KR100718556B1

KR100718556B1 - 씨모스 이미저용 포토 다이오드 퓨즈-아이디

Info

Publication number: KR100718556B1
Application number: KR1020057023175A
Authority: KR
Inventors: 제프 디. 브루스; 로저 파니카치
Original assignee: 마이크론 테크놀로지, 인크
Priority date: 2003-06-02
Filing date: 2004-05-28
Publication date: 2007-05-15
Also published as: EP1629668A1; US7369167B2; JP2006526959A; TWI303941B; KR20060005420A; JP4429311B2; TW200511845A; WO2004110059A1; US20040239789A1; CN1833434A; US20080186395A1

Abstract

칩에 형성된 CMOS 이미지 픽셀 어레이가 픽셀 어레이내에 프로그램된 정보를 저장하기 위해 사용된다. 제조 및 검사 동안에 제조 로트 및 다른 데이터가 어레이에 기입되고 픽셀에 레이저를 인가함으로써 포토 다이오드를 결함이 있게 한다. 프로그램된 데이터는 현재의 회로를 이용하여 픽셀 어레이로부터 읽혀진다.

Description

씨모스 이미저용 포토 다이오드 퓨즈-아이디{Photo Diode Fuse-ID for CMOS Imagers}

본 발명은 일반적으로 반도체 이미징 소자에 관한 것으로, 특히, 픽셀 어레이의 일부가 데이터를 저장하도록 프로그램된 픽셀 셀의 어레이를 갖는 CMOS 픽셀 센서 이미저에 관한 것이다.

저비용 이미징 소자로서 사용하기 위한 CMOS 능동 픽셀 이미저가 현재 관심을 모으고 있다. CMOS 능동 픽셀 센서(APS: active pixel sensor)의 일 예의 픽셀 회로가 도 1을 참조하여 이하 서술되어 있고, 회로는 참조 번호 100으로 일반적으로 식별되어 있다. 능동 픽셀 센서는 픽셀 단위 셀내에 하나 이상의 능동 트랜지스터를 가질 수 있고, CMOS 기술과 호환가능하게 만들어질 수 있고, 수동 픽셀 센서에 비해 높은 판독률을 보장한다. 도 1에 나타낸 픽셀 셀은, 참조 번호 150으로 식별되는 3T APS 픽셀이고, 3T는 픽셀을 구동시키기 위해 3개의 트랜지스터의 사용을 지정하기 위해 본 기술에서 일반적으로 사용된다. 3T APS는 포토 다이오드(162), 리셋 트랜지스터(184), 소스 플로워 트랜지스터(186), 및 행선택 트랜지스터(188)를 포함한다. 도 1은 단일 픽셀의 동작에 대한 회로를 나타내고, 실제로 이미저는, 이하 더 상세하게 서술된 것같이, 행열 선택 회로를 이용하여 억세스된 어레이의 픽셀을 가지고, M x N으로 행열이 배열된 동일한 픽셀의 어레이로 형성될 수 있는 것으로 이해되어야 한다.

포토 다이오드(162)는 입사된 광자를 노드(A)에서 모이는 전자로 변환한다. 소스 플로워 트랜지스터(186)는 노드(A)에 연결된 게이트를 가지고, 그래서 노드(A)에서 나타나는 신호를 증폭한다. 셀(150)을 포함하는 특정 행은 행선택 트랜지스터(188)에 의해 선택되고, 트랜지스터(186)에 의해 증폭된 신호는 칼럼 라인(170)상에서 판독회로에 전달된다. 포토 다이오드(162)는 광발생된 전하를 기판의 도핑된 영역에 축적한다. CMOS 이미저는 광발생된 전하를 생성하기 위해 포토 다이오드 대신에, 포토 게이트 또는 다른 광변환 소자를 포함할 수 있는 것으로 이해되어야 한다.

리셋 전압원(Vrst)은 리셋 제어 트랜지스터(184)를 통해 노드(A)에 선택적으로 연결된다. 리셋 트랜지스터(184)의 게이트는 리셋 동작, 즉, Vrst의 노드(A)로의 연결을 제어하도록 동작하는 리셋 제어선(191)에 연결된다. 행선택 제어선(160)은 어레이의 동일 행의 모든 픽셀에 연결된다. 전압원(Vdd)은 소스 플로워 트랜지스터에 연결되고, 그 출력은 행선택 트랜지스터(188)를 통해서 선택적으로 칼럼 라인(170)에 연결된다. 도 1에 도시되지는 않았지만, 칼럼 라인(170)은 어레이의 동일 칼럼의 모든 픽셀에 연결되고, 그 최하단에서 전형적으로 전류 씽크를 가진다. 행선택 트랜지스터(188)의 게이트는 행선택 제어선(160)에 연결된다.

기술에서 주지된 것같이, 값은 2단계 처리로 픽셀(150)에서 읽혀진다. 전하 집적 구간 동안, 포토 다이오드(162)는 광자를 노드(A)에서 모이는 전자로 변환한 다. 노드(A)에서의 전하는 소스 플로워 트랜지스터(186)에 의해 증폭되고 행선택 트랜지스터(188)에 의해 칼럼 라인(170)에 선택적으로 전달된다. 리셋 구간동안, 노드(A)는 리셋 트랜지스터(184)를 온시켜서 리셋되어 리셋 전압(Vrst)을 노드(A)에 인가하고, 그러면 이 전압은 활성화된 행선택 트랜지스터(188)를 통하여 소스 플로워 트랜지스터(186)에 의해 칼럼 라인(170)에서 판독된다. 그 결과, 2개의 다른 값-리셋 전압(Vrst) 및 이미지 신호 전압(Vsig)-은 픽셀로부터 판독되어, 기술에서 주지된 것같이 더 많은 처리를 위해, 칼럼 라인(170)에 의해 각각 샘플링 및 홀드되는 판독 회로에 보내진다.

행의 모든 픽셀은 각각의 칼럼 라인(170)에서 동시에 판독되고, 칼럼 라인들은 리셋 및 신호 전압의 판독을 위해 순차로 활성화된다. 픽셀의 행들은 각각의 칼럼 라인들에서 또한 순차로 판독된다.

도 2는 픽셀의 어레이(230)와, 본 기술에서 숙련된 자에게 일반적으로 알려진 방법으로 픽셀에 저장된 신호의 판독을 제어하기 위해 타이밍 및 제어 신호를 제공하는 컨트롤러(132)를 포함하는 CMOS 능동 픽셀 센서 집적 회로칩을 나타낸다. 실시예의 어레이들은 특정 애플리케이션에 의거하는 어레이(130)의 크기를 갖는 M x N 차원의 픽셀을 가진다. 이미저는 열병렬 판독 구조를 이용하여 한번에 한 행이 판독된다. 컨트롤러(232)는 행 어드레싱 회로(234) 및 행 드라이버(240)의 동작을 제어함으로써 어레이(230)에서 픽셀의 특정 행을 선택한다. 픽셀의 선택된 행에 저장된 전하 신호는 상기 서술된 방법으로 칼럼 라인(170)(도 1)상에서 판독 회로(242)에 제공된다. 그러면 각각의 칼럼에서 읽혀진 픽셀 신호는 칼럼 어드레싱 회 로(244)를 선택적으로 사용하여 판독될 수 있다. 판독 리셋 신호 및 집적된 전하 신호에 대응하는 차동 픽셀 신호들(Vrst, Vsig)은 판독 회로(242)의 각각의 출력(Vout1, Vout2)으로서 제공된다.

도 3은 픽셀(350)의 행(321)/열(349)을 더 분명하게 나타낸다. 각 열은 다중 행의 픽셀(350)을 포함한다. 특정 칼럼에서의 픽셀(350)로부터의 신호는 그 칼럼과 관련된 판독회로(351)에 판독될 수 있다. 판독회로(351)는 픽셀 리셋(Vrst) 및 집적된 전하 신호(Vsig)를 저장하는 샘플 및 홀드회로를 포함한다. 판독회로(351)에 저장된 신호는 순차적으로 한 칼럼씩 픽셀(330)의 전체 어레이에 공통인 출력단(354)에 읽혀질 수 있다. 그러면, 아날로그 출력 신호는 예를 들면, 리셋 및 집적된 전하 신호를 감산해서 아날로그-디지털 컨버터(ADC)에 보내는 차동 아날로그 회로에 보내지거나, 리셋 및 집적된 전하 신호가 아날로그-디지털 컨버터에 직접 공급될 수 있다.

도 4는 샘플 및 홀드 판독 회로(401)를 포함하는 칼럼 판독 회로(351)와 증폭기(434)를 보다 분명하게 나타낸다. 도 4의 회로는 다음에 사용하기 위해 출력단(354)에 의해 Vsig 및 Vrst 값을 샘플링 및 홀딩한 다음에 증폭한다(도 3).

제조 동안, 각각의 이미징 픽셀은 일반적으로 개별적으로 검사된다. 검사는 결함이 있는 픽셀 회로, 픽셀 신호 레벨 및 다른 어레이 속성을 검출하고, 정보는 로트 및 개별 소자 식별 번호에 의거하여 저장된다. 검사 동안 밝혀진 정보는 예를 들면, 결함이 있는 픽셀, 차동 픽셀 신호 레벨 및 다른 검사된 픽셀 속성에 대한 보상에 의해 소자의 동작을 향상시키기 위해 활용될 수 있다.

또한, 이미징 센서는 제조될 때에 동일함을 증명할 수 있지 않다. 완전한 시스템이 제조된 후 보안/식별 값이 할당되고, 제조 비용을 추가시키는 제조의 부가적인 단계를 가져온다. 또한, 센서 및 픽셀에 관련된 결함이 있는 픽셀 정보는 제조 처리를 통하여 물리적으로 추적되어야 하므로, 식별 번호가 할당되기 전에 결함이 있는 픽셀 정보의 궤적을 유지하는 것에 대한 관리적인 부담이 또한 있다. 센서가 제조 과정에서 잘못 놓여지면, 집적 회로 이미징 어레이 및 잘못 나열된 모든 다른 집적 회로 이미징 어레이는 다시 검사되어야 한다.

센서당 특정 수의 결함이 있는 픽셀은 묵인되어야 하므로 주어진 양의 센서가 사용가능한 것으로 되어 제조 비용이 회복된다. 이들 센서에서, 결함이 있는 것으로 발견된 픽셀은 전체 센서에 대해서 소정 수를 초과하지 않거나 소정 영역내에서 소정 수를 초과하지 않는다. 이들 픽셀의 위치가 검사 동안에 발견되지만, 상기 서술된 것같이, 제조동안에 이 정보의 궤적을 유지하는 것은 관리상의 부담이다. 더 중요하게, 제조 후에 결함이 있는 픽셀에 대한 정보가 각각의 센서에 제공되는 것은 센서 생산 비용을 확실히 추가시킨다. 예를 들면, 센서를 제조하는 회사는 카메라를 제조하는 회사에 결함이 있는 픽셀 정보를 제공해야 한다. 대부분, 결함이 있는 픽셀 정보가 별개의 매체(예를 들면, 플로피 디스크, 컴퓨터 판독가능 테이프 또는 다른 컴퓨터 판독가능 저장 매체)로 제공되어서, 비용을 증가시킨다. 그리고 다시, 각각의 센서와 결함이 있는 픽셀 정보를 정합시키는데 문제가 발생한다.

픽셀과 CMOS 센서 어레이에 대한 식별 정보를 저장하는 온칩 프로그래머블 메모리를 가지는 CMOS 이미저가 알려져 있다. 예를 들면, 미국특허번호 6,396,539(Heller 등)는 복잡하고 큰 용적의 온칩 프로그래머블 플래시 메모리를 개시하고 있다. 프로그래머블 메모리를 사용하는 것은 부가적인 저장 회로(즉, 메모리)와 메모리의 정보를 판독, 기입 및 해독하기 위해 관련 회로를 필요로 한다. 메모리를 실행시키기 위해 필요한 부가적인 회로의 양을 최소화하는 온칩 저장 시스템을 갖는 이미지 센서를 제공하는 것이 바람직하다. 또한, 저장된 정보에 억세스하고 해석하기 위해 부가적인 회로를 필요로 하지 않는 온칩 저장 시스템을 가지는 것이 바람직하다. 추후 사용을 위해 픽셀 어레이 정보를 칩에 저장하기 위한 간단하고 쉬운 방법이 또한 바람직하다.

본 발명은 센서 어레이의 일부로서 정보 저장 시스템을 갖는 CMOS 이미지 센서 어레이를 제공한다. 식별 번호, 픽셀 결함 위치 및 퓨즈 ID 정보와 같은 픽셀 정보가 이미지 어레이내에 저장된다. 레이저 퓨즈와 같은 포토 다이오드를 이용하여, 픽셀 어레이의 한 행 또는 행들이 각종 정보를 저장하도록 프로그램될 수 있다. 정보를 복호하기 위해 시스템이 현재의 구조를 사용하기 때문에 부가적인 회로가 요구되지 않는다.

본 발명의 이들 및 다른 특징 및 이점은 첨부 도면과 관련하여 제공되는 본 발명의 다음의 상세한 설명으로부터 더 즉시 이해된다.

도 1은, 종래 기술의 능동 픽셀이다.

도 2는, 종래 기술의 CMOS 능동 센서 칩의 블록도이다.

도 3은, 종래 기술의 능동 픽셀의 어레이 및 관련된 판독 회로의 블록도이다.

도 4는, 종래 기술의 칼럼 판독 회로이다.

도 5는, 프로그램된 픽셀을 갖는 CMOS 어레이의 실시예이다.

도 6은, 본 발명의 실시예에 따르는 CMOS 이미징 소자를 조합하는 프로세서 기반의 시스템을 나타내는 블록도이다.

다음의 상세한 설명에서, 참조 부호는, 본 발명이 실행될 수 있는 특정 실시예를 도시하는 것에 의해 나타낸 첨부한 도면에 그 일부로서 주어진다. 이들 실시예들은 본 기술에서 통상의 숙련된 자가 본 발명을 만들고 이용할 수 있도록 충분히 상세히 기술되어 있고, 본 발명의 진의와 범위를 벗어나지 않으면 개시된 특정 실시예들에 대해서 구조적, 논리적 또는 다른 변화가 행해질 수 있는 것으로 이해되어야 한다.

본 발명에서, CMOS 픽셀 어레이의 일부가 정보를 저장하도록 프로그램된다. 더욱 상세하게, 포토 다이오드는 정보를 저장하기 위한 퓨즈 회로로서 사용된다.

M x N의 CMOS 픽셀 어레이에서, 어레이의 검사 동안에 결함이 있는 행/열이 발견될 때 여분을 허가하도록 어레이의 설계에 픽셀의 부가적인 행 및/또는 열을 구비하는 것이 일반적이다. 본 발명에 따라서, 여분의 행 및/또는 열이 부가적인 픽셀 어레이 정보의 저장을 위해서 사용된다. 정보는 2진 포맷으로 어레이에 프로그램되고; 각 픽셀은 "1" 또는 "0"을 표현하도록 프로그램된다. 따라서, 일련의 픽 셀(행으로)이 일련의 이진 비트의 정보를 표현하도록 사용된다. 픽셀 어레이의 전형적인 행이 거기에 연결된 380 ~ 1024의 포토 다이오드를 가지는 경우, 상당한 양의 정보가 저장될 수 있다. 예를 들면, 부호화된 정보가 결함이 있는 셀위치 또는 제조 로트 정보를 식별할 수 있다.

도 5는 본 발명의 실시예를 나타낸다. 도 5에서, CMOS 픽셀 어레이(510)의 행(521)의 일부가 몇몇 대표 픽셀(552a, b, c, y, z)을 갖는 것을 나타낸다. 5개의 픽셀(552)만을 행(521)에서 나타내었지만, 본 발명은 이렇게 제한되지 않는다. 픽셀(552b, 552c, 552y)은 "변경된" 즉, 의도적으로 물리적으로 변경된 것으로 나타내었다. 바람직한 실시예에서, 어떤 논리 상태가 데이터를 나타내기 위해 비트에서 요구되는지를 결정함으로써 픽셀이 프로그램된다. 픽셀의 바람직한 논리 상태에 의거하여, 픽셀은 변경될 수 있고, 여기서 변경된 픽셀은 제1 논리 상태를 나타내고, 미변경의 픽셀은 제2 논리상태를 나타낸다. 바람직한 실시예에서, 제조 동안 포토 다이오드에 레이저를 인가하거나, 레이저를 인가할 때와 유사하게, 충분한 전압을 제조 동안 퓨즈에 인가함으로써 포토 다이오드는 결함이 있게 된다. "X"로 표시된 각각의 포토다이오드를 갖는 픽셀(552b, 552c, 552y)은 픽셀(552b, 552c, 552y)이 의도적으로 제조된 결함이 있는 포토다이오드를 가지는 것을 나타낸다.

픽셀 어레이(510)의 제조, 검사 및 데이터 저장 동작 동안에, 개별적인 픽셀(552)이 현재의 행/열 전환 트랜지스터를 이용하여 기입하기 위해 선택된다. 픽셀(552)이 선택될 때, 선택된 포토 다이오드(562)를 결함이 있게 하기 위해, 레이저에는 충분한 전압이 인가된다. 데이터 정보 패턴에 따라서 결함이 있거나 결함이 없게 프로그램되는 픽셀(552)로서 모든 데이터가 적당히 저장될 때까지 이 방법으로 프로그래밍이 계속된다.

픽셀 어레이(510)에 저장된 프로그램된 데이터는 현재의 회로 구조를 이용하여 억세스되고 판독된다. 픽셀 어레이(510)에서 프로그램된 데이터에 억세스하는 것은 픽셀(552)을 더욱 구체적으로, 픽셀(521)의 행들을 읽기 위한 기술에서 알려져 있는 것과 같고, 데이터가 행열 디코더(234, 244)(도 2)에 의해 억세스되고, 선택된 하나의 퓨즈 및/또는 퓨즈들이 저장된 데이터를 결정하기 위해 읽혀진다. 의도적으로 변경된 포토 다이오드(562)가 결함이 있거나 또는 부정확한 포토 다이오드 전압으로 나타나고 하나의 논리 상태, 예를 들면 "0"으로서 읽혀질 때, 결함이 없는 포토 다이오드(562)가 다른 논리 상태, 예를 들면 "1"로서 읽혀진다. 현재 회로는 판독 전압을 아날로그 데이터 형태, 예를 들면, 픽셀(552)로부터 읽혀진 전압 레벨로부터, 디지털 데이터 형태, 예를 들면, "0" 또는 "1"로 변환한다.

실시예의 다른 형태에서, 금속 퓨즈가 픽셀 내에서 감광 영역 또는 포토 다이오드 대신에 사용된다. 금속 퓨즈의 프로그래밍 및 픽셀로부터의 신호의 판독은 서술된 방법과 유사하다. 바람직한 실시예에서, 이미저 어레이의 맨 위의 행은 프로그래밍에 대해서 예비되므로 맨 위의 행의 픽셀 셀은 감광 영역 대신에 금속 퓨즈를 포함한다. 본 발명의 다른 형태에서, 픽셀은 재프로그래밍 가능하다. 예를 들면, 픽셀은 표시된 하나의 논리 상태로 프로그램되고 이어서 다른 논리 상태를 표시하도록 재프로그램될 수 있다.

본 발명의 방법 및 장치 형태는 이미지 출력 신호를 제공하는, 도 6에 나타 낸 이미지 소자(1140)에서 구체화된다. 이미지 출력신호는 또한 도 6에 도시되어 있는 프로세서 시스템(1100)에서 또한 사용될 수 있다. 컴퓨터 시스템과 같이, 프로세서 기반 시스템은, 예를 들면 일반적으로 중앙처리장치(CPU)(1110), 예를 들면 하나 이상의 버스(1170)를 통하여 하나 이상의 입/출력(I/O) 장치(1150)와 통신하는 마이크로 프로세서를 포함한다. CPU(1110)는 하나 이상의 버스(1170)를 통하여, 전형적으로 메모리 컨트롤러를 통하여 데이터를 랜덤 억세스 메모리(RAM)와 또한 교환한다. 프로세서 시스템은 하나 이상의 버스(1170)를 통하여 CPU(1110)와 또한 통신하는 플로피 디스크 드라이브(1120) 및 컴팩트 디스크(CD) ROM 드라이브(1130)와 같은 주변 장치를 또한 포함할 수 있다.

본 발명의 바람직한 실시예가 상기 서술되고 도시되었으나, 이들은 본 발명의 예이고 이것에 제한되는 것으로 이해되지는 않는다. 본 발명의 진의 또는 범위를 벗어나지 않으면 추가, 삭제, 대체 및 다른 변경이 행해질 수 있다. 예를 들면, 포토 다이오드를 포함하는 픽셀들이 개시되어 있지만, 다른 유형의 픽셀들이 사용될 수 있다. 다른 유형의 포토 콜렉터들이 예를 들면 포토 게이트로서 또한 사용될 수 있다. 상기에 논의된 실시예들은 특정 수의 트랜지스터, 포토 다이오드, 도통선 또는 픽셀 유형(예를 들면 3T, 4T) 등으로 서술되었지만, 본 발명은 여기에 한정되지 않는다. 바람직한 실시예는 능동 픽셀을 개시하고 있지만, 수동 픽셀 및 더미 픽셀이 또한 사용될 수 있다. 또한, 프로그래밍을 위해서 선택된 픽셀들은 이미지 어레이의 여분의 행렬에 배치되는 것으로 제한되지 않는다. 따라서, 본 발명은 앞의 설명에 의해서 제한되는 것으로 생각되지 않고 청구의 범위에 의해서만 제한된 다.

Claims

복수의 픽셀을 포함하는 센서 어레이를 갖는 칩을 포함하고, 상기 센서 어레이에 입사되는 광을 나타내는 신호를 제공하기 위해 상기 픽셀의 제1 부분이 사용되고, 상기 픽셀의 제2 부분은 프로그램된 데이터 저장을 제공하기 위해 사용되는, 데이터 저장장치를 갖는 이미징 시스템.
제1 항에 있어서, 프로그램된 데이터 저장을 제공하기 위해 사용되는 상기 픽셀의 상기 제2 부분은,

제1 논리 상태의 데이터를 표현하기 위해 변경된 회로를 갖는 픽셀;및

제2 논리 상태의 데이터를 표현하기 위해 변경되지 않은 회로를 갖는 픽셀을 포함하는, 이미징 시스템.
제2 항에 있어서, 변경된 회로를 갖는 상기 픽셀은 디스에이블되는, 이미징 시스템.
제2 항에 있어서, 변경된 회로를 갖는 상기 픽셀은 변경되지 않을 수 있는, 이미징 시스템.
제2 항에 있어서, 변경된 회로를 갖는 상기 픽셀은 변경된 감광 영역을 포함 하는, 이미징 시스템.
제2 항에 있어서, 변경된 회로를 갖는 상기 픽셀은 변경된 금속 퓨즈를 포함하는, 이미징 시스템.
제5 항에 있어서, 상기 변경된 회로를 갖는 상기 픽셀의 각각의 상기 감광 영역은 포토 다이오드를 포함하는, 이미징 시스템.
제5 항에 있어서, 상기 변경된 회로를 갖는 상기 픽셀의 각각의 상기 감광 영역은 레이저에 의해 변경되는, 이미징 시스템.
픽셀 어레이의 선택된 픽셀을 프로그래밍함으로써 이미지 센서의 상기 픽셀 어레이에 데이터를 저장하는 단계를 포함하는, 이미지 센서를 동작시키는 방법.
제9 항에 있어서,

상기 픽셀 어레이에서 상기 저장된 데이터를 읽는 단계를 더 포함하는, 방법.
제10 항에 있어서,

상기 픽셀 어레이에서 상기 저장된 데이터를 해석하는 단계를 더 포함하는, 방법.
제11 항에 있어서,

상기 해석 단계는 상기 저장된 데이터를 논리 상태로 변환하는 단계를 포함하는, 방법.
제9 항에 있어서,

상기 데이터는 제조 정보를 포함하는, 방법.
제9 항에 있어서,

상기 데이터는 픽셀 식별 정보를 포함하는, 방법.
제9 항에 있어서,

상기 데이터는 검사(testing) 정보를 포함하는, 방법.
제9 항에 있어서,

상기 데이터는 결함이 있는 픽셀 정보를 포함하는, 방법.
제9 항에 있어서,

상기 데이터를 저장하는 단계는, 상기 데이터를 저장하기 위해 상기 픽셀 어레이 내의 위치를 결정하는 최초 단계를 포함하는, 방법.
제17 항에 있어서,

상기 데이터를 저장하기 위해 위치를 결정하는 단계는, 상기 데이터를 저장하기 위해 상기 픽셀 어레이 내의 행/열을 결정하는 단계를 포함하는, 방법.
제9 항에 있어서, 상기 프로그래밍은

제1 논리 상태를 표현하는 선택된 픽셀에 데이터를 저장하기 위해 상기 선택된 픽셀의 회로를 변경하는 단계; 및

제2 논리 상태를 표현하는 선택된 픽셀에 데이터를 저장하기 위해 상기 선택된 픽셀의 회로를 변경하지 않는 단계를 포함하는, 방법.
제19 항에 있어서, 상기 회로를 변경하는 단계는 회로를 디스에이블시키는 단계를 포함하는, 방법.
제20 항에 있어서, 변경된 상기 선택된 픽셀의 회로는 상기 제2 픽셀의 감광 영역인, 방법.
제21 항에 있어서, 상기 선택된 픽셀의 상기 감광 영역은 포토 다이오드인, 방법.
제22 항에 있어서, 상기 선택된 픽셀의 상기 감광 영역은 레이저에 의해 변경되는, 방법.
복수의 픽셀을 포함하는 센서 어레이를 갖고, 상기 센서 어레이에 입사되는 광을 나타내는 신호를 제공하기 위해 상기 픽셀의 제1 부분이 사용되고, 상기 픽셀의 제2 부분은 다른 신호 상태로서 데이터를 제공하기 위해 사용되는, 반도체 칩.
제24 항에 있어서, 상기 데이터를 제공하기 위해 사용되는 상기 픽셀의 상기 제2 부분은,

제1 논리 상태의 데이터를 표현하기 위해 변경된 회로를 갖는 픽셀;

제2 논리 상태의 데이터를 표현하기 위해 변경되지 않은 회로를 갖는 픽셀을 포함하는, 반도체 칩.
제25 항에 있어서, 변경된 회로를 갖는 상기 픽셀은 디스에이블되는, 반도체 칩.
제25 항에 있어서, 변경된 회로를 갖는 상기 픽셀은 변경된 감광 영역을 포함하는, 반도체 칩.
제27 항에 있어서, 변경된 회로를 갖는 상기 픽셀의 각각의 상기 감광 영역은 포토 다이오드를 포함하는, 반도체 칩.
제27 항에 있어서, 변경된 회로를 갖는 상기 픽셀의 각각의 상기 감광 영역은 레이저에 의해 변경되는, 반도체 칩.
프로세서; 및

상기 프로세서에 연결되고, 복수의 픽셀을 포함하고, 상기 픽셀의 제1 부분은 센서 어레이에 입사되는 광을 나타내는 신호를 제공하기 위해 사용되고, 상기 픽셀의 제2 부분은 프로그램된 데이터 저장을 제공하기 위해 사용되는 픽셀 센서 어레이를 포함하는 프로세서 시스템.
제30 항에 있어서, 프로그램된 데이터 저장을 제공하기 위해 사용되는 상기 픽셀의 상기 제2 부분은,

제1 논리 상태의 데이터를 표현하기 위해 변경된 회로를 갖는 픽셀; 및

제2 논리 상태의 데이터를 표현하기 위해 변경되지 않은 회로를 갖는 픽셀을 포함하는, 프로세서 시스템.
제31 항에 있어서, 변경된 회로를 갖는 상기 픽셀은 디스에이블되는, 프로세서 시스템.
제31 항에 있어서, 변경된 회로를 갖는 상기 픽셀은 변경된 감광 영역을 포함하는, 프로세서 시스템.
제33 항에 있어서, 상기 변경된 회로를 갖는 상기 픽셀의 각각의 상기 감광 영역은 포토 다이오드를 포함하는, 프로세서 시스템.
제33 항에 있어서, 상기 변경된 회로를 갖는 상기 픽셀의 각각의 상기 감광 영역은 레이저에 의해 변경되는, 프로세서 시스템.
제31 항에 있어서, 변경된 회로를 갖는 상기 픽셀은 변경된 금속 퓨즈를 포함하는, 프로세서 시스템.