KR100699616B1 - 유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 ｃｍｐ 시스템, 웨이퍼 폴리싱 방법, 유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 및 집적 회로 제조 방법 - Google Patents

유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 ｃｍｐ 시스템, 웨이퍼 폴리싱 방법, 유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 및 집적 회로 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유체를 분배하는 동안 웨이퍼 표면 상으로 부유하는 연마 입자들 없이 고정된 연마 소자들을 이용하여 웨이퍼의 일부 또는 전체 층을 제거하기 위해 고정된 연마 소자들을 이용하는 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템 및 방법에 관한 것이다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드는 회전하는 동안 웨이퍼 표면에 대해 압착되고 고정된 연마 소자는 웨이퍼 표면을 평탄화하는 마찰력을 가한다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드에 의해 분배된 유체는 웨이퍼 표면의 스크래칭을 최소화하거나, 웨이퍼 표면과 화학적으로 작용하여 그것을 부드럽게 하거나, 미립자 오염물의 제거를 돕는 등의 다양한 방법으로 상기 고정된 소자들이 웨이퍼 평탄화를 이루도록 돕는다. 본 발명에서의 유체 흐름은 폴리싱 공정동안 웨이퍼의 표면 및 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면으로부터 폐기물(예를 들면, 반응물, 웨이퍼의 깎인 부분, 미립자 오염물 등)을 제거할 정도로 강하다. 본 발명의 일 실시예에서, 폐기 입자들은 유체 내에서 부유하게 되며 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 유체 분배 도관을 통해 다시 흡수된다.

Description

유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 ＣＭＰ 시스템, 웨이퍼 폴리싱 방법, 유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 및 집적 회로 제조 방법{FLUID DISPENSING FIXED ABRASIVE POLISHING PAD}
본 발명은 반도체 제조 공정에 관한 것으로, 구체적으로는, 반도체 웨이퍼를 보다 효과적으로 연마하고 평탄화하는 장치에 관한 것이다.
전자 시스템 및 회로는 현대 사회의 진보에 큰 기여를 하고 있으며, 수많은 애플리케이션에 이용되어 유익한 결과를 가져왔다. 디지털 컴퓨터, 계산기, 오디오 장치, 비디오 장치, 전화 시스템과 같은 수많은 전자 기술은, 데이터, 아이디어, 및 대부분의 비즈니스, 과학, 교육, 엔터테인먼트 분야를 분석하고 통신하는 데 있어서 생산성을 증가시키고 비용을 감소시키는 것을 용이하게 하는 프로세서를 포함한다. 일반적으로, 이러한 결과를 제공하도록 설계된 전자 시스템은 종종 칩 웨이퍼 상에 집적 회로(IC)를 포함한다. 웨이퍼는 항상 평탄한 웨이퍼 표면을 생성하는 폴리싱(polishing) 단계를 포함하는 공정에 의해 제조된다. 효과적이고 능률적인 방법으로 폴리싱 단계를 실행하는 것은 IC 웨이퍼 제조에 있어서 중요하다.
통상적인 IC용의 시작 재료는 매우 높은 순도의 실리콘이다. 순(pure) 실리콘 재료는 고체 원통형의 단결정으로서 성장한다. 그 다음에, 이 결정은 (빵 덩어리와 같이) 절단되어 웨이퍼를 생산하며, 이 웨이퍼 상에서는 리소그래피 공정(예를 들면, 포토리소그래피, X-선 리소그래피 등)을 통해서 웨이퍼에 다수의 층을 부가함으로써 전자 소자가 구성된다. 통상적으로, 리소그래피는 웨이퍼 층에 부착된 상이한 전자 특성을 갖는 영역을 포함하는 전자 소자를 형성하는 데 이용된다. 복합 IC는 많은 상이한 조립층을 가지며, 각각의 층은 이전 층의 상부에 적층되며, 다양한 상호접속을 갖는 다수의 소자를 포함한다. 이들 복합 IC의 표면 형상은, IC 소자가 층 내에 만들어진 후에 울퉁불퉁하게 된다(예를 들면, 이들은 많은 융기부 또는 "언덕부(hill)"와 침하부 또는 "계곡부(valley")를 갖는 거친 표면 형상의 "산맥(mountain ranges)"을 닮는다).
리소그래픽 기술은 통상 매우 정밀한 표면 기하학 형상을 재생할 수 있으며, 보다 많은 소자(예를 들면, 저항기, 다이오드, 트랜지스터 등)가 기본 칩 또는 IC에 집적되는 애플리케이션에서 보다 큰 이점 및 유용성이 실현된다. 칩 내에 보다 많은 소자를 포함시키는 주요한 방법은 각각의 소자를 더 작게 형성하는 것이다. 포토리소그래픽 공정에서, 초점의 깊이에 대한 제한은 감광층(photosensitive layer)의 표면에 보다 미세한 화상을 투사하는 데 영향을 준다. 초점의 깊이 문제는 거친 표면 형상(예를 들면, 리소그래픽 공정 동안 생성된 층으로 인한 울퉁불퉁한 융기부 및 침하부)에 의해 악화된다. 복합 IC의 "울퉁불퉁한" 표면 형상은 초점의 깊이에 대한 협소 제한의 효과를 악화시켜, 칩 상에 내장되는 소자의 수를 한정한다. 따라서, 단일 웨이퍼 상에 가장 많은 수의 소자를 형성하는 방법으로 각각의 중간 감광층에 서브 미크론 형상을 규정하는 바람직한 마스크 화상의 초점을 맞추기 위해서는, 정밀하게 평평한 표면이 바람직하다. 정밀하게 평탄한 표면 또는 완전히 평탄화된 표면은 극히 작은 깊이의 초점 동작을 용이하게 하며, 극히 작은 소자의 후속 제조를 용이하게 한다.
폴리싱(polishing)은 웨이퍼 층을 완전히 평탄화시키기 위한 양호한 방법이다. 폴리싱은 통상 웨이퍼 표면 상의 폴리싱 패드를 마찰시켜 재료의 희생부(sacrificial portion)를 제거하는 단계를 포함한다. 웨이퍼의 표면 형상이 낮은 영역(계곡부)보다 표면 형상이 높은 영역(언덕부)이 더 빨리 제거되기 때문에, 폴리싱은 웨이퍼의 표면 상의 높이의 차이를 평탄하게 한다. 대부분의 폴리싱 기술은 밀리미터 이상인 척도의 평탄화 거리로 표면 형상을 평탄화하여 폴리싱 후의 최대각이 1°보다 훨씬 작게 하는 보기 드문 능력을 갖는다.
가장 일반적인 폴리싱 기술 중 하나는 웨이퍼의 예측가능한 평탄화를 돕기 위해 폴리싱 패드 상에서 분배된 연마용 슬러리를 이용하는 기계 화학적 폴리싱(CMP) 공정을 포함한다. 슬러리의 평탄화 특성은 통상적으로 연마 마찰 소자 및 화학 반응 소자로 이루어진다. 상기 연마 마찰 소자는 슬러리 내에 부유하는 연마재 입자에 기인한다. 상기 연마재 입자는 웨이퍼의 표면과 마찰 접촉을 일으키기 때문에 폴리싱 패드의 연마 특성에 더해진다. 화학 반응 소자는 웨이퍼 층의 재료와 화학적으로 상호작용하는 폴리싱 요인에 기인한다. 상기 폴리싱 요인들은 웨이퍼 층의 표면을 부드럽게 하거나 용해시켜, 상기 층의 표면과의 화학적 반작용에 의해 연마된다. 연마 마찰 소자와 화학 반응 소자는 함께 폴리싱 패드가 웨이퍼의 표면으로부터 재료를 제거하는 것을 돕는다.
슬러리가 폴리싱 패드에 배포되는 방법은 연마재의 유효성 및 폴리싱을 돕는 슬러리의 화학적 특성에 큰 영향을 미치며, 또한 제거율에도 영향을 미친다. 통상적인 슬러리 배포 방법은 폴리싱 패드의 상부에 슬러리를 분배하는 것으로서, 폴리싱 패드는 슬러리를 웨이퍼 표면으로 운반한다. 폴리싱 패드 재료는 항상 폴리싱 패드의 표면에 만들어진 다수의 아주 작은 구멍과 간극들을 포함하는 거친 표면을 갖는다. 상기 거친 표면의 구멍 및 홈은 연마되는 웨이퍼 표면으로의 운반을 위한 슬러리를 채집하는 포켓 역할을 한다. 기계 화학적 폴리싱에 이용된 연마용 슬러리는 어떠한 이점을 제공하는 반면에 해로운 부작용을 낳을 수도 있다.
통상적인 연마용 슬러리에서 자유롭게 부유하는 연마재 입자들은 종종 어떠한 문제점을 갖게 된다. 통상적인 연마 CMP 슬러리가 갖는 한 가지 문제점은 대부분의 슬러리에서 불충분한 배포 안정성으로 인해 폴리싱이 고르지 못하다는 것이다. 따라서 웨이퍼 층의 제거를 균일하게 하기 위해 패드의 표면 상에 슬러리를 고르게 배포하는 것이 중요하다. 대부분의 슬러리에서 고체 연마 입자들은 슬러리 용액에서 침전하거나 응집되는 경향이 있다. 만약 웨이퍼의 일부가 과도한 양의 슬러리와 접촉하면, 항상 보다 빠른 비율로 제거되며, 충분한 슬러리에 노출되지 않은 부분들은 항상 보다 느린 비율로 제거되어, 평탄화된 지형 대신 거친 지형이 생성된다. 따라서, 슬러리 입자들의 응집 및/또는 균일하지 않은 배포로 인한 평탄하지 못한 층 제거를 회피하는 것이 바람직하다.
종래의 슬러리 배포 시스템은 통상적으로 웨이퍼 표면 상에 슬러리를 균일하게 배포하지 않는다. 예를 들면, 대부분의 슬러리 배포 시스템은 새로운 슬러리를 웨이퍼의 가장자리에 인가하고 그 다음에 웨이퍼의 중심으로 운반한다. 그러나, 슬러리의 일부 연마 특성으로 슬러리가 웨이퍼의 중심에 도달하는데 시간이 소요된다. 따라서 새로운 슬러리는 웨이퍼 제거 물질의 가장자리에 비교적 빨리 보다 많은 연마 마찰을 가하고, 약해진(spent) 슬러리는 웨이퍼 제거 물질의 중심에 비교적 보다 느리게 보다 적은 연마 힘을 가하여, 그 결과 웨이퍼 표면이 균일하지 않게 연마된다.
연마용 슬러리는 폴리싱 공정 동안에 소모되므로, 약해진 연마 입자들을 포함하는 폐기물 입자들과 웨이퍼로부터 "깎여진(shaved)" 폐기물들이 생성된다. 약해진 연마 입자들과 관련된 미립자 오염물은 아주 해로운 영향을 가질 수 있으며, CMP 후 표면 세정과 밀접한 관련이 있다. 약해진 연마 입자들은 항상 화학적 상호작용에 의해 쉽게 용해될 수 없다. 슬러리 내의 약해진 자유 연마 입자들은 "폐기(waste)" 입자들이 웨이퍼 표면 상에 증착할 가능성을 증가시키는 경향이 있다. 또한, 연마 입자들의 잔존물은 새로운 슬러리를 웨이퍼의 표면으로 운반하는 것을 돕기 위한 폴리싱 패드의 홈 및 구멍에 채워지는 경향이 있다. 폴리싱 패드에 의해 새로운 슬러리의 효과적인 운반을 유지하기 위해, 새로운 슬러리를 운반하기 위한 구멍 및 홈들이 약해진 연마용 슬러리 입자들로 채워지기 때문에 잦은 폴리싱 패드 조절이 요구된다. 가장 일반적인 패드 조절 방법은 폴리싱 패드 표면층을 제거하고 새로운 구멍 및 홈들을 갖도록 그것을 재생 처리하는 것이다. 폴리싱 패드를 자주 조절하면 통상적으로 폴리싱 공정이 지연되고 폴리싱 패드가 닳는 속도가 증가한다.
슬러리로부터의 연마 조력를 요구하지 않는 폴리싱 패드를 갖는 것이 바람직하다. 통상적인 슬러리 프리 폴리싱 패드(slurry free polishing pad)는 상부 웨이퍼 층의 일부를 제거하는 고정된 연마 소자들 또는 입자들과 같은 연마 특성을 갖는 표면을 갖는다. 고정된 연마 폴리싱 패드들은 연마용 슬러리 관련 문제를 경감하지만, CMP 공정 동안 웨이퍼의 표면과 폴리싱 패드로부터 폐기물을 제거하기에 충분하지 않은 제한된 액체 흐름으로 인한 특정 오염물이 여전히 문제가 된다. 또한, 연마재가 유동 슬러리 시스템에서와 같이 더 이상 유동성이 없고 고정된 연마 폴리싱 패드의 조절이 쉽지 않기 때문에 스크래칭이 문제가 된다.
IC 웨이퍼의 표면을 연마하기 위한 효과적이고 효율적인 방법을 용이하게 하는 시스템 및 방법이 요구된다. 상기 시스템 및 방법은 자유로운(free) 부유 연마 입자를 요구하지도 않고 웨이퍼 표면 상의 과도한 입자 오염을 일으키지도 않는다. 또한, 계속적인 사용을 위해 패드를 준비하는 조절 공정을 돕는다. 상기 시스템 및 방법은 결함을 용이하게 감소시키며(예를 들면, 보다 낮은 결함 밀도) 집적 회로 제조의 유연성을 향상시키는 보다 깨끗한 CMP 공정을 용이하게 한다.
본 발명은 IC 웨이퍼를 효과적으로 폴리싱하는 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 장치 및 방법을 포함한다. 본 발명의 상기 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 장치 및 방법은 고정된 연마 폴리싱 패드 내의 홀을 통해 제공된 유체를 갖는 고정된 연마 폴리싱 패드를 이용함으로서 CMP 공정이 효과적인 웨이퍼 평탄화를 얻을 수 있도록 돕는다. 본 발명은 연마용 슬러리 입자들로 인한 해로운 부작용, 예를 들면, 연마용 슬러리 입자들의 덩어리로 인한 불균일한 층의 제거, 웨이퍼 표면 상에 증착된 연마용 슬러리 미립자 오염, 웨이퍼의 표면으로 새로운 슬러리를 운반하는 것을 돕기 위한 폴리싱 패드의 홈들 및 구멍들 내에 약해진 연마 입자들이 침전되는 것과 같은 것을 겪지 않고 일정한 제거율 및 평탄하게 연마된 웨이퍼 표면을 얻을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드는 고정된 연마 소자들과 유체 분배 도관(duct)을 갖는 폴리싱 패드 본체를 포함한다. 상기 고정된 연마 소자는 슬러리 내에서 부유하는 연마 입자들의 도움없이 웨이퍼의 표면에 대하여 마찰될 때 일부 또는 전체 웨이퍼 층을 제거하며, 따라서 연마용 슬러리와 관련된 해로운 부작용을 겪지 않는다. 유체 분배 도관은 유체가 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면으로부터 웨이퍼로 흐르도록 한다. 상기 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드는 폴리싱 공정 및/또는 폐기 입자 제거를 돕는 화학제를 포함하는 유체를 포함한 다양한 유체들을 분배할 수 있다. 또한, 본 발명의 유체의 흐름은 폴리싱 공정 동안 웨이퍼 및 상기 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면으로부터 폐기물(예를 들면, 반응물, 웨이퍼의 깎인 부분, 미립자 오염물 등)을 제거할 수 있을 정도로 강하다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 일 실시예에서 폐기 입자들은 유체 분배 도관을 통해 흡수되거나 제거된다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예인 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 구조를 도시한 측면도.
도 1b는 본 발명의 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 일 실시예의 개략적인 저면도.
도 1c는 본 발명의 일 실시예의 유체 분배 도관 및 연마 소자들 중 하나의 구성을 도시한 도면.
도 2a는 본 발명의 일 실시예인 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템의 저면도.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템의 일 실시예의 측면도.
도 2c는 본 발명의 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 소자의 소자들의 일 실시예의 일부를 도시한 절취도.
도 2d는 본 발명의 턴테이블 판의 일 실시예의 평면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 방법의 단계들의 흐름도.
이하, 첨부한 도면에 도시되어 있는 본 발명의 바람직한 실시예인 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 방법 및 시스템을 상세히 설명한다. 본 발명은 바람직한 실시예들과 함께 설명되지만, 본 발명은 이들 실시예들에 한정되지 않음에 유의하라. 반면에, 본 발명은 첨부된 청구항에 의해 규정된 본 발명의 정신 및 범주 내에 포함될 수도 있는 대안들 변경사항들 및 그 등가 사항들을 커버한다. 또한, 본 발명의 상세한 설명에서, 많은 특정 상세는 본 발명을 철저하게 이해할 수 있도록 개시되어 있다. 그러나, 당업자라면 이들 특정 상세없이도 본 발명을 실시할 수도 있을 것이다. 기타 예들에서, 공지되어 있는 방법들, 공정들, 소자들 및 회로들은 본 발명의 특징들을 불필요하게 혼란스럽도록 하지 않게 하기 위해 상세히 설명하지 않았다.
본 발명은 폴리싱 패드에 의해 배포된 유체의 도움으로 웨이퍼 표면을 평탄화하기 위해 폴리싱 패드 상에 고정된 연마 소자들을 이용하는 CMP 시스템 및 방법에 관한 것이다. 폴리싱이 진행됨에 따라, 본 발명의 시스템 및 방법은 폴리싱 동안 발생되는 폐기물 입자들과 함께 웨이퍼 표면의 일부 또는 전체 층의 효율적인 제거를 용이하게 하기 위해 폴리싱 패드 내의 액세스 도관을 통하여 유체를 분배한다. 본 시스템 및 방법은 고정된 연마제를 포함하는 폴리싱 패드들을 이용하며 연마용 슬러리 입자들에 의존하지 않기 때문에, 연마용 슬러리 입자들로 인한 부작용을 회피할 수 있다. 본 발명의 시스템 및 방법의 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 특징은 IC 웨이퍼 제조 동안 제조 시간 및 슬러리 소비를 감소시키도록 한다.
도 1a 및 1b는 본 발명의 일 실시예인 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)의 개략적인 측면도 및 저면도이다. 유체 운반 고정 연마 폴리싱 패드(100)는 폴리싱 패드 본체(130), 고정된 연마 소자(예를 들면, 고정된 연마 소자(115) 및 유체 분배 도관(125)을 포함한다. 폴리싱 패드 본체(130)는 고정된 연마 소자(115)와 유체 분배 도관(125)에 결합된다. 폴리싱 패드 본체(130)는 직경에 의해 규정된 면 및 상기 직경에 의해 규정된 면에 실질적으로 수직하는 외부 반지름 표면에 실질적으로 평행한 하부면 및 직경을 갖는다. 상부면은 하부면의 반대쪽에 위치한다. 고정된 연마 소자(115)는 웨이퍼의 표면에 대하여 마찰될 때 웨이퍼의 일부를 제거하도록 채용된다. 유체 분배 도관(125)은 하부면으로부터 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드를 통해 상부면으로 연장되며, 상기 유체 분배 도관(125)은 유체가 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)로부터 상기 웨이퍼로 흐르도록 채용된다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)는 효과적인 방식으로 웨이퍼를 효율적으로 연마한다.
유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)의 고정된 연마 소자들은 웨이퍼의 전체 층의 일부를 제거하도록 웨이퍼의 표면에 대해 마찰될 때 충분한 연마 동작을 제공한다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)의 일 실시예에서, 상기 고정된 연마 소자는 폴리싱 패드의 표면에 결합된 연마 입자들을 포함하고, 다른 실시예에서 연마 입자들은 폴리싱 패드 본체의 체적을 통해 균일하게 배포된다. 상기 고정된 소자들(예를 들면, 고정된 연마 소자(125))은 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100) 상에 균일하고 농후하게 배포된다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)의 일부 실시예에서, 각각의 유체 분배 도관 사이에 많은 고정된 연마 소자들 또는 입자들이 있다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)의 상기 고정된 연마 소자들은 연마용 슬러리로부터의 도움을 요구하지 않으며, 따라서 고정된 연마 폴리싱 패드(100)를 이용하는 시스템 및 방법은 연마용 슬러리와 관련된 부작용(예를 들면, 패드 상의 약해진 연마용 슬러리 입자들 형성 또는 덩어리로 인한 불균일한 폴리싱)을 겪지 않는다
본 발명은 다양한 유체들을 배포할 수 있으며 많은 상황에 적용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드는 물을 분배하고 다른 실시예에서는 상기 고정된 연마 소자들로부터 보조제를 이용하여 물과 상호작용하는 화학품을 포함하는 용액을 분배한다. 예를 들면, 화학품(예를 들어, 염기 또는 산)을 포함하는 유체는 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면에 점진적으로 유입된다. 다른 예에서, 높은 pH 용액(예를 들면, NH4OH)은 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면으로 흘러 입자들이 물 표면에 결합되어 결함을 형성하는 것을 방지한다. 또한, 본 발명은 단순히 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면에 대한 유체의 온-오프 제어 외에 유체의 화학적 합성물의 연속적인 변경을 허용한다. 이렇게 하면, 하나의 화학적 합성물을 포함하는 "예전의" 용액을 제거하고 상이한 화학적 합성물(예를 들면, 하나 이상의 단계 및 하나의 화학적 성질을 갖는 구리-CMP 실시예)을 포함하는 "새로운" 용액을 부가하는 시간 소모적이며 비경제적인 공정을 회피할 수 있다.
유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)의 도관(예를 들면, 유체 분배 도관(125)을 통하여 분배된 유체는 상기 고정된 소자가 다양한 방법으로 웨이퍼 평탄화를 얻도록 돕는다. 본 발명에서의 액체 흐름은 고정된 연마 소자들에 의해 웨이퍼 표면의 스크래칭을 최소화하도록 조절된다. 전술한 바와 같이, 일 실시예에서, 유체는 웨이퍼 표면과 화학적으로 반응하여 부드럽게 만들며, 이에 따라 고정된 연마 폴리싱 패드(100)의 고정된 연마 소자들에 의한 평탄화를 보다 쉽게 한다. 상기 패드를 통하여 유체를 웨이퍼의 표면상에 분배하면, 상기 유체는 아주 효과적이고 균일하게 웨이퍼와 상호작용할 수 있다. 또한, 상기 유체는 연마용 슬러리 입자들로 구성되지 않으며, 연마용 슬러리 입자들로 폴리싱 패드의 유체 분배 도관의 막힘을 회피한다. 또한, 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)의 도관을 통하여 분배된 유체는 미립자 오염물의 제거를 돕는다.
웨이퍼의 표면 및 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드로부터 폐기물을 제거하기 위해 유체를 이용하면, 고정된 연마 폴리싱 패드만 이용하는 것에 대해 큰 이점을 제공한다. 본 발명의 유체 흐름은 폴리싱 공정 동안 웨이퍼 및 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면으로부터 폐기물(예를 들면, 반응물, 웨이퍼의 깎인 부분, 미립자 오염물 등)을 제거할 정도로 강하다. 폐기물을 제거하는 것은 고정된 연마 폴리싱 패드의 연마 소자들이 보다 효과적으로 접촉하여 폐기 입자들로부터의 간섭없이 웨이퍼 표면을 제거하도록 한다. 또한, 웨이퍼의 표면으로부터 폐기물을 제거하는 것은 폐기 입자들로 인한 웨이퍼 표면 상에 결함이 생길 가능성을 감소시킨다. 또한, 세정 유체는 유체 분배 도관을 통해 분배되어 유체 분배 도관 및 고정된 연마 소자들 주위의 공간으로부터 오염물 폐기 입자들을 제거하기 때문에 패드 조절은 본 발명의 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드로 보다 단순화된다. 따라서, 분배된 유체가 구멍 및 홈들로부터 폐기 입자들을 배출하므로 패드 조절이 빈번히 요구되지 않는다.
본 발명의 유체 분배 도관이 이용되는 방법은 다양하다. 본 발명의 일 실시예에서, 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드는 오염 입자들이 쏟아져 나오는 동안 및 그 후에 웨이퍼 및 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면을 세척한다. 본 발명의 일 실시예에서, 유체 분배 도관은 임의의 간격 동안 유체를 분배하는데 이용되며 다른 소정의 간격에서 폴리싱 부산물을 채집하는데 이용된다. 예를 들면, 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면 상으로 유체가 먼저 분배되어 폐기 입자들과 혼합된 후, 상기 유체 및 폐기 입자들은 유체 분배 도관을 통해 폐기 입자들을 청소함으로서 제거된다. 본 발명의 일 실시예에서, 입자들의 제거는 유체 분배 도관을 통해 기판으로부터 입자들을 청소하여 입자들을 제거하는 것을 돕기 위해 보다 높은 PH 유체 또는 계면활성제를 도입함으로서 폴리싱 공정의 끝에서 이루어진다.
본 발명의 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 구성은 다양함을 주지하라. 본 발명의 일 실시예에서, 유체는 압반(platen) 중심의 유체 분배 도관을 통해 도입되어, 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면 내의 도관을 이용하여 유체를 분배한다. 본 발명의 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 다른 실시예들은 특정 상황의 특정 요건을 만족시키도록 구성되는 구성(예를 들면, 유체 분배 도관)을 갖는다. 도 1c는 유체 분배 도관들 및 본 발명의 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100A)의 일 실시예의 연마 소자의 다른 구성을 도시한 것이다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100A)는 폴리싱 패드 본체(173), 고정된 연마 소자들(예를 들면, 고정된 연마 소자(172)) 및 유체 분배 도관(예를 들면, 유체 분배 도관(171))을 포함한다. 본 발명의 다른 일 실시예에서, 유체 분배 도관의 폭 및 직경은 1 마이크론 내지 200 마이크론 범위이며 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 제조 동안 제조된다.
도 2A는 본 발명의 일 실시예인 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템(200A)의 저면도이다. CMP 시스템(200)은 웨이퍼 홀더(220), 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 소자(230) 및 CMP 머신(250)을 포함한다. CMP 머신(250)은 웨이퍼 홀더(220) 및 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 소자(230)에 결합된다. CMP 시스템(200)의 소자들은 IC 웨이퍼를 평탄화하도록 협력하여 동작한다. 웨이퍼 홀더(220)는 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 소자(230)에 대해 IC 웨이퍼를 고정한다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 소자(230)는 웨이퍼의 표면에 유체 및 물리적 마찰력을 인가하여 IC 웨이퍼를 연마하고 평탄화한다. CMP 머신(250)은 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템(200A)을 제어하기 위한 인터페이스를 제공한다.
도 2B는 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템(200A)의 일 실시예인 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템(200B)의 측면도이다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템(200B)은 웨이퍼 홀더(220), 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 소자(230) 및 CMP 머신(250)을 포함한다. CMP 머신(250)은 웨이퍼 홀더(220) 및 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 소자(230)에 결합된다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템(200B)의 소자들은 협력하여 집적 회로(IC) 웨이퍼(224)를 연마하고 평탄화하는 기능을 갖는다.
유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 소자(230)는 유체를 웨이퍼(예를 들면, 웨이퍼(224))로 이동시켜 웨이퍼의 표면에 연마 마찰력을 가하는데 사용된다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 소자(230)는 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100) 및 턴테이블 압반(platen)(231)을 포함한다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)는 턴테이블 압반(231)에 결합된다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)는 웨이퍼의 표면을 평탄화하도록 채용된다. 턴테이블 압반(231)은 사전 결정된 속도록 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)를 회전시키고 유체를 상기 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)의 유체 분배 도관으로 이동시키도록 채용된다. 본 발명의 일 실시예에서, 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)는 고정된 연마 입자들을 포함하는 탄력있는 재료로 만들어지며 유체 분배 도관들은 전술한 바와 같이 부유하는 연마 입자들을 사용하지 않고 폴리싱 공정을 돕는다.
도 2c는 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 소자(230A)의 소자들의 일 실시예의 일부를 도시한 절취도이다. 도 2d는 턴테이블 압반(231A)의 일 실시예의 상면도이다. 턴테이블 압반(231A)은 턴테이블 압반 본체(237)와 유체 분배 도관 트렌치(예를 들면, 유체 분배 도관 트렌치(238 또는 239)를 포함한다. 상기 유체 분배 도관 트렌치들은 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)의 유체 분배 도관으로 유체가 이동하도록 채택된다.
웨이퍼 홀더(220)는 웨이퍼(예를 들면 224)를 픽업하여 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100) 상의 장소에 고정한다. 웨이퍼 홀더(220)는 홀더 암(221), 캐리어(222) 및 캐리어 링(223)을 포함한다. 홀더 암(221)은 CMP 머신(250) 및 캐리어 링(223)에 결합되는 캐리어(222)에 결합된다. 웨이퍼(224)의 하부면은 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)에 얹혀져 있다. 웨이퍼(224)의 상부 표면은 캐리어(222)의 하부 표면에 고정된다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)가 회전할 때, 사전 결정된 양의 압력으로 웨이퍼를 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100) 상으로 힘을 가하는 동안 캐리어(222)는 사전 결정된 속도로 웨이퍼(224)를 회전시킨다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100) 및 웨이퍼(224) 모두의 회전 작용으로 인해 발생된 마찰력으로 인한 상기 연마는 웨이퍼(224)를 연마하여 평탄화하도록 결합된다.
유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템(200A)의 일례는 폴리싱 패드의 연마 특성을 유지하는 것을 돕는 폴리싱 패드 조절기를 포함한다. 폴리싱 패드 조절기는 폴리싱 패드의 마멸되거나 채워진 표면의 제거 및 폴리싱 패드의 표면 내의 홈들 및 구멍들의 재구성을 용이하게 한다. 연속적으로 거칠어진 표면을 갖는 폴리싱 패드는 비교적 빠르며 보다 일정한 제거 속도를 생성한다. 본 발명의 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드는 조절 공정을 돕는다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드는 폴리싱 패드의 표면 상에 축적되는 많은 입자들(예를 들면, 약해진 슬러리 입자들, 폐기 웨이퍼 입자들 등)이 폴리싱 패드의 표면 내의 홈들 및 구멍들을 막지 않도록 한다. 본 발명의 일 실시예에서, 본 발명의 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드로부터의 유체는, 별도의 조절기가 폴리싱 패드를 세정하고 조절하는데 필요치 않는 폴리싱 패드의 표면 내의 구멍들 및 홈들로부터 충분한 폐기 입자들을 제거하도록 한다.
CMP 머신(250)은 유체를 분배하는 고정된 연마 CMP 시스템(200B)의 제 1 인터페이스 및 모터 메커니즘으로서 동작한다. 본 발명의 일 실시예에서, CMP 머신(250)은 폴리싱 패드 소자(230)를 회전시키는 모터를 포함한다. 유체를 분배하는 고정된 연마 CMP 시스템(200B)의 일 실시예에서, CMP 머신(250)은 유체의 흐름 속도, 캐리어(222)의 상향 힘 및 회전 속도, 폴리싱 패드 소자(230)의 상향 힘 및 회전 속도와 같은 CMP 동작을 제어하는 컴퓨터 시스템을 포함한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 방법(300)의 단계들의 흐름도이다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 방법(300)은 연마 입자들 없이 유체를 인가하는 동안 웨이퍼를 평탄화하기 위해 고정된 연마제를 이용한다. 본 발명의 방법은 고정된 연마 폴리싱 및 폐기 입자 제거를 용이하게 함으로서 CMP 공정이 효과적인 웨이퍼 평탄화를 얻을 수 있도록 돕는다. 본 발명의 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 방법(300)은 IC 웨이퍼 제조 동안 제조 횟수 및 슬러리 소모를 감소시키도록 한다.
단계 310에서 유체가 분배된다. 본 발명의 일 실시예에서, 유체는 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드에 의해 분배된다. 예를 들면, 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드는 유체 분배 도관(예를 들면, 125)을 통해 유체를 분배한다. 단계 310에서 분배된 유체는 고정된 소자가 다양한 방법으로 웨이퍼 평탄화를 달성할 수 있도록 돕는다. 본 발명의 액체 흐름은 고정된 연마 소자들에 의해 웨이퍼 표면의 스크래칭을 최소화하도록 조절된다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 방법(300)의 일 실시예에서, 유체는 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드를 통해 웨이퍼의 표면 상으로 아주 효율적으로 직접 분배된다. 단계 310에서 분배된 유체는 연마용 슬러리 입자들로 이루어지지 않기 때문에 연마용 슬러리 입자들과 관련된 해로운 부작용이 회피된다. 또한, 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드(100)의 도관을 통해 분배된 유체는 특정 오염물의 제거를 돕는다. 예를 들면, 분배된 유체는 폐기 입자들(예를 들면, 반응물, 웨이퍼의 깎인 부분, 미립자 오염물 등)을 홈들 및 구멍들 및 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 유체 분배 도관으로부터 제거한다.
본 발명은 다양한 유체들을 분배할 수 있으며, 수많은 상황에 적용될 수 있다. 일 실시예에서, 화학제(예를 들면, 염기성 또는 산성)를 포함하는 유체는 점진적으로 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면에 유입되며, 미립자 폐기물이 웨이퍼 표면에 결합되어 결함을 형성하는 것을 정전기적으로 방지한다. 또한, 본 발명은 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면에 대한 임의의 유체의 온-오프 제어를 단순화하는 외에 상기 유체의 화학적 조합의 연속적인 변경을 허용한다.
단계 320에서, 웨이퍼는 CMP 시스템의 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 상에 위치한다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 방법(300)의 일 실시예에서, 웨이퍼(예를 들면, 웨이퍼(224))는 웨이퍼 홀더(예를 들면, 웨이퍼 홀더(220))에 의해 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 상에 위치한다. 웨이퍼 홀더는 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면 상으로 하향 압력을 웨이퍼 상에 강제로 인가하면서 이 웨이퍼를 회전시킨다.
단계 330에서, 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드는 웨이퍼의 일부 또는 전체 층을 제거하는 데 이용된다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드는 사전 결정된 속도로 회전하며 고정된 연마 소자를 갖는 탄력있는 재료로 제조된다. 단계 330)의 일 실시예에서, 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 고정된 연마 소자들(예를 들면, 삽입된 연마 입자들)은 웨이퍼 표면에 대하여 마찰력을 가함으로서 웨이퍼의 일부 또는 전체 층을 제거한다. 일 실시예에서, 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드는 슬러리 내의 연마 입자들로부터의 조력없이 웨이퍼의 표면을 제거한다. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 방법(300)이 계속될 때, 유전체 재료가 웨이퍼의 표면으로부터 연속적으로 제거되어 원하는 평탄성을 얻을 수 있다.
단계 340에서, 웨이퍼가 완전히 평탄화되었을 때 웨이퍼는 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드로부터 제거된다. 그 다음에 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 방법(300)의 일 실시예에서, CMP 머신은 웨이퍼(이제 연마된 상태임)를 처리과정의 다음 단계를 위해 제조 라인의 전방향으로 보내고 큐로부터 다음 웨이퍼를 준비한다.
유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 방법(300)의 일 실시예에서, 유체 및 폐기 입자들이 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드를 통해 흡수되는 다른 단계가 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 유체 분배 도관은 임의의 간격 동안 유체를 분배하고 다른 소망의 간격에서 연마 부산물을 채집한다. 예를 들면, 먼저 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면 상으로 유체가 분배되고 그 다음에 폐기 입자들이 유체 분배 도관을 통해 비워지는 유체 내에서 부유하게 된다. 본 발명의 일 실시예에서 보다 높은 pH 유체 또는 계면 활성제가 도입되어 폐기 입자들을 제거하는 것을 돕는다.
따라서, 본 발명의 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 시스템 및 방법은 IC 웨이퍼의 표면을 연마하는 효과적이고 효율적인 방법을 용이하게 한다. 상기 시스템 및 방법은 자유로운 부동 연마 입자들을 요구하지 않으며, 연마용 슬러리 입자들의 덩어리로 인한 불균일 층, 웨이퍼 표면 상에 증착된 연마용 슬러리 미립자 오염, 폴리싱 패드 내의 홈들 및 구멍들 내에 약해진 연마 입자들의 침전 등과 같은 연마용 슬러리 입자들로 인한 해로운 부작용을 발생하지 않는다. 상기 시스템 및 방법은 또한 웨이퍼 표면의 중심에 균일한 유체 배포를 용이하게 하여, 웨이퍼 표면의 중심에 비하여 웨이퍼 가장자리의 불균일한 폴리싱을 회피할 수 있다. 또한 연속적인 사용을 위한 패드를 준비하는 것을 돕는다. 상기 시스템 및 방법은 집적 회로 제조의 신뢰도를 향상시키는 결함 감소(예를 들면 보다 낮은 결함 밀도) 및 보다 깨끗한 CMP 공정을 용이하게 한다. 본 발명을 이용하는 CMP 공정은, 약해진 연마 입자가 웨이퍼 표면을 오염시키지 않기 때문에, 연마 입자들을 포함하는 슬러리에 의존하는 공정보다 더 깨끗하다. 보다 깨끗한 CMP 툴을 유지하는 능력은 웨이퍼를 처리하는 툴의 이용가능성을 증가시키며, 오염 방지 유지비 감소로 인해 웨이퍼당 소요되는 비용이 낮아진다.
본 발명의 특정 실시예에 대한 전술한 설명은 예시를 위한 것이다. 이들은 본 발명을 개시한 대로의 엄밀한 형태로 한정하는 것이 아니며, 전술한 사항으로부터 많은 변형 및 수정이 이루어질 수 있다. 상기 실시예들은 본 발명 및 그 실용적인 애플리케이션의 원리를 가장 잘 설명하기 위해 선택하여 개시되었으며, 따라서 당업자들이 본 발명 및 특정 사용에 적합한 것으로 고려되는 다양한 변형들을 갖는 다양한 실시예를 가장 잘 이용하도록 한다. 본 발명의 범주는 첨부한 청구범위에 의해 규정된다.

Claims (36)

  1. 삭제
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  7. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드 기계 화학적 폴리싱(CMP) 시스템으로서,
    상기 유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템을 제어하기 위한 인터페이스를 제공하는 CMP 머신과,
    상기 CMP 머신에 결합되어 있으며, 상기 웨이퍼의 표면에 유체 및 물리적 마찰력을 가함으로서 IC 웨이퍼를 연마하여 평탄화하도록 구성된 유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 소자와,
    상기 CMP 머신에 결합되어 있으며, 상기 유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 소자에 대해 상기 IC 웨이퍼를 고정시키도록(hold) 구성된 웨이퍼 홀더를 포함하되,
    상기 유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 소자는, 유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드를 포함하고,
    상기 유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드는,
    직경에 의해 규정된 평면에 실질적으로 평행하고 서로 반대쪽에 위치하며 유체 분배 도관을 갖는 하부면과 상부면을 갖는 폴리싱 패드 본체 -상기 유체 분배 도관은 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면으로부터 웨이퍼로 유체가 흐르도록 구성됨- 와,
    상기 폴리싱 패드 본체에 결합되어 있으며, 상기 웨이퍼의 표면에 대하여 마찰될 때 상기 웨이퍼의 일부를 제거하도록 구성된 고정된 연마 소자를 포함하는
    유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템.
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  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 연마 소자는 상기 폴리싱 패드 본체의 체적을 통하여 균일하게 분포된 연마 입자들을 더 포함하는
    유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템.
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  14. 제 7 항에 있어서,
    분배 수단에 의해 상기 유체 흐름이 폴리싱 공정 동안 웨이퍼 및 상기 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면으로부터 폐기물(waste)을 제거할 정도로 강하게 되는
    유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템.
  15. 유체를 분배하는 고정된 연마 폴리싱 패드를 이용하여 웨이퍼를 폴리싱 방법으로서,
    상기 유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드상에 웨이퍼를 위치시키는 단계와,
    상기 폴리싱 패드의 분배 도관을 통해 상기 웨이퍼에 유체를 분배하고, 상기 표면을 상기 폴리싱 패드로 마찰시켜 상기 웨이퍼의 표면에서 상기 웨이퍼의 일부 또는 전 층을 제거하는 단계와,
    상기 웨이퍼가 완전히 평탄화되었을 때 상기 유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드로부터 상기 웨이퍼를 제거하는 단계를 포함하는
    웨이퍼 폴리싱 방법.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 제 15 항에 있어서,
    상기 분배된 유체는 상기 패드의 표면에 점진적으로 도입되고, 미립자 폐기물이 상기 웨이퍼 표면에 접착되어 결함을 형성하는 것을 정전기적으로 방지하는
    웨이퍼 폴리싱 방법.
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 제 7 항에 있어서,
    상기 폴리싱 패드 본체내의 유체 분배 도관을 통해 연마 부산물을 채집하는 채집 수단을 더 포함하는
    유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 채집 수단은 폐기 입자를 흡입하는
    유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 흡입은 상기 폐기 입자를 진공시킴에 의해 동작하는
    유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템.
  26. 제 14 항에 있어서,
    상기 분배 수단은 기설정된 속도로 상기 폴리싱 패드를 회전시키는 턴테이블 압반을 포함하는
    유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 턴테이블 압반은 상기 폴리싱 패드의 유체 분배 도관에 유체를 이송시키는 유체 분배 도관 트렌치를 가진 턴테이블 압반 본체를 포함하는
    유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템.
  28. 제 26 항에 있어서,
    상기 유체를 분산시키기 위해 상기 압반의 중앙에 있는 유체 분배 도관이 상기 폴리싱 패드의 유체 분배 도관에 결합되는
    유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드 CMP 시스템.
  29. 청구항 제 7 항의 시스템에 사용하는데 적합한 유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드로서,
    직경에 의해 규정된 평면에 실질적으로 평행하고 서로 반대쪽에 위치하며 유체 분배 도관을 갖는 하부면과 상부면을 갖는 폴리싱 패드 본체 -상기 유체 분배 도관은 상기 유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드의 표면으로부터 웨이퍼로 유체가 흐르도록 구성됨- 와,
    상기 폴리싱 패드 본체에 결합되어 있으며, 상기 웨이퍼의 표면에 대하여 마찰될 때 상기 웨이퍼의 일부를 제거하도록 구성된 고정된 연마 소자를 포함하는
    유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드.
  30. 제 29 항에 있어서,
    다수의 유체 분배 도관이 제공되고, 상기 도관의 폭 또는 너비는 1미크론 내지 200 미크론 범위내에 있는
    유체 분배 고정 연마 폴리싱 패드.
  31. 제 15 항에 있어서,
    상기 분배된 유체는, 유체 흐름이 폴리싱 공정 동안 웨이퍼 및 상기 고정된 연마 폴리싱 패드의 표면으로부터 폐기물(waste)을 제거할 정도로 강하게 되도록 유도되는
    웨이퍼 폴리싱 방법.
  32. 제 15 항 또는 제 31 항에 있어서,
    상기 유체 분배 도관 및 고정 연마 소자들 주위의 공간으로부터 오염물 폐기 입자들을 제거하도록 세정 유체가 분배되는
    웨이퍼 폴리싱 방법.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 세정 유체는 폴리싱 공정의 끝에서 도입되는 높은 PH 유체 또는 계면활성제인
    웨이퍼 폴리싱 방법.
  34. 제 15 항 또는 제 31 항에 있어서,
    상기 폴리싱 패드를 통해 역진입하는 폐기 입자들을 흡입하는 단계를 더 포함하는
    웨이퍼 폴리싱 방법.
  35. 제 15 항에 있어서,
    상기 유체의 합성물은 폴리싱 공정동안에 변경되는
    웨이퍼 폴리싱 방법.
  36. IC 웨이퍼 상에 다수의 집적 회로를 제조하는 방법으로서,
    평탄한 웨이퍼 표면을 생성하기 위한 폴리싱 단계를 포함하되,
    상기 폴리싱 단계 동안에 청구항 제 15 항에 청구된 방법이 이용되는 것을 특징으로 하는
    집적 회로 제조 방법.
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