KR100710180B1 - Ｃｍｐ 장비 및 그를 이용한 금속배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 표면에 그루브가 형성된 폴리싱 패드; 상기 폴리싱 패드 상부에 형성되며, 기판이 진공흡착되어 위치되는 폴리싱 헤드; 상기 폴리싱 패드 상부에 형성되어, 폴리싱 패드에 슬러리를 공급하는 슬러리 디스펜서; 및 연마공정이 완료된 후 기판의 연마상태를 확인하기 위한 화상장치를 포함하여 구성되는 CMP 장비 및 그를 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로서,
본 발명에 따르면, CMP 장비 내에 기판의 연마상태를 확인하기 위한 화상장치를 추가로 포함함으로써, 연마공정 후에 육안관찰이나 별도의 검사장치를 이용하기 위한 별도의 이송공정 들이 필요치 않아 생산성이 향상되게 된다.
CMP
Description
도 1a 내지 도 1c는 종래 듀얼 다마신 공정을 이용하여 금속배선을 형성하는 공정단면도이다.
도 2는 종래 CMP 장비를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 장비를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 배선 형성방법을 보여주는 개략적인 공정단면도이다.
<도면의 주요부의 부호에 대한 설명>
100: 기판 200: 절연막
300: 배리어 금속층 400: 구리 씨드층
450: 구리층 500: 폴리싱 패드
600: 폴리싱 헤드 700: 슬러리 디스펜서
800: 화상장치
본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로서, 특히 CMP공정을 이용하여 반도체 소자의 금속배선을 형성하는 방법에 관한 것이다.
종래에는 반도체 소자의 금속배선으로 알루미늄이 주로 사용되었다. 그 이유는 전기전도성이 좋고, 산화막과의 접착력이 뛰어날 뿐만 아니라 성형하기 쉽기 때문이다. 그러나, 상기 알루미늄은 전기적 물질이동, 힐록(Hillock) 및 스파이크(Spike) 등의 문제점을 가지고 있어 그 사용에 한계가 있었다.
따라서, 전도성이 우수한 물질인 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 코발트(Co), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 등을 대상으로 금속배선의 대체 재료에 대한 연구가 진행되었고, 이러한 물질들 중 비저항이 작고, 일렉트로 마이그레이션(electro migration ; EM)과 스트레스 마이그레이션(stress migration; SM) 등의 신뢰성이 우수하며, 생산원가가 저렴한 구리가 현재 널리 사용되고 있다.
그런데, 구리는 패터닝하기가 어려워 구리를 이용하여 종래의 방법으로 금속배선을 형성하는데는 어려움이 있다. 따라서, 절연막에 트렌치(trench)를 형성하고 상기 트렌치에 구리를 매립하여 배선층을 형성하는 소위 다마신 공정을 이용하고 있으며, 그에 더 나아가 트렌치와 비아홀을 동시에 형성하는 듀얼 다마신 공정을 이용하고 있다.
이하, 도면을 참조로 종래 듀얼 다마신 공정을 이용하여 금속배선을 형성하는 방법에 대해서 설명하기로 한다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 듀얼 다마신 공정을 이용하여 금속배선을 형성하는 공정단면도이다.
우선, 도 1a와 같이, 기판(10) 상에 절연막(20)을 형성한다.
이때, 상기 절연막(20)은 비아홀(22)과 트렌치(24)가 형성되도록 포토리소그래피 공정으로 패터닝된다.
그 후, 도 1b와 같이, 상기 절연막(20)을 포함하는 기판(10) 전면에 배리어 금속층(30)을 형성하고, 배리어 금속층(30) 위에 구리 씨드층(40)을 형성한 후, 전기 도금법으로 구리 씨드층(40) 위에 구리층(45)을 형성한다.
그 후, 도 1c와 같이, 상기 절연막(20) 상부의 구리층(45), 구리씨드층(40), 배리어 금속층(30), 및 상기 절연막(20) 일부를 제거하여 구리로 이루어진 배선 형성을 완성한다.
이때, 도 1c에서 상기 구리층(45), 구리씨드층(40), 배리어 금속층(30), 및 절연막(20) 일부를 제거하기 위해서, 화학적인 제거가공과 기계적인 제거가공을 하나의 가공방법으로 혼합한 CMP(Chemical Mechanical Polishing)공정이 널리 이용되고 있다.
이하에서는 종래 CMP 공정에 대해서 설명하기로 한다.
도 2는 종래 CMP 장비를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2에서 알 수 있듯이, 종래 CMP 장비는 폴리싱 패드(50), 폴리싱 헤드(60), 및 슬러리 디스펜서(70)를 포함하여 구성된다.
상기 폴리싱 패드(50)는 도시하지는 않았지만 그 표면에 그루브가 형성되어 있다. 상기 폴리싱 패드(50)는 회전 가능한 폴리싱 플래튼(55) 상부에 안착된다.
상기 폴리싱 헤드(60)는 상기 폴리싱 패드(50) 상부에 형성되며, 그 하측에 기판(10)을 진공흡착하고 있다. 상기 폴리싱 헤드(60)는 회전축(62)에 의해 상부 헤드링(65)에 연결되어 있다.
상기 슬러리 디스펜서(70)는 상기 폴리싱 패드(50) 상부에 형성되어 폴리싱 패드(50)에 슬러리를 공급한다.
이와 같은 종래의 CMP 장비의 작용을 보면, 상기 슬러리 디스펜서(70)에서 슬러리를 폴리싱 패드(50)에 공급하고, 상기 폴리싱 패드(50)와 상기 폴리싱 헤드(60)가 밀착된 상태에서 회전하여, 상기 폴리싱 헤드(60)에 의해 진공흡착된 기판(10) 상에 형성된 층이 연마되어 제거된다.
한편, 이와 같은 종래의 CMP 장비를 이용하여, 상기 도 1c에서 구리층(45), 구리씨드층(40), 배리어 금속층(30), 및 절연막(20) 일부를 제거하기 위해서는, 상기 모든 층을 한번의 공정으로 연마하는 것이 아니라, 각각의 막질에 따라 선택비가 상이한 슬러리를 이용하여 여러 번의 연마 공정을 반복수행해야 한다.
즉, 구리층(45)과 구리씨드층(40) 제거용 슬러리, 배리어 금속층(30) 제거용 슬러리, 절연막(20) 제거용 슬러리와 같이 총 3가지 슬러리를 이용하여 3번의 CMP 공정을 수행해야 한다.
이때, 첫 번째 CMP 공정인 구리층(45) 연마공정시, 가공조건이 맞지 않거나 상기 도 1a에서 절연막(20)의 패터닝시 이상이 발생되어 구리층(45)이 원활히 형성되지 못한 경우에는, 구리층(45)이 완전히 제거되지 못하는 경우가 발생된다.
보다 구체적으로 설명하면, 구리 연마율이 높고 구리와 배리어 금속층과의 선택비가 높은 슬러리를 이용하여 구리층(45)을 제거하게 되면, 구리층(45)이 모두 연마된 후 배리어 금속층(30) 위에서 연마가 중지된다. 이와 같은 방법을 연마 종점 검출법이라고 하는데, 연마 종점 검출법은 연마되는 층이 균일하게 형성된 것을 가정하고 일부 영역에만 검출센서가 있다. 따라서, 연마되는 층이 불균일할 경우, 검출센서가 있는 영역에서는 구리층이 모두 연마되어 제거되었지만, 다른 영역에서는 제거되지 않을 경우가 발생된다.
이와 같이, 제거되지 않고 잔존하는 구리층은 후 공정인, 배리어 금속층(30) 또는 절연막(20) 제거용 슬러리에 의해서 잘 연마되지 않아 최종까지 잔존하게 되어 불량을 유발한다.
종래에는 상기 구리층의 잔존여부를 확인하기 위해서 육안관찰을 하거나, 또는 별도의 검사장치로 이송하여 구리층의 잔존여부를 확인하였다. 따라서, 시간이 많아 소요되어 생산성이 떨어지는 문제가 있다.
이에, 본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해서 고안된 것으로서, 본 발명은 CMP 공정을 수행함에 있어서 구리층의 잔존여부 확인을 보다 간편히 수행하여 생산성을 향상시킬 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 표면에 그루브가 형성된 폴리싱 패드; 상기 폴리싱 패드 상부에 형성되며, 기판이 진공흡착되어 위치되는 폴리싱 헤드; 상기 폴리싱 패드 상부에 형성되어, 폴리싱 패드에 슬러리를 공급하는 슬러리 디스펜서; 및 연마공정이 완료된 후 기판의 연마상태를 확인하기 위한 화상장치를 포함하여 구성되는 CMP 장비를 제공한다.
즉, 본 발명은 CMP 장비 내에 기판의 연마상태를 확인하기 위한 화상장치를 추가로 포함함으로써, 연마공정 후에 육안관찰이나 별도의 검사장치를 이용하기 위한 별도의 이송공정 등이 필요치 않아 생산성이 향상되게 된다.
본 발명은 또한, 상기 CMP 장비를 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 제공한다. 즉, 본 발명은 기판 트렌치 및 비아홀이 형성된 절연막을 패턴 형성하는 공정; 상기 절연막을 포함하는 기판 전면에 배리어 금속층, 구리 씨드층, 및 구리층을 순서대로 형성하는 공정; 상기 절연막 상부의 구리층, 구리씨드층, 배리어 금속층, 상기 절연막 일부를 연마하여 제거하는 공정; 및 연마상태를 확인하는 공정을 포함하여 구성되며, 상기 연마하여 제거하는 공정 및 연마상태를 확인하는 공정은 전술한 CMP 장비를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성방법을 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 장비를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 CMP 장비는 폴리싱 패드(500), 폴리싱 헤드(600), 슬러리 디스펜서(700), 및 화상장치(800)를 포함하여 구성된다.
상기 폴리싱 패드(500)는 도시하지는 않았지만 그 표면에 그루브가 형성되어 있다. 또한, 상기 폴리싱 패드(500)는 회전 가능한 폴리싱 플래튼(550) 상부에 안착되어, 폴리싱 플래튼(550)의 회전에 의해 함께 회전한다.
상기 폴리싱 헤드(600)는 상기 폴리싱 패드(500) 상부에 형성되며, 그 하측에 기판(100)을 진공흡착하고 있다. 또한, 상기 폴리싱 헤드(600)는 회전축(620)에 의해 상부 헤드링(650)에 연결되어 있어, 회전이 가능하다.
상기 슬러리 디스펜서(700)는 상기 폴리싱 패드(500) 상부에 형성되어 폴리싱 패드(509)에 슬러리를 공급한다.
상기 화상장치(800)는 상기 폴리싱 패드(500), 폴리싱 헤드(600) 및 슬러리 디스펜서(700)와 같은 연마장비 옆에 별도로 구비되며, 기판 스테이지(850)에 로딩된 기판(100)의 연마상태를 분석하게 된다.
이와 같은 본 발명에 따른 CMP 장비의 작용을 보면, 상기 슬러리 디스펜서(700)에서 슬러리를 폴리싱 패드(500)에 공급하고, 상기 폴리싱 패드(500)와 상기 폴리싱 헤드(600)가 밀착된 상태에서 회전하여, 상기 폴리싱 헤드(600)에 의해 진공흡착된 기판(100) 상에 형성된 층이 연마되어 제거된다. 연마가 종료되며, 상기 기판 스테이지(850)로 기판(100)이 이송되고 기판 스테이지(850) 상부에 위치된 화상장치(800)를 통해 기판(100)의 연마상태를 분석한다. 여기서, 연마 종료 후 기판 스테이지(850)로 기판(100)을 이송하기 위한 로봇암과 같은 이송장치가 추가로 형성되게 된다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 배선 형성방법을 보여주는 개략적인 공정단면도이다.
우선, 도 4a와 같이, 기판(100) 상에 절연막(200)을 형성한다.
이때, 상기 절연막(200)은 비아홀(220)과 트렌치(240)가 형성되도록 포토리소그래피 공정으로 패터닝된다. 포토리소그래피 공정을 2번 수행함으로써 비아홀(220)과 트렌치(240) 형성이 가능하다. 다만, 듀얼 다마신에 한정되는 것은 아니고, 트렌치만이 형성될 수도 있을 것이다.
그 후, 도 4b와 같이, 상기 절연막(200)을 포함하는 기판(100) 전면에 배리어 금속층(300)을 형성한다. 그리고, 상기 배리어 금속층(300) 위에 구리 씨드층(400)을 형성한다. 그리고, 상기 구리 씨드층(400) 위에 구리층(450)을 형성한다.
상기 배리어 금속층(300)은 탄탈, 질화탄탈, 티타늄 또는 질화티타늄으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 구리층(450)은 전기도금법을 이용하여 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
그 후, 도 4c와 같이, 상기 절연막(200) 상부의 구리층(450), 구리씨드층(400), 배리어 금속층(300), 및 상기 절연막(200) 일부를 연마하여 제거한 후, 연마상태를 확인한다.
이때, 도 4c에서 상기 구리층(450), 구리씨드층(400), 배리어 금속층(300), 및 절연막(200) 일부를 연마하여 제거한 후 연마상태를 확인하기 위해서, 전술한 도 3에 따른 CMP 장비를 이용한다. 따라서, 구리의 잔존여부를 바로 확인하여 추가 연마 등을 결정하게 된다.
이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 설명하였는데, 본 발명이 상기 실 시예에 한정되는 것은 아니고, 당업자에게 자명한 범위 내에서 변경될 수 있을 것이다.
상기 구성에 의한 본 발명에 따르면, CMP 장비 내에 기판의 연마상태를 확인하기 위한 화상장치를 추가로 포함함으로써, 연마공정 후에 육안관찰이나 별도의 검사장치를 이용하기 위한 별도의 이송공정 들이 필요치 않아 생산성이 향상되게 된다.
Claims (6)
- 표면에 그루브가 형성된 폴리싱 패드;상기 폴리싱 패드 상부에 형성되며, 기판이 진공흡착되어 위치되는 폴리싱 헤드;상기 폴리싱 패드 상부에 형성되어, 폴리싱 패드에 슬러리를 공급하는 슬러리 디스펜서; 및연마공정이 완료된 후 기판의 연마상태를 확인하기 위해서 상기 폴리싱 패드 옆에 구비된 화상장치를 포함하여 구성되는 CMP 장비.
- 제1항에 있어서,상기 폴리싱 패드는 회전 가능한 폴리싱 플래튼 상부에 안착되는 것을 특징으로 하는 CMP 장비.
- 제1항에 있어서,상기 폴리싱 헤드는 회전축에 의해 상부 헤드링에 연결된 것을 특징으로 하는 CMP 장비.
- 기판상에 트렌치 및 비아홀이 형성된 절연막을 패턴 형성하는 공정;상기 절연막을 포함하는 기판 전면에 배리어 금속층, 구리 씨드층, 및 구리 층을 순서대로 형성하는 공정;상기 절연막 상부의 구리층, 구리씨드층, 배리어 금속층, 및 상기 절연막 일부를 연마하여 제거하는 공정; 및연마상태를 확인하는 공정을 포함하여 구성되며,이때, 상기 연마하여 제거하는 공정 및 연마상태를 확인하는 공정은 상기 청구항 제1항 내지 제3항에 따른 CMP 장비를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 절연막을 패턴 형성하는 공정은 포토리소그래피 방법을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 배리어 금속층은 탄탈, 질화탄탈, 티타늄 또는 질화티타늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성방법.
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| KR1020040114865A KR100710180B1 (ko) | 2004-12-29 | 2004-12-29 | Ｃｍｐ 장비 및 그를 이용한 금속배선 형성방법 |
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|---|---|---|---|---|
| KR20030030154A (ko) * | 2001-10-08 | 2003-04-18 | 정해도 | 웨이퍼의 연마율을 제어하는 방법 및 이 방법을 수행하는화학기계적 연마장치 |
| KR20030059639A (ko) * | 2002-01-03 | 2003-07-10 | 삼성전자주식회사 | 종점검출장치가 구비된 화학기계적 연마장치 |
| KR100380785B1 (ko) * | 1995-03-28 | 2003-08-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 화학기계적연마동작에서인-시투모니터링을하기위한방법및장치 |
| KR20040002403A (ko) * | 2002-12-26 | 2004-01-07 | 램 리서치 코포레이션 | 화학기계적 연마의 적용을 위한 엔드포인트 검출시스템 |
| KR20040083845A (ko) * | 2003-03-25 | 2004-10-06 | 쎄미콘테크 주식회사 | 반도체 웨이퍼 표면연마공정의 엔드포인트 검출방법 및 그장치 |
-
2004
- 2004-12-29 KR KR1020040114865A patent/KR100710180B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100380785B1 (ko) * | 1995-03-28 | 2003-08-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 화학기계적연마동작에서인-시투모니터링을하기위한방법및장치 |
| KR20030030154A (ko) * | 2001-10-08 | 2003-04-18 | 정해도 | 웨이퍼의 연마율을 제어하는 방법 및 이 방법을 수행하는화학기계적 연마장치 |
| KR20030059639A (ko) * | 2002-01-03 | 2003-07-10 | 삼성전자주식회사 | 종점검출장치가 구비된 화학기계적 연마장치 |
| KR20040002403A (ko) * | 2002-12-26 | 2004-01-07 | 램 리서치 코포레이션 | 화학기계적 연마의 적용을 위한 엔드포인트 검출시스템 |
| KR20040083845A (ko) * | 2003-03-25 | 2004-10-06 | 쎄미콘테크 주식회사 | 반도체 웨이퍼 표면연마공정의 엔드포인트 검출방법 및 그장치 |
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