KR100700655B1 - Deposition equipment - Google Patents

Deposition equipment Download PDF

Info

Publication number
KR100700655B1
KR100700655B1 KR1020050030423A KR20050030423A KR100700655B1 KR 100700655 B1 KR100700655 B1 KR 100700655B1 KR 1020050030423 A KR1020050030423 A KR 1020050030423A KR 20050030423 A KR20050030423 A KR 20050030423A KR 100700655 B1 KR100700655 B1 KR 100700655B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
nozzle
shower head
heating body
plasma
Prior art date
Application number
KR1020050030423A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060108285A (en
Inventor
김한기
허명수
이규성
김명수
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050030423A priority Critical patent/KR100700655B1/en
Publication of KR20060108285A publication Critical patent/KR20060108285A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100700655B1 publication Critical patent/KR100700655B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B62—LAND VEHICLES FOR TRAVELLING OTHERWISE THAN ON RAILS
    • B62J—CYCLE SADDLES OR SEATS; AUXILIARY DEVICES OR ACCESSORIES SPECIALLY ADAPTED TO CYCLES AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, e.g. ARTICLE CARRIERS OR CYCLE PROTECTORS
    • B62J17/00—Weather guards for riders; Fairings or stream-lining parts not otherwise provided for
    • B62J17/02—Weather guards for riders; Fairings or stream-lining parts not otherwise provided for shielding only the rider's front
    • B62J17/04—Windscreens
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B62—LAND VEHICLES FOR TRAVELLING OTHERWISE THAN ON RAILS
    • B62J—CYCLE SADDLES OR SEATS; AUXILIARY DEVICES OR ACCESSORIES SPECIALLY ADAPTED TO CYCLES AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, e.g. ARTICLE CARRIERS OR CYCLE PROTECTORS
    • B62J17/00—Weather guards for riders; Fairings or stream-lining parts not otherwise provided for
    • B62J17/02—Weather guards for riders; Fairings or stream-lining parts not otherwise provided for shielding only the rider's front
    • B62J17/06—Leg guards
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B62—LAND VEHICLES FOR TRAVELLING OTHERWISE THAN ON RAILS
    • B62J—CYCLE SADDLES OR SEATS; AUXILIARY DEVICES OR ACCESSORIES SPECIALLY ADAPTED TO CYCLES AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, e.g. ARTICLE CARRIERS OR CYCLE PROTECTORS
    • B62J17/00—Weather guards for riders; Fairings or stream-lining parts not otherwise provided for
    • B62J17/08—Hoods protecting the rider
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B62—LAND VEHICLES FOR TRAVELLING OTHERWISE THAN ON RAILS
    • B62J—CYCLE SADDLES OR SEATS; AUXILIARY DEVICES OR ACCESSORIES SPECIALLY ADAPTED TO CYCLES AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, e.g. ARTICLE CARRIERS OR CYCLE PROTECTORS
    • B62J27/00—Safety equipment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B62—LAND VEHICLES FOR TRAVELLING OTHERWISE THAN ON RAILS
    • B62J—CYCLE SADDLES OR SEATS; AUXILIARY DEVICES OR ACCESSORIES SPECIALLY ADAPTED TO CYCLES AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, e.g. ARTICLE CARRIERS OR CYCLE PROTECTORS
    • B62J33/00—Arrangements for warming riders specially adapted for cycles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B62—LAND VEHICLES FOR TRAVELLING OTHERWISE THAN ON RAILS
    • B62J—CYCLE SADDLES OR SEATS; AUXILIARY DEVICES OR ACCESSORIES SPECIALLY ADAPTED TO CYCLES AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, e.g. ARTICLE CARRIERS OR CYCLE PROTECTORS
    • B62J99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)

Abstract

본 발명은 기판상에 증착물을 형성함에 있어서, 수소가 거의 포함되지 않은 고품질의 절연막을 형성하기 위해 플라즈마 방식 및 가열체 방식을 동시에 이용할 수 있는 증착 장치를 제공하고 있다.The present invention provides a vapor deposition apparatus that can simultaneously use a plasma method and a heating element method to form a high quality insulating film containing little hydrogen in forming a deposit on a substrate.

플라즈마 방식, 가열체 방식 Plasma method, heating element method

Description

증착 장치{Deposition equipment}Deposition Equipment

도 1은 종래 기술의 ICP-CVD 장치의 단면도;1 is a cross-sectional view of a prior art ICP-CVD apparatus;

도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 증착 장치의 단면도;2 is a cross-sectional view of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 증착 장치의 작동 원리를 설명한 단면도; 및3 is a cross-sectional view illustrating an operating principle of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention; And

도 4는 본 발명의 일실시 예에 따른 샤워 헤드와 가열체의 평면도이다.4 is a plan view of the shower head and the heating element according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> <Description of the symbols for the main parts of the drawings>

200 : 챔버 211 : 제1가스 주입구200: chamber 211: first gas inlet

212 : 분배부 213 : 플라즈마 발생 영역212: distribution unit 213: plasma generating region

214 : 제1노즐부 215 : 제2가스 주입구214: first nozzle unit 215: second gas inlet

216 : 제2노즐부 220 : 가열체216: second nozzle portion 220: heating element

230 : 척 231 : 기판230: chuck 231: substrate

본 발명은 증착 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 플라즈마 방식 및 가열체 방식을 동시에 구현할 수 있는 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus, and more particularly, to a deposition apparatus capable of simultaneously implementing a plasma method and a heating method.

플라즈마 분위기는 화학기상증착이나 에칭, 표면처리 등의 박막 관련 분야에서 다양하게 사용되고 있다. 이는 플라즈마 상태가 이들 공정에서 반응의 효율성을 높이고, 유리한 조건 하에서 공정을 수행할 수 있도록 해주는 장점을 가지기 때문이다. Plasma atmospheres are used in various fields related to thin films such as chemical vapor deposition, etching, and surface treatment. This is because the plasma state has the advantage of increasing the efficiency of the reaction in these processes and allowing the process to be carried out under favorable conditions.

플라즈마가 이용되는 목적에 따라 플라즈마의 형성 방법도 다양하고 이에 따른 플라즈마 형성 장치도 다양하게 개발되고 있다. 최근에는 반도체 제조공정 등에서 공정 효율을 더욱 높일 수 있는 고밀도 플라즈마를 사용하는 플라즈마 처리장치를 이용하는 경우가 증가하고 있다. 고밀도 플라즈마 처리장치로는 공진주파수의 마이크로파를 이용하는 ECR(Electron Cyclotron Resonance) 플라즈마 처리장치, 헬리콘(helicon) 또는 휘슬러파(whistler wave)를 이용하는 헬리콘 플라즈마 처리장치 및 고온 저압의 플라즈마를 이용하는 유도결합형(inductively coupled) 플라즈마 처리장치 등이 있다.According to the purpose of using the plasma, there are various methods of forming the plasma and various plasma forming apparatuses have been developed. Recently, the use of a plasma processing apparatus using a high-density plasma that can further increase the process efficiency in the semiconductor manufacturing process, etc. is increasing. The high density plasma processing apparatus includes an ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma processing apparatus using microwave at a resonant frequency, a helicon plasma processing apparatus using a helicon or whistler wave, and an inductive coupling using a high temperature and low pressure plasma. And inductively coupled plasma processing apparatus.

화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 장치 중 상기 유도결합형 플라즈마 처리장치를 적용한 ICP-CVD(Induced Couple Plasma Chemical Vapor Deposition) 장치를 나타낸 단면도인 도 1를 참조하면, 절연체로 이루어져 있고, 진공을 유지할 수 있는 챔버(Chamber)(101), 상기 챔버(101)의 상단부에 규칙적으로 배열되고 유도결합형 플라즈마를 발생시키는 안테나(102)를 구비하고 있다. 이 때, 상기 안테나(102)에 전원을 공급하는 제1전원(103)이 연결되어 있다.Referring to FIG. 1, which is a cross-sectional view of an induced couple plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) apparatus using the inductively coupled plasma processing apparatus among chemical vapor deposition apparatuses, the insulator may be maintained and a vacuum may be maintained. The chamber 101 is provided with an antenna 102 arranged at an upper end of the chamber 101 and generating an inductively coupled plasma. At this time, the first power source 103 for supplying power to the antenna 102 is connected.

상기 안테나(102)의 하부에는 챔버(101) 내부로 가스(104)를 주입하는 가스 주입구(105)가 위치하고 있다. 이때, 상기 가스 주입구(105)는 일반적으로 샤워 헤드로 형성되는데, 이는 상기 안테나(102)에 의해 형성된 플라즈마에 가스(104)를 균일하게 공급하기 위해서이다.The gas inlet 105 for injecting gas 104 into the chamber 101 is located under the antenna 102. In this case, the gas injection hole 105 is generally formed as a shower head, in order to uniformly supply the gas 104 to the plasma formed by the antenna 102.

상기 챔버(101)의 하단부에는 상기 ICP-CVD 장치에 의해 처리되는 피처리물, 즉 기판(106)을 가열, 냉각 또는 고정하는 척(107)이 위치하고, 상기 척(107)에 전원을 공급하는 제2전원(108)이 연결되어 있다. 이때, 상기 제2전원(108)은 상기 척(107)을 가열하기 위한 전원 또는 상기 척(107)이 전극으로의 기능을 갖게 하기 위한 전원으로 이용될 수 있다.At the lower end of the chamber 101, a chuck 107 for heating, cooling, or fixing a workpiece to be processed by the ICP-CVD apparatus, that is, a substrate 106, is positioned to supply power to the chuck 107. The second power source 108 is connected. In this case, the second power source 108 may be used as a power source for heating the chuck 107 or a power source for allowing the chuck 107 to function as an electrode.

상기 챔버(101)의 측벽는 상기 기판(106)을 상기 챔버(101) 내부 또는 외부로 이송하기 위한 문(109)이 부착되어 있고, 상기 챔버(101)의 공기 또는 가스를 배기하는 진공 펌프(110)를 포함하는 배기구(111)가 부착되어 있다.The side wall of the chamber 101 is attached with a door 109 for transferring the substrate 106 into or out of the chamber 101, and a vacuum pump 110 for exhausting air or gas from the chamber 101. There is attached an exhaust port 111 including).

그러나, 상기의 화학 기상 장치는 플라즈마 방식만을 이용하여 절연막을 증착함으로서 소스 가스의 분해가 완벽하게 이루어지지 않아 소스 가스의 사용 효율이 나쁠 뿐만 아니라 형성된 절연막에 다량의 수소를 포함하고 있어 고품질의 절연막을 얻기 힘들다는 문제점이 있다.However, the above chemical vapor deposition apparatus does not completely decompose the source gas by depositing the insulating film using only the plasma method, so that the use efficiency of the source gas is not good, and the formed insulating film contains a large amount of hydrogen. There is a problem that is difficult to obtain.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 플라즈마 방식과 가열체 방식을 동시에 구현할 수 있어 고품질의 증착막을 형성할 수 있는 증착 장치를 제공함에 본 발명의 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above-mentioned disadvantages and problems of the prior art, it is an object of the present invention to provide a deposition apparatus capable of simultaneously implementing a plasma method and a heating method to form a high quality deposition film. have.

본 발명의 상기 목적은 진공 펌프를 포함하는 챔버; 및 상기 챔버 내부의 소정 영역에 위치한 샤워 헤드를 포함하며, 상기 샤워 헤드는 제1가스 주입구 및 제2가스 주입구; 상기 제1가스 주입구와 연결된 분배부; 상기 분배부와 연결된 플라즈마 발생 영역; 상기 플라즈마 발생 영역과 연결되고, 상기 샤워 헤드의 일측 표면에 균일하게 분포된 복수 개의 노즐로 이루어진 제1노즐부; 및 상기 제2가스 주입구에 연결되고, 상기 샤워 헤드의 일측 표면에 균일하게 분포된 복수 개의 노즐로 이루어진 제2노즐부를 포함하고, 상기 샤워 헤드의 상기 제1노즐부 및 제2노즐부에 대응하는 위치에 가열체가 위치하는 것로 이루어진 증착 장치에 의해 달성된다.The object of the present invention is a chamber containing a vacuum pump; And a shower head positioned in a predetermined region inside the chamber, wherein the shower head comprises: a first gas inlet and a second gas inlet; A distribution unit connected to the first gas inlet; A plasma generation region connected to the distribution unit; A first nozzle part connected to the plasma generation region and formed of a plurality of nozzles uniformly distributed on one surface of the shower head; And a second nozzle part connected to the second gas inlet port, the second nozzle part including a plurality of nozzles uniformly distributed on one surface of the shower head, and corresponding to the first nozzle part and the second nozzle part of the shower head. This is achieved by a vapor deposition apparatus consisting of placing a heating body in position.

또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 제1노즐부 및 제2노즐부가 배열된 표면은 사각형인 것으로 이루어진 증착 장치에 의해서도 달성된다.Further, the above object of the present invention is also achieved by a vapor deposition apparatus in which the surfaces on which the first nozzle portion and the second nozzle portion are arranged are rectangular.

또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 제1가스 주입구는 제1가스를 주입하는 가스관이고, 상기 제2가스 주입구는 제2가스를 주입하는 가스관이고, 상기 제1가스는 상기 제2가스 보다 분해 에너지가 높은 가스인 것으로 이루어진 증착 장치에 의해서도 달성된다.In addition, the object of the present invention is that the first gas inlet is a gas pipe for injecting a first gas, the second gas inlet is a gas pipe for injecting a second gas, the first gas is more energy decomposition than the second gas Is also achieved by a vapor deposition apparatus consisting of a high gas.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설 명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Details of the above object and technical configuration and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention. In the drawings, the length, thickness, etc. of layers and regions may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 증착 장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 증착 장치는 외부 환경에 대해 내부 환경을 격리하는 챔버(200)와 상기 챔버(200) 내부의 소정 영역에 위치한 샤워 헤드(210), 가열체(220) 및 척(230)로 구성되어 있다.Referring to FIG. 2, the deposition apparatus of the present invention includes a chamber 200 that isolates an internal environment from an external environment, a shower head 210, a heating element 220, and a chuck located in a predetermined area inside the chamber 200. 230.

상기 챔버(200)는 상기 챔버(200) 내부의 진공도를 유지하는 진공 펌프(201)를 포함하는 배기구(202)가 상기 챔버(200)와 연결되어 있다.The chamber 200 is connected to the chamber 200 by an exhaust port 202 including a vacuum pump 201 for maintaining a degree of vacuum in the chamber 200.

이때, 상기 도 2에서는 도시하지 않았지만, 상기 챔버(200)의 일측 측벽에 상기 챔버(200) 내부로 소자를 장입할 수 있는 문(door)이 위치할 수 있다.In this case, although not shown in FIG. 2, a door may be located at one side wall of the chamber 200 to allow the device to be inserted into the chamber 200.

상기 샤워 헤드(210)는 제1가스를 주입하는 제1가스 주입구(211), 상기 제1가스 주입구(211)에 연결되어 있고, 상기 주입된 제1가스가 아래에서 언급되는 플라즈마 발생 영역에 균일하게 분사될 수 있도록 상기 제1가스를 분배하는 분배부(212), 상기 분배부(212)와 연결된 플라즈마 발생 영역(213), 상기 플라즈마 발생 영역(213)에 연결되고, 상기 샤워 헤드(210)의 일측 표면에 균일하게 분포된 복수 개의 노즐로 이루어진 제1노즐부(214) 및 제2가스를 주입하는 제2가스 주입구(215) 에 연결되고, 상기 샤워 헤드(210)의 일측 표면에 균일하게 분포된 복수 개의 노즐로 이루어진 제2노즐부(216)로 이루어져 있다. 이때, 상기 제2노즐부(216)의 노즐 개수는 상기 제1노즐부(214)의 노즐 개수 보다 적어도 두 배 이상 많다.The shower head 210 is connected to a first gas inlet 211 for injecting a first gas and the first gas inlet 211, and the injected first gas is uniform in a plasma generation region which will be described below. A distribution unit 212 for distributing the first gas so as to be sprayed on the gas, a plasma generation region 213 connected to the distribution unit 212, and a plasma generation region 213 connected to the shower head 210. It is connected to the first nozzle portion 214 consisting of a plurality of nozzles uniformly distributed on one surface of the and the second gas inlet 215 for injecting the second gas, uniformly on one surface of the shower head 210 The second nozzle part 216 is formed of a plurality of distributed nozzles. At this time, the number of nozzles of the second nozzle unit 216 is at least twice as many as the number of nozzles of the first nozzle unit 214.

이때, 상기 제2노즐부(216)는 적어도 둘 이상의 가지(branch)를 갖는 형태로 상기 제2가스 주입구(215)에 연결되어 있다. 즉, 도 2에서 도시한 바와 같이 상기 제2가스 주입구(215)에 상기 제2노즐부(216)의 연결부(216a)가 연결되어 있고, 상기 연결부(216a)에서 두 개의 가지(216b)로 나누어져 제2노즐부(216)로 연결된다.In this case, the second nozzle unit 216 is connected to the second gas injection hole 215 in a form having at least two branches. That is, as shown in FIG. 2, the connection part 216a of the second nozzle part 216 is connected to the second gas injection hole 215, and is divided into two branches 216b of the connection part 216a. Connected to the second nozzle portion 216.

이때, 상기 플라즈마 발생 영역(213)에는 상기 플라즈마 발생 영역(213)에 플라즈마를 발생시킬 수 있는 전극(217)이 포함될 수 있다. 이때, 상기 전극(217)은 상기 플라즈마 발생 영역(213)의 소정 영역에 위치할 수 있는데, 도 2에서는 일측 측면에 위치하고 있는 것을 도시하고 있다. 또한, 상기 전극(217)은 상기 전극(217)에 전원을 인가할 수 있는 제1전원(218)과 연결되어 있다.In this case, the plasma generation region 213 may include an electrode 217 capable of generating plasma in the plasma generation region 213. In this case, the electrode 217 may be located in a predetermined region of the plasma generation region 213, which is illustrated in FIG. 2. In addition, the electrode 217 is connected to a first power source 218 that can apply power to the electrode 217.

상기 가열체(220)는 상기 제1노즐부(214) 및 상기 제2노즐부(216)에 대응하는 위치에 위치한다. 또한, 상기 가열체(220)는 외부에서 전원을 인가하는 제2전원(221)과 연결되어 있다.The heating body 220 is positioned at a position corresponding to the first nozzle part 214 and the second nozzle part 216. In addition, the heater 220 is connected to a second power source 221 to which power is applied from the outside.

상기 척(230)은 상기 샤워 헤드(210) 및 가열체(220)에 대응하는 위치에 위치하고, 상기 척(230)상에는 본 발명의 증착 장치에 의해 처리되는 피처리물(231), 즉, 기판이 장착될 수 있다. 이때, 상기 척(230) 내부에는 상기 척(230)상에 장착된 상기 피처리물(231)인 기판을 냉각시키거나, 일정한 온도를 유지하기 위한 냉각 라인(232)이 포함되어 있을 수 있다.The chuck 230 is located at a position corresponding to the shower head 210 and the heating body 220, and the workpiece 231, ie, a substrate, is processed by the deposition apparatus of the present invention on the chuck 230. Can be mounted. In this case, the chuck 230 may include a cooling line 232 for cooling the substrate, which is the workpiece 231 mounted on the chuck 230, or maintaining a constant temperature.

도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 증착 장치의 작동 원리를 설명한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating an operating principle of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3를 참조하면, 상기 제1가스 주입구(211)에 제1가스(301)를 주입하고, 상기 제2가스 주입구(215)에 제2가스(311)를 주입한다.Referring to FIG. 3, a first gas 301 is injected into the first gas injection hole 211, and a second gas 311 is injected into the second gas injection hole 215.

이때, 상기 제1가스(301)는 상기 제2가스(311)보다 가스를 분해하는데 필요한 에너지인 분해 에너지가 더 높다. 또한, 상기 제1가스(301)은 암모니아(NH3) 가스 또는 질소(N2) 가스이고, 상기 제2가스(311)은 실란(SiH4) 가스이다. 또한 상기 제1가스(301)에는 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 가스를 더 포함할 수 있다.In this case, the first gas 301 has a higher decomposition energy, that is, energy required to decompose the gas than the second gas 311. In addition, the first gas 301 is ammonia (NH 3 ) gas or nitrogen (N 2 ) gas, and the second gas 311 is a silane (SiH 4 ) gas. In addition, the first gas 301 may further include a plasma generating gas for generating a plasma.

이때, 상기 플라즈마 발생 가스는 아르곤(Ar) 또는 헬륨(He)과 같은 비활성 가스이고, 상기 플라즈마 발생 영역(213)에 플라즈마를 발생시키는 역할을 하게 된다.In this case, the plasma generating gas is an inert gas such as argon (Ar) or helium (He), and serves to generate plasma in the plasma generating region 213.

상기 제1가스 주입구(301)에 주입된 제1가스(301)은 상기 분배부(212)에 의해 상기 플라즈마 발생 영역(213) 내부로 균일하게 주입된다.The first gas 301 injected into the first gas injection hole 301 is uniformly injected into the plasma generation region 213 by the distribution unit 212.

이어서, 상기 분배부(212)에 의해 제1가스(301)가 상기 플라즈마 발생 영역(213)에 주입되면, 상기 전극(217)에 상기 제1전원(218)에서 전원을 인가하게 되고, 이로 인해 상기 플라즈마 발생 영역(213)에 플라즈마가 발생하고, 상기 발생된 플라즈마에 의해 상기 주입된 제1가스(301)가 분해되어 1차 분해된 제1가스(302)가 된다.Subsequently, when the first gas 301 is injected into the plasma generating region 213 by the distribution unit 212, power is applied from the first power source 218 to the electrode 217, thereby Plasma is generated in the plasma generating region 213, and the injected first gas 301 is decomposed by the generated plasma to become a first-decomposed first gas 302.

이어서, 상기 플라즈마 발생 영역(213)에 연결된 제1노즐부(214)로 상기 플라즈마에 의해 1차 분해된 제1가스(302)가 분사되고, 상기 1차 분사된 제1가스 (302)는 상기 제2전원(221)에서 인가된 전원에 의해 가열된 상기 가열체(220)를 지나치면서 2차 분해되어 제1라디컬(303)을 형성하게 된다.Subsequently, a first gas 302 primarily decomposed by the plasma is injected into the first nozzle unit 214 connected to the plasma generation region 213, and the first gas 302 is primarily injected. Secondary decomposition is performed while passing through the heating body 220 heated by the power applied from the second power source 221 to form the first radical 303.

이때, 상기 가열체(220)은 텅스텐(W)과 같은 저항 발열 물질로된 필라멘트로서, 상기 제2전원(221)에서 인가된 전원에 의해 1000도 이상의 열을 발생하게 된다.In this case, the heating body 220 is a filament made of a resistive heating material such as tungsten (W), and generates heat of 1000 degrees or more by the power applied from the second power source 221.

상기 제2가스 주입구(215)로 주입된 제2가스(311)는 상기 제2노즐부(216)를 통해서 분사되는데, 상기 제2노즐부(216)의 노즐이 상기 샤워 헤드(210)의 표면에 균일하게 분포하고 있어 균일하게 분사된다.The second gas 311 injected into the second gas injection hole 215 is injected through the second nozzle part 216, and the nozzle of the second nozzle part 216 is the surface of the shower head 210. Evenly distributed in the spray is uniform.

이어서, 상기 제2노즐부(216)에서 분사된 제2가스(311)는 상기 가열된 가열체(220)를 지나치면서 분해되어 제2라디컬(312)을 형성하게 된다.Subsequently, the second gas 311 injected from the second nozzle unit 216 is decomposed while passing through the heated heater 220 to form the second radical 312.

이때, 상기 제1라디컬(303)과 상기 제2라디컬(312)은 동시에 형성되고, 상기 가열체(221)를 지나면서 생성된 상기 제1라디컬(303) 및 상기 제2라디컬(312)이 반응하여 기판(도시 안함)상에 증착막을 형성하게 된다.At this time, the first radical 303 and the second radical 312 are formed at the same time, the first radical 303 and the second radical (generated while passing through the heating body 221) 312 reacts to form a deposited film on a substrate (not shown).

도 4는 본 발명의 일실시 예에 따른 샤워 헤드와 가열체의 평면도이다. 4 is a plan view of the shower head and the heating element according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 증착 장치는 여러 분야에 이용할 수 있으나, 유기 전계 발광 소자를 제조하는 공정에 이용되는 경우에는 상기 샤워 헤드(210)의 형상이 사각형인 것이 바람직한데, 이는 상기 유기 전계 발광 소자를 형성하는 기판의 경우, 기판의 형상이 사각형이기 때문에 상기 샤워 페드(210)의 평면은 삭가형인 것이 바람직하다.Referring to FIG. 4, the deposition apparatus of the present invention may be used in various fields, but when used in a process of manufacturing an organic electroluminescent device, the shape of the shower head 210 is preferably rectangular. In the case of the substrate forming the electroluminescent element, since the shape of the substrate is rectangular, the plane of the shower pede 210 is preferably cut.

상기 샤워 헤드(210)의 표면에 위치한 제1노즐부(214) 및 제2노즐부(216)의 노즐들의 배열은, 본 발명의 증착 장치가 유기 전계 발광 소자를 제조하는 증착 장치로 이용되는 경우, 사각형을 이루는 것이 바람직하다. The arrangement of the nozzles of the first nozzle part 214 and the second nozzle part 216 located on the surface of the shower head 210 is used when the deposition apparatus of the present invention is used as a deposition apparatus for manufacturing an organic electroluminescent element. It is preferable to form a rectangle.

또한 상기 제2노즐부(216)의 노즐 개수는 상기 제1노즐부(214)의 노즐 개수 보다 적어도 두 배 이상인 것이 바람직하다. 이는 상기 제1노즐부(214)는 제1가스 주입구(211)에 주입된 제1가스는 상기 플라즈마 발생 영역(213)에 1차 분해된 후, 분사되는 노즐부인데 반해, 상기 제2노즐부(216)는 분해되지 않은 제2가스를 분사하는 노즐부임으로 상기 가열체(220)에 상기 제2가스(311)를 더 많이 접촉시키기 위해서 더 많은 노즐이 있다.In addition, the number of nozzles of the second nozzle unit 216 is preferably at least two times greater than the number of nozzles of the first nozzle unit 214. The first nozzle part 214 is a nozzle part which is injected after the first gas injected into the first gas injection hole 211 is first decomposed into the plasma generation region 213, whereas the second nozzle part 216 is a nozzle unit for injecting the undecomposed second gas, so that there are more nozzles in order to bring the second gas 311 into contact with the heating body 220 more.

또한 상기 제1노즐부(214) 및 제2노즐부(216)의 노즐들 각각의 직경은 0.1 내지 5mm로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 제1노즐부(214) 및 제2노즐부(216)는 각각 1차 분해된 제1가스(211)과 제2가스(311)을 상기 챔버 내부로 균일하게 분사하게 됨으로 노즐부들의 직경은 작을 수록 바람직하나 현재 가공 기술로는 0.1mm 이하의 노줄을 균일하게 형성하는 것이 어렵다. 또한, 상기 노즐부들의 직경이 5mm 이상으로 너무 커지게 되면 상기 가열체(220)의 간격에 영향을 줄 뿐만 아니라 분사되는 가스들이 균일하게 분사되지 않는 문제점이 있다.In addition, the diameter of each of the nozzles of the first nozzle part 214 and the second nozzle part 216 is preferably formed to 0.1 to 5mm. The first nozzle part 214 and the second nozzle part 216 respectively spray the first gas 211 and the second gas 311, which are primary decomposition, uniformly into the chamber. Although smaller is preferable, it is difficult to uniformly form a row of 0.1 mm or less with current processing technology. In addition, if the diameter of the nozzle portion is too large, 5mm or more, there is a problem that not only affects the spacing of the heating body 220 but also the injected gases are not uniformly sprayed.

상기 가열체(220)는 상기 제1노즐부(214) 및 제2노즐부(216)의 노즐들의 중심선을 지나가는 복수 개의 가열체 배선(220a, 220b)으로 일정한 간격을 두고 배열된다. 또한, 상기 가열체 배선들의 전체 형태는 상기 제1노즐부(214) 및 제2노즐부(216)의 노즐들의 배열과 마찬가지로 사각형인 것이 바람직하다. 이때, 상기 가열체(220)가 상기 제1노즐부(214) 및 제2노즐부(216)의 노즐들의 중심선을 지나가는 이유는 상기 노즐들에서 분사되는 가스들(1차 분해된 제1가스와 제2가스)이 되도록이면 많은 양이 상기 가열체(220)를 지나가도록 하기 위해서이다.The heating body 220 is arranged at regular intervals with a plurality of heating wires 220a and 220b passing through the center lines of the nozzles of the first nozzle part 214 and the second nozzle part 216. In addition, the entire shape of the heating wires may have a quadrangular shape like the arrangement of the nozzles of the first nozzle part 214 and the second nozzle part 216. In this case, the reason why the heating body 220 crosses the center lines of the nozzles of the first nozzle part 214 and the second nozzle part 216 is that the gases are injected from the nozzles (the first gas decomposed firstly and The second gas) is to allow a large amount to pass through the heating body 220.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.The present invention has been shown and described with reference to the preferred embodiments as described above, but is not limited to the above embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible.

따라서, 본 발명의 증착 장치는 가열체 방식 및 플라즈마 방식이 동시에 가능하여 고품질의 증착막을 형성할 수 있는 증착 장치를 제공하는 효과가 있다.Therefore, the vapor deposition apparatus of the present invention has the effect of providing a vapor deposition apparatus capable of forming a high quality vapor deposition film by being capable of heating and plasma methods at the same time.

Claims (20)

진공 펌프를 포함하는 챔버; 및 상기 챔버 내부의 소정 영역에 위치한 샤워 헤드를 포함하며,A chamber containing a vacuum pump; And a shower head positioned in a predetermined area inside the chamber, 상기 샤워 헤드는The shower head 제1가스 주입구 및 제2가스 주입구;A first gas inlet and a second gas inlet; 상기 제1가스 주입구와 연결된 분배부;A distribution unit connected to the first gas inlet; 상기 분배부와 연결된 플라즈마 발생 영역;A plasma generation region connected to the distribution unit; 상기 플라즈마 발생 영역과 연결되고, 상기 샤워 헤드의 일측 표면에 균일하게 분포된 복수 개의 노즐로 이루어진 제1노즐부; 및A first nozzle part connected to the plasma generation region and formed of a plurality of nozzles uniformly distributed on one surface of the shower head; And 상기 제2가스 주입구에 연결되고, 상기 샤워 헤드의 일측 표면에 균일하게 분포된 복수 개의 노즐로 이루어진 제2노즐부를 포함하고,A second nozzle part connected to the second gas inlet and formed of a plurality of nozzles uniformly distributed on one surface of the shower head, 상기 샤워 헤드의 상기 제1노즐부 및 제2노즐부에 대응하는 위치에 가열체가 위치하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And a heating body is positioned at positions corresponding to the first nozzle portion and the second nozzle portion of the shower head. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1노즐부 및 제2노즐부가 배열된 표면은 사각형인 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the surface on which the first nozzle portion and the second nozzle portion are arranged is a quadrangle. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2노즐부의 노즐이 상기 제1노즐부의 노즐보다 적어도 2배 이상 많은 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the nozzle of the second nozzle part is at least twice as large as the nozzle of the first nozzle part. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열체는 상기 제1노즐부의 노즐 및 상기 제2노즐부의 노즐의 중심을 지나가는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the heating body passes through a center of the nozzle of the first nozzle part and the nozzle of the second nozzle part. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열체는 복수 개의 가열체 배선으로 일정한 간격을 두고 배열하되, 상기 배열된 형태는 사각형인 것을 특징으로 하는 증착 장치.The heating elements are arranged with a plurality of heating wires at regular intervals, the arrangement is characterized in that the arranged shape is rectangular. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1가스 주입구는 상기 제1가스를 주입하는 가스관이고, 상기 제2가스 주입구는 상기 제2가스를 주입하는 가스관인 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the first gas inlet is a gas pipe injecting the first gas, and the second gas inlet is a gas pipe injecting the second gas. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1가스는 상기 제2가스 보다 분해 에너지가 높은 가스인 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the first gas is a gas having a higher decomposition energy than the second gas. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1가스는 암모니아 가스 또는 질소 가스 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the first gas is any one or more of ammonia gas and nitrogen gas. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제2가스는 실란 가스인 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the second gas is silane gas. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1가스는 플라즈마 생성 가스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the first gas further comprises a plasma generating gas. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열체는 필라멘트인 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the heating body is a filament. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열체의 재질은 텅스텐인 것을 특징으로 하는 증착 장치.Deposition apparatus, characterized in that the material of the heating body is tungsten. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1노즐부의 노즐 및 상기 제2노즐부의 노즐의 크기는 0.1 내지 5mm인 것을 특징으로 하는 증착 장치.The nozzle of the first nozzle portion and the size of the nozzle of the second nozzle portion is a deposition apparatus, characterized in that 0.1 to 5mm. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 증착 장치는 실리콘 질화막을 증착하는 증착 장치인 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the deposition apparatus is a deposition apparatus for depositing a silicon nitride film. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플라즈마 발생 영역은 플라즈마 발생을 위한 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The plasma generating region further comprises an electrode for plasma generation. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 전극에 전원을 공급하는 제1전원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And a first power supply for supplying power to the electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열체에 전원을 공급하는 제2전원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And a second power supply for supplying power to the heating body. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1노즐부, 제2노즐부 및 가열체에 대응하는 위치에 기판을 장착하는 척을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And a chuck for mounting the substrate at a position corresponding to the first nozzle portion, the second nozzle portion, and the heating body. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 기판은 유기 전계 발광 소자가 형성된 기판인 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the substrate is a substrate on which an organic electroluminescent element is formed. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 척 내부에는 냉각 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And a cooling line further inside the chuck.
KR1020050030423A 2005-04-12 2005-04-12 Deposition equipment KR100700655B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050030423A KR100700655B1 (en) 2005-04-12 2005-04-12 Deposition equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050030423A KR100700655B1 (en) 2005-04-12 2005-04-12 Deposition equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060108285A KR20060108285A (en) 2006-10-17
KR100700655B1 true KR100700655B1 (en) 2007-03-27

Family

ID=37628110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050030423A KR100700655B1 (en) 2005-04-12 2005-04-12 Deposition equipment

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100700655B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100905464B1 (en) * 2007-07-09 2009-07-02 한양대학교 산학협력단 Activated plasma processing apparatus
US9120344B2 (en) * 2011-08-09 2015-09-01 Kateeva, Inc. Apparatus and method for control of print gap
KR102377885B1 (en) * 2012-08-08 2022-03-22 카티바, 인크. Method for control of print gap

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6336832A (en) 1986-07-28 1988-02-17 Canon Inc Reaction device
JPH02250314A (en) * 1989-03-23 1990-10-08 Mitsubishi Electric Corp Plasma cvd apparatus
KR20010039780A (en) * 1999-08-05 2001-05-15 니시히라 순지 A hot element cvd apparatus and a method for removing a deposited film
KR20030077262A (en) * 2002-03-26 2003-10-01 한국화학연구원 Apparatus For Plasma Chemical Vapor Deposition And Methode of Forming Thin Layer Utilizing The Same
KR20040034907A (en) * 2002-10-17 2004-04-29 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 Chemical Vapor Deposition Apparatus which deposition-speed control is possible

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6336832A (en) 1986-07-28 1988-02-17 Canon Inc Reaction device
JPH02250314A (en) * 1989-03-23 1990-10-08 Mitsubishi Electric Corp Plasma cvd apparatus
KR20010039780A (en) * 1999-08-05 2001-05-15 니시히라 순지 A hot element cvd apparatus and a method for removing a deposited film
KR20030077262A (en) * 2002-03-26 2003-10-01 한국화학연구원 Apparatus For Plasma Chemical Vapor Deposition And Methode of Forming Thin Layer Utilizing The Same
KR20040034907A (en) * 2002-10-17 2004-04-29 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 Chemical Vapor Deposition Apparatus which deposition-speed control is possible

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060108285A (en) 2006-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1807681B (en) Evaporation device and vapor deposition method using the same
KR100685806B1 (en) Deposition equipment
KR100515052B1 (en) semiconductor manufacturing apparatus for depositing a material on semiconductor substrate
JP4540742B2 (en) Atomic layer growth apparatus and thin film forming method
US20080295772A1 (en) Chemical vapor deposition apparatus and plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus
US20070221129A1 (en) Apparatus for depositing atomic layer using gas separation type showerhead
KR20150032656A (en) Atomic layer deposition with rapid thermal treatment
CN101476116B (en) Evaporation device and evaporation method
CN100517799C (en) Method for manufacturing an organic light emitting device
KR20130095119A (en) Atomospheric pressure plasma generating apparatus
KR100377096B1 (en) Semiconductor fabricating apparatus having improved shower head
KR100700655B1 (en) Deposition equipment
KR102582762B1 (en) Substrate processing method and method of manufacturing organic light emitting device using the same
KR100685823B1 (en) Deposition method
KR101139821B1 (en) Gas nozzle for improved spouting efficiency and plasma reactor having the same
JP3117366B2 (en) Plasma processing equipment
KR100457455B1 (en) Chemical Vapor Deposition Apparatus which deposition-speed control is possible
KR100685826B1 (en) Deposition apparatus and deposition method using the same
KR101253785B1 (en) Surface processing apparatus for substrate
KR20150035247A (en) Showerhead
TWI856508B (en) Batch type substrate processing apparatus
KR20080072263A (en) Substrate processing equipment
KR20040075250A (en) Side nozzle of HDP CVD device
KR20140006646A (en) Apparatus for treating substrate
KR20070023409A (en) Deposition equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20050412

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20060629

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20070111

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20070321

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20070322

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100226

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110228

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120229

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130228

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130228

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140303

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140303

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20150227

Start annual number: 9

End annual number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180302

Year of fee payment: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180302

Start annual number: 12

End annual number: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190304

Year of fee payment: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190304

Start annual number: 13

End annual number: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210302

Start annual number: 15

End annual number: 15

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220302

Start annual number: 16

End annual number: 16