KR100688951B1 - 플라즈마 처리 시스템 및 방법 - Google Patents

플라즈마 처리 시스템 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100688951B1
KR100688951B1 KR1020050068524A KR20050068524A KR100688951B1 KR 100688951 B1 KR100688951 B1 KR 100688951B1 KR 1020050068524 A KR1020050068524 A KR 1020050068524A KR 20050068524 A KR20050068524 A KR 20050068524A KR 100688951 B1 KR100688951 B1 KR 100688951B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
module
substrate
plasma processing
tray
loading
Prior art date
Application number
KR1020050068524A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070013868A (ko
Inventor
김태영
김형준
차근수
Original Assignee
주식회사 아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아이피에스 filed Critical 주식회사 아이피에스
Priority to KR1020050068524A priority Critical patent/KR100688951B1/ko
Publication of KR20070013868A publication Critical patent/KR20070013868A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100688951B1 publication Critical patent/KR100688951B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Abstract

본 발명은 플라즈마 처리 시스템 및 방법에 관한 것으로, 그 시스템의 구성은 빈 트레이에 피처리기판을 로딩하는 로더가 구비된 로딩모듈; 상기 피처리기판이 수납된 트레이를 공급받아 진공분위기에서 플라즈마 처리를 수행하는 다수개의 공정챔버; 상기 공정챔버에서 플라즈마 처리가 완료된 처리기판이 수납된 트레이로부터 상기 처리기판을 언로딩하는 언로더가 구비된 언로딩모듈; 및 상기 트레이를 로딩모듈, 공정챔버 및 언로딩모듈로 이송하는 트랜스퍼 로봇이 구비된 이송모듈;을 포함하여 이루어진다.
본 발명에 따르면 적어도 하나 이상 다수개의 공정챔버를 유기적으로 결합하여 구성함으로써 플라즈마 처리 속도가 향상되는 효과가 있다.
플라즈마 처리. 기판. 공정챔버. 트랜스퍼.

Description

플라즈마 처리 시스템 및 방법{Plasma processing system and processing method thereby}
도 1은 종래 플라즈마 처리 시스템의 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타난 공정챔버의 단면도이다.
도 3은 본 발명에 의한 플라즈마 처리 시스템의 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 시스템의 평면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 로더의 측면도이다.
도 6은 도 4에 도시된 트랜스퍼 로봇의 사시도이다.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**
10: 로딩모듈 11: 로더
11a: 몸체 11b: 패드홀더
11c: 진공패드 12: 샤프트
20: 이송모듈 21: 가이드레일
22: 트랜스퍼 로봇 22a: 하부지그
22b: 상부지그 22c: 암
22d: 트레이 파지부 31, 32, 33: 공정챔버
31a, 31b: 진공펌프 40: 언로딩모듈
41: 언로더 42: 샤프트
51: 트레이 52: 피처리기판
53: 처리기판
본 발명은 플라즈마 처리 시스템 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하나 이상 다수개의 공정챔버를 유기적으로 결합함으로써 플라즈마 처리 속도를 향상시킬 수 있는 플라즈마 처리 시스템 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 공정이나 평판표시소자 또는 태양전지를 제조하는 과정에서는 플라즈마를 사용하여 웨이퍼 또는 액정기판(이하, “기판”이라 한다)에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리 시스템이 사용된다.
도 1을 참조하여 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 종래 시스템을 설명한다. 종래의 플라즈마 처리 시스템은 2열의 로더/언로더(201a,201b)가 구비된 반송모듈(200)과, 각각 두개씩의 로딩챔버(300), 공정챔버(Transfer Chamber)(100) 및 언로딩챔버(400)로 구성되어 있다.
종래 시스템의 구성을 구체적으로 설명하면, 상기 반송모듈(200)은 트레이(202)에 기판을 로딩(수납) 및 언로딩(배출) 역할을 수행하는 로더/언로더(201a,201b)가 구비되어 있고, 상기 로딩챔버(300) 및 언로딩챔버(400)는 대기상태에서 진공상태를 반복하게 되는데, 이와 같이 진공 분위기를 조성하기 위하여 펌핑 (Pumping)하는 진공펌프가 연결되어 있다. 이와 달리 공정챔버(100)는 항상 진공상태를 유지하여야 하고 이를 위해 진공펌프(101)가 연결되어 있다. 또한, 진공 분위기에서 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 플라즈마 처리를 하는 장치이다. 상기 공정챔버(100)에 대하여 도 2를 참조하여 구체적으로 설명하면, 챔버(110)내 상부 영역에 상부전극(112)이 구비되고, 이러한 상부전극(112)과 대향되는 하부 영역에 설치되되 상술한 챔버(110) 바닥과 소정 거리만큼 이격된 상태로 구비되는 베이스(114)와, 이러한 베이스(114)의 상부 영역에 적재되는 절연부재(116)와, 이러한 절연부재(116)의 상부 영역에 적재되는 냉각판을 포함하는 하부전극(118)으로 구성된다.
상기 상부전극(112)과 하부전극(118)은 공정 진행시 플라즈마로부터 보호하기 위하여 전극면을 제외한 나머지 부분 즉, 상부 영역 가장자리부와 각측면을 절연판(122)으로 부착한 다음 그 외측에 세라믹판(124)을 부착하였다.
그리고, 상술한 하부전극(118)의 저면에 챔버(110)의 외부에서 고주파 전원(RF)이 인가되는 고주파 전원 공급봉(미도시)이 설치된다. 상기 고주파 전원 공급봉은 상기 베이스(114)의 중앙부분을 지지하는 센터(center)지지대(126)를 관통하여 상기 하부전극(118)의 저면에 접촉되어 설치된다.
한편, 상기 하부전극(118) 내부에는 냉각수가 흐를 수 있는 쿨링패스가 형성되어 상기 하부전극(118)에서 발생하는 열을 냉각시킬 수 있도록 한다. 상기 냉각수는 상기 베이스(114) 네 모서리 부분을 지탱하는 사이드(side)지지대(128, 130) 내부를 관통하여 설치되는 쿨링패스를 통해 상기 하부전극(118) 내부에 마련된 쿨 링패스에 제공된다.
그리고, 상술한 챔버(110)의 내측벽과 상기 세라믹판(124) 사이에는 배플(Baffle : 138)이 구비된다. 상기 배플(138)은 공정수행 중 또는 공정이 수행된 후 챔버(110) 내에 잔류하는 미반응가스 및 공정 중에 발생한 폴리머 등을 챔버(110) 하부로 배기시키는 통로 역할을 하며, 상기 미반응가스 및 폴리머 등이 1차적으로 블럭킹(blocking)된 후 공정챔버 하부면 모서리에 각각 형성된 배기구를 통해 배출될 수 있도록 한다.
위와 같이 구성된 종래의 플라즈마 처리 시스템의 작용을 설명하면, 상기 반송챔버에서 로더/언로더가 플라즈마 처리를 수행할 기판(이하, “피처리기판”이라 한다)을 빈 트레이에 로딩한다. 트레이에 기판의 로딩이 완료되면, 이 트레이는 가이드레일을 따라 상기 로딩챔버에 공급되며, 여기서 운송수단에 의해 공정챔버내로 반입시킨다. 공정챔버내에서 플라즈마 처리가 완료되면, 트레이에 수납된 플라즈마 처리된 기판(이하, “처리기판”이라 한다)은 언로딩챔버로 이송된 후, 다시 가이드레일을 따라 반송챔버로 이송된다. 반송챔버로 이송된 트레이는 로더/언로더에 의해 처리기판을 언로딩한 후, 다시 로더/언로더는 상기 처리기판이 언로딩되어 빈 트레이에 피처리기판을 로딩하여 상술한 공정을 반복하여 기판의 플라즈마 처리를 진행하는 것이다.
그러나 위와 같은 종래의 플라즈마 처리 시스템은 각 공정챔버마다 로딩챔버 및 언로딩챔버가 별도로 구비되어야 한다는 문제점이 있으며, 더욱이 각 로딩챔버 및 언로딩챔버는 대기 및 진공상태를 반복하여야 하기 때문에 공정시간이 길다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 하나 이상 다수개의 공정챔버를 유기적으로 결합하여 구성함으로써 플라즈마 처리 속도를 향상시킬 수 있는 플라즈마 처리 시스템 및 방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 플라즈마 처리가 수행되는 공정챔버 이외의 공간에는 대기압 또는 저진공 분위기하에서 수행됨으로써 고진공 분위기를 유지시켜야 하는 공간을 최소화할 수 있는 플라즈마 처리 시스템 및 방법을 제공함에 있다.
위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 의한 플라즈마 처리 시스템은 빈 트레이에 피처리기판을 로딩하는 로더가 구비된 로딩모듈; 상기 피처리기판이 수납된 트레이를 공급받아 진공분위기에서 플라즈마 처리를 수행하는 다수개의 공정챔버; 상기 공정챔버에서 플라즈마 처리가 완료된 처리기판이 수납된 트레이로부터 상기 처리기판을 언로딩하는 언로더가 구비된 언로딩모듈; 및 상기 트레이를 로딩모듈, 공정챔버 및 언로딩모듈로 이송하는 트랜스퍼 로봇이 구비된 이송모듈;을 포함하여 이루어진다.
또한 본 발명의 플라즈마 처리 시스템에 있어서, 상기 로딩모듈, 이송모듈 및 언로딩모듈은 대기압 분위기인 것이 바람직하다.
한편, 상기 이송모듈을 중심으로 일측에는 상기 다수개의 공정챔버가 나란히 배치되고, 타측에는 로딩모듈 및 언로딩모듈이 나란히 배치되며, 특히 상기 다수개의 공정챔버, 로딩모듈 및 언로딩모듈은 상기 트랜스퍼 로봇으로부터 동일거리만큼 이격된 위치에 배치되는 것이 바람직하다.
또한 상기 이송모듈에는 가이드 레일이 구비되고, 상기 가이드레일을 따라 상기 트랜스퍼 로봇이 수평이동하도록 구성된다.
본 발명에 의한 플라즈마 처리 시스템을 이용한 플라즈마 처리방법은 로딩모듈에서 빈 트레이에 피처리기판을 수납하는 로딩단계; 상기 트레이를 이송하여 하나 이상의 공정챔버에 순차적으로 반입하는 기판반입단계; 상기 공정챔버에서 상기 피처리기판을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리단계; 플라즈마 처리가 완료된 공정챔버로부터 상기 트레이를 반출하여 언로딩모듈로 이송하는 기판반출단계; 및 상기 언로딩모듈에서 상기 트레이로부터 처리기판을 배출하는 언로딩단계; 포함하여 이루어지며, 따라서 상기 플라즈마 처리단계는 고진공 분위기에서 수행되고, 그 이외의 단계는 저진공 또는 대기상태에서 수행된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 실시예의 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 의한 실시예는 로딩모듈(10), 이송모듈(20), 세개의 공정챔버(31, 32, 33)를 포함하여 이루어지며, 구체적으로는 중앙부에 위치한 직육면체 형상의 이송모듈(20)이 형성되고, 이 이송모듈(20)의 일측에는 세개의 공정챔버(31, 32, 33)가 이웃하여 배치되고, 타측에는 로딩모듈(10)과 언로딩모듈 (40)이 약간의 거리를 두고 이격되어 있다.
도 4를 참조하여 본 실시예의 구성을 구체적으로 설명하면, 상기 로딩모듈(10)도 대략 직육면체 형상의 하우징이 마련되고, 상기 하우징 내부에 트레이 안착부 및 상기 안착부의 좌측 상부에 로더(11)가 구비되어 있다. 상기 로더(11)는 샤프트(12)를 통해 X 및 Z축 방향으로 이동 가능하고, 도시되지는 아니하였으나 별도의 운송수단을 통해 Y축방향으로도 이동 가능하게 구성된다.
또한 도 5를 참조하면, 상기 로더(11)는 두개의 몸체(11a)로 구성되며, 각 몸체(11a)에는 7개의 패드홀더(11b) 및 진공패드(11c)가 결합되고, 상기 몸체(11a), 패드홀더(11b) 및 진공패드(11c)에는 진공라인이 개설되어 있다. 따라서 로더는 7×2개의 피처리기판(52)을 동시에 흡착할 수 있도록 구성된다.
상기 이송모듈(20)은 대략 직육면체 형상의 하우징이 마련되고, 그 내부에는 피처리기판(52) 또는 처리기판(53)이 수납된 트레이(51)를 파지하여 이송하는 트랜스퍼 로봇(22) 및 상기 트랜스퍼 로봇(22)이 수평방향으로 이동할 수 있는 라인을 제공하는 가이드 레일(21)이 구비되어 있다. 도 6을 참조하면, 트랜스퍼 로봇(22)은 상기 가이드 레일(23)을 따라 이동가능하도록 결합되어 있는 하부지그(22a)와, 상기 하부지그(22a)의 상부에 설치되어 상하운동(Z축) 및 360°회전가능한 상부지그(22b)와, 상기 상부지그(22b)에 결합되며 신축가능한 두개의 암(22c) 및 트레이(51)가 올려지는 파지부(22d)를 포함하여 구성된다.
상기 세개의 공정챔버(31, 32, 33)는 각각 상기 이송모듈(20)의 측벽에 나란하게 인접하여 배치되며, 그 구성은 종래의 공정챔버와 동일하게 할 수 있다. 즉, 진공상태에서 플라즈마 처리를 수행하기 위해 펌핑하기 위한 진공펌프(31a,31b)와 상부 전극(미도시) 및 하부 전극(미도시)을 포함하여 구성된다.
다만, 종래에는 피처리기판이 수납된 트레이가 공정챔버로 공급되기 전에 진공 분위기의 로딩챔버를 거쳐 공급되지만, 본 실시예에서는 대기상태의 이송모듈(20)에서 곧바로 공정챔버(30)로 공급되기 때문에 종래의 공정챔버보다 펌핑능력이 탁월해야 한다. 따라서 두개의 진공펌프(31a,31b)가 병렬 연결되어 있음을 알 수 있다.
언로딩모듈(40)은 상술한 로딩모듈(10)과 유사한 구성을 하고 있다. 즉, 하우징의 내부에 도 5에 도시된 로더(11)와 동일한 구성을 하고 있는 언로더(41)가 구비되어 있어, 이 언로더(41)를 이용하여 언로딩모듈(40)에 반입된 트레이로(51)부터 처리기판(53)을 진공흡착하여 언로딩한다.
본 실시예에서는 도시된 바와 같이, 세개의 공정챔버(31, 32, 33) 및 로딩모듈, 언로딩모듈은 트랜스퍼 로봇(22)으로부터 동일거리만큼 이격된 위치에 배치되어 있다.
도 4를 참조하여 본 발명에 의한 기판의 플라즈마 처리시스템의 작용 및 처리방법을 설명하면, 7×7 배열로 구성된 빈 트레이(51)를 로딩모듈(10)의 트레이 안착부에 올려 놓고, 로더(11)가 7×2개의 피처리기판(52)을 동시에 흡착하여 빈 트레이(51)에 로딩한다. 상기와 같은 작업을 반복하여 트레이(51)에 피처리기판(52)의 로딩이 완료되면, 이송모듈(20)의 트랜스퍼 로봇(22)이 암(22c)을 신장하여 트레이(51)를 파지하고, 파지한 상태에서 회전운동 및 수평운동을 행하여 각 공정챔버(31, 32, 33)로 반입한다. 상기 공정챔버(31, 32, 33)는 트레이(51) 반입과정에서 도어(미도시)를 개방하여 암(22c)이 상기 도어를 통해 챔버(31, 32, 33)내로 진입하고, 또한 종래기술과 달리 이송모듈이 대기압 상태이기 때문에 상기 공정챔버도 대기상태에 노출될 수밖에 없으므로 진공펌프(31a,31b)를 이용하여 펌핑하여야 하며, 이러한 펌핑으로 다시 플라즈마 처리에 필요한 진공 분위기를 조성한다. 이 상태에서 상부 전극과 하부 전극을 이용하여 플라즈마를 발생시켜 피처리기판(52)을 플라즈마 처리한다. 한편, 공정챔버(31, 32, 33)에서 플라즈마 처리를 하는 동안 상기 이송모듈(10)에서는 빈 트레이(51)에 피처리기판(52)의 로딩작업을 계속한다. 공정챔버에서 플라즈마 처리가 완료되면 상기 트랜스퍼 로봇을 이용하여 공정챔버로부터 트레이를 언로딩모듈(40)로 이송한다. 언로딩모듈(40)에서는 상부의 언로더(41)를 이용하여 처리기판(53)을 언로딩하고, 이와 같은 공정을 반복함으로써 연속적으로 플라즈마 처리를 수행할 수 있다.
본 발명에 의한 플라즈마 처리 시스템은 상술한 실시예와 달리 공정챔버를 네개 이상 다수개로 형성할 수도 있다. 물론, 이 경우에도 다수개의 공정챔버는 도 3 및 도 4에 도시된 공정챔버의 좌우측에 배치할 수 있을 뿐만 아니라 로딩모듈 또는 언로딩모듈에 이웃하여 배치할 수도 있다. 이 경우 공정챔버가 많아지면, 기판의 로딩 및 언로딩 능률도 향상되어야 하므로, 7×2열로 구성된 로더 및 언로더를 7×3이나 그 이상으로 설계변경할 수 있을 것이다.
본 발명에 따르면 하나 이상 다수개의 공정챔버를 유기적으로 결합하여 구성함으로써 플라즈마 처리 속도가 향상되는 효과가 있다.
본 발명의 다른 목적은 플라즈마 처리가 수행되는 공정챔버 이외의 공간에는 대기압 또는 저진공 분위기하에서 수행됨으로써 고진공 분위기를 유지시켜야 하는 공간을 최소화할 수 있다.

Claims (7)

  1. 대기압 상태에서 빈 트레이에 피처리기판을 로딩하는 로더가 구비된 로딩모듈;
    상기 피처리기판이 수납된 트레이를 공급받아 진공분위기에서 플라즈마 처리를 수행하는 다수개의 공정챔버;
    대기압 상태에서 상기 공정챔버에서 플라즈마 처리가 완료된 처리기판이 수납된 트레이로부터 상기 처리기판을 언로딩하는 언로더가 구비된 언로딩모듈; 및
    대기압 상태에서 상기 트레이를 로딩모듈, 공정챔버 및 언로딩모듈로 이송하는 트랜스퍼 로봇이 구비된 이송모듈;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 이송모듈을 중심으로 일측에는 상기 다수개의 공정챔버가 나란히 배치되고, 타측에는 로딩모듈 및 언로딩모듈이 나란히 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수개의 공정챔버, 로딩모듈 및 언로딩모듈은 상기 트랜스퍼 로봇으로부터 동일거리만큼 이격된 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 이송모듈에는 가이드 레일이 구비되고, 상기 가이드레일을 따라 상기 트랜스퍼 로봇이 수평이동하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템.
  6. 로딩모듈에서 빈 트레이에 피처리기판을 수납하는 로딩단계;
    상기 트레이를 이송하여 하나 이상의 공정챔버에 순차적으로 반입하는 기판반입단계;
    상기 공정챔버에서 상기 피처리기판을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리단계;
    플라즈마 처리가 완료된 공정챔버로부터 상기 트레이를 반출하여 언로딩모듈로 이송하는 기판반출단계; 및
    상기 언로딩모듈에서 상기 트레이로부터 처리기판을 배출하는 언로딩단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리단계는 고진공 분위기에서 수행되고, 그 이외의 단계는 저진공 또는 대기상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
KR1020050068524A 2005-07-27 2005-07-27 플라즈마 처리 시스템 및 방법 KR100688951B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050068524A KR100688951B1 (ko) 2005-07-27 2005-07-27 플라즈마 처리 시스템 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050068524A KR100688951B1 (ko) 2005-07-27 2005-07-27 플라즈마 처리 시스템 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070013868A KR20070013868A (ko) 2007-01-31
KR100688951B1 true KR100688951B1 (ko) 2007-03-02

Family

ID=38013510

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050068524A KR100688951B1 (ko) 2005-07-27 2005-07-27 플라즈마 처리 시스템 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100688951B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040044624A (ko) * 2002-11-21 2004-05-31 주성엔지니어링(주) 다중 클러스터 장치
KR20050045191A (ko) * 2003-11-10 2005-05-17 삼성전자주식회사 멀티 챔버 시스템

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040044624A (ko) * 2002-11-21 2004-05-31 주성엔지니어링(주) 다중 클러스터 장치
KR20050045191A (ko) * 2003-11-10 2005-05-17 삼성전자주식회사 멀티 챔버 시스템

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1020040044624
1020050045191

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070013868A (ko) 2007-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108933097B (zh) 真空输送组件和基片处理装置
US9209055B2 (en) Substrate processing apparatus
US11776828B2 (en) Vacuum processing device
KR100688948B1 (ko) 클러스터 타입의 플라즈마 처리 시스템 및 방법
US10229847B2 (en) Substrate transfer chamber and container connecting mechanism with lid opening mechanisms
JP6747136B2 (ja) 基板処理装置
US8845262B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium storing substrate processing program
KR20200074934A (ko) 진공 반송 모듈 및 기판 처리 장치
KR102491212B1 (ko) 진공 처리 장치 및 기판 반송 방법
KR100921519B1 (ko) 기판 이송 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 설비, 그리고상기 장치의 기판 이송 방법
JP2020038880A (ja) 基板搬送機構、基板処理装置及び基板搬送方法
KR20200022682A (ko) 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR101964655B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR100688951B1 (ko) 플라즈마 처리 시스템 및 방법
KR20120023296A (ko) 기판처리장치
KR101383248B1 (ko) 고속 기판 처리 시스템
CN113394143A (zh) 基片输送系统、真空基片输送模块和基片输送方法
KR101979601B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101817217B1 (ko) 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치
JP4455291B2 (ja) 処理システム
KR102247041B1 (ko) 크레인 어셈블리 및 이를 포함하는 스토커
KR100888353B1 (ko) 플라즈마 처리장치
JP2013131367A (ja) イオン注入装置
KR100734770B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JPS6381925A (ja) 処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130114

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131206

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141230

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151209

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161206

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee