KR100719037B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법이 제공된다. 본발명인 플라즈마 디스플레이 패널은 글라스 기판에 초기 방전을 발생시키기 위한 방전점화부와 초기 방전을 이용하여 방전시 전체로 확산시키는 방전확산부를 각각 구비하여 형성된 스캔 전극 및 서스테인 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극을 포함하여 글라스 기판 상부에 형성된 유전체층을 포함한다.

또한, 본 발명인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 전면 글라스 기판에 스캔 전극과 서스테인 전극을 형성하는 단계, 스캔 전극과 서스테인 전극을 덮도록 유전체층을 형성하는 단계 및 상기 유전체층에 그루브를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

방전점화부, 방전확산부, 그루브, 초기방전

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법{The Plasma Display Panel and Method of Manufacturing thereof}

도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도.

도 2는 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 일 실시예로 전면 패널 제조공정을 순차적으로 나타낸 공정도.

도 3은 펜스(Fence) 형 타입 전극구조를 지닌 방전셀의 평면도.

도 4는 전극사이의 방전영역을 설명하기 위한 도.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 펜스(Fence)형 타입 전극구조를 지닌 방전셀의 평면도.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 또 다른 펜스(Fence)형 타입 전극구조를 지닌 방전셀의 평면도.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 차등적인 유전체층을 개략적으로 나타낸 도.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 또 다른 플라즈마 디스플레이 패널의 차등적인 유전체층을 개략적으로 나타낸 도.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조 공정을 순차적으로 나타낸 공정도.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 또 다른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조 공정을 순차적으로 나타낸 공정도.

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 플라즈마 디스플레이 전면 패널의 전극 구조 및 유전체층을 개선한 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 패널과 후면 패널 사이에 형성된 격벽이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온과 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet Rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.

도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 글라스(101)에 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널(100) 및 배면을 이루는 후면 글라스(111) 상에 전술한 복수의 유지전극쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극 (113)이 배열된 후면 패널(110)이 일정거리를 사이에 두고 평행하게 결합된다.

전면 패널(100)은 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103), 즉 투명한 물질로 형성된 투명 전극(a)과 금속재질로 제작된 버스 전극(b)으로 구비된 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 유전체층(104)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체층(104) 상면에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호층(105)이 형성된다.

후면 패널(110)은 후면 글라스(111) 상부에 전면 글라스(101) 상부에 평행하게 배열된 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)과 교차하는 방향으로 어드레스 전극(113)이 배열되고, 어드레스 전극(113) 상부에는 하부 유전체층(115)가 형성된다. 또한, 하부 유전체층(115) 상부에는 방전 셀을 구획하는 격벽(112)이 형성되고, 방전셀 공간에는 형광체층(114)이 도포되어 방전 시 R(적색), G(녹색), B(청색) 중 어느 하나의 색을 갖는 가시광선을 발생하게 된다.

여기서, 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서 전면패널의 제조공정을 살펴보면 다음 도 2와 같다.

도 2는 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조공정을 순차적으로나타낸 순서도이다.

도 2에 도시된 바와 같이, (a) 단계에서는 전면 글라스(200) 상부에 산화인듐과 산화주석으로 이루어진 ITO(Indium Tin Oxide) 물질의 투명전극(201)을 형성 한다.

이러한 투명전극(201)의 형성 방법의 일례를 살펴보면, ITO 물질로 형성된 투명 전극막 상부에 드라이 필름 포토 레지스트를 라미네이팅하여 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크(Photo Mask)의 패턴으로 노광한 후, 현상 및 에칭 공정을 거쳐 스캔용 투명전극(201a)과 서스테인용 투명전극(201b)을 형성한다.

이 후, (b) 단계에서, 스캔용 투명전극(201a)과 서스테인용 투명전극(201b)이 형성된 전면 글라스(200) 상부에 블랙층(202)을 형성하기 위한 블랙 페이스트를 인쇄한 후 약 120℃ 정도로 건조하고, (c) 단계에서, 건조된 블랙 페이스트 상부에 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크(205)를 올려놓고 자외선을 조사하여 건조한다. 이러한 공정을 노광공정(Photolithography)이라 한다.

노광공정을 거친 블랙층(202) 상부에 (d) 단계에서, 버스전극(203a, 203b)을 형성하기 위해 은(Ag) 페이스트를 도포하여 인쇄한 후 건조한다.

이 후, (e) 단계에서, 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크(206)를 도포된 은(Ag) 페이스트 상부에 올려놓고 노광한다. 노광공정을 거친 이 후, (f) 단계에서, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 약 550℃ 이상의 소성로(미도시)에서 약 3시간여 동안 소성함으로써 스캔용 버스전극(203a)과 서스테인용 버스전극(203b)이 형성된다.

이 후, (g) 단계에서 스캔 전극(201a, 203a) 및 서스테인 전극(201b, 203b)이 형성된 전면 글라스(200) 상부에 상부 유전체층(207)을 형성한다. 이러한 상부 유전체층(207)의 형성 방법의 일례를 살펴보며, 유전체 유리 페이스트를 도포하여 건조한 후, 약 500℃ ~ 600℃의 온도로 소성을 행하여 상부 유전체층을 형성한다.

마지막으로, (h) 단계에서, 상부 유전체층(207)의 표면상에 CVD법, 이온도금법이나 진공증착법 등을 이용하여 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지는 보호막(208)이 형성되어 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널이 완성된다.

이러한 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법은 고가의 투명 전극을 포함하므로 제조 비용이 상승하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 투명전극을 사용하지 않는 펜스(Fence) 타입의 전극구조가 제안되었다.

도 3은 종래의 펜스(Fence)형 타입 전극 구조를 지닌 방전셀의 평면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 펜스(Fence)형 타입 전극 구조의 방전셀(310)은 전면기판(미도시)에 고가의 투명전극을 형성하지 않고 금속전극으로만 이루어진 상부방전확산부(320)와 하부방전확산부(340)가 형성되고, 후면기판(미도시)에 방전셀(310)을 구획하도록 하는 격벽(330)이 형성된다.

이 때, 상부방전확산부(320)와 하부방전확산부(340)는 각각 3개의 주방전부(320a, 340a)와 2개의 연결방전부(320b, 340b)로 구비되는데, 이것은 상부방전확산부(320)와 하부방전확산부(340) 사이에서 발생하는 방전갭(350)을 형성하여 연결방전부(320b, 340b)와 연결함으로써 방전을 확산시키기 위해서이다. 다시 말하면, 방전공간과의 유효면적이 넓은 투명전극을 형성하지 않으므로 상부방전확산부(320)와 하부방전확산부(340)를 형성하여 방전공간과의 유효면적을 보상받기 위함이다.

그러나, 이러한 펜스(Fence)타입 전극구조의 방전셀은 불투명한 상부방전확 산부와 하부방전확산부가 방전셀내의 방전공간에서 차지하는 면적이 넓게 형성되므로 방전시에 개구율이 감소하는 문제점이 발생한다. 또한, 투명전극보다 유효면적이 좁게 형성되므로 방전을 효율적으로 확산시키는데에는 한계가 있다.

이에 따라, 휘도가 저하되고 구동시에 방전개시를 위한 방전개시전압은 상승하게 되므로 방전효율이 낮아지는 문제점이 발생한다. 또한, 방전셀 내에서 상부방전확산부와 하부방전확산부 사이의 간격(d)이 너무 작으므로 구동시에 방전영역 중 부글로우(Negative Glow)영역만을 사용하게 된다. 여기에서, 전술한 방전영역에 대하여 살펴보면 다음 도 3과 같다.

도 4는 전극 사이의 방전영역을 설명하기 위한 도이다.

도 4에 있어서, 음극(Cathode)와 양극(Anode)에 각각 전압을 인가하면, 이온들의 음극 충돌에 의해서 생성되어 방출된 2차 전자들이 전계에 의해 가속을 받아서 중성입자와의 충돌로 새로운 전자를 생성시키게 된다. 2차 전자는 전압의 변화가 크면 클수록 전계의 크기가 상대적으로 큰 부글로우(Negative Glow)영역에서 더욱 강하게 가속된다. 충돌로서 생성된 전자는 이온화가 진행되는 상태로 에너지를 계속 얻어 양광주(Positive Column)영역에 도달하는데, 양광주영역에서는 더 이상 에너지를 얻지 못하고 충돌을 통해 중성입자에 에너지를 전달한다. 이 과정에서 여기된 입자들이 바닥상태로 떨어지면서 가시광선과 진공자외선을 발생한다.

이러한 방전영역 중 양광주영역에서는 전계에 의한 에너지가 아니라 전체에서 높은 전자들만 기체를 여기 시킴으로써 발광을 한다. 또한, 양광주영역에서는 이온화는 거의 일어나지 않고 여기에 의한 발광이 많이 발생되어 전체적으로 에너 지가 빛으로 변환되는 효율이 높다.

이에 따라 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀내에서 상부방전확산부와 하부방전확산부 사이의 간격을 줄이면 부글로우영역의 크기는 크게 변동이 없는 반면에 양광주영역의 크기는 상대적으로 크게 감소하게 된다. 따라서, 플라즈마 디스플레이 패널의 발광휘도가 저하되는 문제점이 발생한다.

따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 긴 방전갭(Long Gap)를 채택하여 고효율을 확보하고, 이 때 발생하는 방전전압 상승 문제는 짧은 방전갭(Short Gap)을 이용할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 글라스 기판에 초기 방전을 발생시키기 위한 방전점화부와 상기 초기 방전을 이용하여 상기 방전시 전체로 확산시키는 방전확산부를 각각 구비하여 형성된 스캔 전극 및 서스테인 전극, 상기 스캔 전극 및 상기 서스테인 전극을 포함하여 상기 글라스 기판 상부에 형성된 유전체층을 포함하고, 상기 유전체층은 초기방전을 일으키는 방전영역 부분의 유전체층이 얇도록 차등적인 두께로 형성된 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 스캔 전극 및 상기 서스테인 전극은 서로 대칭형상을 갖는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 스캔 전극과 상기 서스테인 전극은 'H' 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 스캔 전극과 상기 서스테인 전극은 'U' 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 스캔 전극과 상기 서스테인 전극은 금속전극으로만 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 상부방전점화부 및 상기 하부방전점화부는 격벽상부에 위치하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 상부 방전점화부와 상기 하부방전점화부 사이의 간격은 50 μm 이상 150 μm 이하인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 상부방전확산부와 상기 하부방전확산부 사이의 간격은 150 μm 이상 500 μm 이하인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 금속전극의 선폭은 20 μm 이상 70 μm 이하인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 차등적인 두께로 형성된 상기 유전체층은 그루브 형상으로 형성된 것을 특징으로 한다.

삭제

또한, 상기 얇게 형성된 유전체층 위에 상기 유전체층의 유전율에 비하여상대적으로 높은 유전율을 갖는 보조 유전체층을 형성하는 것을 특징으로 한다.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 (a) 전면 글라스 기판에 스캔 전극과 서스테인 전극을 형성하는 단계, (b) 상기 스캔 전극과 서스테인 전극을 덮도록 유전체층을 형성하는 단계 및 (c) 상기 유전체층에 그루브를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 (c) 단계 이후에, (d) 상기 그루브 내에 보조 유전체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 유전체층의 그루브는 초기 방전을 일으키는 방전영역부분에 형성되는 것을 특징으로 한다.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.

도 5 내지 도 8을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에 대해서 설명한다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 펜스(Fence)형 타입 전극구조를 지닌 방전셀의 평면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 또 다른 펜스(Fence)형 타입 전극구조를 지닌 방전셀의 평면도이다.

도 5 또는 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 글라스 기판(미도시)에 스캔 전극(520, 620)과 서스테인 전극(540, 640)이 형성되고, 이러한 스캔 전극(520, 620)과 서스테인 전극(540, 640)에 교차되어 배열된 어드레스 전극(미도시)이 형성된 후면 글라스 기판(미도시)에 플라즈마 방전시 양광주(Positive Column) 영역을 이용할 수 있도록 방전셀(560, 660)을 구획하는 격벽(530, 630)이 형성된다.

이 때, 스캔 전극(520, 620) 및 서스테인 전극(540, 640)은 서로 대칭형상을 갖는다. 여기서, 스캔 전극(520, 620) 및 서스테인 전극(540, 640)은 'H' 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.(도 5) 또한, 스캔 전극(520, 620) 및 서스테인 전극(540, 640)은 'U' 형상으로 형성되는 것도 바람직하다.(도 6)

여기서, 스캔 전극(520, 620) 및 서스테인 전극(540, 640)이 'H' 형상 또는 'U'형상으로 설계하는 이유는 종래의 기술에 비해 가능한 한 개구율을 많이 확보하면서 충분한 벽전하가 쌓이도록 하기 위함이다.

이 때, 스캔 전극(520, 620)과 서스테인 전극(540, 640)은 금속전극으로만 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 스캔 전극(520, 620)과 서스테인 전극(540, 640) 각각을 투명전극은 형성하지 않고 금속전극으로만 형성하는 것은 고가의 투명전극을 대신하여 상대적으로 방전공간내에서의 면적이 좁은 금속전극을 구조적인 설계의 변경으로 투명전극의 역할을 대체할 수 가있어 스캔전극과 서스테인전극을 형성할 때 소비되는 제조비용을 절감할 수가 있고, 금속전극의 구조적인 설계변경으로 투명전극과 동등한 효과를 얻기 위함이다.

여기에서, 금속전극(520, 540, 620, 640)은 방전셀(560, 660)을 구획하는 격벽(530, 630)을 따라 위치되어 초기방전을 일으키는 상부방전점화부(520a, 620a) 및 하부방전점화부(540a, 640a)와 초기방전을 이용하여 방전셀(560, 660)내에서 양광주(Positive Column) 영역의 광을 발생시켜 방전셀(560, 660) 전체로 확산시키는 상부방전확산부(520b, 620b) 및 하부방전확산부(540b, 640b)를 구비한다.

이 때, 금속전극(520, 540, 620, 640)의 선폭은 20 μm 이상 70 μm 이하인 것이 바람직하다.

이 때, 상부방전점화부(520a, 620a) 와 하부방전점화부(540a, 640a) 사이의 간격은 50 μm 이상 150 μm 이하인 것이 바람직하다.

또한, 상부방전확산부(520b, 620b) 와 하부방전확산부(540b, 640b) 사이의 간격은 150 μm 이상 500 μm 이하인 것이 바람직하다.

여기서, 상부방전점화부(520a, 620a) 및 하부방전점화부(540a, 640a)를 격벽상부에 위치하는 것은 방전점화부들(520a, 620a, 540a, 640a)은 약방전이므로, 플라즈마를 발생시키지 않기 때문에 개구율에 방해가 되지 않게 하기 위해서다.

방전점화부들(520a, 620a, 540a, 640a)은 방전이 시작할 때, 짧은 방전갭(Short Gap)(550a, 650a)으로 인하여 방전전압이 높지 않더라도 방전을 쉽게 일으키는 효과가 있다. 이 때, 방전이 개시되면 방전확산부들(520b, 620b, 540b, 640b)로 확산이 되면서 방전전압이 높지 않더라도 방전이 잘 되는 효과가 있다.

따라서, 방전점화부들(520a, 620a, 540a, 640a)이 형성되어 상대적으로 낮은 방전개시전압으로 고효율을 얻을 수 있다.

또한, 플라즈마 디스플레이 패널은 커패시터와 같은 구조를 하고 있는데, 전극간의 거리가 멀어지면서 커패시턴스가 작아지게 되며, 커패시턴스가 작아지면 무효전력이 떨어지게 되므로 방전효율이 좋아지게 된다.

상기와 같은 이유로 긴 방전갭(Long Gap)(550b, 650b)은 높은 방전 효율을 얻을 수 있다.

이와 같이 형성된 플라즈마 디스플레이 패널에 방전전압을 저감하고, 방전효율을 향상시킬 수 있는 차등유전체층이 도 7 내지 도 8에서 제시된다.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 차등적인 유전체층을 개략적으로 나타낸 도이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 또 다른 플라즈마 디스플레이 패널의 차등적인 유전체층을 개략적으로 나타낸 도이다.

도 7에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널의 차등적인 유전체층은 스캔 전극(710) 및 서스테인 전극(720)간의 방전전류를 제한하며, 전극 쌍 간을 절연시키기 위하여 유전체층(730)이 형성된다. 또한, 전술한 유전체층(730) 상면에는 방전조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호층(750)이 형성된다.

이 때, 전술한 유전체층(730)은 그 두께가 차등적으로 이루어지고, 그 형상은 방전셀내의 중심부에서 소정의 깊이로 함몰된 함몰부를 포함하는 구조를 갖는다. 이 때, 소정의 깊이로 함몰된 함몰부의 위치는 금속전극 사이에 위치하는 것이 바람직하다. (도 7c) 또한, 소정의 깊이로 함몰된 함몰부의 위치는 금속전극중 방전점화부 부분에만 위치하는 것도 바람직하다. (도 7d)

여기서, 차등적인 두께로 형성된 유전체층(730)은 그루브 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 전술한 그루브 형상은 U자형, 사다리꼴, 반원형등 여러가지의 형상이 있다.

또한, 전술한 차등적인 두께 중 얇게 형성된 유전체층(730)위에 상기 유전체층(730)의 유전율에 비하여 상대적으로 높은 유전율을 갖는 보조 유전체층(740)을 형성하는 것이 바람직하다. (도 7b)

또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 전술한 소정의 깊이로 함몰된 함몰부의 위치는 금속전극의 끝 일부분부터 금속전극 사이에 위치하는 것이 바람직하다. (도 8c)

여기서, 차등적인 두께로 형성된 유전체층(830)은 그루브 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 전술한 그루브 형상은 U자형, 사다리꼴, 반원형등 여러가지의 형상이 있다.

또한, 전술한 차등적인 두께 중 얇게 형성된 유전체층(830)위에 상기 유전체층(830)의 유전율에 비하여 상대적으로 높은 유전율을 갖는 보조 유전체층(840)을 형성하는 것이 바람직하다. (도 8b)

이와 같이, 차등적인 유전체층(730. 830) 및 보조 유전체층(740, 840)은 플라즈마 디스플레이 패널 구동시 발생하는 전기장의 세기를 크게 하여 벽전하의 양을 더욱 많이 쌓을 수 가 있으므로, 플라즈마 면방전시 구동전압을 낮출 수가 있어 방전효율을 향상시킬 수가 있게 된다.

도 9 내지 도 10을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플 레이 패널의 전면 패널 제조 공정을 설명한다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조 공정을 순차적으로 나타낸 공정도이다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 또 다른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조 공정을 순차적으로 나타낸 공정도이다.

도 9에 도시된 바와 같이, (a) 단계에서는 전면 글라스 상부(600)에 금속전극(601)을 형성하기 위해 은(Ag) 페이스트를 도포하여 인쇄한 후 건조한다. 이 후, (b) 단계에서, 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크(604)를 도포된 은(Ag) 페이스트 상부에 올려놓고 노광한다. 노광공정을 거친 이후, (c) 단계에서, 경화되지 않은 부분을 현상한 후, 약 550℃ 이상의 소성로(미도시)에서 약 3시간여동안 소성함으로써 금속전극(601)이 형성된다.

이 후, (d) 단계에서 금속전극(601)이 형성된 전면 글라스(600) 상부에 유전체층(602)을 형성한다. 이 때, 전술한 유전체층(602)은 차등유전체층으로써, 금속전극(601)간의 방전갭 부분에 유전체층(602)를 차등적으로 형성한다.

이러한 차등적인 두께를 갖는 유전체층(602)의 형성 방법의 일례를 살펴보면, 상기 전면 글라스(600)에 소정두께로 유전체층(602)를 형성하고, 그 전면에 감광막을 소정 패턴으로 식각한 후, 상기 감광막을 마스크로 하여 유전체층을 이상적인 깊이로 에칭(Etching)하여 하나의 방전공간을 이루도록 그루브를 형성한다.

마지막으로, (e) 단계에서, 유전체층(602)의 표면상에 CVD법, 이온도금법이나 진공증착법등을 이용하여 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지는 보호막(603)이 형성되어 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널이 완성된다.

이 때, 상기 유전체층(602)의 그루브는 초기 방전을 일으키는 방전영역부분에 형성되는 것이 바람직하다.

또한, 도 10에서 도시된 바와 같이, 도 9의 (d) 단계 이후, 유전체층(702) 상부에 소정의 패턴으로 보조 유전체층(704)을 형성하는 것도 바람직하다.

이 때, 상기 유전체층(702)의 그루브는 초기 방전을 일으키는 방전영역부분에 형성되는 것이 바람직하다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

상술한 바와 같이, 본 발명은 스캔 전극과 서스테인 전극을 투명전극은 형성하진 않고 금속전극으로만 형성되어 스캔전극과 서스테인전극을 형성할 때 소비되는 제조비용을 절감할 수 있는 효과가 있고, 또한, 긴 방전갭을 채택하여 고효율을 확보함과 동시에 긴 방전갭을 형성하면서 발생한 방전전압 상승문제는 짧은 방전갭을 이용하여 방전전압을 낮게 하는 효과가 있다. 또한, 차등적인 유전체층 및 보 조 유전체층을 형성하여, 플라즈마 면방전시 구동전압을 낮출 수가 있어 방전효율을 향상시킬 수 있는 효과도 있다.

Claims (15)

1. 글라스 기판에 초기 방전을 발생시키기 위한 방전점화부와 상기 초기 방전을 이용하여 상기 방전시 전체로 확산시키는 방전확산부를 각각 구비하여 형성된 스캔 전극 및 서스테인 전극;

   상기 스캔 전극 및 상기 서스테인 전극을 포함하여 상기 글라스 기판 상부에 형성된 유전체층을 포함하고,

   상기 유전체층은 초기방전을 일으키는 방전영역 부분의 유전체층이 얇도록 차등적인 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 스캔 전극 및 상기 서스테인 전극은 서로 대칭형상을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 스캔 전극과 상기 서스테인 전극은 'H' 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 스캔 전극과 상기 서스테인 전극은 'U' 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 스캔 전극과 상기 서스테인 전극은 금속전극으로만 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 방전점화부는 상부방전점화부와 하부방전점화부를 포함하고,

   상기 상부방전점화부 및 상기 하부방전점화부는 격벽상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 방전점화부는 상부방전점화부와 하부방전점화부를 포함하고,

   상기 상부 방전점화부와 상기 하부방전점화부 사이의 간격은 50 μm 이상 150 μm 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
8. 제 1 항에 있어서,

   상기 방전점화부는 상부방전점화부와 하부방전점화부를 포함하고,

   상기 상부방전확산부와 상기 하부방전확산부 사이의 간격은 150 μm 이상 500 μm 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
9. 제 5 항에 있어서,

   상기 금속전극의 선폭은 20 μm 이상 70 μm 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
10. 삭제
11. 제 1 항에 있어서,

    상기 차등적인 두께로 형성된 상기 유전체층은 그루브 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
12. 제 1 항 또는 제 11 항에 있어서,

    상기 얇게 형성된 유전체층 위에 상기 유전체층의 유전율에 비하여 상대적으로 높은 유전율을 갖는 보조 유전체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
13. (a) 전면 글라스 기판에 스캔 전극과 서스테인 전극을 형성하는 단계;

    (b) 상기 스캔 전극과 서스테인 전극을 덮도록 유전체층을 형성하는 단계; 및

    (c) 상기 유전체층에 그루브를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
14. 제 13 항에 있어서,

    상기 (c) 단계 이후에, (d) 상기 그루브 내에 보조 유전체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,

    상기 유전체층의 그루브는 초기 방전을 일으키는 방전영역부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.

Images