KR100688746B1 - 웨이퍼 세정 장치 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
전기화학적인 방법으로 웨이퍼를 부식 또는 에칭시켜 웨이퍼 표면에 부착 및 고정되어 파티클을 빠르게 제거할 수 있는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치는 화학 용액이 채워져 있는 세정조와, 임의의 패턴이 형성된 웨이퍼의 에지부위 일부분에 형성된 작업 전극과, 작업 전극이 형성된 영역과 다른 부분에 형성된 레퍼런스 전극과, 세정조 내부에 위치하여 작업 전극에 공급되는 전원과 반대극을 갖는 전압을 공급받는 카운터 전극과, 작업 전극과 레퍼런스 전극 사이의 기준값 전압을 측정하는 측정부와, 웨이퍼가 세정조에 담겨진 상태에서 기준값 전압보다 낮은 전압을 상기 작업 전극과 카운터 전극에 공급하는 전원 공급부를 포함한다.
본 발명은 드랍성 파티클을 제거한 후에 웨이퍼 에지부위에 형성된 작업 전극 및 세정조 내부의 다른 영역에 형성된 카운터 전극에 기 설정된 전압을 공급하여 웨이퍼를 부식시켜 웨이퍼 표면에 고정, 부착된 파티클을 제거함으로써, 웨이퍼 표면에 고정 및 부착된 파티클을 효과적으로 제거하여 반도체 소자의 신뢰성을 향상시키고, 전체적인 반도체 수율을 향상시킬 수 있다.
Description
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치를 도시한 블록도이다.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞
100 : 세정조 110 : 작업 전극
115 : 레퍼런스 전극 120 : 웨이퍼
130 : 카운터 전극 140 : 전원 공급부
150 : 전원 측정부
본 발명은 웨이퍼 세정 방법에 관한 것으로, 특히 금속 배선 형성 공정 중에 발생되는 금속 파티클을 제거할 수 있는 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자 제조 공정 진행 후에 발생되는 파티클을 제거하기 위한 공정으로 세정 공정이 필수적이다.
이러한 세정 공정에 대해서 간략하게 설명하면, 첫 번째로는 세정 장비 내부에 이송된 기판에 초순수(DI water)와 화학 용약을 스프레이 형태로 분사하면서 스크러버를 이용하여 기계적으로 세정을 실시함으로써 공정 진행에 따라 발생된 파티 클을 제거시킨다
두 번째로는 울트라(ultra) 또는 메가 소닉(mega-sonic)을 사용하여 기판에 공정 진행에 따라 발생된 파티클을 세정한 후 건조하는 방법이 있다.
이러한 첫 번째 및 두 번째 세정 방법은 드랍(drop)성 파티클의 제거에 유용하지만, 증착 도중에 발생하는 파티클이 부분적으로 주벽막에 부착되어 있는 경우에는 제거하기가 어려운 문제점이 있다.
세 번째로는 플라즈마를 이용하여 공정 진행 후에 발생된 파티클을 제거하는 방법이 있다.
그러나, 플라즈마를 이용하여 기판에 잔존하는 파티클을 세정하는 경우에, 세정 공정 중에 파티클 제거뿐만 아니라 기판이 손상을 입는 경우가 있다.
본 발명의 목적은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전기화학적인 방법으로 웨이퍼를 부식 또는 에칭시켜 웨이퍼 표면에 부착 및 고정되어 파티클을 빠르게 제거할 수 있는 웨이퍼 세정 장치를 제공하고자 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 화학 용액이 채워져 있는 세정조와, 임의의 패턴이 형성된 웨이퍼의 에지부위 일부분에 형성된 작업 전극과, 상기 작업 전극이 형성된 영역과 다른 부분에 형성된 레퍼런스 전극과, 상기 세정조 내부에 위치하여 상기 작업 전극에 공급되는 전원과 반대극을 갖는 전압을 공급받는 카운터 전극과, 상기 작업 전극과 레퍼런스 전극 사이의 기준값 전압을 측정하는 측정부와, 상기 웨이퍼가 세정조에 담겨진 상태에서 상기 기준값 전압보다 낮 은 전압을 상기 작업 전극과 카운터 전극에 공급하는 전원 공급부를 포함하며, 상기 전원 공급에 따라 상기 웨이퍼가 부식되어 상기 웨이퍼에 고정 및 부착된 파티클이 세정된다.
본 발명의 실시 예는 다수개가 존재할 수 있으며, 이하에서 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시 예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 이 기술 분야의 숙련자라면 이 실시 예를 통해 본 발명의 목적, 특징 및 이점들을 잘 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 금속 파티클 제거를 위한 웨이퍼 세정 장치를 나타내는 블록도이다.
먼저, 금속 배선 형성 공정을 진행한 후에 발생된 드랍성 파티클은 스크러버를 이용하여 기계적으로 제거된다.
이후 본 발명에 따른 세정 장치를 이용하여 기판에 고정 및 부착되어 파티클이 제거되는데, 세정 장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 화학 용액(105)이 담겨져 있는 세정조(100)와, 금속 배선이 형성된 웨이퍼(120)와, 웨이퍼(120) 에지(edge) 부위에 형성된 작업 전극(110) 및 레퍼런스 전극(115)과, 작업 전극(110)에 인가되는 전원과 반대극을 갖는 전원이 인가되는 카운터 전극(130)과, 레퍼런스 전극(115)과 작업 전극(110) 사이의 전압량을 측정하는 전원 측정부(150)와, 작업 전극(110)과 카운터 전극(130)에 전압을 공급하는 전원 공급부(140)를 포함한다.
여기서, 세정조(100)에 채워져 있는 화학 용액으로는 HF, HCl, H2NO3 등을 들 수 있고, 카운터 전극(130)에 사용되는 금속 물질로는 Pt, Pd 도는 Au를 들 수 있다.
웨이퍼(120)의 에지부위에는 전기적으로 절연된 금속 로드(rod) 도는 와이어(wire)를 이용하여 작업 전극(110)이 형성되며, 전원 측정부(150)는 세정 공정을 실시하기 전에 작업 전극(110)과 레퍼런스 전극(115)에 흐르는 전압량을 측정한다.
전원 공급부(140)는 전원 측정부(150)에서 측정된 전압량보다 낮은 전압을 작업 전극(110)과 카운터 전극(130)에 인가하며, 이러한 전압의 인가에 따라 웨이퍼(100) 표면이 부식된다.
웨이퍼(100) 표면의 부식에 따라 웨이퍼(100)의 표면에 부착 및 고정되어 있는 파티클이 제거된다. 웨이퍼(100)가 부식될 때 평탄화되어 있는 금속 배선 부분보다 웨이퍼(100)의 표면에 돌출되어 있는 파티클이 먼저 제거된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 드랍성 파티클을 제거한 후에 웨이퍼 에지부위에 형성된 작업 전극 및 세정조 내부의 다른 영역에 형성된 카운터 전극에 기 설정된 전압을 공급하여 웨이퍼를 부식시켜 웨이퍼 표면에 고정, 부착된 파티클을 제거함으로써, 웨이퍼 표면에 고정 및 부착된 파티클을 효과적으로 제거하여 반도체 소자의 신뢰성을 향상시키고, 전체적인 반도체 수율을 향상시킬 수 있다.
Claims (5)
- 화학 용액이 채워져 있는 세정조와,임의의 패턴이 형성된 웨이퍼의 에지부위 일부분에 형성된 작업 전극과,상기 작업 전극이 형성된 영역과 다른 부분에 형성된 레퍼런스 전극과,상기 세정조 내부에 위치하여 상기 작업 전극에 공급되는 전원과 반대극을 갖는 전압을 공급받는 카운터 전극과,상기 작업 전극과 레퍼런스 전극 사이의 기준값 전압을 측정하는 측정부와,상기 웨이퍼가 세정조에 담겨진 상태에서 상기 기준값 전압보다 낮은 전압을 상기 작업 전극과 카운터 전극에 공급하는 전원 공급부를 포함하며,상기 전원 공급에 따라 상기 웨이퍼가 부식되어 상기 웨이퍼에 고정 및 부착된 파티클이 세정되는 웨이퍼 세정 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 화학 용액은, HF, HCl, H2NO3 중 어느 하나 인 웨이퍼 세정 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 카운터 전극은, Pt, Pd, Au 중 어느 하나 인 웨이퍼 세정 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 전원 공급부는, 상기 작업 전극과 카운터 전극에 정전압을 공급하는 정전압 장치인 웨이퍼 세정 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 작업 전극은, 전기적으로 절연된 금속 로드 또는 와이어를 이용하여 상기 에지부위에 형성되는 웨이퍼 세정 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020086216A KR100688746B1 (ko) | 2002-12-30 | 2002-12-30 | 웨이퍼 세정 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020086216A KR100688746B1 (ko) | 2002-12-30 | 2002-12-30 | 웨이퍼 세정 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040059468A KR20040059468A (ko) | 2004-07-05 |
| KR100688746B1 true KR100688746B1 (ko) | 2007-02-28 |
Family
ID=37351474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020086216A KR100688746B1 (ko) | 2002-12-30 | 2002-12-30 | 웨이퍼 세정 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100688746B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101048235B1 (ko) * | 2009-01-29 | 2011-07-08 | 고려대학교 산학협력단 | 부식 측정 장치 및 이를 이용한 부식 측정 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110880449B (zh) * | 2019-09-30 | 2022-07-19 | 王偲偲 | 一种硅片清洗方法 |
-
2002
- 2002-12-30 KR KR1020020086216A patent/KR100688746B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101048235B1 (ko) * | 2009-01-29 | 2011-07-08 | 고려대학교 산학협력단 | 부식 측정 장치 및 이를 이용한 부식 측정 방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040059468A (ko) | 2004-07-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20021230 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 20050203 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20050314 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20021230 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20060628 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20061222 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20070222 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20070222 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20110110 |