20080014773A (ko) 정규형 저유전율 유전체 재료 및/또는 다공형 저유전율유전체 재료의 존재 시 레지스트 스트립 방법
Pearton et al. Reactive ion etching of InP, InGaAs, InAlAs: comparison of C2H6/H2 with CCl2F2/O2
JP2764575B2 (ja) ラジカルの制御方法
Lee et al. Highly selective dry etching of III nitrides using an inductively coupled Cl 2/Ar/O 2 plasma
US6426299B1 (en) Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
US20030068898A1 (en) Dry etching method for manufacturing processes of semiconductor devices
Miwa et al. Influences of reaction products on etch rates and linewidths in a poly-si/oxide etching process using hbr/o 2 based inductively coupled plasma
Carlström et al. Low energy ion beam etching of InP using methane chemistry
Hays Selective etching of compound semiconductors
JPH0485928A (ja) ドライエッチング方法
Kim et al. Selective plasma etching for high-aspect-ratio oxide contact holes
EP4187577A1 (en) Method for plasma etching a layer based on a iii-n material
McLane et al. Magnetron reactive ion etching of GaAs in a BCl3 discharge
JPH08203869A (ja) プラズマ処理方法及びその装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131206

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140617

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150615

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160608

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170612

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180504

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190612

Year of fee payment: 13