KR100685806B1 - Deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 수직으로 장착할 수 있도록 하는 고정핀 및/또는 고정 클램프가 표면에 부착되어 있고 내부에는 가열 라인 및 냉각 라인이 구비되어 있는 척을 포함하는, 평판 표시 장치의 절연막을 증착하는 증착 장치에 관한 것이다.The present invention provides a deposition method for depositing an insulating film of a flat panel display device, which includes a chuck having a fixing pin and / or a fixing clamp attached to a surface thereof and having a heating line and a cooling line therein for allowing the substrate to be mounted vertically. Relates to a device.

본 발명의 증착 장치는 챔버; 상기 챔버 내부에 장착되고, 기판이 안착하는 표면이 상기 챔버의 바닥면과 수직하고, 상기 표면에는 기판을 고정하는 고정핀이 부착되어 있고, 상기 기판을 상기 표면으로 밀착시키는 고정 클램프를 구비하며, 내부에는 냉각 라인 및 가열 라인이 구비되어 있는 척; 및 상기 척과 대응하는 위치에 기판상에 증착하고자 하는 증착물을 생성하는 증착물 공급 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치에 기술적 특징이 있다.The deposition apparatus of the present invention comprises a chamber; It is mounted inside the chamber, the surface on which the substrate is seated is perpendicular to the bottom surface of the chamber, the surface is attached with a fixing pin for fixing the substrate, and provided with a fixing clamp for adhering the substrate to the surface, A chuck having a cooling line and a heating line therein; And a deposit supplying device for generating a deposit to be deposited on a substrate at a position corresponding to the chuck.

따라서, 본 발명의 증착 장치는 가열 라인 및 냉각 라인이 장착되어 있어 원하는 온도에서 증착이 가능하여 물리적 기상 층착 뿐만 아니라 화학적 기상 증착이 가능하고, 고정핀 및/또는 고정 클램프가 척의 표면에 부착되어 있어 기판을 수직으로 장착이 가능하는 효과가 있다.Therefore, the deposition apparatus of the present invention is equipped with a heating line and a cooling line to be deposited at a desired temperature to enable not only physical vapor deposition but also chemical vapor deposition, and a fixing pin and / or a clamp is attached to the surface of the chuck. The substrate can be mounted vertically.

냉각 라인, 가열 라인, 척Cooling line, heating line, chuck

Description

증착 장치{Deposition apparatus} Deposition apparatus             

도 1은 종래 기술에 의한 화학 기상 증착 장치의 단면도.1 is a cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus according to the prior art.

도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 증착 장치의 단면도.2 is a cross-sectional view of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 다른 일실시 예에 따른 증착 장치의 단면도 및 평면도.3A and 3B are a cross-sectional view and a plan view of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> <Description of the symbols for the main parts of the drawings>

205 : 고정핀 206 : 냉각 라인205: fixing pin 206: cooling line

207 : 가열 라인 213: 웰 히터207 heating line 213 well heater

214 : 고정 클램프214: fixed clamp

본 발명은 증착 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기판을 수직으로 장착하고, 냉각 라인 및 가열 라인을 구비하는 척을 포함하는 증착 장치에 관한 것이 다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a deposition apparatus, and more particularly, to a deposition apparatus including a chuck having a substrate mounted vertically and having a cooling line and a heating line.

플라즈마 분위기는 화학기상증착이나 에칭, 표면처리 등의 박막 관련 분야에서 다양하게 사용되고 있다. 이는 플라즈마 상태가 이들 공정에서 반응의 효율성을 높이고, 유리한 조건 하에서 공정을 수행할 수 있도록 해주는 장점을 가지기 때문이다. Plasma atmospheres are used in various fields related to thin films such as chemical vapor deposition, etching, and surface treatment. This is because the plasma state has the advantage of increasing the efficiency of the reaction in these processes and allowing the process to be carried out under favorable conditions.

플라즈마가 이용되는 목적에 따라 플라즈마의 형성 방법도 다양하고 이에 따른 플라즈마 형성 장치도 다양하게 개발되고 있다. 최근에는 반도체 제조공정 등에서 공정 효율을 더욱 높일 수 있는 고밀도 플라즈마를 사용하는 플라즈마 처리장치를 이용하는 경우가 증가하고 있다. 고밀도 플라즈마 처리장치로는 공진주파수의 마이크로파를 이용하는 ECR(Electron Cyclotron Resonance) 플라즈마 처리장치, 헬리콘(helicon) 또는 휘슬러파(whistler wave)를 이용하는 헬리콘 플라즈마 처리장치 및 고온 저압의 플라즈마를 이용하는 유도결합형(inductively coupled) 플라즈마 처리장치 등이 있다.According to the purpose of using the plasma, there are various methods of forming the plasma and various plasma forming apparatuses have been developed. Recently, the use of a plasma processing apparatus using a high-density plasma that can further increase the process efficiency in the semiconductor manufacturing process, etc. is increasing. The high density plasma processing apparatus includes an ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma processing apparatus using microwave at a resonant frequency, a helicon plasma processing apparatus using a helicon or whistler wave, and an inductive coupling using a high temperature and low pressure plasma. And inductively coupled plasma processing apparatus.

일반적인 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 장치를 나타낸 단면도인 도 1를 참조하면, 절연체로 이루어져 있고, 진공을 유지할 수 있는 챔버(Chamber)(101), 상기 챔버(101)의 내부에 형성되고, 플라즈마를 발생시키는 전극(102)이 구비 된다. 이때, 상기 전극(102)에 전원을 공급하는 제1전원(103)이 연결되어 있다.Referring to FIG. 1, which is a cross-sectional view of a general chemical vapor deposition apparatus, a chamber 101 made of an insulator and capable of maintaining a vacuum, and formed in the chamber 101 and having a plasma There is provided an electrode 102 for generating a. At this time, the first power source 103 for supplying power to the electrode 102 is connected.

상기 전극(102)의 하부에는 챔버(101) 내부로 가스(104)를 주입하는 가스 주입구(105)가 위치하고 있다.The gas inlet 105 for injecting gas 104 into the chamber 101 is located under the electrode 102.

상기 챔버(101)의 하단부에는 상기 화학 기상 증착 장치에 의해 처리되는 피처리물, 즉 기판(106)을 고정하는 척(107)이 위치하고, 상기 척(107)에 전원을 공급하는 제2전원(108)이 연결되어 있다. 이때, 상기 제2전원(108)은 상기 척(107)을 가열하기 위한 전원 또는 상기 척(107)이 상기 제1전극에 대향하는 제2전극으로의 기능을 갖게 하기 위한 전원으로 이용될 수 있다.At the lower end of the chamber 101, a chuck 107 for fixing an object to be processed by the chemical vapor deposition apparatus, that is, a substrate 106 is located, and a second power source for supplying power to the chuck 107 ( 108 is connected. In this case, the second power source 108 may be used as a power source for heating the chuck 107 or a power source for allowing the chuck 107 to function as a second electrode opposite to the first electrode. .

상기 챔버(101)의 측면에는 상기 기판(106)을 상기 챔버(101) 내부 또는 외부로 이송하기 위한 문(109)이 부착되어 있고, 상기 챔버(101)의 공기 또는 가스를 배기하는 진공 펌프(110)를 포함하는 배기구(111)가 부착되어 있다.The side of the chamber 101 is attached with a door 109 for transferring the substrate 106 into or out of the chamber 101, and a vacuum pump for exhausting air or gas in the chamber 101 ( An exhaust port 111 including a 110 is attached.

그러나, 상기의 화학 기상 장치는 기판을 수평으로 장입하여 상기 기판의 이송이 어려울 뿐만 아니라, 콘택 마스크 또는 새도우 마스크를 이용하는 경우에는 중력에 의해 마스크의 처짐 현상이 발생하여 정확한 정렬이 되지 않는 단점이 있다.However, the above chemical vapor deposition apparatus has a disadvantage in that it is difficult to transfer the substrate by loading the substrate horizontally, and when the contact mask or the shadow mask is used, deflection of the mask occurs due to gravity, so that accurate alignment is not performed. .

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기판을 수직으로 장착할 수 있도록 하는 고정핀 및/또는 고정 클램프가 표면에 부착되어 있고, 내부에는 가열 라인 및 냉각 라인이 구비되어 있는 척을 포함하는 증착 장치를 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
Accordingly, the present invention is to solve the above-mentioned disadvantages and problems of the prior art, the fixing pin and / or fixing clamp for mounting the substrate vertically is attached to the surface, there is a heating line and cooling inside It is an object of the present invention to provide a deposition apparatus comprising a chuck with lines.

본 발명의 상기 목적은 챔버; 상기 챔버 내부에 장착되고, 기판이 안착하는 표면이 상기 챔버의 바닥면과 수직하고, 상기 표면에는 기판을 고정하며, 상단부의 직경이 하단부의 직경보다 작은 고정핀이 부착되어 있고, 상기 기판을 상기 표면으로 밀착시키는 고정 클램프를 구비하며, 내부에는 냉각 라인 및 가열 라인이 구비되어 있는 척; 및 상기 척과 대응하는 위치에 기판상에 증착하고자 하는 증착물을 생성하는 증착물 공급 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치에 의해 달성된다.The object of the present invention is a chamber; It is mounted inside the chamber, the surface on which the substrate is seated is perpendicular to the bottom surface of the chamber, the surface is fixed to the substrate, the fixing pin is smaller than the diameter of the lower end portion is attached to the surface, the substrate A chuck having a clamp fixed to the surface and having a cooling line and a heating line therein; And a deposit supplying device for generating a deposit to be deposited on a substrate at a position corresponding to the chuck.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Details of the above object and technical configuration of the present invention and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention. In addition, in the drawings, the length, thickness, etc. of layers and regions may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

도 2를 참조하면, 진공을 유지할 수 있도록 외부 환경과 분리되도록 밀폐된 챔버(201), 상기 챔버(201) 내부의 공기 또는 기체를 배기할 수 있는 진공 펌프(202)를 포함하는 배기구(203)가 챔버(201)의 소정 영역에 부착되어 있다.Referring to FIG. 2, an exhaust port 203 including a chamber 201 sealed to be separated from an external environment to maintain a vacuum, and a vacuum pump 202 capable of exhausting air or gas inside the chamber 201. Is attached to a predetermined region of the chamber 201.

또한, 상기 챔버(201)의 일측 측면에는, 기판(204)이 안착하는 표면이 상기 챔버(201)의 바닥면과 수직하고, 상기 표면에는 상기 기판(204)을 고정하는 고정핀(205)이 부착되어 있고, 내부에는 냉각 라인(206) 및 가열 라인(207)이 구비되어 있는 척(208)이 구비되어 있다.In addition, at one side of the chamber 201, a surface on which the substrate 204 is seated is perpendicular to a bottom surface of the chamber 201, and a fixing pin 205 fixing the substrate 204 is provided on the surface. A chuck 208 is attached and provided inside with a cooling line 206 and a heating line 207.

이때, 상기 고정핀(205)은 상단부의 직경이 하단부의 직경보다 작은 원뿔형으로 형성되어 있는데, 상기 기판(204)을 외부에서 이송하고 상기 척(208)의 소정 위치에 정렬한 후, 상기 척(208)의 표면 쪽으로 밀어주어 기판(204)의 뒤면이 상기 척(208)의 표면과 접촉할 때, 정확하게 맞물려 상기 기판(204)을 고정하는 역할을 한다.At this time, the fixing pin 205 is formed in a conical shape of the upper end diameter is smaller than the diameter of the lower end, the substrate 204 is transferred from the outside and aligned in a predetermined position of the chuck 208, the chuck ( It is pushed toward the surface of 208 so that when the back surface of the substrate 204 contacts the surface of the chuck 208 it serves to securely engage the substrate 204.

이때, 상기 척(208) 내부에 구비되는 냉각 라인(206) 및 가열 라인(207)은 상기 척(208) 내부에 골고루 펴져 배열되는데, 상기 기판(204)상에 소정 물질을 형성할 때, 발생하는 열을 냉각하거나, 소정의 온도로 가열하기 위해 형성되어 진다. 상기 냉각 라인(206)은 물 또는 가스가 상기 냉각 라인(206) 내부로 흘러 이루어지고, 상기 가열 라인(207)은 유도 가열 방식 또는 저항 방식의 히터로 이루어져 있다.At this time, the cooling line 206 and the heating line 207 provided inside the chuck 208 are evenly arranged inside the chuck 208, which occurs when a predetermined material is formed on the substrate 204. It is formed to cool the heat or to heat to a predetermined temperature. The cooling line 206 is formed by flowing water or gas into the cooling line 206, and the heating line 207 is formed of an induction heating method or a resistance heater.

또한, 상기 척(208)에 대응하는 위치에 상기 기판(204)에 증착하고자 하는 증착물을 생성하는 증착물 공급 장치가 부착되어 있는데, 본 발명의 일실시 예에서는 CECVD(Catalytic Enhanced CVD) 방식의 증착물 공급 장치가 부착되어 있다. 상기 증착물 공급 장치는 상기 CECVD 방식과 같은 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)법 뿐만 아니라 스퍼터링 방식과 같은 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition)법을 이용하여도 무방하다. 즉, 상기 증착물 공급 장치는 플라즈마를 발생시킬 수 있는 전극 및 가스 공급 라인으로 이루어진 플라즈마를 이용한 CVD 방식 또는 증착물이 타겟으로 형성되어 있고, 상기 타켓을 스퍼터링시킬 수 있도록 플라즈마를 발생시키는 전극으로 이루어진 스퍼터링 방식으로도 이루어질 수 있다.In addition, a deposit supply apparatus for generating a deposit to be deposited on the substrate 204 is attached to a position corresponding to the chuck 208. In an embodiment of the present invention, a deposit supply of a catalyzed enhanced CVD (CECVD) method is provided. The device is attached. The deposition supply apparatus may use a chemical vapor deposition method such as the CECVD method, as well as a physical vapor deposition method such as a sputtering method. That is, the deposition supply apparatus is a CVD method using a plasma consisting of an electrode capable of generating a plasma and a gas supply line, or a deposition method formed of a deposit as a target, and a sputtering method composed of an electrode generating a plasma so as to sputter the target. It can also be done.

이때, 상기 CECVD 방식은 도 2를 참조하여 설명하면, 챔버(201) 내부로 압력이 일정하고, 균일한 가스를 분사하는 샤워 헤드(209) 및 상기 샤워 헤드(209) 상 에 상기 샤워 헤드(209)에서 분사되는 가스를 분해 또는 반응시키는 필라멘트(210)가 위치한다. 상기 필라멘트(210)는 텅스텐(W)으로 형성하고, 외부 전원(211)에서 전원을 공급 받아 고열로 발열할 수 있다. 즉, 상기 CECVD 방식은 가스(실란(SiH4), 암모니아(NH3)(또는 질소(N2)) 및 아르곤(Ar))를 가스 주입구(212)를 통해 샤워 헤드(209)에 주입하고, 상기 주입된 가스는 상기 1800℃로 가열된 필라멘트(210)를 지난 후, 상기 기판(204)상에는 실리콘 질화막으로 증착하는 방식이다.In this case, the CECVD method will be described with reference to FIG. 2. The shower head 209 and the shower head 209 on the shower head 209 and the shower head 209 are sprayed with a uniform pressure into the chamber 201. The filament 210 for decomposing or reacting the gas injected from) is located. The filament 210 may be formed of tungsten (W), and may receive power from an external power source 211 and generate heat at high temperature. That is, the CECVD method injects gas (silane (SiH 4 ), ammonia (NH 3 ) (or nitrogen (N 2 )) and argon (Ar)) to the shower head 209 through the gas inlet 212, The injected gas passes through the filament 210 heated to 1800 ° C., and is deposited on the substrate 204 with a silicon nitride film.

이때, 상기 샤워 헤드(209)에는 분사되는 가스는 상기 샤워 헤드(209)의 복수 개의 노즐의 크기 및 위치에 따라 다양한 분포를 갖게됨으로 상기 분사되는 가스가 균일한 밀도를 갖도록 적절한 노즐의 크기 및 위치에 형성되도록 한다.At this time, the gas injected to the shower head 209 has various distributions according to the sizes and positions of the plurality of nozzles of the shower head 209, so that the size and position of the nozzle so that the injected gas has a uniform density To form.

이때, 상기 챔버(201)의 외벽에는 웰 히터(Wall heater)(213)가 장착되어 있을 수 있는데, 이는 상기 챔버(201)의 온도가 낮은 경우, 기판에 증착되어야할 증착물이 챔버(201)의 내벽에 증착되어져 증착 효율이 감소될 뿐만 아니라 파티클을 생성시키는 원인이 되기도 함으로 이를 방지하기 위해 일정한 온도로 가열하기 위해 형성된다.In this case, a wall heater 213 may be mounted on the outer wall of the chamber 201. When the temperature of the chamber 201 is low, deposits to be deposited on the substrate may be formed in the chamber 201. It is deposited on the inner wall to reduce the deposition efficiency as well as to cause particles to be formed to heat to a constant temperature to prevent this.

도 3a를 참조하면, 상기 수직으로 세워진 척(208)에 상기 기판(204)을 고정하기 위해 고정핀(205)이 상기 척(208)의 표면에 형성되어 있으나, 더욱 확실하게 고정하기 위해 고정 클램프(214)로 상기 기판(204)과 척(208)이 더욱 밀착되도록 한다. 이외의 다른 장치들은 도 2와 동일하게 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3A, although the fixing pin 205 is formed on the surface of the chuck 208 to fix the substrate 204 to the vertically chuck 208, the fixing clamp is used to more securely fix the substrate 204. 214 allows the substrate 204 and the chuck 208 to be in close contact. Other devices may be formed in the same manner as in FIG. 2.

도 3b를 참조하면, 상기 척(208), 고정핀(205) 및 고정 클램프(214)가 기판 (204)을 고정하는 것을 보여 주는 평면도로서, 상기 기판(204)은 상기 척(208)의 표면에 형성된 고정핀(205)에 의해 일차적으로 고정되고, 상기 고정 클램프(214)에 의해 상기 척(208)의 표면에 밀착되어 고정된다. 따라서, 고정핀(205)으로만 고정되는 것보다는 상기 고정핀(205) 및 고정 클램프(214)로 동시에 고정되는 것이 더 바람직하다.Referring to FIG. 3B, a plan view showing that the chuck 208, the holding pin 205, and the fixing clamp 214 hold the substrate 204, wherein the substrate 204 is a surface of the chuck 208. It is first fixed by the fixing pin 205 formed in, and is fixed in close contact with the surface of the chuck 208 by the fixing clamp 214. Therefore, it is more preferable that the fixing pin 205 and the fixing clamp 214 are fixed at the same time, rather than being fixed only by the fixing pin 205.

수직으로 세워진 상기 척(208)에 상기 기판(204)을 고정함으로서, 기판(204)을 수직으로 세우게 되고, 상기 기판(204)을 수직으로 세움으로서, 다른 증착 장치로의 이송이 쉬워지게 된다. 특히, 유기 전계 발광 소자와 같은 평판 표시 장치를 제조하는 공정은 기판(204)상에 여러 물질들을 증착하게 되는데, 특히 발광층과 같은 유기막층은 공정상 기판(204)을 수직으로 세워서 형성해야하는 반면, 절연막 또는 도전체를 증착하기 위해서는 기판(204)을 수평으로 눕혀서 형성해야함으로서, 기판(204)의 이송이 매우 어렵다는 문제점이 있었으나, 본 발명에서와 같이 절연막을 형성할 때, 수직으로 기판(204)을 세워 증착함으로서, 기판(204)의 이송이 간단해진다. 이때, 상기 수직으로 세워진 척(208)에 기판(204)을 쉽게 고정할 수 있는 고정핀(205) 및 고정 클램프(214)를 구비하여 상기 기판(204)을 쉽게 고정하고 쉽게 이송시킬 수 있게 하고, 상기 척(208) 내부에 냉각 라인(206) 및 가열 라인(207)을 구비함으로서, 상기 기판(204)을 가열 또는 냉각이 쉽게 되고 이로 인해 상기 증착 장치는 물리적 기상 증착 장치 또는 화학적 기상 장치로 쉽게 적용이 가능하다는 장점이 있다.By fixing the substrate 204 to the chuck 208 standing vertically, the substrate 204 is erected vertically, and the substrate 204 is erected vertically, thereby making it easier to transfer to another deposition apparatus. In particular, a process of manufacturing a flat panel display device such as an organic electroluminescent device deposits various materials on the substrate 204. In particular, an organic layer such as a light emitting layer should be formed by standing the substrate 204 vertically in the process. In order to deposit an insulating film or a conductor, the substrate 204 should be laid horizontally, so that the transfer of the substrate 204 is very difficult. However, when the insulating film is formed as in the present invention, the substrate 204 is vertically formed. By standing up and depositing, the transfer of the substrate 204 is simplified. At this time, the fixing pin 205 and the fixing clamp 214 to easily fix the substrate 204 to the vertically mounted chuck 208 to easily fix and easily transport the substrate 204 By having a cooling line 206 and a heating line 207 inside the chuck 208, the substrate 204 can be easily heated or cooled, thereby allowing the deposition apparatus to be a physical vapor deposition apparatus or a chemical vapor deposition apparatus. The advantage is that it is easily applicable.

따라서, 본 발명의 증착 장치는 가열 라인 및 냉각 라인이 장착되어 있어 원하는 온도에서 증착이 가능하여 물리적 기상 층착 뿐만 아니라 화학적 기상 증착이 가능하고, 고정핀 및/또는 고정 클램프가 척의 표면에 부착되어 있어 기판을 수직으로 장착이 가능하는 효과가 있다.Therefore, the deposition apparatus of the present invention is equipped with a heating line and a cooling line to be deposited at a desired temperature to enable not only physical vapor deposition but also chemical vapor deposition, and a fixing pin and / or a clamp is attached to the surface of the chuck. The substrate can be mounted vertically.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.The present invention has been shown and described with reference to the preferred embodiments as described above, but is not limited to the above embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible.

Claims (14)

챔버;chamber; 상기 챔버 내부에 장착되고, 기판이 안착하는 표면이 상기 챔버의 바닥면과 수직하고, 상기 표면에는 기판을 고정하며, 상단부의 직경이 하단부의 직경보다 작은 고정핀이 부착되어 있고, 상기 기판을 상기 표면으로 밀착시키는 고정 클램프를 구비하며, 내부에는 냉각 라인 및 가열 라인이 구비되어 있는 척; 및It is mounted inside the chamber, the surface on which the substrate is seated is perpendicular to the bottom surface of the chamber, the surface is fixed to the substrate, the fixing pin is smaller than the diameter of the lower end portion is attached to the surface, the substrate A chuck having a clamp fixed to the surface and having a cooling line and a heating line therein; And 상기 척과 대응하는 위치에 기판상에 증착하고자 하는 증착물을 생성하는 증착물 공급 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And a deposit supplying device for generating a deposit to be deposited on a substrate at a position corresponding to the chuck. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 챔버의 외벽의 소정 영역에 장착된 웰 히터을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And a well heater mounted on a predetermined region of an outer wall of the chamber. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 냉각 라인은 물 또는 기체가 흐르는 통로임을 특징으로 하는 증착 장치.And the cooling line is a passage through which water or gas flows. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열 라인은 히터임을 특징으로 하는 증착 장치.And the heating line is a heater. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 증착물 공급 장치는 전극 및 가스 공급 라인으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the deposition supply device comprises an electrode and a gas supply line. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 증착물 공급 장치는 타겟 및 전극으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The deposition supply device is a deposition apparatus, characterized in that consisting of a target and an electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 증착물 공급 장치는 샤워 헤드 및 필라멘트로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the deposit supplying device comprises a shower head and a filament. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 필라멘트는 텅스텐으로 이루어져 있은 것을 특징으로 하는 증착 장치.Deposition apparatus, characterized in that the filament is made of tungsten. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 필라멘트는 외부 전원에서 인가된 전원으로 고열을 발생하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The filament is a deposition apparatus, characterized in that for generating high heat from the power applied from the external power source. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 증착 장치는 평판 표시 장치의 소자를 형성하기 위한 장치임을 특징으로 하는 증착 장치.And the deposition apparatus is a device for forming an element of a flat panel display. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 평판 표시 장치는 유기 전계 발광 소자임을 특지으로 하는 증착 장치.And the flat panel display is an organic electroluminescent element. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 평판 표시 장치의 소자는 절연막임을 특징으로 하는 증착 장치.And the device of the flat panel display is an insulating film. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 절연막은 실리콘 질화막임을 특징으로 하는 증착 장치.And the insulating film is a silicon nitride film.
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KR100965402B1 (en) * 2007-11-28 2010-06-24 국제엘렉트릭코리아 주식회사 apparatus for deposition thin film on substrate using plasma
KR100965400B1 (en) * 2007-11-28 2010-06-24 국제엘렉트릭코리아 주식회사 method for deposition thin film on substrate using plasma
KR100929028B1 (en) * 2008-01-24 2009-11-26 세메스 주식회사 Buffer system of sheet type substrate processing equipment
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US8383202B2 (en) 2008-06-13 2013-02-26 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
KR101155905B1 (en) 2009-03-04 2012-07-03 삼성모바일디스플레이주식회사 Atomic Layer Deposition device and fabricating method of atomic layer using the same
KR101780431B1 (en) 2011-08-09 2017-09-21 카티바, 인크. Face-down printing apparatus and method
US9120344B2 (en) * 2011-08-09 2015-09-01 Kateeva, Inc. Apparatus and method for control of print gap
KR102377885B1 (en) * 2012-08-08 2022-03-22 카티바, 인크. Method for control of print gap
WO2015100375A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Kateeva, Inc. Thermal treatment of electronic devices
JP6113923B2 (en) 2014-01-21 2017-04-12 カティーバ， インコーポレイテッド Apparatus and techniques for encapsulation of electronic devices
KR102390045B1 (en) 2014-04-30 2022-04-22 카티바, 인크. Gas cushion apparatus and techniques for substrate coating
KR102001911B1 (en) * 2015-03-31 2019-07-19 엘지전자 주식회사 Vertical metal organic chemical vapor deposition apparatus for solar cell
US10388820B2 (en) 2015-02-03 2019-08-20 Lg Electronics Inc. Metal organic chemical vapor deposition apparatus for solar cell
CN108048818A (en) * 2017-12-18 2018-05-18 德淮半导体有限公司 Chemical vapor deposition unit and its application method

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