KR100729906B1 - Substrate processing apparatus and method - Google Patents

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오타요시하루
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동경 엘렉트론 주식회사
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Abstract

자외선조사유니트(UV)에 있어서, 램프실(66)내에 복수(n)개의 자외선램프 (64(1)∼64(n))의 발광상태를 개별적으로 감시하기 위한 동일수의 광 센서 (72(1)∼72(n))가 설치된다. 램프실(66)의 아래에 인접한 세정처리실(68)내에는, 기판(G)을 얹어지지하기 위한 수평이동 및 승강가능한 스테이지(76)가 설치된다. 복수개의 자외선램프(64(1)∼64(n))중, 예를들면 램프(64(1))가 발광불량이 되었을 때는, 이 불량 램프(64(1))의 점등사용을 멈춘다. 그리고, 스테이지(76)상의 기판(G)에 대하여, 정상상태에 있는 나머지의 자외선램프(64(2)∼64(n))에 의한 자외선의 조사량이 처리품질을 보증할 수 있는 하한치보다도 저하하지않도록 자외선조사처리에 있어서의 주사속도(Y방향의 스테이지 이동속도)를 전체 램프가 정상일 때의 기준속도보다도 느린 속도로 보정한다.The same number of photosensors 72 (n) for individually monitoring the light emitting states of the plurality (n) of ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) in the lamp chamber 66 in the ultraviolet light irradiation unit (UV) 1) to 72 (n). A stage 76 capable of horizontally moving and elevating the substrate G for supporting the substrate G is provided in the cleaning processing chamber 68 adjacent to the lower side of the lamp chamber 66. When one of the plurality of ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n), for example, the lamp 64 (1), fails to emit light, the use of the defective lamp 64 (1) is stopped. The irradiation amount of the ultraviolet rays by the remaining ultraviolet lamps 64 (2) to 64 (n) in the steady state is lower than the lower limit for ensuring the processing quality with respect to the substrate G on the stage 76 , The scanning speed (stage moving speed in the Y direction) in the ultraviolet ray irradiation processing is corrected at a speed lower than the reference speed when the entire lamp is normal.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD} [0001] SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD [0002]             

도 1은 본 발명의 기판처리장치가 적용가능한 도포현상처리시스템의 구성을 나타내는 평면도.1 is a plan view showing the configuration of a coating and developing processing system to which the substrate processing apparatus of the present invention is applicable.

도 2는 본 실시형태의 도포현상처리시스템에서의 처리순서를 나타내는 플로우챠트. 2 is a flow chart showing a processing procedure in the coating and developing processing system of the present embodiment.

도 3은 본 실시형태의 자외선조사유니트의 구성을 나타내는 사시도. 3 is a perspective view showing a configuration of an ultraviolet irradiation unit according to the present embodiment.

도 4는 본 실시형태의 자외선조사유니트의 주요 제어계의 구성을 나타내는 블록도.4 is a block diagram showing a configuration of a main control system of an ultraviolet irradiation unit according to the present embodiment.

도 5는 본 실시형태의 자외선조사유니트에서 램프전원부 및 램프모니터부의 일구성예를 도시한 도면.5 is a diagram showing an example of the configuration of a lamp power source unit and a lamp monitor unit in the ultraviolet irradiation unit of the present embodiment.

도 6은 본 실시형태의 자외선조사유니트에서 주요 동작순서를 나타내는 플로우챠트.6 is a flowchart showing a main operation procedure in the ultraviolet irradiation unit of the present embodiment.

도 7은 본 실시형태의 자외선조사유니트에서 파라미터 회복 처리의 상세순서를 나타내는 플로우챠트.
7 is a flowchart showing a detailed procedure of parameter recovery processing in the ultraviolet irradiation unit of the present embodiment.

<주요부분에 대한 부호의 설명>&Lt; Explanation of symbols for main parts >

UV : 자외선조사유니트 38 : 주반송장치UV: ultraviolet irradiation unit 38: main transport device

62 : 석영유리창 64(1),64(2), ····,64(n) : 자외선램프62: quartz glass windows 64 (1), 64 (2), ..., 64 (n): ultraviolet lamp

66 : 램프실 68 : 세정처리실66: lamp chamber 68: cleaning treatment chamber

72(1),72(2), ····,72(n) : 광 센서72 (1), 72 (2), ..., 72 (n)

76 : 스테이지 78 : 볼나사76: stage 78: ball screw

80 : 스테이지구동부 82 : 가이드80: stage driving part 82: guide

84 : 고정 리프트핀 86 : 셔터84: Fixed lift pin 86: Shutter

88 : 제어부 92 : 스테이지승강구동부88: Control section 92:

94 : 주사구동부 96 : 램프전원부94: scan driver 96:

98 : 램프모니터부 100 : 상용교류전원98: lamp monitor unit 100: commercial AC power source

102(1),102(2), ····,102(n) : 개폐기102 (1), 102 (2), ..., 102 (n)

104 : 광측정회로
104: Optical measuring circuit

본 발명은, 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for irradiating a target substrate with ultraviolet rays to perform predetermined processing.

반도체디바이스나 액정표시장치(LCD)의 제조에 있어서는, 피처리기판(예를들 면 반도체웨이퍼, LCD 기판등)의 표면이 청정화된 상태에 있는 것을 전제로하여 각종의 미세가공이 행하여진다. 따라서, 각 가공처리에 앞서 또는 각 가공처리 사이에 피처리기판표면의 세정이 행하여지고, 예를들면 포토리소그래피공정에서는, 레지스트도포에 앞서 피처리기판의 표면이 세정된다.BACKGROUND ART [0002] In the manufacture of semiconductor devices and liquid crystal displays (LCDs), various types of fine processing are performed on the premise that the surface of a substrate to be processed (for example, a semiconductor wafer, an LCD substrate, etc.) is in a cleaned state. Thus, the surface of the substrate to be processed is cleaned before or during each processing step. For example, in the photolithography step, the surface of the substrate to be processed is cleaned prior to application of the resist.

종래로부터 피처리기판 표면의 유기물을 제거하기 위한 세정방법으로서, 자외선조사에 의한 건식세정기술이 알려지고 있다. 이 자외선조사 세정기술은, 소정파장(자외선광원으로서 저압수은램프를 사용할 때는 185nm, 254nm, 유전체 배리어(barrier)방전램프에서는 172nm)의 자외선을 사용하여 산소를 여기시키고, 생성되는 오존이나 발생기의 산소에 의하여 기판 표면상의 유기물을 산화·기화시켜 제거하는 것이다.Conventionally, as a cleaning method for removing organic substances on the surface of a substrate to be processed, a dry cleaning technique by ultraviolet irradiation is known. This ultraviolet irradiation cleaning technique is a technique of exciting oxygen by using ultraviolet rays of a predetermined wavelength (185 nm when using a low-pressure mercury lamp as an ultraviolet light source and 254 nm when using a dielectric barrier lamp, and 172 nm by using a dielectric barrier lamp) The organic material on the surface of the substrate is oxidized / vaporized and removed.

종래의 전형적인 자외선조사 세정장치는, 상기와 같은 자외선광원으로 이루어지는 램프를 석영유리의 창을 갖는 램프실내에 복수개 배치하여 수용하고, 상기 석영유리창을 통해 램프실에 인접한 세정처리실내에 피처리기판을 배치하며, 램프실내의 램프로부터 발생하는 자외선을 석영유리창을 통해서 피처리기판의 표면에 일정시간 조사하도록 되어 있다. 최근에는 피처리기판의 표면과 평행하게 램프를 상대이동, 다시말하면 주사시키는 기구에 의해 장치의 콤팩트화(램프수의 삭감이나 석영유리창의 소형화등)도 시도되고 있다.In a typical conventional ultraviolet irradiation cleaning apparatus, a plurality of lamps including ultraviolet light sources as described above are disposed in a lamp room having a window of quartz glass, and the target substrate is placed in a cleaning processing chamber adjacent to the lamp chamber through the quartz glass window And the ultraviolet rays generated from the lamp in the lamp room are irradiated to the surface of the substrate to be processed through the quartz glass window for a certain period of time. In recent years, attempts have been made to reduce the number of lamps and miniaturize quartz glass windows by means of a mechanism for relatively moving the lamps parallel to the surface of the substrate to be processed, in other words, by a mechanism for scanning.

상기와 같은 자외선조사 세정장치에 있어서, 소기의 세정효과를 얻기위해서는, 자외선램프로부터 피처리기판에 조사되는 자외선의 조도 및 광량을 각각 소정r값 이상 확보할 필요가 있고, 그러한 자외선조사 조건을 만족하도록 장치 각부의 수단이 구비되어는 있다. 그렇지만 자외선램프가 시간 경과에 따라 열화되거나, 그 밖의 원인으로 매우 어둡게 되거나 혹은 발광하지 않게 되면, 피처리기판에 대한 자외선의 조도 내지 광량이 부족하여, 세정불량을 초래하는 문제가 있다.In order to obtain the desired cleaning effect in the above ultraviolet irradiation cleaning apparatus, it is necessary to secure the illuminance and the light amount of the ultraviolet ray irradiated from the ultraviolet lamp to the substrate to be processed to a predetermined r value or more, A means of each part of the apparatus is provided. However, if the ultraviolet lamp is deteriorated with time or becomes extremely dark or does not emit light due to other causes, there arises a problem that the ultraviolet ray to the substrate to be processed has insufficient light intensity or light quantity, resulting in poor cleaning.

종래의 자외선조사 세정장치에서는, 램프실 내에서 자외선램프 중 한 개라도 상기와 같은 결함을 일으킬 때는, 즉시 세정처리의 운전을 정지하고, 램프교환의 필요를 알리는 경보를 울리도록 되어 있다. 그러나, 그와 같은 안전조치는 세정불량품을 내지않고서 끝나지만, 프로세스의 라인을 멈추게 되므로 디바이스제조의 생산수율을 현저히 저하시키는 원인이 되고 있다.In the conventional ultraviolet irradiation cleaning apparatus, when any one of the ultraviolet lamps in the lamp chamber causes the above-described defects, the operation of the cleaning process is immediately stopped and an alarm indicating the necessity of lamp replacement is sounded. However, such safety measures do not lead to defective cleaning, but they stop the process line, which causes the production yield of the device manufacturing to be significantly lowered.

본 발명은, 이러한 종래기술의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 자외선램프에 발광불량 등의 이상이 발생하더라도 정상적인 자외선조사처리를 속행할 수 있도록 한 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of continuing normal ultraviolet ray irradiation processing even when an abnormality such as defective light emission occurs in an ultraviolet lamp have.

본 발명의 다른 목적은, 자외선램프의 이상에 의해 피처리기판에 대한 자외선의 조사량이 원하지 않는 시기에 부족함이 없도록 하여, 계획적인 보수관리를 할 수 있도록 한 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것에 있다.It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of performing planned maintenance by preventing an irradiation amount of ultraviolet rays to a substrate to be processed from being short at an undesired time due to an abnormality of an ultraviolet lamp It is on.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리장치에 있어서, 상기 피처리기판을 지지하는 지지수단과, 전력 공급을 받아 자외선을 발하는 램프를 복수개 구비하고, 상기 램프로부터 나온 자외선을 상기 피처리기판을 향하여 조사하는 자외선조사수단과, 상기 복수개의 램프 각각의 발광상태를 개별적으로 감시하는 램프감시수단과, 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서, 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 상기 램프감시수단으로부터 나올 때에, 해당 이상램프의 점등을 중지하도록 상기 자외선조사수단을 제어함과 함께, 자외선조사파라미터를 제어하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for irradiating a target substrate with ultraviolet light to perform predetermined processing, the substrate processing apparatus comprising: support means for supporting the substrate to be processed; A lamp monitoring means for individually monitoring the light emission state of each of the plurality of lamps; and a control means for controlling the lamps in accordance with the monitoring information from the lamp monitoring means And control means for controlling the ultraviolet ray irradiation means so as to stop the lighting of the abnormal lamp when the monitoring information that an emission state of any one of the lamps is abnormal comes out from the lamp monitoring means, And a substrate processing apparatus.

이러한 구성의 기판처리장치에서는, 램프감시수단의 램프감시기능에 의해 점등사용되는 복수개의 램프 발광상태가 모두 정상인지 그렇지 않으면 일부 발광불량인지 항상 또는 소정의 시점에서, 예를들면 각 1회의 자외선조사처리에 앞서 판정된다. 이 판정결과에 따라서 자외선조사처리를 규정 또는 좌우하는 소정의 파라미터가 제어수단에 의해 제어 또는 조절됨으로써 자외선조사수단에 있어서의 램프발광상태가 시간 경과적으로 변화하더라도 피처리기판에 대하여 항상 안정한 처리결과를 얻을 수 있다.In the substrate processing apparatus having such a configuration, it is preferable that at least one of the plurality of lamp light emission states, which are used for lighting by the lamp monitoring function of the lamp monitoring means, It is judged before the processing. According to the determination result, the predetermined parameter that defines or controls the ultraviolet ray irradiation processing is controlled or adjusted by the control means, so that even if the lamp light emission state of the ultraviolet ray irradiation means changes over time, Can be obtained.

상기 기판처리장치에 있어서, 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선이 상기 지지수단에 지지되어 있는 상기 피처리기판의 피처리면을 주사하도록 상기 지지수단 및 상기 램프중 어느 한쪽 또는 양쪽을 소정방향을 따라서 이동시키는 구동수단을 가지는 구성으로 할 수 있다. 이러한 구성에 있어서는 상기 제어수단은 상기 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서 상기 주사속도를 상기 파라미터로서 가변제어하는 주사속도 제어기능을 가지는 것으로 할 수가 있다. 이 경우, 상기 제어수단은 어느 하나의 상기 램프 발광상태가 이상이라는 것의 감시정보가 상기 램프감시수단에 의해 나올 때, 해당 이상램프의 점등을 중지하도록 상기 자외선조사수단을 제어함과 함께, 그 상기 주사속도 제어기능에 의해 상기 주사속도를 제어하도록 구성하는 것이 좋다.The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein either or both of the supporting means and the lamp are moved along a predetermined direction so as to scan the surface to be processed of the substrate to be processed supported by the supporting means with ultraviolet rays from the ultraviolet ray irradiating means It is possible to adopt a configuration having driving means. In such a configuration, the control means may have a scanning speed control function for variably controlling the scanning speed as the parameter in accordance with the monitoring information from the lamp monitoring means. In this case, the control means controls the ultraviolet irradiating means so as to stop the lighting of the abnormal lamp when monitoring information indicating that any one of the lamp light emission states is abnormal is outputted by the lamp monitoring means, And the scanning speed is controlled by the scanning speed control function.

이와 같이, 실질적으로 관리불능인 이상램프의 점등사용을 멈추고 정상램프에 의한 관리가능한 자외선을 기준치보다도 느린 주사속도로 주사시키는 것에 의해 피처리기판에 대하여 필요하고 또한 충분한 자외선조사량을 보증하여, 정상적인 처리결과를 얻을 수 있다.By thus stopping the use of the abnormal lamp which can not be managed substantially and by scanning the manageable ultraviolet light by the normal lamp at a scanning speed slower than the reference value, it is possible to ensure the necessary and sufficient amount of ultraviolet radiation for the substrate to be processed, Results can be obtained.

혹은, 상기 제어수단이, 상기 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서 상기 자외선의 조사시간을 가변제어하는 자외선조사시간 제어기능을 가지는 구성이여도 좋다. 이 경우 상기 제어수단은, 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 상기 램프감시수단으로부터 나올 때, 해당 이상램프의 점등을 중지하도록 상기 자외선조사수단을 제어함과 함께, 그 상기 자외선조사시간제어기능에 의해 상기 자외선조사시간을 기준치보다도 긴 값이 되도록 설정할 수 있고, 이 방식에 의해서도 상기와 마찬가지로 정상적인 처리결과를 얻을 수 있다.Alternatively, the control means may have an ultraviolet irradiation time control function for variably controlling the irradiation time of the ultraviolet ray in accordance with the monitoring information from the lamp monitoring means. In this case, the control means controls the ultraviolet irradiating means so as to stop the lighting of the abnormal lamp when the monitoring information indicating that the light emission state of any one of the lamps is abnormal comes out from the lamp monitoring means, The ultraviolet ray irradiation time can be set to a value longer than the reference value by the irradiation time control function, and a normal processing result can be obtained by this method as well.

혹은 상기 제어수단이, 상기 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서 상기 램프의 휘도를 개별적으로 제어하는 램프휘도제어기능을 가지는 구성이여도 좋다. 이 경우 상기 제어수단은, 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 상기 램프감시수단으로부터 나올 때, 해당 이상램프의 점등을 중지하도록 상기 자외선조사수단을 제어함과 동시에, 그 상기 램프휘도제어기능에 의해 정상상태에 있는 상기 램프의 휘도를 기준치보다도 높은 값이 되도록 설정할 수 있고, 이 방식에 의해서도 상기와 마찬가지로 정상적인 처리결과를 얻을 수 있다.Or the control means may have a lamp brightness control function for individually controlling the brightness of the lamp in accordance with the monitoring information from the lamp monitoring means. In this case, the control means controls the ultraviolet irradiating means so as to stop the lighting of the abnormal lamp when monitoring information indicating that the light emission state of any one of the lamps is abnormal comes out from the lamp monitoring means, The luminance of the lamp in the steady state can be set to a value higher than the reference value by the luminance control function, and the normal processing result can be obtained by this method as well.

또한, 상기 본 발명의 기판처리장치에 있어서, 상기 자외선조사수단의 상기 복수개의 램프중 일부를 예비램프로서 비점등 사용상태로 유지하고, 다른 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 상기 램프감시수단에 의해 나올 때, 상기 제어수단이 그 이상램프 대신에 상기 예비램프를 점등사용하도록 상기 자외선조사수단을 제어하는 구성으로도 좋다. 이와 같이, 자외선조사수단에 있어서 점등사용에 제공되는 자외선램프의 조합을 상기의 파라미터로서 적절히 변경할 수 있다.Further, in the substrate processing apparatus of the present invention, it is preferable that a part of the plurality of lamps of the ultraviolet irradiating unit is kept in a non-illuminated state as a spare lamp, and monitoring information that an emission state of any one of the other lamps is abnormal And the control means controls the ultraviolet ray irradiation means so as to use the spare lamp instead of the abnormal lamp when the lamp is monitored by the lamp monitoring means. As described above, the combination of ultraviolet lamps provided for use in the ultraviolet ray irradiation means can be appropriately changed as the above-described parameters.

또한 본 발명은, 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 행하는 기판처리장치로서, 상기 피처리기판을 지지하는 지지수단과, 전력 공급을 받아 자외선을 발하는 램프를 구비하여 상기 램프로부터 나온 자외선을 상기 피처리기판을 향하여 조사하는 자외선조사수단과, 상기 램프의 발광상태를 개별적으로 감시하는 램프감시수단과, 상기 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서 상기 자외선조사처리의 소정의 파라미터를 제어하는 제어수단을 가지는 기판처리장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for irradiating a target substrate with ultraviolet rays to perform a predetermined process, the apparatus comprising: a supporting means for supporting the substrate to be processed; and a lamp for emitting ultraviolet rays, A lamp monitoring means for individually monitoring the light emission state of the lamp, and a control means for controlling predetermined parameters of the ultraviolet ray irradiation processing in accordance with the monitoring information from the lamp monitoring means A substrate processing apparatus having a control means is provided.

이러한 기판처리장치로서는, 램프감시수단의 램프감시기능에 의해 점등사용램프의 발광상태가 항상 또는 소정의 시점에서, 예를들면 각 1회의 자외선조사처리에 앞서 판정되고, 이 판정결과에 따라서 자외선조사처리를 규정 또는 좌우하는 소정의 파라미터가 제어수단에 의해 제어 또는 조절됨으로써 자외선조사수단에 있어서의 램프발광상태가 시간이 경과로 변화하더라도 피처리기판에 대하여 항상 안정한 처리결과를 얻을 수 있다. 구체적으로는, 예를들면 상기 램프의 휘도를 상기 램프감시수단에 의해서 감시하고, 그 휘도가 저하한 경우에 램프의 조사시간을 연 장하도록 제어하는 등의 것을 들수 있다.In such a substrate processing apparatus, the lamp monitoring function of the lamp monitoring means determines the light emission state of the lighting lamp at all times or at a predetermined time, for example, prior to each ultraviolet ray irradiation processing. By controlling or regulating predetermined parameters that define or control the processing, the processing result always stable with respect to the substrate to be processed can be obtained even if the lamp emission state of the ultraviolet irradiation means changes over time. Specifically, for example, the lamp monitoring means monitors the brightness of the lamp, and if the brightness of the lamp is lowered, the lamp irradiation time is controlled to be longer.

또한 본 발명은, 복수의 램프로부터 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리방법으로서, 상기 복수의 램프 발광상태를 개별적으로 감시하는 공정과, 상기 감시하는 공정의 감시정보에 따라서 자외선조사처리의 소정의 파라미터를 제어하는 공정을 구비하는 기판처리방법을 제공한다.The present invention also provides a substrate processing method for irradiating a substrate with ultraviolet rays from a plurality of lamps to perform predetermined processing, the method comprising: a step of individually monitoring the plurality of lamp emission states; And controlling a predetermined parameter of the ultraviolet ray irradiation processing.

또한 본 발명은, 복수의 램프로부터 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리방법으로서, 상기 복수의 램프 발광상태를 개별적으로 감시하는 공정과, 상기 감시하는 공정에서 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상인 것이 확인되었을 때에, 그 이상램프의 점등사용을 멈추고 나머지의 램프에 의해 정상적인 조사가 행해지도록 자외선조사처리의 소정의 파라미터를 제어하는 공정을 구비하는 기판처리방법을 제공한다.
The present invention also provides a substrate processing method for performing predetermined processing by irradiating ultraviolet rays from a plurality of lamps on a substrate to be processed, comprising the steps of: individually monitoring the plurality of lamp emission states; And controlling the predetermined parameters of the ultraviolet ray irradiation processing so as to stop the use of the abnormal lamp when the light emitting state of the lamp is abnormal and to allow normal illumination by the remaining lamps.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 관해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은, 본 발명의 일실시형태에 관한 기판처리장치가 탑재된 레지스트도포현상처리시스템을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 이 도포현상처리시스템은, 클린룸내에 설치되고, 예를들면 LCD 기판을 피처리기판으로 하는 LCD 제조프로세스에서 포토리소그래피공정중의 세정, 레지스트도포, 프리베이크, 현상 및 포스트베이크의 각 처리를 행하는 것이다. 노광처리는, 이 시스템에 인접하여 설치되는 외부 의 노광장치(도시하지 않음)로 행하여진다.1 is a plan view schematically showing a resist coating and developing treatment system on which a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is mounted. This coating and developing processing system is installed in a clean room and performs various processes such as cleaning, resist application, pre-baking, development and post-baking in the photolithography process in an LCD manufacturing process using, for example, an LCD substrate as a substrate to be processed will be. The exposure process is performed with an external exposure apparatus (not shown) provided adjacent to this system.

이 도포현상처리시스템은, 크게 나누어 카세트스테이션(C/S)(10)과, 프로세스스테이션(P/S)(12)과, 인터페이스부(I/F)(14)로 구성된다.This coating and developing processing system is roughly divided into a cassette station (C / S) 10, a process station (P / S) 12 and an interface (I / F)

시스템의 일끝단부에 설치되는 카세트스테이션(C/S)(10)은, 복수의 기판(G)을 수용하는 카세트(C)를 소정수, 예를들면 4개까지 얹어놓기 가능한 카세트스테이지(16)와, 이 스테이지(16)상의 카세트(C)에 대하여 기판(G)의 출입을 행하는 반송기구(20)를 구비하고 있다. 이 반송기구(20)는, 기판(G)을 유지할 수 있는 수단, 예를들면 반송아암을 가지고 X, Y, Z, θ의 4축으로 동작가능하고, 후술하는 프로세스스테이션(P/S)(12)측의 주반송장치(38)와 기판(G)의 주고 받음을 행하도록 되어 있다.A cassette station (C / S) 10 provided at one end of the system is provided with a cassette stage 16 capable of placing a predetermined number of, for example, four cassettes C accommodating a plurality of substrates G And a transport mechanism 20 for carrying the substrate G in and out with respect to the cassette C on the stage 16. As shown in Fig. The transfer mechanism 20 is capable of operating in four axes of X, Y, Z, and θ with a means capable of holding the substrate G, for example, a transfer arm, 12 to transfer the substrate G to and from the main transport apparatus 38.

프로세스스테이션(P/S)(12)은, 상기 카세트스테이션(C/S)(10)측에서 순차로 세정프로세스부(22)와, 도포프로세스부(24)와, 현상프로세스부(26)를 기판중계부 (23), 약액공급유니트(25) 및 스페이스(27)를 통해(끼워서) 횡방향 일렬로 설치하고 있다.The process station (P / S) 12 sequentially carries out the cleaning process section 22, the coating process section 24, and the developing process section 26 on the cassette station (C / S) (Interposed) through the substrate relay unit 23, the chemical liquid supply unit 25, and the space 27. [

세정프로세스부(22)는, 2개의 스크러버세정유니트(SCR)(28)와, 상하 2단의 자외선조사/냉각유니트(UV/COL)(30)와, 가열유니트(HP)(32)와, 냉각유니트 (COL) (34)를 포함하고 있다.The cleaning process section 22 includes two scrubber cleaning units (SCR) 28, two upper and lower ultraviolet irradiation / cooling units (UV / COL) 30, a heating unit (HP) And a cooling unit (COL) (34).

도포프로세스부(24)는, 레지스트도포유니트(CT)(40)와, 감압건조유니트(VD) (42)와, 에지리무버·유니트(ER)(44)와, 상하 2단형 어드히전/냉각유니트(AD/COL) (46)와, 상하 2단형 가열/냉각유니트(HP/COL)(48)과, 가열유니트(HP)(50)를 포함하 고 있다.The coating process unit 24 includes a resist coating unit (CT) 40, a vacuum drying unit (VD) 42, an edge remover unit (ER) 44, (AD / COL) 46, an upper / lower two-stage type heating / cooling unit (HP / COL) 48 and a heating unit (HP)

현상프로세스부(26)는, 3가지의 현상유니트(DEV)(52)와, 2개의 상하 2단형 가열/냉각유니트(HP/COL)(55)와, 가열유니트(HP)(53)를 포함하고 있다.The development processing section 26 includes three developing units (DEV) 52, two upper and lower two-stage type heating / cooling units (HP / COL) 55, and a heating unit (HP) .

각 프로세스부(22,24,26)의 중앙부에는 길이 방향으로 반송로(36,52,58)가 설치되고, 주반송장치(38,54,60)가 각 반송로를 따라 이동하여 각 프로세스부내의 각 유니트에 억세스하여, 기판(G)의 반입/반출 또는 반송을 하게 되고 있다. 또, 이 시스템으로서는 각 프로세스부(22,24,26)에 있어서, 반송로(36,52,58)의 일방향 쪽에 스피너계의 유니트(SCR, CT, DEV 등)가 배치되고, 다른 방향 쪽에 열처리 또는 조사처리계의 유니트(HP, COL, UV 등)가 배치되어 있다.In the central portion of each of the process sections 22, 24 and 26, transporting paths 36, 52 and 58 are provided in the longitudinal direction, and the main transporting devices 38, 54 and 60 move along the respective transporting paths, So that the substrate G is loaded / unloaded or transported. In this system, a spinner type unit (SCR, CT, DEV, etc.) is disposed on one side of each of the transport paths 36, 52 and 58 in each of the processing sections 22, 24, and 26, (HP, COL, UV, etc.) of the irradiation processing system are disposed.

시스템의 다른 끝단부에 설치되는 인터페이스부(I/F)(14)는, 프로세스 스테이션(12)과 인접하는 측에 익스텐션(기판 주고 받음부)(57) 및 버퍼 스테이지(56)를 설치하고, 노광장치와 인접하는 쪽에 반송기구(59)를 설치하고 있다.An interface unit (I / F) 14 provided at the other end of the system is provided with an extension (substrate transfer receiving unit) 57 and a buffer stage 56 on the side adjacent to the process station 12, And a transport mechanism 59 is provided adjacent to the exposure apparatus.

도 2에 이 도포현상처리시스템에 있어서의 처리 순서를 나타낸다. 우선, 카세트스테이션(C/S)(10)에 있어서, 반송기구(20)가, 스테이지(16)상의 소정의 카세트(C)내로부터 1개의 기판(G)을 꺼내어 프로세스 스테이션(P/S)(12)의 세정프로세스부(22)의 주반송장치(38)로 건네 준다(스텝S1).Fig. 2 shows a processing procedure in the coating and developing processing system. First, in the cassette station (C / S) 10, the transport mechanism 20 takes out one substrate G from a predetermined cassette C on the stage 16, To the main transport unit 38 of the cleaning process unit 22 of the cleaning unit 12 (step S1).

세정프로세스부(22)에 있어서, 기판(G)은, 먼저 자외선조사/냉각유니트 (UV/COL)(30)에 순차 반입되고, 상단의 자외선조사유니트(UV)에서는 자외선조사에 의한 건식세정이 실시되며, 다음에 하단의 냉각유니트(COL)에서는 소정온도까지 냉각된다(스텝S2). 이 자외선조사세정으로서는 기판표면의 유기물이 제거된다. 이에 의하여 기판(G)의 젖음성이 향상하여, 다음공정의 스크러빙세정에 있어서의 세정효과를 높일 수 있다.In the cleaning process section 22, the substrate G is first transferred to the ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 30 in sequence and dry cleaning by ultraviolet irradiation is performed in the uppermost ultraviolet irradiation unit (UV) Then, the cooling unit COL at the lower stage is cooled to a predetermined temperature (step S2). In this ultraviolet irradiation cleaning, organic substances on the surface of the substrate are removed. As a result, the wettability of the substrate G is improved, and the cleaning effect in the scrubbing cleaning of the next step can be enhanced.

다음에, 기판(G)은 스크러버세정유니트(SCR)(28)의 1개로 스크러빙 세정처리를 받아 기판표면으로부터 입자형상의 이물질이 제거된다(스텝S3). 스크러빙 세정후, 기판(G)은 가열유니트(HP)(32)의 가열에 의한 탈수처리를 받고(스텝S4), 이어서 냉각유니트(COL)(34)로 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝S5). 이것으로 세정프로세스부(22)에 있어서의 전처리가 종료하고, 기판(G)은, 주반송장치(38)에 의해 기판주고받음부(23)를 통해 도포프로세스부(24)로 반송된다.Next, the substrate G is subjected to the scrubbing cleaning process with one of the scrubber cleaning units (SCR) 28, and foreign particles in the form of particles are removed from the surface of the substrate (step S3). After the scrubbing cleaning, the substrate G is subjected to dehydration treatment by heating of the heating unit (HP) 32 (step S4) and then cooled to a constant substrate temperature by the cooling unit (COL) 34 (step S5) . This completes the pre-processing in the cleaning process section 22 and the substrate G is transported to the coating process section 24 through the substrate transfer section 23 by the main transfer device 38. [

도포프로세스부(24)에 있어서, 기판(G)은 먼저 어드히전/냉각유니트(AD/COL) (46)에 순차 반입되어, 최초의 어드히전유니트(AD)에서는 소수화처리(HMDS)를 받고 (스텝S6), 이어서 냉각유니트(COL)에서 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝S7).In the coating process section 24, the substrate G is first carried into the admission / cooling unit (AD / COL) 46 in order and is subjected to hydrophobic processing (HMDS) in the first adhering unit AD Step S6). Subsequently, the cooling unit COL is cooled to a predetermined substrate temperature (step S7).

그 후, 기판(G)은 레지스트도포유니트(CT)(40)에서 레지스트액이 도포되고, 이어서 감압건조유니트(VD)(42)에서 감압에 의한 건조처리를 받으며, 이어서 에지리무버·유니트(ER)(44)에서 기판둘레가장자리부의 여분(불필요)인 레지스트를 제거한다(스텝S8).Thereafter, the substrate G is coated with a resist solution in a resist coating unit (CT) 40, and then subjected to a drying treatment by a reduced pressure in a vacuum drying unit (VD) 42. Subsequently, the edge remover unit ) 44 is removed (step S8), which is extra (unnecessary) in the periphery of the substrate.

다음에, 기판(G)은 가열/냉각유니트(HP/COL)(48)에 순차 반입되고, 최초의 가열유니트(HP)에서는 도포후의 베이킹(프리베이크)이 행해지며(스텝S9), 이어서 냉각유니트(COL)에서 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝S10). 또 이 도포후의 베이킹으로 가열유니트(HP)(50)를 사용할 수도 있다.Next, the substrate G is carried in succession to the heating / cooling unit (HP / COL) 48. In the first heating unit HP, baking (prebaking) after coating is performed (step S9) And is cooled from the unit COL to a predetermined substrate temperature (step S10). Further, the heating unit (HP) 50 may be used by baking after the application.

상기 도포처리 후, 기판(G)은 도포프로세스부(24)의 주반송장치(54)와 현상 프로세스부(26)의 주반송장치(60)에 의하여 인터페이스부(I/F)(14)로 반송되고, 거기에서 노광장치로 넘겨진다(스텝S11). 노광장치에서는 기판(G) 상의 레지스트에 소정의 회로패턴을 노광한다. 그리고, 패턴노광을 끝낸 기판(G)은, 노광장치로부터 인터페이스부(I/F)(14)에 복귀된다. 인터페이스부(I/F)(14)의 반송기구(59)는 노광장치로부터 받아들인 기판(G)을 익스텐션(57)을 통해 프로세스 스테이션(P/S)(12)의 현상프로세스부(26)에 건네 준다(스텝S11).After the coating process, the substrate G is transferred to the interface unit (I / F) 14 by the main transfer unit 54 of the coating process unit 24 and the main transfer unit 60 of the development process unit 26 And transferred from there to the exposure apparatus (step S11). In the exposure apparatus, the resist on the substrate G is exposed to a predetermined circuit pattern. Then, the substrate G having completed the pattern exposure is returned to the interface (I / F) 14 from the exposure apparatus. The transfer mechanism 59 of the interface unit I / F 14 transfers the substrate G received from the exposure apparatus to the development processing unit 26 of the process station (P / S) 12 via the extension 57. [ (Step S11).

현상프로세스부(26)에 있어서, 기판(G)은, 현상유니트(DEV)(52)중 어느 하나에서 현상처리를 받고(스텝S12), 이어서 가열/냉각유니트(HP/COL)(55)중 하나에 순차 반입되며, 최초의 가열유니트(HP)에서는 포스트베이킹이 행해지고(스텝S13), 이어서 냉각유니트(C0L)에서 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝S14). 이 포스트베이킹에 가열유니트(HP)(53)를 사용할 수도 있다.In the developing process section 26, the substrate G is subjected to a developing process in any one of the developing units (DEV) 52 (step S12), and then the heating / cooling unit (HP / COL) And post baking is performed in the first heating unit HP (step S13). Subsequently, the cooling unit C0L is cooled to a predetermined substrate temperature (step S14). A heating unit (HP) 53 may be used for the post-baking.

현상프로세스부(26)에서의 일련의 처리가 끝난 기판(G)은, 프로세스 스테이션(P/S)(12)내의 반송장치(60,54,38)에 의해 카세트스테이션(C/S)(10)까지 복귀되고, 거기서 반송기구(20)에 의해 어느 하나의 카세트(C)에 수용된다(스텝S1).The substrate G having been subjected to the series of processes in the development processing section 26 is transferred to the cassette station C / S (10) by the transport apparatuses 60, 54, and 38 in the process station (P / , And is accommodated in one of the cassettes C by the transport mechanism 20 (step S1).

다음에, 이상과 같은 도포현상처리 시스템에 탑재된 본 발명의 일실시형태에 관한 자외선조사유니트(UV)에 대하여 도 3∼도 7을 참조하면서 설명한다.Next, an ultraviolet irradiation unit (UV) according to one embodiment of the present invention mounted on the above-described coating and developing system will be described with reference to Figs. 3 to 7. Fig.

도 3에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 자외선조사유니트(UV)는 아래면에 석영유리창(62)을 부착하고, 실내에 복수개(도시의 예는 3개)의 원통형 자외선램프 (64(1)), (64(2))····,(64(n))를 램프의 길이방향과 수직인 수평방향으로 배열 수용하여 이루어지는 램프실(66)과, 이 램프실(66)의 아래에 인접하여 설치된 세정처리실(68)을 가진다.As shown in Fig. 3, a quartz glass window 62 is attached to the lower surface of the ultraviolet irradiation unit UV of the present embodiment, and a plurality of (three in the illustrated example) cylindrical ultraviolet lamps 64 (1) (64 (n)) arranged in a horizontal direction perpendicular to the longitudinal direction of the ramp, and a lamp chamber (66) provided below the lamp chamber And a cleaning treatment chamber 68 provided adjacent thereto.

램프실(66)내에 있어서, 각 자외선램프(64(i))(i=1, 2, ····, n)는 예를들면 유전체 베리어방전램프이면 좋고, 후술하는 램프전원부(96)로부터 상용교류전력의 공급을 받아 발광하며, 유기오염의 세정에 바람직한 파장172 nm의 자외선(자외 엑시머광)을 방사한다. 각 자외선램프(64(i))의 배후 또는 위에는 횡단면이 원호형상의 오목면반사경(70)이 배치되어 있고, 각 램프(64(i))로부터 윗쪽 내지 옆쪽으로 방사된 자외선은 바로위의 반사경 오목면부에서 반사하여 석영유리창(62)측을 향하도록 되어 있다..., N) may be, for example, a dielectric barrier discharge lamp in the lamp chamber 66. The ultraviolet lamps 64 (i) (i = 1, Emits ultraviolet rays (ultraviolet excimer light) having a wavelength of 172 nm, which is suitable for cleaning organic contamination, by emitting commercial AC power. An arc-shaped concave reflector 70 is arranged on the rear or top of each ultraviolet lamp 64 (i), and the ultraviolet rays radiated from the upper side to the sideways from the respective lamps 64 (i) And is reflected by the concave surface portion toward the quartz glass window 62 side.

이 실시형태에서는, 램프(64(1)∼64(n))의 발광상태를 개별적으로 감시하기 위한 상기 파장 172 nm의 자외선을 광전변환가능한 복수(n)개의 광 센서(72(1)∼72(n))가 램프실(66)내의 적당한 위치, 예를들면 각 램프(64(1)∼64(n))의 바로 위에 설치된다.In this embodiment, a plurality (n) of photosensors 72 (1) to 72 (n) capable of photoelectrically converting ultraviolet light having a wavelength of 172 nm for individually monitoring the light emitting states of the lamps 64 (n) is installed at an appropriate position in the lamp chamber 66, for example, immediately above each of the lamps 64 (1) to 64 (n).

램프실(66)내에는, 램프(64(1)∼64(n))를 예를들면 수냉방식으로 냉각하는 냉각자켓(도시하지 않음)이나, 자외선을 흡수하는(따라서 램프발광효율을 악화시킨다) 산소가 실내로 진입하는 것을 방지하기 위한 불활성가스 예를들면 N2가스를 도입하고 또한 충만시키는 가스유통기구(도시하지 않음)등이 설치되어도 좋다.The lamp chamber 66 is provided with a cooling jacket (not shown) for cooling the lamps 64 (1) to 64 (n) by, for example, a water cooling method, (Not shown) for introducing and filling an inert gas, for example, N 2 gas, for preventing oxygen from entering the room may be provided.

램프실(66)의 양측에는, 이 자외선조사유니트(UV)내의 각부에 필요한 용력(用力) 또는 제어신호를 공급하기 위한 용력공급부 및 제어부를 수용하는 유틸리티·유니트(74)가 설치된다. 램프실(66)내의 각종 센서 예를들면 광 센서(72(1)∼72(n))로부터 출력되는 전기신호를 입력하여 필요한 신호처리를 하는 각종 측정 또는 감시회로등이 유틸리티·유니트(74)내에 설치되어도 좋다.On both sides of the lamp chamber 66, a utility unit 74 for accommodating a control unit and a power supply unit for supplying necessary power or control signals to each part in the ultraviolet irradiation unit UV is provided. Various measurement or monitoring circuits for inputting electrical signals output from various sensors in the lamp chamber 66 such as optical sensors 72 (1) to 72 (n) and performing necessary signal processing are provided in the utility unit 74, .

세정처리실(68)내에는, 기판(G)을 재치하여 지지하기 위한 수평이동 및 승강 가능한 스테이지(76)가 설치된다. 본 실시형태에서는 볼나사(78)를 사용하는 자주식(自走式)의 스테이지구동부(80)의 위에 스테이지(76)를 수직방향(그림의 Z 방향)으로 승강가능하게 탑재하고, 스테이지구동부(80)가 볼나사(78) 및 이것과 평행하게 연이어 있는 가이드(82)를 따라 소정의 수평방향(그림의 Y 방향)으로, 요컨대 램프실(66)의 바로 아래를 램프배열방향과 평행하게 가로질러 왕복이동할 수 있도록 구성되어 있다. 이 때의 이동속도는 가변제어가능한 속도로 한다.In the cleaning processing chamber 68, there is provided a stage 76 capable of horizontally moving and elevating the substrate G in order to support and hold the substrate G thereon. In this embodiment, the stage 76 is mounted on the self-propelled stage driving unit 80 using the ball screw 78 so as to be vertically movable in the vertical direction (Z direction in the drawing), and the stage driving unit 80 In a predetermined horizontal direction (Y direction in the drawing), that is, directly under the lamp chamber 66, parallel to the direction of the lamp arrangement, along the ball screw 78 and the guide 82 connected thereto in parallel thereto And is configured to reciprocate. The moving speed at this time is a variable controllable speed.

스테이지(76)에는 기판(G)의 반입/반출시에 기판(G)을 수평자세로 유지하기 위한 복수개(예를들면 6개)의 리프트핀(84)이 수직으로 관통하고 있다. 본 실시형태에서는, 각 리프트핀(84)이 기판 주고받음용의 소정높이 위치로 고정되고, 이들 고정 리프트핀(84)에 대하여 스테이지(76)가 기판(G)의 반입/반출을 방해하지 않는 퇴피용의 하한높이위치(Hb)와 스테이지(76) 스스로 기판(G)을 재치하여 지지하기 위한 일점쇄선으로 나타내는 상한높이위치(Ha)와의 사이에서 승강기구(도시하지 않음)에 의해 승강가능하게 되어 있다. 스테이지(76)의 윗면에는, 기판(G)을 지지하기 위한 다수의 지지핀(도시하지 않음)이나 기판(G)을 흡인 유지하기 위한 진공척 흡인입구(도시하지 않음)등이 설치된다.A plurality of (for example, six) lift pins 84 are vertically passed through the stage 76 to hold the substrate G in a horizontal posture in the loading / unloading of the substrate G. In this embodiment, each of the lift pins 84 is fixed at a predetermined height position for substrate transfer, and the stage 76 does not interfere with the carrying / unloading of the substrate G with respect to these fixed lift pins 84 (Not shown) between the lower limit height position Hb for retraction and the upper limit height position Ha indicated by the one-dot chain line for supporting and holding the substrate G by itself . A plurality of support pins (not shown) for supporting the substrate G and a vacuum chuck suction inlet (not shown) for suction holding the substrate G are provided on the upper surface of the stage 76.

스테이지(76)의 Y방향원점위치에 인접한 세정처리실(68)의 측벽에는, 고정 리프트핀(84)의 상단부에 가까운 높이위치에서 기판(G)을 반입/반출하기 위한 개폐가능한 셔터(문)(86)가 부착되어 있다. 이 셔터(86)는 세정프로세스부(22)의 반송로(36)(도 1)에 마주하고 있으며, 반송로(36) 위에서 주반송장치(38)가 열린 상태의 셔터(86)를 통해 세정처리실(68) 내로의 기판(G)의 반입 및 세정처리실(68)로부터의 기판(G)의 반출을 행할 수 있도록 되어 있다.An opening / closing shutter (door) (not shown) for loading / unloading the substrate G at a height position close to the upper end of the fixed lift pin 84 is provided on the side wall of the cleaning processing chamber 68 adjacent to the origin position of the stage 76 in the Y direction 86 are attached. The shutter 86 faces the conveying path 36 (Fig. 1) of the cleaning process section 22 and is conveyed through the shutter 86 in a state in which the main conveying device 38 is opened on the conveying path 36 The carrying of the substrate G into the processing chamber 68 and the removal of the substrate G from the cleaning processing chamber 68 can be performed.

다음에, 이 자외선조사유니트(UV)에 있어서의 제어계의 구성에 대하여 도 4를 참조하여 설명한다. 제어부(88)는, 마이크로컴퓨터로 구성할 수 있고, 그 내장의 메모리에는 본 유니트내의 각부 및 전체를 제어하기 위해 필요한 프로그램을 저장하고 있으며, 적당한 인터페이스를 통하여 본 도포현상처리 시스템의 전체적인 처리순서를 통괄하는 메인컨트롤러(도시하지 않음)이나 본 자외선조사유니트(UV)내의 제어계의 각부에 접속되어 있다.Next, the configuration of the control system in the ultraviolet irradiation unit (UV) will be described with reference to Fig. The control unit 88 can be constituted by a microcomputer, and its built-in memory stores a program necessary for controlling each part and the whole of the unit. The overall processing sequence of the coating and developing processing system is provided through a suitable interface And is connected to each part of a control system in a main controller (not shown) or the present ultraviolet irradiation unit UV.

이 실시형태에 있어서, 제어부(88)와 관계하는 본 자외선조사유니트(UV)내의 주요한 부분은, 셔터(86)를 구동하기 위한 셔터구동부(90), 스테이지(76)를 Z방향으로 승강구동하기 위한 스테이지승강구동부(92), 스테이지(76)를 Y방향으로 수평구동 또는 주사구동하기 위한 주사구동부(94), 램프실(66)내의 자외선램프(64(1)∼64(n))를 개별적으로 점등구동하기 위한 램프전원부(96), 그들의 자외선램프 (64(1)∼64(n))의 점등상태를 개별적을 감시하기 위한 램프모니터부(98)등이 있다. 스테이지승강구동부(92) 및 주사구동부(94)는 각각 구동원으로서, 예를 들면 서보모터를 가지고, 스테이지구동부(80)내에 설치된다. 램프전원부(96) 및 램프모니터부 (98)는 제어부(88)와 함께 유틸리티·유니트(74)내에 설치된다.In this embodiment, the main part in the main ultraviolet irradiation unit UV related to the control unit 88 is a shutter driving unit 90 for driving the shutter 86, The scan driver 94 for horizontally driving or scanning driving the stage 76 in the Y direction and the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) in the lamp chamber 66, And a lamp monitor unit 98 for individually monitoring the lighting states of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n). The stage lifting drive unit 92 and the scan driving unit 94 are provided in the stage driving unit 80 with a servo motor, for example, as a driving source. The lamp power supply unit 96 and the lamp monitor unit 98 are installed in the utility unit 74 together with the control unit 88. [

도 5는 램프전원부(96) 및 램프모니터부(98)의 일구성예를 모식적으로 도시한 도면이다. 램프전원부(96)는 상용교류전원(100)와, 이 교류전원(100)의 전원단자와 램프실(66)내의 각 자외선램프(64(1)∼64(n))의 전극단자와의 사이에 전기적으로 접속된 개폐기(102(1)∼102(n))를 가지고 있다. 각 개폐기(102(1)∼102(n))는, 제어부(88)로부터의 제어신호(G1)∼(Gn)에 의하여 각각 개별적으로 온·오프제어된다. 이와 같이 제어부(88)는 램프전원부(96)를 통하여 램프실(66)내의 전체 자외선램프(64(1)∼64(n))의 점등·소등을 개별적으로 제어할 수 있도록 되어 있다.5 is a diagram schematically showing an exemplary configuration of the lamp power supply unit 96 and the lamp monitor unit 98. As shown in Fig. The lamp power supply unit 96 is connected between the commercial AC power supply 100 and the power terminals of the AC power supply 100 and between the electrode terminals of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) (102 (1) to 102 (n)) electrically connected to the switch 102 (102). Each of the switches 102 (1) to 102 (n) is individually on / off controlled by the control signals G1 to Gn from the control unit 88. [ In this manner, the control unit 88 can individually control the ON / OFF states of all the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) in the lamp chamber 66 through the lamp power source unit 96.

램프모니터부(98)는, 램프실(66)내에서 각 자외선램프(64(1)∼64(n))로부터의 자외선을 수광하여 전기신호로 변환하는 상기 광 센서(72(1)∼72(n))와, 각 광 센서(72(1)∼72(n))의 출력신호(L1)∼(Ln)을 기초로 각 자외선램프(64(1)∼ 64(n))의 휘도 또는 밝기의 정도를 측정 또는 추정하여 발광상태를 판정하는 광측정회로(104)를 가진다. 램프실(66)내에는 각 광 센서(72(i))가 각각 대응하는 자외선램프(64(i))로부터의 자외선을 다른 자외선램프로부터의 자외선보다도 선택적 또는 중점적으로 수광할 수 있도록 각 광 센서(72(i))의 주위에 적당한 차광부(106)가 설치된다.The lamp monitor unit 98 includes the optical sensors 72 (1) to 72 (n) for receiving ultraviolet rays from the respective ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) (1) to 64 (n) based on the output signals L1 to Ln of the light sensors 72 (1) to 72 (n) And a light measuring circuit 104 for measuring or estimating the degree of brightness to determine the light emitting state. In the lamp chamber 66, the respective photosensors 72 (i) are arranged so that ultraviolet rays from the corresponding ultraviolet lamps 64 (i) can be selectively or more focused than ultraviolet rays from other ultraviolet lamps, A suitable light shielding portion 106 is provided around the light shielding portion 72 (i).

다음에, 이 자외선조사유니트(UV)에 있어서의 주요한 동작순서를 도 6을 참조하여 설명한다. 먼저, 상기 메인컨트롤러로부터의 지시를 받아 제어부(88)를 포함해서 유니트내의 각부를 초기화한다(스텝 Al). 이 초기화중에 스테이지(76)는, Y방향으로는 셔터(86)에 근접하는 소정의 원점위치에 위치결정되고, Z방향으로는 퇴피용의 높이위치(Hb)에 있다. 또한 제어부(88)는 스테이지(76)를 Y방향으로 이동시키는 속도 요컨대 주사속도의 초기값으로서, 자외선램프(64(1)∼64(n)) 전체가 정상일 때에 채용하는 주사속도를 기준속도(Fs)로서 소정의 레지스터로 세트하는 것이 좋다.Next, the main operation sequence of the ultraviolet irradiation unit UV will be described with reference to Fig. First, each unit in the unit including the control unit 88 is initialized in response to an instruction from the main controller (Step A1). During this initialization, the stage 76 is positioned at a predetermined origin position close to the shutter 86 in the Y direction, and at the height position Hb for retraction in the Z direction. The control unit 88 sets the scanning speed used when the entirety of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n)) is normal as the initial value of the scanning speed, that is, the speed at which the stage 76 is moved in the Y- Fs) in a predetermined register.

주반송장치(38)(도 1)가 카세트스테이션(C/S)(10)으로부터 처리전의 기판(G)을 본 자외선조사유니트(UV) 앞까지 반송하여 오면, 제어부(88)는 주반송장치(38)와 기판(G)의 주고 받음을 하도록 해당의 각부를 제어한다(스텝 A2).When the main transport apparatus 38 (Fig. 1) transports the substrate G before the processing from the cassette station (C / S) 10 to the front of the ultraviolet irradiating unit UV viewed from the substrate G, (Step A2) so as to exchange the substrate W and the substrate G with each other.

보다 상세하게는, 제어부(88)는 먼저 셔터구동부(90)에 셔터(86)를 여는 제어신호를 출력하여 셔터(86)를 열게 한다. 주반송장치(38)는 한 쌍의 반송아암을 가지고 있으며, 한 쪽의 반송아암에 세정전의 기판(G)을 올려놓고, 다른쪽의 반송아암을 빈(기판 없슴) 상태로 본 자외선조사유니트(UV)를 향하여 이동된다. 본 자외선조사유니트(UV)내에 세정을 끝낸 기판(G)이 없을 때는, 세정전의 기판(G)을 지지하는 쪽의 반송아암을 그대로 열린 상태의 셔터(86)를 통해 세정처리실(68)내로 연장시켜 그 세정전 기판(G)을 고정 리프트핀(84)의 위에 옮겨놓는다. 본 자외선조사유니트(UV)내에 세정을 끝낸 기판(G)이 있을 때는, 최초에 빈 반송아암으로 그 세정을 끝낸 기판(G)을 반출하고 나서, 세정전의 기판(G)을 상기와 같이 하여 반입한다. 상기한바와 같이 하여 본 자외선조사유니트(UV)에서 자외선세정처리를 받아야 할 기판(G)이 주반송장치(38)에 의해 고정 리프트핀(84)의 위에 반입되어 재치되면, 셔터(86)를 닫는다.More specifically, the control unit 88 first outputs a control signal for opening the shutter 86 to the shutter driving unit 90, thereby opening the shutter 86. [ The main transfer device 38 has a pair of transfer arms, and the substrate G before cleaning is placed on one of the transfer arms, and the other transfer arm is exposed to the ultraviolet irradiation unit (not shown) UV). When there is no cleaned substrate G in the ultraviolet irradiation unit UV, the transfer arm supporting the substrate G before cleaning is extended into the cleaning processing chamber 68 through the shutter 86 in the open state So that the pre-cleaning substrate G is transferred onto the fixed lift pins 84. When the substrate G having been cleaned is present in the ultraviolet irradiation unit UV, the substrate G which has been cleaned first is taken out from the empty transport arm first and then the substrate G before cleaning is transported do. When the substrate G to be subjected to the ultraviolet ray cleaning treatment in the ultraviolet light irradiation unit UV as described above is carried on the fixed lift pin 84 by the main carrier unit 38 and placed thereon, Close.

이어서, 제어부(88)는 스테이지승강구동부(92)를 제어하여 스테이지(76)를 기판재치용의 높이위치(Ha)까지 상승시킨다(스텝 A3). 이 때 스테이지(76)가 상승 하는 사이에 진공척부의 흡인을 개시시켜, 스테이지(76)가 기판재치용의 높이위치 (Ha)에 도달함과 동시에 기판(G)을 흡인유지할 수 있도록 하는 것이 좋다.Next, the control unit 88 controls the stage lifting drive unit 92 to raise the stage 76 to the height position Ha for substrate placement (step A3). At this time, it is preferable to start suction of the vacuum chuck portion while the stage 76 is lifted so that the stage 76 can reach the height position Ha for substrate mounting and simultaneously hold the substrate G .

다음에, 제어부(88)는 램프전원부(96)의 모든 개폐기(102(1)∼102(n))를 접속(온)하여, 모든 자외선램프(64(1)∼64(n))를 점등시킨다(스텝 A4). 그리고, 램프모니터부(98)의 광측정회로(104)로부터의 광측정 또는 감시정보를 기초로 자외선램프(64(1)∼64(n)) 각각의 발광상태를 개별적으로 검사하고, 그 검사결과에 따라서 본 자외선조사유니트(UV)에 있어서의 자외선세정처리용의 소정의 파라미터(예를들면 주사속도, 조사시간등)의 재검토를 행한다(스텝 A5).Next, the control unit 88 connects all the switches 102 (1) to 102 (n) of the lamp power supply unit 96 to turn on all the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) (Step A4). The light emitting state of each of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) is individually inspected based on light measurement or monitoring information from the light measuring circuit 104 of the lamp monitor unit 98, (For example, scanning speed, irradiation time, and the like) for the ultraviolet ray cleaning process in the ultraviolet ray irradiation unit (UV) is reexamined in accordance with the result (step A5).

도 7에 본 실시형태에 있어서의 파라미터 재검토처리(스텝 A5)의 상세한 순서를 나타낸다. 먼저, 램프실(66)내에서 각 광 센서(72(1)∼72(n))에 입사하는 자외선의 조도를 측정한다(스텝 B1). 각 광 센서(72(1)∼72(n))는 각 대응하는 자외선램프(64(1)∼64(n))로부터의 자외선을 선택적 또는 중점적으로 수광하기 때문에, 각 광 센서(72(1)∼72(n))의 수광하는 자외선의 조도는 각 대응하는 자외선램프(64(1)∼64(n))의 휘도에 비례하고 있다. 따라서 각 광 센서(72(1)∼72(n))의 출력신호(L1)∼(Ln)로부터 각 자외선램프(64(1)∼64(n))의 휘도를 절대치 또는 상대치로서 산출하고(스텝 B2), 사용상의 하한치를 하회하고 있는지 아닌지, 요컨대 점등사용상의 적정여부를 판정한다(스텝 B3).Fig. 7 shows a detailed procedure of the parameter review process (step A5) in the present embodiment. First, the illuminance of ultraviolet light incident on each of the photosensors 72 (1) to 72 (n) in the lamp chamber 66 is measured (step B1). Each of the photosensors 72 (1) to 72 (n) selectively receives ultraviolet rays from the corresponding ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) ) To 72 (n) is proportional to the luminance of each corresponding ultraviolet lamp 64 (1) to 64 (n). The luminance of each of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) is calculated as the absolute value or the relative value from the output signals L1 to Ln of the optical sensors 72 (1) to 72 (Step B2). It is judged whether or not it is lower than the lower limit of use, that is, whether it is appropriate for lighting use (step B3).

상기의 램프모니터검사(스텝 B1∼B3)에서 휘도가 일정한 하한치를 하회하고 있는(점등하지 않은 상태를 포함한다) 자외선램프(64(i))가 발견되었을 때는, 그 자외선램프(64(i))를 발광불량의 이상램프라고 간주하고, 램프전원부(66)내의 해당하는 개폐기(102(i))를 오프로 전환하여, 그 이상램프(64(i))의 점등사용을 중지하도록 제어부(88)에 의해 제어한다(스텝 B4). 그리고 그와 같은 일부의 자외선램프 (64(i))를 점등사용하지 않게 되더라도, 다음공정의 자외선조사처리(스텝 A6)에 있어서 기판(G)에 충분한 자외선조사량(적산광량)을 주어지도록 소정의 파라미터(주사속도등)을 보정한다(스텝 B5).When the ultraviolet lamp 64 (i) whose brightness is lower than a predetermined lower limit (including the unlit state) is found in the above lamp monitor inspection (steps B1 to B3), the ultraviolet lamp 64 (i) ) Is regarded as an abnormal light emitting failure lamp and the corresponding switch (102 (i)) in the lamp power supply unit 66 is turned off to stop the use of the abnormal lamp 64 (i) (Step B4). Even if the ultraviolet ray lamp 64 (i) is not turned on, the substrate G is irradiated with a predetermined amount of ultraviolet radiation (total amount of light) in the ultraviolet ray irradiation process (step A6) Thereby correcting the parameter (scanning speed, etc.) (step B5).

예를들면, 3개의 자외선램프(64(1)∼64(3))를 구비하는 구성에 있어서 1개의 자외선램프(64(1))가 발광불량으로 되어 있다는 모니터 검사결과가 나왔을 때는 제어부(88)가 램프전원부(96)의 개폐기(102(1))를 오프(차단)하여 자외선램프 (64(1))에 대한 전력의 공급을 멈추도록 제어한다. 그리고, 스테이지(76)상의 기판 (G)에 대하여, 정상상태인 남은 2개의 자외선램프(64(2),64(3))에 의한 자외선의 조사량이 세정처리 품질을 보증할 수 있는 하한치를 하회하지 않도록, 자외선조사처리에 있어서의 주사속도를 모든 램프가 정상일 때의 기준속도(Fs)보다도 느린 속도(Fk)로 보정한다. 개략적으로는 점등사용하는 램프가 모두 정상일 때의 3개로부터 2개로 감소하는 것이니까 자외선조사시간을 3/2배가 되도록 기준속도(Fs)의 2/3배의 속도를 보정주사속도(Fk)로 할 수 있다. 보다 정밀하게는, 정상램프(64(2),64(3))의 현시점의 휘도도 감안하여 제어할 수가 있다. 예를들면, 정상램프(64(2),64(3))의 휘도가 사용개시 때의 초기값보다도 상당히 저하된 경우는, 그 휘도저하분을 보상하는 바와 같은 속도저감보정을 가미하여 보정주사속도(Fk)를 구할 수 있다. 이렇게 해서 구해진 보정주사속도(Fk)는, 초기화(스텝 A1)에서 세트되어 있던 기준주사속도(Fs)로 치환되어 세트된다.For example, when a result of the monitor inspection that one ultraviolet lamp 64 (1) is in a poor light emission state in the configuration including three ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (3) Controls the switch 102 (1) of the lamp power supply unit 96 to be turned off to stop the supply of electric power to the ultraviolet lamp 64 (1). The irradiation amount of the ultraviolet rays by the remaining two ultraviolet lamps 64 (2) and 64 (3) in the steady state with respect to the substrate G on the stage 76 is lower than the lower limit for ensuring the cleaning treatment quality , The scanning speed in the ultraviolet ray irradiation processing is corrected to the speed Fk which is slower than the reference speed Fs when all the lamps are normal. In general, since the number of lamps to be turned on is reduced from three to two at normal times, the speed of 2/3 times the reference speed Fs is set to the correction scanning speed Fk so that the ultraviolet irradiation time is 3/2 times can do. More precisely, the brightness can be controlled in consideration of the current brightness of the normal lamps 64 (2) and 64 (3). For example, when the luminance of the normal lamps 64 (2) and 64 (3) is considerably lower than the initial value at the start of use, the correction is performed by adding the speed reduction correction, The speed Fk can be obtained. The corrected scanning speed Fk thus obtained is replaced with the reference scanning speed Fs set in the initialization (step A1) and set.

상기의 램프모니터검사(스텝 B1∼B3)에서 이상인 램프가 한개도 발견되지 않을 때는, 상기의 초기화(스텝 A1)에서 세트하고 있는 기준주사속도(Fs)를 그대로 채용(유지)한다(스텝 B6).If no abnormal lamps are found in the above lamp monitor tests (steps B1 to B3), the reference scanning speed Fs set in the initialization (step A1) is adopted (maintained) as it is (step B6) .

다시 도 6에 있어서, 상기와 같은 파라미터 재검토처리(스텝 A5)를 끝내고 나서, 기판(G)에 대한 자외선세정처리를 실행한다(스텝 A6). 이 자외선세정처리를 하기 위하여 제어부(88)는 스테이지구동부(80)의 주사구동부(94)에 의해 스테이지 (76)를 원점위치와 점선(76')으로 나타내는 이동위치 사이에서 Y방향으로 편도이동 또는 왕복이동시킨다. 이 스테이지(76)의 Y방향이동에 의해 스테이지상의 기판(G)이 램프실(66)의 바로 아래를 소정의 높이 위치(Ha)에서(요컨대 석영유리창(62)에 대하여 소정의 간격을 두고) Y방향으로 가로지르는 것이고, 램프실(66)의 석영유리창(62)으로부터 거의 수직아래쪽을 향하여 방사되는 파장 172 nm의 자외선이 기판 (G)을 Y방향으로 일끝단으로부터 다른 끝단까지 주사하여 기판표면의 전면을 조사한다.Referring again to Fig. 6, after the parameter review process (step A5) is completed, the ultraviolet cleaning process is performed on the substrate G (step A6). In order to perform the ultraviolet ray cleaning process, the control unit 88 performs one-way movement in the Y direction between the origin position and the movement position indicated by the dotted line 76 'by the scan driver 94 of the stage drive unit 80 Reciprocating. The substrate G on the stage is moved in the Y direction to move the stage G immediately below the ramp chamber 66 at a predetermined height Ha (that is, at a predetermined distance from the quartz glass window 62) And the ultraviolet rays having a wavelength of 172 nm radiated from the quartz glass window 62 of the lamp chamber 66 in a substantially vertical downward direction scan the substrate G from one end to the other end in the Y direction, .

이와 같이 기판(G)에 대하여 파장 172 nm의 자외선이 조사되는 것에 의해 기판표면부근에 존재하고 있는 산소가 이 자외선에 의해 오존(O3)으로 변하고, 또 이 오존(O3)이 자외선에 의하여 여기되어 산소원자 라디컬(radical)(O*)이 생성된다. 이 산소 라디컬에 의해 기판(G)의 표면에 부착하고 있는 유기물이 이산화탄소와 물로 분해되어 기판표면에서 제거된다.Oxygen existing in the vicinity of the surface of the substrate is converted into ozone (O 3 ) by the ultraviolet rays by irradiating the substrate G with ultraviolet rays having a wavelength of 172 nm and the ozone (O 3 ) (O * ) is generated. The organic radicals attached to the surface of the substrate (G) by the oxygen radical are decomposed into carbon dioxide and water and removed from the substrate surface.

이러한 주사방식의 자외선세정처리에 있어서, 기판(G)에 대한 자외선의 조사 량 또는 광량은 스테이지(76)의 이동속도(주사속도)(F)에 반비례한다. 요컨대, 주사속도(F)를 빠르게 할수록 기판(G)에 대한 자외선조사시간이 짧아지므로 자외선조사량은 적어지게 되고, 반대로 주사속도(F)를 느리게 할수록 기판(G)에 대한 자외선조사시간이 길어지므로 자외선조사량은 많아진다.In this scanning type ultraviolet cleaning process, the amount of light or the amount of ultraviolet light irradiated to the substrate G is inversely proportional to the moving speed (scanning speed) F of the stage 76. In other words, as the scanning speed F is increased, the ultraviolet ray irradiation time for the substrate G is shortened, so that the ultraviolet ray irradiation amount is decreased. On the other hand, as the scanning speed F is decreased, The amount of ultraviolet radiation is increased.

본 실시형태에서는, 램프실(66)내의 자외선램프(64(1)∼64(n))의 발광상태가 모두 정상인 경우는 물론, 일부가 발광불량이 되더라도, 상기한 바와 같은 파라미터 재검토처리(스텝 A5)에 의해 현시점의 정상인 램프의 발광상태에 적합한 최적의 주사속도(F)가 설정되기 때문에, 기판(G)에 대하여 필요하고 또한 충분한 광량의 자외선을 조사하여 소기의 세정효과를 보증할 수 있다. 따라서, 본 자외선조사유니트(UV)에 있어서는, 운전을 중지하는 일 없이 적정한 자외선세정처리를 계속하여 실시할 수가 있다.In this embodiment, not only the cases where the light emitting states of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n)) in the lamp chamber 66 are all normal, but also the parameter reconsideration process The optimum scanning speed F suitable for the light emission state of the lamp at the present time is set by the light sources A5 and A5 so that the required cleaning effect can be assured by irradiating the substrate G with ultraviolet light which is necessary and sufficient in light quantity . Therefore, in the present ultraviolet irradiation unit (UV), it is possible to continue the proper ultraviolet ray cleaning process without stopping the operation.

다만, 발광불량의 이상램프(64(i))를 1개라도 검출한 경우, 제어부(88)는 디스플레이나 부저등(도시하지 않음)을 통하여 그 이상 또는 고장사태를 알리는 알람정보 또는 신호를 내도록 하여도 좋다.However, when at least one abnormal lamp 64 (i) with a poor light emission is detected, the control unit 88 controls the display unit or the buzzer (not shown) so as to output alarm information or a signal indicating abnormality or failure .

상기와 같이 기판(G)에 대한 자외선세정처리가 종료되면, 제어부(88)는 램프전원부(96)내의 모든 개폐기(102(1)∼102(n))를 열어(오프) 모든 자외선램프 (64(1)∼64(n))를 소등시킨다(스텝 A7). 이어서 Y방향 원점위치에서 진공척을 오프로 하고 나서 스테이지승강구동부(92)에 의해 스테이지(76)를 퇴피용의 높이 위치(Hb)까지 내리고(스텝 A8), 기판(G)을 고정 리프트핀(84)에 지지시킨다. 이렇게 하여 1매의 기판(G)에 대한 본 자외선세정유니트(UV)내의 모든 공정이 종료되고, 주반송장치(38)(도 1)가 오는 것을 기다린다.The control unit 88 opens all the switches 102 (1) to 102 (n) in the lamp power supply unit 96 to turn off all the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) are turned off (step A7). Subsequently, the vacuum chuck is turned off at the origin position in the Y direction and the stage 76 is lowered to the height position Hb for retraction by the stage lifting driver 92 (step A8) 84. Thus, all the processes in the main UV cleaning unit UV for one substrate G are terminated, and the main transport apparatus 38 (Fig. 1) is waited for.

상기와 같은 본 실시형태에서는, 램프실(66)내에서 일부의 자외선램프(64)가 발광불량으로 되어도 적정한 자외선세정처리의 동작을 계속하여 실시할 수 있기 때문에, 이 자외선조사유니트(UV)에 요구되는 생산수율을 안정하게 유지할 수 있다. 따라서, 세정프로세스부(22)의 생산수율 나아가서는 본 도포현상처리시스템의 생산수율을 보증할 수 있다. 또한 발광불량의 램프는 정기적인 유지관리시에 정상램프와 교환하면 되기 때문에, 계획적인 보수관리가 가능하다.In this embodiment as described above, even if some of the ultraviolet lamps 64 fail to emit light in the lamp chamber 66, the proper operation of the ultraviolet ray cleaning process can be continuously performed. Therefore, in the ultraviolet ray irradiation unit UV The required production yield can be stably maintained. Therefore, the production yield of the cleaning process section 22 and further the production yield of the present coating and developing treatment system can be guaranteed. In addition, since the lamps with poor light emission can be replaced with normal lamps during regular maintenance, it is possible to carry out planned maintenance.

상기 실시형태에서는, 램프전원부(96)가 일정한 교류전력을 각 자외선램프 (64(1)∼64(n))에 공급하는 구성이지만, 각 자외선램프(64(1)∼64(n))에 공급하는 전력을 가변제어할 수 있는 램프전원장치(도시하지 않음)를 사용하여도 좋고, 그 경우에는 상기한 파라미터 재검토처리(스텝 A5)에 의해 재설정가능한 파라미터로서 램프투입전력 또는 램프휘도를 채용할 수도 있다. 즉, 상술한 바와 같이 스텝 B1∼B3의 램프모니터검사에서 발광불량의 이상램프가 발견되었을 때에, 그 이상램프의 점등사용을 중지하도록 제어부(88)에 의해 제어하고, 자외선조사처리에 있어서 기판(G)에 충분한 자외선조사량(적산광량)이 주어지도록 램프투입전력 또는 램프휘도를 보정함으로써도 같은 효과를 얻을 수 있다.In the above embodiment, the lamp power supply unit 96 supplies a constant AC power to each of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) A lamp power supply device (not shown) capable of variably controlling power to be supplied may be used. In this case, the lamp input power or the lamp brightness may be employed as a parameter that can be reset by the above-described parameter review process (step A5) It is possible. That is, as described above, when an abnormal lamp of a defective light emission is detected in the lamp monitor inspection of the steps B1 to B3, the controller 88 controls the control unit 88 to stop using the abnormal lamp, G) can be obtained by correcting the lamp input power or the lamp luminance such that a sufficient amount of ultraviolet radiation (total light quantity) is given to the lamps.

또한, 상기의 실시형태에서는 자외선조사처리에 있어서 파라미터 재검토처리 (스텝 A5)에 의해 재설정가능한 파라미터로서 자외선조사시간을 채용할 수도 있다. 즉, 상술한 바와 같이 스텝 B1∼B3의 램프모니터검사에서 발광불량의 이상램프가 발견되었을 때에, 그 이상램프의 점등사용을 중지하도록 제어부(88)에 의해 제어하 고, 자외선조사처리에 있어서 기판(G)에 충분한 자외선조사량(적산광량)이 주어지도록 자외선조사시간을 보정함으로써도 같은 효과를 얻을 수 있다.In the above embodiment, the ultraviolet ray irradiation time may be employed as a parameter that can be reset by the parameter review process (step A5) in the ultraviolet ray irradiation process. That is, as described above, when an abnormal lamp of a defective light emission is detected in the lamp monitor inspection of the steps B1 to B3, the controller 88 controls the control unit 88 to stop using the abnormal lamp, The same effect can be obtained by correcting the ultraviolet ray irradiation time such that a sufficient amount (ultraviolet ray irradiation amount) of the ultraviolet ray is given to the photographed image G.

또한 상기 실시형태에서는, 자외선램프(64(1)∼64(n))쪽을 고정하고, 기판 (G)쪽을 램프배열방향으로 평행이동시키는 주사방식을 채용한 예를 나타내었지만, 기판(G)쪽을 소정위치에 고정하고, 자외선램프(64(1)∼64(n))쪽을 기판면과 평행하게 이동시키는 주사방식도 가능하다. 주사구동수단은, 상기한 바와 같은 볼나사기구에 한정되는 것은 아니고, 벨트식이나 로울러식등으로도 좋다.In the above embodiment, an example in which the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n)) are fixed and the substrate G is moved in parallel to the lamp array direction is adopted. ) May be fixed at a predetermined position, and the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) may be moved parallel to the substrate surface. The scan driving means is not limited to the ball screw mechanism as described above, but may be a belt type or a roller type.

또한, 주사방식이 아니고, 자외선램프(64(1)∼64(n)) 및 기판(G)의 쌍방을 고정하여 대향배치하는 정지방식도 가능하다. 이 경우는, 상기한 바와 같은 파라미터 재검토처리에 의해 재설정가능한 파라미터로서 상술한 자외선조사시간이나 램프투입전력등을 채용할 수가 있다.It is also possible to adopt a stopping method in which both the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) and the substrate G are fixed and opposed to each other instead of the scanning method. In this case, the above-described ultraviolet irradiation time or lamp input power can be employed as the reconfigurable parameter by the parameter review process as described above.

또한, 램프실(66)내에 설치되는 자외선램프(64(1)∼64(n))의 일부를 예비램프로서 정상상태 그대로 점등사용하지 않은 상태로 두고, 다른 램프가 발광불량으로 되는 시점에서 그 발광불량램프의 점등사용을 멈추고, 대신에 해당 예비램프를 점등사용하는 것도 가능하다. 이 경우는, 점등사용에 제공되는 자외선램프의 조합을 일종의 파라미터로서 가변조정하는 것이 된다.A part of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) provided in the lamp chamber 66 may be left as a spare lamp in a normal state and not used, It is also possible to stop using the light emitting failure lamp and use the corresponding spare lamp instead. In this case, the combination of ultraviolet lamps provided for lighting use is variably adjusted as a kind of parameter.

또, 상기한 바와 같은 파라미터 재검토처리에 의해 재설정가능한 파라미터는, 단독으로 채용하여도 좋지만, 이상과 같이 파라미터를 2이상 조합시켜 채용하여도 좋다. 예를들면, 주사속도와 자외선조사시간의 양쪽을 재설정하도록 하여도 좋다. The parameters that can be reset by the parameter review process as described above may be employed singly, but two or more parameters may be used in combination as described above. For example, both the scanning speed and the ultraviolet irradiation time may be reset.                     

상기한 실시형태에서는, 발광불량이 된 램프에 있어서는 그 점등사용을 멈추도록 하였다. 즉, 그와 같은 이상램프는 실질적으로 제어불능이며, 기판(G)에 대한 램프실(66)로부터의 자외선조사량을 설정한 대로 관리할 수 없게 되므로 점등사용하는 램프군으로부터 빼는 것이 바람직하다. 그러나, 안전면에서 특별한 문제가 없다면, 상기와 같은 파라미터 재검토를 한 뒤에, 그와 같은 이상램프의 점등사용을 필요에 따라서 계속하여도 좋다.In the above-described embodiment, the lamp is turned off when the lamp fails to emit light. That is, such an abnormal lamp is substantially out of control, and it can not be controlled by setting the ultraviolet radiation amount from the lamp chamber 66 with respect to the substrate G. Therefore, it is preferable to subtract it from the lamp group to be used for lighting. However, if there is no particular problem in terms of safety, after such parameters are reviewed, the use of such abnormal lamps may be continued as necessary.

이상에 도달하지 않았어도 램프의 휘도가 저하한 것 등이 확인된 시점에서 파라미터의 보정을 행할 수 있다. 이러한 제어는 램프가 복수로 설치되는 경우에 한정하지 않고 하나의 경우에도 행할 수 있고, 또한 복수의 램프가 있어도 발광상태를 개별로 감시하지 않은 경우에서도 행할 수 있다.It is possible to correct the parameter at the time when it is confirmed that the luminance of the lamp has decreased. This control is not limited to a case in which a plurality of lamps are provided, but can be performed in one case, and even when there are a plurality of lamps, even if the light emitting state is not individually monitored.

또한 본 자외선조사유니트(UV) 운전의 계속성을 최대한으로 도모하는 의미로서는, 램프실(66)에 있어서 각 자외선램프(64(1)∼64(n))의 부착·떼기를 개별적으로 행할 수 있는 구성, 예를들면 모듈형의 램프유니트 또는 하우징(도시하지 않음)도 바람직하다.In order to maximize the continuity of the operation of the ultraviolet irradiation unit (UV), it is preferable that each of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) can be attached and detached individually in the lamp chamber 66 A configuration, for example a modular lamp unit or housing (not shown), is also desirable.

또한, 이상램프의 점등사용을 멈춘 경우, 나머지 정상램프를 전부 최대투입전력으로 점등하여도 기판(G)에 대한 자외선의 조도가 원하는 세정효과를 보증할 수 있는 소정의 하한치를 하회하는 것도 있을 수 있다. 그와 같은 파라미터의 보정이 이미 듣지 않는 경우는, 필요의 알람정보를 발생하여, 본 자외선조사유니트(UV)의 운전을 멈추어도 좋다.When the use of the abnormal lamp is stopped, even if all the remaining normal lamps are turned on with the maximum applied power, there may be a case in which the illuminance of the ultraviolet rays on the substrate G is lower than a predetermined lower limit for ensuring the desired cleaning effect have. If the correction of such parameters is not already heard, the necessary alarm information may be generated and the operation of the present ultraviolet irradiation unit UV may be stopped.

상기한 실시형태에 있어서의 램프실(66)내나 세정처리실(68)내의 구성, 특히 자외선램프(64(1)∼64(n)), 스테이지(76), 스테이지구동부(80)등의 구성은 일례이고, 각부에 대하여 여러가지의 변형이 가능하다.The configurations of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n), the stage 76, and the stage driving unit 80 in the lamp chamber 66 and the cleaning processing chamber 68 in the above- It is an example, and various modifications are possible for each part.

상기 실시형태는, 자외선조사세정장치(UV)에 관계되는 것이었다. 그러나 본 발명의 기판처리장치는, 유기오염의 제거 이외의 목적으로 피처리기판에 자외선을 조사하는 처리에도 적용가능하다. 예를들면, 상기한 바와 같은 도포현상처리시스템에 있어서, 포스트베이킹(스텝 S13)후에 레지스트를 경화시킬 목적으로 기판(G)에 자외선을 조사하는 공정에 상기 실시형태와 같은 자외선조사장치를 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서의 피처리기판은 LCD 기판에 한정하지 않고, 반도체웨이퍼, CD기판, 유리기판, 포토마스크, 프린트기판등도 가능하다.
The above embodiment relates to an ultraviolet irradiation cleaning apparatus (UV). However, the substrate processing apparatus of the present invention is also applicable to processing for irradiating ultraviolet rays to a substrate to be processed for purposes other than removal of organic contamination. For example, in the coating and developing system as described above, an ultraviolet irradiation apparatus as in the above embodiment can be used in the step of irradiating the substrate G with ultraviolet rays for the purpose of curing the resist after post-baking (step S13) have. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, but may be a semiconductor wafer, a CD substrate, a glass substrate, a photomask, a printed substrate, or the like.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 자외선램프에 발광불량등의 이상이 발생하여도 정상적인 자외선조사처리를 계속하여 실시하는 것이 가능하고, 생산수율의 저하를 회피할 수 있다. 또한, 자외선램프의 일부가 발광불량으로 되어도 즉시 운전을 멈출 필요가 없기 때문에 계획적인 보수관리가 가능해진다.INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, according to the present invention, normal ultraviolet ray irradiation processing can be continuously performed even if an abnormality such as a defective light emission occurs in an ultraviolet lamp, and a decrease in production yield can be avoided. In addition, even if a part of the ultraviolet lamp fails to emit light, it is not necessary to immediately stop the operation, so that it is possible to perform planned maintenance.

Claims (14)

피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 행하는 기판처리장치로서,1. A substrate processing apparatus for irradiating a target substrate with ultraviolet rays to perform predetermined processing, 상기 피처리기판을 지지하는 지지수단과,A supporting means for supporting the substrate to be processed, 전력 공급을 받아 자외선을 발하는 램프를 복수개 구비하여, 상기 램프로부터 나온 자외선을 상기 피처리기판을 향하여 조사하는 자외선조사수단과,An ultraviolet irradiating means having a plurality of lamps which emit ultraviolet rays under power supply and irradiate ultraviolet rays emitted from the lamp toward the substrate to be processed; 상기 복수개의 램프 각각의 발광상태를 개별적으로 감시하는 램프감시수단과,Lamp monitoring means for individually monitoring a light emitting state of each of the plurality of lamps; 상기 램프감시수단으로부터의 감시정보에 따라서, 상기 램프의 어느 하나의발광상태가 이상이라는 감시정보가 상기 램프감시수단으로부터 나올 때에, 해당 이상램프의 점등을 중지하도록 상기 자외선조사수단을 제어함과 함께, 자외선조사파라미터를 제어하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는, 기판처리장치.Controls the ultraviolet irradiating means so as to stop lighting of the abnormal lamp when the monitoring information indicating that any one of the light emitting states of the lamp is abnormal comes out from the lamp monitoring means in accordance with the monitoring information from the lamp monitoring means And control means for controlling ultraviolet irradiation parameters. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선이 상기 지지수단에 지지되어 있는 상기 피처리기판의 피처리면을 주사하도록, 상기 지지수단 및 상기 램프 중 어느 한 쪽 또는 양쪽을 소정방향으로 이동시키는 구동수단을 더 가지고,Further comprising driving means for moving either or both of the supporting means and the lamp in a predetermined direction so that ultraviolet rays from the ultraviolet ray irradiating means scan the surface to be processed of the substrate to be processed supported by the supporting means, 상기 자외선조사 파라미터는 주사속도인 것을 특징으로 하는, 기판처리장치.Wherein the ultraviolet irradiation parameter is a scanning speed. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 자외선조사 파라미터는 자외선 조사시간인 것을 특징으로 하는, 기판처리장치.Wherein the ultraviolet ray irradiation parameter is an ultraviolet ray irradiation time. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 자외선조사 파라미터는 램프의 휘도인 것을 특징으로 하는, 기판처리장치.Wherein the ultraviolet irradiation parameter is a brightness of the lamp. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 자외선조사 파라미터는 램프로의 투입전력인 것을 특징으로 하는, 기판처리장치.Wherein the ultraviolet irradiation parameter is an input power to the lamp. 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 행하는 기판처리장치로서,1. A substrate processing apparatus for irradiating a target substrate with ultraviolet rays to perform predetermined processing, 상기 피처리기판을 지지하는 지지수단과,A supporting means for supporting the substrate to be processed, 전력 공급을 받아 자외선을 발하는 램프를 복수개 구비하여, 상기 램프로부터 나온 자외선을 상기 피처리기판을 향하여 조사하는 것과 함께, 상기 복수개의 램프 중의 일부를 예비램프로서 비점등 사용상태로 유지하는 자외선조사수단과,An ultraviolet light irradiation means for irradiating ultraviolet rays emitted from the lamp toward the substrate to be processed and for maintaining a part of the plurality of lamps as a spare lamp in a non- and, 상기 복수개의 램프 각각의 발광상태를 개별적으로 감시하는 램프감시수단과,Lamp monitoring means for individually monitoring a light emitting state of each of the plurality of lamps; 상기 예비램프 외의 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 상기 램프감시수단으로부터 나올 때에, 해당 이상램프 대신에 상기 예비램프를 점등사용하도록 상기 자외선조사수단을 제어하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는, 기판처리장치.And control means for controlling the ultraviolet irradiating means so as to use the spare lamp instead of the abnormal lamp when the monitoring information indicating that the light emission state of any one of the lamps other than the spare lamp is abnormal comes out from the lamp monitoring means And the substrate processing apparatus. 복수의 램프로부터 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 행하는 기판처리방법으로서,A substrate processing method for irradiating ultraviolet rays from a plurality of lamps on a substrate to be processed to perform predetermined processing, 상기 복수의 램프의 발광상태를 개별적으로 감시하는 공정과,Individually monitoring the light emission states of the plurality of lamps; 상기 램프로부터의 자외선이 상기 피처리기판의 피처리면을 조사하도록, 상기 피처리기판 및 상기 램프 중 어느 한 쪽 또는 양쪽을 소정 방향으로 이동시키는 공정과,A step of moving either or both of the substrate and the lamp to be processed in a predetermined direction so that ultraviolet rays from the lamp irradiate the surface to be processed of the substrate to be processed; 상기 주사속도를 가변제어하는 공정을 가지고,And a step of variably controlling the scanning speed, 상기 감시하는 공정에 있어서, 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 나올 때에, 해당 이상램프의 점등을 중지함과 함께 잔여램프에 의해 정상인 자외선 조사가 행해지도록, 상기 주사속도를 가변제어하는 공정에 있어서, 상기 주사속도를 제어하는, 기판처리방법. The control unit stops the lighting of the abnormal lamp when the monitoring information indicates that the light emitting state of any one of the lamps is abnormal in the monitoring step and changes the scanning speed to the variable speed so that the normal ultraviolet irradiation is performed by the residual lamp Wherein the scanning speed is controlled in the step of controlling. 복수의 램프로부터 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 행하는 기판처리방법으로서,A substrate processing method for irradiating ultraviolet rays from a plurality of lamps on a substrate to be processed to perform predetermined processing, 상기 복수의 램프의 발광상태를 개별적으로 감시하는 공정과,Individually monitoring the light emission states of the plurality of lamps; 상기 자외선의 조사시간을 가변제어하는 공정을 가지고,A step of variably controlling an irradiation time of the ultraviolet ray, 상기 감시하는 공정에 있어서, 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 나올 때에, 해당 이상 램프의 점등을 중지함과 함께, 잔여 램프에 의해 정상인 자외선 조사가 행해지도록, 상기 조사시간을 가변제어하는 공정에 있어서 상기 자외선 조사시간을 제어하는, 기판처리방법.In the monitoring step, when the monitoring information indicates that the light emission state of any one of the lamps is abnormal, the lighting of the abnormal lamp is stopped and the irradiation time is adjusted so that the normal ultraviolet light irradiation is performed by the residual lamp And controlling the ultraviolet ray irradiation time in a step of variable control. 복수의 램프로부터 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 행하는 기판처리방법으로서,A substrate processing method for irradiating ultraviolet rays from a plurality of lamps on a substrate to be processed to perform predetermined processing, 상기 복수의 램프의 발광상태를 개별적으로 감시하는 공정과,Individually monitoring the light emission states of the plurality of lamps; 상기 램프의 휘도를 개별적으로 제어하는 공정을 가지고,And controlling the luminance of the lamps individually, 상기 감시하는 공정에 있어서, 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 나올 때에 해당 이상 램프의 점등을 중지함과 함께, 잔여 램프에 의해 정상인 자외선 조사가 행해지도록, 상기 램프의 휘도를 개별적으로 제어하는 공정에 있어서 정상상태에 있는 상기 램프의 휘도를 제어하는, 기판처리방법.The control unit stops the lighting of the abnormal lamp when the monitoring information indicates that the light emitting state of any one of the lamps is abnormal in the monitoring step and sets the luminance of the lamp to Wherein the brightness of the lamp in the steady state is controlled in the step of individually controlling. 복수의 램프로부터 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 행하는 기판처리방법으로서,A substrate processing method for irradiating ultraviolet rays from a plurality of lamps on a substrate to be processed to perform predetermined processing, 상기 복수의 램프의 발광상태를 개별적으로 감시하는 공정과,Individually monitoring the light emission states of the plurality of lamps; 상기 램프로의 투입전력을 개별적으로 제어하는 공정을 가지고,And a step of separately controlling the input power to the lamp, 상기 감시하는 공정에 있어서, 어느 하나의 상기 램프의 발광상태가 이상이라는 감시정보가 나올 때에 해당 이상램프의 점등을 중지함과 함께, 잔여 램프에 의해 정상인 자외선 조사가 행해지도록, 상기 램프로의 투입전력을 개별적으로 제어하는 공정에 있어서 정상상태에 있는 상기 램프로의 투입전력을 제어하는, 기판처리방법. Wherein when the monitoring information indicates that the light emission state of any one of the lamps is abnormal in the monitoring step, the lighting of the abnormal lamp is stopped and the ultraviolet ray is irradiated by the remaining lamp, Wherein the power to be supplied to the lamp in a steady state is controlled in a process of individually controlling power. 복수의 램프로부터 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 행하는 기판처리방법으로서,A substrate processing method for irradiating ultraviolet rays from a plurality of lamps on a substrate to be processed to perform predetermined processing, 상기 복수의 램프의 발광상태를 개별적으로 감시하는 공정과,Individually monitoring the light emission states of the plurality of lamps; 상기 복수개의 램프 중의 일부를 예비램프로서 비점등사용상태로 유지해 두고, A part of the plurality of lamps is maintained in a non-lighting state as a spare lamp, 상기 감시하는 공정에 있어서, 상기 예비램프 외의 어느 하나의 상기 램프의 발광 상태가 이상이라는 감시정보가 나올 때에, 해당 이상램프 대신에 상기 예비램프를 점등사용하도록 제어하는 공정을 가지는, 기판처리방법.And controlling the spare lamp to be used instead of the abnormal lamp when monitoring information indicating that the light emission state of any one of the lamps other than the spare lamp is abnormal is displayed in the monitoring step. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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