KR100682477B1 - 건조용 가스 제조 방법 및 장치와, 그 건조용 가스를 사용한 디스크형 대상물의 건조 방법 및 장치 - Google Patents

건조용 가스 제조 방법 및 장치와, 그 건조용 가스를 사용한 디스크형 대상물의 건조 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 캐리어 가스와 작용 물질을 혼합함으로써 하나 이상의 디스크형 대상물을 건조시키기 위한 건조용 가스를 제조하는 방법, 및 이렇게 하여 제조된 건조용 가스를 사용하는 건조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 캐리어 가스와 작용 물질을 혼합하는데 적합한 건조용 가스 제조 장치에 관한 것이다.
건조용 가스, 캐리어 가스, 작용 물질, 디스크형 대상물

Description

건조용 가스 제조 방법 및 장치와, 그 건조용 가스를 사용한 디스크형 대상물의 건조 방법 및 장치{Process and device for the production of a drying gas, and process and device for drying disk-like objects using the drying gas}
도 1은 본 발명에 따른 건조용 가스 제조 장치의 전체적인 구성을 나타내는 개략도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1: 용기 3: 작용 물질 7: 가스 공급원
11: 디스크형 대상물 12, 15: 감압 밸브 13: 지지체
14: 노즐 16: 히터
본 발명은, 건조용 가스를 제조하는 방법 및 장치와, 디스크형 대상물, 특히 실리콘 웨이퍼 및 비화(砒化) 갈륨 웨이퍼와 같은 반도체 기판이나, 유리 기판, 석영 기판, 금속 기판, 플랫 패널 디스플레이 및 컴팩트 디스크 등의 건조 방법에 관한 것이다.
본 발명에서 특히 주요한 대상이 되는 것은 실리콘 웨이퍼 및 비화 갈륨을 기초로 한 반도체 웨이퍼와 같은 반도체 디스크(웨이퍼)의 건조이다.
실리콘 웨이퍼의 건조에 있어서의 특별한 단점은, 건조 공정 중에, 반도체 웨이퍼에 유해한 입자들이 형성되는 것, 즉, 잔류물 없이 웨이퍼가 건조될 수 없다는 것이다.
실리콘 웨이퍼의 경우, 상기한 바와 같은 바람직하지 않은 입자 형성의 원인은, 산소(예를 들어, 공기로부터의 산소)의 존재 하에서 물이 실리콘과 반응하여 이산화 규소를 생성하기 때문이다. 이들 입자는 워터 마크(water mark)라고도 불린다.
미국 특허 제5,271,744 A호 및 EP 0 905 746 A1호 각각에는, 디스크형 대상물의 표면으로부터 액체를 제거하는 방법이 기재되어 있다. 이들 공보에서는, 디스크형 대상물의 건조는 디스크형 대상물의 표면으로 건조용 가스를 분출시킴으로써 행해진다. 이 건조용 가스는 캐리어 가스 및 작용 물질을 함유하고, 디스크형 대상물은 건조용 가스를 그 대상물로 분출시킬 때 그 대상물의 축을 중심으로 회전된다.
미국 특허 제5,271,744 A호에는, 이것에 대응하는 건조용 가스를 제조하는 방법이 기재되어 있고, 이 방법에서는, 캐리어 가스가, 제공되는 액체 작용 물질을 통하여 기포(氣泡)화된다.
일본 공개특허공보 09-162156 A호에는, 용매를 가열함으로써 생성되는 건조용 가스로 반도체 웨이퍼를 세정 및 건조시키는 장치가 기재되어 있다.
EP 0878832 A2호에는, 캐리어 가스를 액체와 혼합함으로써 생성되는 건조용 가스로 반도체 웨이퍼를 건조시키는 방법 및 장치가 기재되어 있다. 이 경우, 혼합은 노즐에서 행해진다.
본 발명의 목적은, 개개의 디스크형 대상물을 처리하는 방법으로, 디스크형 대상물, 특히 실리콘 웨이퍼의 표면에 대한 선행 처리 공정에 의해 생길 수 있는 액체 잔류물, 특히 탈이온수 잔류물을 가능한 한 신속하게 제거하여, 상기한 바와 같은 입자 형성이 거의 또는 전혀 일어나자 않도록 하는데 있다.
따라서, 본 발명의 가장 일반적인 실시형태에서는, 본 발명은 캐리어 가스와 작용 물질을 혼합하는 것을 포함하는, 하나 이상의 디스크형 대상물을 건조시키기 위한 건조용 가스를 제조하는 방법을 제안한다. 이 건조용 가스는 캐리어 가스를 정지하여 있는 작용 물질의 액체 표면과 접촉시킴으로써 생성된다. 이 방법에서는, 캐리어 가스가 액체 위에 위치되는 작용 물질 가스에 의해 어느 정도까지 농후화(enrich)된다.
이것은, 건조용 가스 내에 작용 물질 액체의 액적(液滴)이 존재하지 않고, 따라서, 연무(mist)도 발생하지 않는 이점(利點)이 있고, 이에 의해, 건조가 더욱 균일하게 된다.
캐리어 가스를 작용 물질과 혼합함으로써, 작동 온도에서 작용 물질이 공기와 가연성 또는 폭발성 혼합물을 생성할 가능성이 있는 경우에도, 가연성 또는 폭발성 혼합물이 생성되지 않는 농도가 선택될 수 있다.
캐리어 가스의 분압(分壓)을, 캐리어 가스가 액체 작용 물질과 접촉하게 될 때 표준압력 이상이 되도록 선택하면, 작용 물질의 분압이 동일한 상태에서, 건조용 가스 내의 작용 물질의 비율이 감소된다. 이 실시형태에서는, 건조용 가스가 디스크형 대상물의 표면과 접촉하기 전에, 가스의 압력이 감소된다. 캐리어 가스가 액체 작용 물질과 접촉하게 될 때의 캐리어 가스의 유리한 분압은 1.5∼7 바아(bar)(예를 들어, 3∼4 바아)의 범위 내이다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 건조용 가스 내의 작용 물질의 분압은 포화증기압의 20% 미만이다. 그 이유는, 그것에 의해 작용 물질의 소비가 낮게 될 수 있고, 농도를 더욱 높게 하여도 효과는 거의 향상되지 않기 때문이다.
건조용 가스 내의 작용 물질의 분압이 포화증기압의 5% 미만인 경우에도, 양호한 결과가 얻어진다. 그러한 낮은 분압은, 가연성 작용 물질의 경우, 캐리어 가스로서 불활성 가스가 선택되면, 폭발성이 없는 가스 혼합물이 형성될 수 있는 이점이 있다.
한가지 실시형태에서는, 건조용 가스 내의 작용 물질의 분압은 0.01∼10 hPa이고(이에 따라, 전체 압력은 1000 hPa가 된다), 이것은 0.001∼1 체적%의 농도에 대응한다. 이것은 환경보호의 관점 뿐만 아니라 효율 및 안전성의 관점에서도 유리하다.
액체가 대상물의 표면을 더 양호하게 습윤시키도록 건조용 가스 내의 작용 물질이 선택되면, 그 표면에 부착할 수 있는 액적이 유출될 수 있는데, 그 이유는, 그 액적이 디스크형 대상물의 표면과 가능한 한 큰 공통의 경계면을 형성하게 되기 때문이다.
소망의 효과를 달성하기 위해, 본 방법에서 사용되는 작용 물질은, 건조에 의해 디스크형 대상물로부터 제거되는 액체의 표면장력을 감소시키는 것으로 선택될 수 있다.
이들 물질은 고전적인 의미에서의 계면활성제(습윤제 및 텐사이드(tenside))만을 포함하는 것으로 이해되어서는 않된다. 상당히 짧은 사슬(chain)을 가지는 다른 유기 또는 무기 물질도 사용될 수 있다. 이들 모든 물질의 공통된 특성은, 그들의 분자가 극성(친수성 또는 소유성) 부분 및 비극성(소수성 또는 친유성) 부분을 가지고 있다는 것이다.
그리하여, 극성 용매(예를 들어, 물)가 비극성(소수성) 표면(예를 들어, 단체체(單體) 규소)을 습윤시키는 것이 가능하게 된다. 반대로, 비극성 용매(석유 에테르)가 극성 표면(이산화규소)을 습윤시킬 수 있다.
유리한 작용 물질은 유기 용매이다.
실온(25℃)에서 0.5∼200 hPa의 포화증기압을 가지는 액체가 매우 적합한 작용 물질인 것으로 밝혀졌다. 그리하여, 건조용 가스 내의 작용 물질의 분압은 액체를 증발시킴으로써 생성될 수 있다.
디스크형 대상물로부터 물을 건조시키는 경우에는, 작용 물질이 물의 습윤 거동에 영향을 미칠 수 있도록 작용 물질이 적어도 1 g/l의 물에의 용해도를 가지는 것이 유리하다.
적어도 10 g/l의 물에의 용해도가 유리한 것으로 밝혀졌다.
작용 물질은 실라놀(예를 들어, 트리에틸 실라놀, 트리메틸 실라놀), 알코올(예를 들어, 에탄올, 프로판올), 에스테르(예를 들어, 에틸 아세테이트), 케톤(예를 들어, 아세톤), 및 알데히드와 아미드(예를 들어, 디메틸포름아미드: DMF)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
한가지 유리한 작용 물질은 알코올이고, 장쇄 알코올(n-헥사놀)은 습윤성을 더욱 효과적으로 증진시키는 이점이 있고, 단쇄 알코올(에탄올)은 표면으로부터 더욱 용이하게 탈리되는 이점이 있다. 2-프로판올은 상기 2가지 이점 모두를 가지기 때문에 매우 적합하다.
물론, 작용 물질들의 임의의 다른 혼합물들도 사용될 수 있다.
건조용 가스의 캐리어 가스는, 예를 들어, 질소와 같은 불활성 가스일 수도 있다. 작용 물질을 불활성 가스와 혼합함으로써, 주위 공기와 함께 가연성 또는 폭발성의 혼합물을 형성하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 다른 양태는, 상기한 방법들 중의 하나에 따라 제조되는 건조용 가스를 디스크형 대상물의 표면으로 분출시킴으로써 디스크형 대상물을 건조시키는 방법이다. 디스크형 대상물의 표면으로 건조용 가스가 분출될 때, 그 디스크형 대상물은 그의 축을 중심으로 회전된다.
한편, 디스크형 대상물의 회전은, 디스크형 대상물의 표면을 건조용 가스로 가능한 한 균일하게 처리하는 동시에, 건조용 가스의 소비를 최소로 하는데 유리하다. 다른 한편, 높은 전단 속도 및 그에 따른 기상(氣相)에서의 작은 확산층이 증발 속도를 크게 증가시킨다.
한가지 실시형태에서는, 디스크형 대상물의 표면으로 분출시킬 때의 건조용 가스의 체적 흐름은 10∼100 l/min이고, 이 체적 흐름은 표준압력(1000 hPa)에서 측정된다. 이것은, 표면 바로 위에서의 높은 유속과 그에 따른 빠른 건조를 보장한다.
디스크형 대상물이 건조용 가스로 처리되는 시간은 본 방법의 일 실시형태에서는 3∼30초이다. 그러한 처리 시간은 건조 결과 및 효과 면에서 유리하다.
회전 속도는 100∼10,000 rpm의 범위 내에서 선택되는 것이 유리하다. 500∼3000 rpm의 범위 내에서 양호한 결과가 얻어진다.
본 발명에 따른 방법의 일 실시형태에서는, 건조용 가스가, 디스크형 대상물이 회전될 때 그 대상물의 중심에서 시작하여 그 대상물의 주변 가장자리로 진행하면서 그 대상물로 분출된다.
이것에 의해, 유출되는 액적이 표면의 이미 건조된 부분 위를 통과하여 흐르지 않게 된다.
예를 들어, 건조용 가스는 영역마다(점 형상으로) 디스크형 대상물로 분출되고, 이어서, 디스크형 대상물의 회전에 따라 그 대상물의 표면의 모든 영역에 부여되게 된다.
건조 방법은 디스크형 대상물을 액체로 처리하는 방법의 일부일 수 있고, 이 방법에서는, 최종 액체가 플러싱(flushing)액(예를 들어, 탈이온수)이고, 이 플러싱액은 상기한 건조 방법들 중의 어느 하나에 의해 디스크형 대상물의 표면으로부터 제거된다.
이 방법은 세척 공정, 에칭 공정, 현상 또는 포토레지스트 제거 공정, 또는 이들 공정의 조합일 수 있다. 중요한 사항은, 최종 처리액(세정 용액 또는 에칭 용액)이 플러싱액에 의해 제거되어야 한다는 것이다. 건조 단계는 플러싱 단계 직후에 행해질 수 있고, 또는 건조 단계가 시작되기 전에 대부분의 플러싱액이 제거될 수 있다.
본 방법의 한가지 실시형태에서는, 디스크형 대상물은 모든 액체 처리 단계들 중에 그의 축을 중심으로 회전된다.
본 발명의 또 다른 양태는, 캐리어 가스와 작용 물질을 함께 혼합하는데 적합한 건조용 가스 제조 장치이다. 건조용 가스를 제조하기 위해, 이 장치는 용기(1)를 구비하고, 이 용기(1)는 작용 물질(3)을 수용하는 제1 하부 영역(2)과, 제2 상부 영역(4)을 가지고 있다. 용기(1)의 제1 개구부(5)는 제1 라인(6)을 통하여 캐리어 가스 공급원(7)에 연결되고, 제2 개구부(8)는 제2 라인(9)을 통하여, 건조용 가스가 디스크형 대상물(들)(11)의 표면에 부여되는 장소(10)에 연결되어 있다. 제1 및 제2 개구부(5, 8)는 용기(1)의 제2 상부 영역(4)에 제공되어 있다.
이러한 구성에 의해, 건조용 가스가 사용되기 직전에 건조용 가스를 혼합하는 것이 가능하게 되고, 작용 물질(3)의 기체로 되지 않은 부분이 건조용 가스에 혼입되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이미 증발된 작용 물질(3)만이 건조용 가스에 혼입될 수 있기 때문에, 작용 물질(3)의 소비가 낮게 유지될 수 있다.
캐리어 가스 공급원(7)은 압축가스 라인 또는 압력 하에 있는 유리 병일 수 있다. 가스 공급원과 건조용 가스 제조 장치 사이에서의 캐리어 가스의 압력은 감압 밸브(15)에 의해 감소될 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에서는, 건조용 가스 제조 장치와 건조용 가스가 디스크형 대상물(7)의 표면에 부여되는 장소(10)와의 사이의 제2 라인(9)에 감압 밸브(12)가 배치되어 있다. 이것에 의해, 장치 내에 과압(過壓)이 생기는 것이 가능하게 되고, 따라서, 작용 물질의 농도가 노즐(14)에서 감소된다.
건조용 가스의 제조를 균일화하기 위해, 이 장치는 (히터(16)에 의해) 일정한 온도로 유지될 수 있다. 이것은, 예를 들어, 캐리어 가스 및 작용 물질(3)의 온도를 혼합 전에 변화시킬 수 있는 경우에 적당할 수 있다.
본 발명의 다른 양태는, 디스크형 대상물(11)을 지지하는 회전 지지체(13)와, 디스크형 대상물(11)의 표면으로 캐리어 가스를 분출시키기 위한 노즐(14)을 포함하는 디스크형 대상물 건조 장치이다. 노즐(14)은 제2 라인(9)을 통하여 건조용 가스 제조 장치에 연결되어 있다.
노즐(14)의 배출구는 20∼90°의 각도로 디스크형 대상물(11)의 표면으로 향하여 있다.
본 장치의 일 실시형태에서는, 노즐(14)이 디스크형 대상물(11)의 표면으로부터 간격을 두고 그 대상물의 표면에 평행하게 이동될 수 있어, 디스크형 대상물(11)이 회전될 때 디스크형 대상물(11)의 표면의 어느 영역에도 건조용 가스를 분출시킬 수 있다. 또한, 이러한 구성에 의해, 다른 처리 공정을 위해 노즐(14)을 제거하거나, 또는 디스크형 대상물(11)을 지지체(13)상에 배치하거나 지지체(13)로부터 제거할 때 노즐(14)을 제거하는 것이 가능하게 된다.
이 경우에 있어서의 노즐(14)의 입구와 디스크형 대상물(11)의 표면 사이의 거리는 2∼50 mm일 수 있다.
본 발명의 다른 상세한 사항, 특징 및 이점들은 본 발명의 실시예들에 대한 이하의 설명으로부터 명백할 것이다.
실시예 1에서는, 과산화수소 및 암모니아로 세정한 후에, 구조물들이 배치되어 있는 실리콘 웨이퍼의 표면을 그 웨이퍼가 500 rpm의 속도로 회전하는 동안 탈이온수(플러싱액)로 씻어낸다. 그 다음, 2000 rpm으로 그 플러싱액을 털어낸다. 이어서, 1000 rpm의 회전 속도에서, 건조용 가스를 웨이퍼 표면으로 10초간 분출시킨다. 이때, 건조용 가스는 웨이퍼 표면으로부터 간격(5 mm)을 두고 그 웨이퍼 표면에 평행하게 이동하는 노즐에 의해 부여된다. 노즐은 웨이퍼의 중심(회전 중심이기도 함)으로부터 균일한 속도로 10초간에 걸쳐 웨이퍼의 원주 가장자리에 이동한다.
건조용 가스 내의 작용 물질로서는, 건조용 가스 내에서의 분압이 0.1 hPa인 2-프로판올이 사용되고, 캐리어 가스는 질소이다. 건조용 가스의 유량은 60 l/min이다.
건조용 가스는 20℃의 온도의 2-프로판올(작용 물질)이 제공된 용기 내에서 제조된다. 용기는 대략 절반까지 채워져 있다. 용기의 커버에 있는 개구부를 통하여 질소(캐리어 가스)가 유입되고, 용기의 커버에 있는 다른 개구부를 통하여 건조용 가스가 유출된다. 질소는 정지 상태에 있는 액체 표면 위에서 6 바아의 분압으로 확산한다. 작동 중에, 2-프로판올의 분압은 0.6 hPa(즉, 45 hPa의 포화증기압의 대략 1.3%)이다. 따라서, 가압된 건조용 가스는 6000.6 hPa의 전체 압력을 가지게 되므로, 건조용 가스의 압력이 표준압력(1000 hPa)까지 감소된 후에, 노즐에서 0.1 hPa의 분압이 얻어진다.
실시예 2는 실시예 1을 기초로 하지만, 이 경우에는, 이산화규소의 층이 제거되는 후면 에칭 공정 후에 건조가 행해진다. 건조는 중간 단계로서의 털어냄 단계 없이 탈이온수로의 플러싱 직후에 행해진다. 즉, 잔류하는 물이 1500 rpm의 회전 속도에서 건조용 가스의 5초간 부여 중에 바로 제거된다.
건조용 가스 내의 작용 물질로서, 건조용 가스 내에서의 분압이 0.4 hPa인 2-프로판올이 사용되고, 캐리어 가스는 질소이다. 건조용 가스의 유량은 80 l/min이다.
2-프로판올은 30℃의 온도로 공급된다. 질소는 정지 상태에 있는 액체 표면 위에서 2 바아의 분압으로 확산한다. 작동 중에, 2-프로판올의 분압은 0.8 hPa(즉, 83 hPa의 포화증기압의 대략 1%)이다. 따라서, 가압된 건조용 가스는 2000.8 hPa의 전체 압력을 가지게 되므로, 건조용 가스의 압력이 표준압력(1000 hPa)까지 감소된 후에, 노즐에서는 0.4 hPa의 분압이 얻어진다.
본 발명의 의하면, 개개의 디스크형 대상물을 처리하는 방법으로, 디스크형 대상물, 특히 실리콘 웨이퍼의 표면에 대한 선행 처리 공정에 의해 생길 수 있는 액체 잔류물, 특히 탈이온수 잔류물을 가능한 한 신속하게 제거할 수 있다.

Claims (26)

  1. 캐리어 가스와 작용 물질을 혼합함으로써, 하나 이상의 디스크형 대상물을 건조시키기 위한 건조용 가스를 제조하는 방법으로서,
    상기 캐리어 가스가 상기 작용 물질의 정지하여 있는 액체 표면과 접촉하고, 이때, 상기 캐리어 가스가 상기 액체 표면 위에 있는 상기 작용 물질의 가스로 농후화(enrich)되는 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 캐리어 가스가 액체 작용 물질과 접촉할 때의 상기 캐리어 가스의 분압이 표준압력을 초과하고, 상기 건조용 가스가 상기 디스크형 대상물의 표면에 접촉하기 전에 상기 건조용 가스의 압력이 감소되는 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 건조용 가스 내에서의 상기 작용 물질의 분압이 포화증기압의 20% 미만인 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 건조용 가스 내에서의 상기 작용 물질의 분압이 포화증기압의 5% 미만인 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 건조용 가스 내에서의 작용 물질의 분압이 0.01∼10 hPa(1000 hPa의 전체 압력에서)인 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 작용 물질이 상기 디스크 대상물의 표면으로부터 건조될 액체에 영향을 미쳐, 그 액체가 상기 디스크형 대상물의 표면을 습윤시키도록 하는 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 작용 물질이 상기 디스크형 대상물으로부터 건조될 액체의 표면장력을 감소시키는 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 작용 물질이 유기 용매인 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 작용 물질이 실온(25℃)에서 0.5∼200 hPa의 포화증기압을 가지는 액체인 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 작용 물질이 적어도 1 g/l의 물에의 용해도를 가지는 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 작용 물질이 적어도 10 g/l의 물에의 용해도를 가지는 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 작용 물질이 알코올, 실라놀, 에스테르, 케톤, 알데히드 및 아미드로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 작용 물질이 알코올인 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 작용 물질이 2-프로판올인 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 방법.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 캐리어 가스가 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 캐리어 가스가 질소인 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 방법.
  17. 제 1 항의 건조용 가스 제조 방법에 의해 제조된 건조용 가스를 디스크형 대상물의 표면으로 분출시킴으로써 디스크형 대상물을 건조시키는 방법으로서, 상기 건조용 가스가 상기 디스크형 대상물의 표면으로 분출될 때, 상기 디스크형 대상물이 그의 축을 중심으로 회전되는 것을 특징으로 하는 디스크형 대상물 건조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 건조용 가스가 상기 디스크형 대상물의 표면으로 분출될 때의 상기 건조용 가스의 체적 흐름이 10∼100 l/min인 것을 특징으로 하는 디스크형 대상물 건조 방법.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 디스크형 대상물이 상기 건조용 가스로 처리되는 시간이 3∼30초인 것을 특징으로 하는 디스크형 대상물 건조 방법.
  20. 제 17 항에 있어서, 상기 디스크형 대상물의 회전 속도가 100∼10,000 rpm의 범위 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 디스크형 대상물 건조 방법.
  21. 제 17 항에 있어서, 상기 건조용 가스의 분출이, 상기 디스크형 대상물이 회전될 때 상기 디스크형 대상물의 표면의 중심에서 시작하여 상기 디스크형 대상물의 주변 가장자리 쪽으로 이동하면서 행해지는 것을 특징으로 하는 디스크형 대상물 건조 방법.
  22. 제 17 항에 있어서, 상기 건조용 가스가 상기 디스크형 대상물에 영역마다 부여된 다음, 상기 디스크형 대상물의 표면의 모든 부분에 걸쳐 부여되는 것을 특징으로 하는 디스크형 대상물 건조 방법.
  23. 캐리어 가스와 작용 물질을 혼합함으로써, 하나 이상의 디스크형 대상물을 건조시키기 위한 건조용 가스를 제조하는 장치로서, 이 장치는, 상기 작용 물질(3)을 수용하는 제1 하부 영역(2)과 제2 상부 영역(4)을 가지는 용기(1)로 구성되어 있고, 상기 용기(1)의 제1 개구부(5)는 제1 라인(6)을 통하여 캐리어 가스 공급원(7)에 연결되고, 제2 개구부(8)는 제2 라인(9)을 통하여 상기 건조용 가스가 상기 디스크형 대상물(11)의 표면에 부여되는 장소(10)에 연결되어 있으며, 상기 제1 및 제2 개구부는 상기 용기(1)의 상기 제2 상부 영역(4)에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 장치.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 용기(1)와 상기 건조용 가스가 상기 디스크형 대상물(11)의 표면에 부여되는 상기 장소(10)와의 사이의 라인에 감압 밸브(12)가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 건조용 가스 제조 장치.
  25. 건조용 가스로 디스크형 대상물을 건조시키기 위한 장치로서, 디스크형 대상물(11)을 지지하기 위한 회전 지지체(13)와, 디스크형 대상물(11)의 표면으로 건조용 가스를 분츌시키기 위한 노즐(14)을 포함하는 디스크형 대상물 건조 장치에 있어서, 상기 노즐(14)이 라인을 통라여 제 23 항의 건조용 가스 제조 장치에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 디스크형 대상물 건조 장치.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 디스크형 대상물(11)로부터 간격을 두고 그 디스크형 대상물의 표면에 평행하게 상기 노즐(14)을 이동시킬 수 있는 수단이 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 디스크형 대상물 건조 장치.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060040111A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Dolechek Kert L Process chamber and system for thinning a semiconductor workpiece
US7354649B2 (en) 2004-08-20 2008-04-08 Semitool, Inc. Semiconductor workpiece
US7288489B2 (en) * 2004-08-20 2007-10-30 Semitool, Inc. Process for thinning a semiconductor workpiece
US7193295B2 (en) * 2004-08-20 2007-03-20 Semitool, Inc. Process and apparatus for thinning a semiconductor workpiece
US20060046499A1 (en) * 2004-08-20 2006-03-02 Dolechek Kert L Apparatus for use in thinning a semiconductor workpiece
US7681581B2 (en) * 2005-04-01 2010-03-23 Fsi International, Inc. Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
JP2009543338A (ja) * 2006-07-07 2009-12-03 エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド １つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置
KR101060664B1 (ko) * 2007-08-07 2011-08-31 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비의 배리어 판 및 벤튜리 시스템의 세정방법 및 관련 장치
KR20130083940A (ko) 2008-05-09 2013-07-23 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 공구 및 방법
JP6351993B2 (ja) * 2013-03-18 2018-07-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN113317528B (zh) * 2021-02-02 2022-08-02 安徽东旭大别山农业科技有限公司 一种山茶油加工用茶籽清洗干燥一体设备

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6064436A (ja) * 1983-09-19 1985-04-13 Fujitsu Ltd スピンドライヤ
US5271774A (en) * 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
US5255445A (en) * 1991-06-06 1993-10-26 American Air Liquide, Chicago Research Center Process for drying metal surfaces using gaseous hydrides to inhibit moisture adsorption and for removing adsorbed moisture from the metal surfaces
US5226242A (en) * 1992-02-18 1993-07-13 Santa Clara Plastics, Division Of Preco, Inc. Vapor jet dryer apparatus and method
DE4236478A1 (de) * 1992-10-29 1994-05-05 Basf Magnetics Gmbh Schwebetrockner
US5571337A (en) * 1994-11-14 1996-11-05 Yieldup International Method for cleaning and drying a semiconductor wafer
TW386235B (en) * 1995-05-23 2000-04-01 Tokyo Electron Ltd Method for spin rinsing
US5714203A (en) * 1995-08-23 1998-02-03 Ictop Entwicklungs Gmbh Procedure for the drying of silicon
JP3243708B2 (ja) * 1995-12-07 2002-01-07 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
KR980012044A (ko) * 1996-03-01 1998-04-30 히가시 데츠로 기판건조장치 및 기판건조방법
JP4447673B2 (ja) * 1997-04-30 2010-04-07 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
JP3230051B2 (ja) * 1997-05-16 2001-11-19 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理方法及びその装置
US6122837A (en) * 1997-06-25 2000-09-26 Verteq, Inc. Centrifugal wafer processor and method
JP3194036B2 (ja) * 1997-09-17 2001-07-30 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理装置及び乾燥処理方法
JPH1197406A (ja) * 1997-09-17 1999-04-09 Hitachi Ltd 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
DE69832567T2 (de) * 1997-09-24 2007-01-18 Interuniversitair Micro-Electronica Centrum Vzw Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen von einer Flüssigkeit von der Oberfläche eines rotierenden Substrats
US6199298B1 (en) * 1999-10-06 2001-03-13 Semitool, Inc. Vapor assisted rotary drying method and apparatus

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