KR100679272B1 - Light emitting diode - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 발광 다이오드에 관한 것으로서, 이를 위하여, 기판과, 상기 기판에 실장되는 발광칩과, 일단부가 상기 발광칩에 연결되고 상기 기판과 접촉되는 기판 접촉부와 상기 기판 접촉부에서 연장되어 기판에서 이격 형성된 방열부를 갖는 리드를 포함하는 구성으로, 별도의 외부 방열 장치 없이 패키지 내부에서 발광 칩의 열을 외부로 효과적으로 방출할 수 있고, 발광 칩에서 발산되는 열을 효과적으로 방출할 수 있는 특징이 있다. The present invention relates to a light emitting diode, and for this purpose, a substrate, a light emitting chip mounted on the substrate, one end of which is connected to the light emitting chip and extends from the substrate contact portion to be spaced apart from the substrate. With a configuration including a lead having a heat dissipation unit, it is possible to effectively discharge the heat of the light emitting chip to the outside from the inside of the package without a separate external heat dissipation device, it is characterized in that it can effectively discharge the heat emitted from the light emitting chip.
방열핀, 리드, 메탈슬러그 Heat Sink, Lead, Metal Slug
Description
도 1은 종래기술에 따른 발광 다이오드를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a light emitting diode according to the prior art.
도 2는 본 발명에 따른 발광 다이오드를 도시한 사시도.2 is a perspective view showing a light emitting diode according to the present invention;
도 3는 본 발명에 따른 발광 다이오드를 도시한 단면도.3 is a sectional view showing a light emitting diode according to the present invention;
도 4은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 리드에 대한 변형예를 도시한 단면도.4 is a cross-sectional view showing a modification of the lead of the light emitting diode according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 리드에 대한 다른 변형예를 도시한 단면도.5 is a cross-sectional view showing another modification of the lead of the light emitting diode according to the present invention.
도 6a 내지 6c는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 리드에 대한 또 다른 변형예를 도시한 단면도.6A to 6C are cross-sectional views showing yet another modification of the lead of the light emitting diode according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호설명><Code Description of Main Parts of Drawing>
100...기판 200...발광칩100
300...리드 310...기판 접촉부300
320...방열부 320 ... heat radiator
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로서, 특히 기판에 접촉되는 기판 접촉부와 상기 기판 접촉부에서 연장되는 방열부를 갖는 리드의 방열 효율을 증대시켜 열을 효과적으로 방출할 수 있는 발광 다이오드에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode capable of effectively dissipating heat by increasing the heat dissipation efficiency of a lead having a substrate contact portion in contact with a substrate and a heat dissipation portion extending from the substrate contact portion.
일반적으로 발광 다이오드는 반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 양공)를 만들고 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭하며, GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN 및 AlGaInP 등의 화합물 반도체 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로써 다양한 색을 구현할 수 있다. 예를 들어 GaAsP 등을 이용하여 적색 발광 다이오드를 형성할 수 있고, GaP, InGaN 등을 이용하여 녹색 발광 다이오드를 형성할 수 있고, InGaN/GaN 더블 헤테로(double hetero) 구조를 이용하여 청색 발광 다이오드를 형성할 수 있고, AlGaN/GaN 또는 AlGaN/AlGaN 구조를 이용하여 UV 발광 다이오드를 형성할 수 있다. 특히, GaN은 상온에서 3.4eV의 직접 천이형 밴드갭(direct bandgap)을 가지며 질화인듐(InN), 질화알루미늄(AlN) 같은 물질과 조합하여 1.9eV (InN)에서 3.4eV (GaN), 6.2eV (AlN)까지 직접 에너지 밴드갭을 가지고 있어서 가시광에서부터 자외선 영역까지 넓은 파장 영역 때문에 광소자의 응용 가능성이 매우 큰 물질이다. 이처럼 파장 조절이 가능하여 단파장 영역의 적색, 녹색 및 청색 발광 다이오드에 의한 천연색(full-color) 구현이 가능해짐으로써 디스플레이 영역은 물론 일반 조명시장으로의 파급 효과가 매우 커질 것으로 예상된다.In general, a light emitting diode refers to a device that makes a small number of carriers (electrons or holes) injected by using a pn junction structure of a semiconductor and emits light by recombination thereof. By changing the compound semiconductor material of the composition of the light emitting source can realize a variety of colors. For example, a red light emitting diode may be formed using GaAsP or the like, a green light emitting diode may be formed using GaP or InGaN, and a blue light emitting diode may be formed using an InGaN / GaN double hetero structure. The UV light emitting diode may be formed using an AlGaN / GaN or AlGaN / AlGaN structure. In particular, GaN has a direct transition bandgap of 3.4 eV at room temperature and is combined with materials such as indium nitride (InN) and aluminum nitride (AlN) at 1.9 eV (InN) to 3.4 eV (GaN), 6.2 eV Since it has a direct energy bandgap up to (AlN), it is a material having a high possibility of application of an optical device because of a wide wavelength range from visible light to ultraviolet light. The wavelength can be adjusted so that full-color realization by red, green, and blue light emitting diodes in the short wavelength region is possible, and the ripple effect of the display area and general lighting market is expected to be greatly increased.
발광 다이오드는 기존의 전구 또는 형광등에 비해 소모 전력이 작고 수명이 길며, 협소한 공간에 설치 가능하고 진동에 강한 특성을 보인다. 이러한 발광 소자는 표시 소자 및 백라이트로 이용되고 있으며, 소모 전력의 절감과 내구성 측면에서 우수한 특성을 갖기 때문에 최근 일반 조명 용도로 이를 적용하기 위해 활발한 연구가 진행중이다. 이후, 대형 LCD-TV 백라이트, 자동차 헤드라이트, 일반 조명에까지 응용이 확대될 것으로 예상되며, 이를 위해서는 발광 다이오드의 발광 효율의 개선이 필요하고, 열방출 문제를 해결하여야 하며, 발광 다이오드의 고휘도화, 고출력화를 달성하여야 한다.The light emitting diode has a smaller power consumption and a longer lifespan than a conventional light bulb or a fluorescent lamp, and can be installed in a narrow space and is strong in vibration. Such a light emitting device is used as a display device and a backlight, and since the light emitting device has excellent characteristics in terms of power consumption reduction and durability, active research is being conducted to apply it to general lighting applications. Subsequently, the application is expected to be extended to large LCD-TV backlights, automobile headlights, and general lighting. This requires improvement of the light emitting efficiency of the light emitting diodes, solves the heat emission problem, high brightness of the light emitting diodes, High output should be achieved.
도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드의 단면을 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting diode according to the prior art.
도 1에서 도시된 바와 같이, 종래의 발광 다이오드는 기판(10) 상에 설치되는 하우징(20)과, 상기 하우징(20) 내측으로 기판(10) 상에 실장되는 메탈슬러그(30)와, 상기 메탈슬러그(30)에 실장되는 발광칩(40)과, 상기 발광칩(40)에 와이어(50)를 통해 일단이 연결되고 타단이 상기 기판에 연결되는 리드(60)를 포함하여 일정 두께의 상기 메탈슬러그(30)를 통해 열전달 통로가 이루어지도록 하여 상기 발광칩(40)에서 발생되는 열을 외부로 방출시키도록 하였고, 상기 리드(60)는 발광 다이오드 패키지 전체의 방열에는 큰 영향을 주지 않았다.As shown in FIG. 1, a conventional light emitting diode includes a
그러나, 이와같은 구성의 종래의 발광 다이오드는 온도를 낮추기 위하여 상기 메탈슬러그 이외에 별도의 방열핀을 설치하여야 하고, 방열핀을 별도의 구성으로 추가하게 되면 추가 공정에 따른 비용은 물론, 방열핀의 부착에 따른 접합부위 의 열저항으로 방열효율이 떨어지는 문제가 있었다. However, in the conventional light emitting diode having such a configuration, in order to lower the temperature, a separate heat dissipation fin must be installed in addition to the metal slug, and when the heat dissipation fin is added as a separate constitution, the cost of the additional process and the bonding according to the attachment of the heat dissipation fin are required. There was a problem that the heat dissipation efficiency is lowered due to the heat resistance of the site.
본 발명의 목적은 전술된 종래기술의 문제점을 해결 하기 위한 것으로서, 리드의 열이 대류에 의한 열전달을 통해서도 방열이 이루어지도록 하는 발광 다이오드를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and to provide a light emitting diode that allows heat to be radiated through heat transfer by convection.
또한, 본 발명은 리드의 방열부를 이용하여 발광 칩에서 발산되는 열을 효과적으로 외부로 방출하여 발광 칩의 수명을 연장하여 발광 다이오드의 기능을 향상시킬 수 있도록 하는 발광 다이오드를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a light emitting diode that can effectively radiate heat emitted from the light emitting chip to the outside by using the heat radiating portion of the lead to extend the life of the light emitting chip to improve the function of the light emitting diode.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 발광 다이오드에 있어서, 기판과, 상기 기판에 실장되는 발광칩과, 일단부가 상기 발광칩에 연결되고, 상기 기판과 접촉되는 기판 접촉부와 상기 기판 접촉부에서 연장되어 기판에서 이격 형성된 방열부를 갖는 리드를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a light emitting diode comprising: a substrate, a light emitting chip mounted on the substrate, one end of which is connected to the light emitting chip, and which extends from the substrate contact portion and the substrate contact portion in contact with the substrate; And a lead having a heat dissipation part spaced apart from the substrate.
이때, 상기 리드의 방열부는 그 선단부가 상향하도록 연장 형성하고, 상기 리드의 방열부는 상기 기판과 소정 각도를 갖고 경사지게 연장된 경사부와 상기 경사부에서 수직으로 연장 형성된 수직 연장부를 포함한다.At this time, the heat dissipation portion of the lead is extended so that its front end is upward, the heat dissipation portion of the lead includes an inclined portion extending inclined at a predetermined angle with the substrate and a vertical extension portion extending vertically from the inclined portion.
첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.An embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2 또는 도 3은 본 발명에 따른 발광 다이오드를 도시한 사시도와 단면도 를 나타낸 도면이다.2 or 3 is a perspective view and a cross-sectional view showing a light emitting diode according to the present invention.
도 2 또는 도 3에서 도시된 바와 같이, 본 발명은 기판(100)과, 상기 기판(100)에 실장되는 발광칩(200)과, 일단부가 와이어를 통해 상기 발광칩(200)과 연결되는 리드(300)를 포함하되, 상기 리드(300)는 상기 기판(100)에 접촉되는 기판 접촉부(310)와 상기 기판(100)에서 이격 형성되는 방열부(320)를 포함하여 상기 방열부(320)를 통해 상기 리드(300)에서의 방열이 대류에 의해 열교환되도록 한다.As shown in FIG. 2 or FIG. 3, the present invention includes a
예컨대, 상기 기판(100)은 상기 발광칩(200)에서 발생되어 메탈슬러그(미도시)로 전도된 열을 발광 다이오드의 외부로 방출시킬 수 있고, 상기 기판(100)으로는 금속심 인쇄회로기판(100)(Metal core printed circuit board, MCPCB) 및 폴리머 계열의 FR4(Flame Rating 4) 또는 BT 수지(Bismaleimide Triazine resin, BT resin)등이 사용 가능하고, 본 실시예의 상기 기판(100)은 금속심 인쇄회로기판(100)(MCPCB)을 사용하는 것이 바람직하다.For example, the
상기 기판(100)에는 내측으로 일정 공간을 갖는 하우징(500)이 마련되는데, 상기 하우징(500)은, 발광칩(200)과, 리드(300)와, 발광칩(200)을 리드(300)와 전기적으로 연결하는 와이어를 보호하기 위한 것으로서 통상 실리콘 수지 또는 에폭시 수지로 몰딩부(400)를 형성한다.The
상기 하우징 내측으로 상기 기판(100) 상에 메탈슬러그(600)가 장착된다. 이때, 상기 메탈슬러그(600)는 상기 발광칩(200)에서 발생되는 열을 외부로 방출시킨다. 상기 메탈슬러그(600)에는 발광칩(200)이 실장되고, 상기 발광칩(200)은 상기 메탈슬러그(600)에 형성된 절연막 상에 실장된 리드(300)와 와이어(700)를 통해 연 결된다. The
상기 리드(300)는 그 일단부가 상기 발광칩(200)과 전기적으로 연결되고, 상기 기판(100)과 적어도 일부분이 접촉되는 기판 접촉부(310)와 상기 기판 접촉부(310)에서 연장되어 기판(100)에서 이격 형성된 방열부(320)를 더 포함한다.One end of the
상기 리드(300)의 방열부(320)는 그 선단부(321)가 상향하도록 연장 형성되되, 그 연장되는 방열부는 소정각도로 굴곡되는 형상으로 형성된다.The
여기서, 상기 리드(300)의 방열부(320)는 상기 리드(300)와 일체로 연장형성되어 폭방향 또는 방사방향으로 연장될 수 있고, 발광 다이오드의 사용목적 및 용도에 따라 조절할 수 있으나, 그 연장길이는 발광칩(200)이 실장되는 다이오드 패키지의 높이를 넘지 않게 연장 형성되고, 상기 방열부(320)의 폭 역시 패키지의 폭을 넘지 않게 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 리드(300)에서 연장되는 방열부(320)의 최대 높이는 몰딩부(400) 및 하우징(500)을 넘지 않는다. 본 실시예에서는 상기 방열부(320)의 크기는 최대 높이가 4mm 폭이 9mm 이내인 것이 바람직하다.Here, the
또한, 상기 리드(300)의 방열부(320)는 상기 기판(100)에 연결된 접촉부(310)에서 상기 기판(100)으로부터 이격되도록 소정각도 굴곡되어 연장형성되는데, 이때, 상기 접촉부(310)와 방열부(320) 사이에 형성되는 사이각은 상기 리드(300)에서 발산되는 열이 공기를 통한 열전달이 이루어져 효율적인 방열이 이루어지도록 조정하는 것이 좋다. 본 실시예에서는 상기 접촉부(310)에서 방열부(320)로 연장되어 형성되는 사이각이 45도~90도 범위 내에서 굴곡되어 형성되는 것이 바람직하다. In addition, the
도 4는 본 발명의 일변형예로 상기 기판 접촉부에서 연장되는 방열부가 일정 형상으로 굴곡되는 단면도를 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating a cross-sectional view of a heat dissipating part extending from the substrate contacting part in a predetermined shape according to one embodiment of the present invention.
도 4에서 도시된 바와 같이, 상기 리드(300)의 방열부(320)는 상기 기판(100)에 접촉된 상기 리드(300)의 접촉부(310)로부터 소정 각도로 경사지게 연장되는 경사부(322)와 상기 경사부(322)에서 수직으로 연장 형성된 수직 연장부(323)로 이루어질 수 있다. 즉, 상기 경사부(322)에 방열효과가 발생되는 동시에 상기 수직 연장부(323)에서 대류에 의한 열교환이 이루어지도록 한다. As shown in FIG. 4, the
도 5는 본 발명의 다른 변형예로 상기 방열부에 다수의 굴곡을 갖는 주름부를 형성된 방열부의 단면도를 나타낸 도면이다.FIG. 5 is a cross-sectional view of a heat dissipation unit in which a wrinkle part having a plurality of bends is formed in the heat dissipation unit according to another modification of the present invention.
도 5에서 도시된 바와 같이, 상기 리드(300)의 방열부(320)에는 주름부(324)가 형성 된다. 즉 상기 주름부(324)는 방열 표면적을 확대시키기 위한 것으로, 상기 접촉부(310)에서 연장형성되는 상기 리드(300)의 선단부(321)까지 다수개의 굴곡이 형성된다. As shown in FIG. 5, the
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 또 다른 변형예로 복수개의 방열돌기가 형성되는 방열부의 평면도를 나타낸 도면이다.6A to 6C are views illustrating a plan view of a heat dissipation unit in which a plurality of heat dissipation protrusions are formed as another modification of the present invention.
도 6a에서 도시된 바와 같이, 상기 방열부(320)의 선단부(321)를 따라 복수개의 방열돌기(325)가 형성될 수 있고, 도 6b에서 도시된 바와 같이, 상기 방열부(320)가 선단부(321)로 연장되는 측부에는 복수개로 분기되는 방열돌기(325)가 형성될 수 있고, 도 6c에서 도시된 바와 같이, 상기 방열부(320)의 가장자리 즉, 상기 선단부(321)와 측부에 복수개로 분기되는 방열돌기(325)가 형성될 수 있다. 이때, 상기 각각의 인접하는 방열돌기(325) 사이는 소정거리 이격 형성되고, 상기 방 열부(320)에서 분기되는 상기 방열돌기(325)의 개수와 형상은 어느 특정한 개수나 형상에 한정되지 않고 다양하게 변화될 수 있음은 물론이다.As shown in FIG. 6A, a plurality of
이와 같은 구성으로 이루어지는 본 발명의 리드는 상기 기판(100)과 접촉되어 방열시키는 열전도 효과 뿐만 아니라 상기 방열부(320)가 상기 기판(100)의 상부에 이격 형성되어 대류를 통한 열전달이 가능하여 방열효과를 극대화 시킬 수 있다. The lead of the present invention having such a configuration is not only a heat conduction effect that is in contact with the heat dissipating the
또한, 본 발명의 상기 리드와 방열부가 일체로 형성되어 별도의 방열을 위한 방열핀의 설치가 필요 없으므로, 상기 방열핀의 설치를 위한 성형시 이물질로 인한 열저항 요소가 발생되지 않게 된다. In addition, since the lead and the heat dissipation part of the present invention are integrally formed, it is not necessary to install a heat dissipation fin for separate heat dissipation, so that a heat resistance element is not generated due to a foreign material during molding for the installation of the heat dissipation fin.
또한, 본 발명은 방열을 위한 별도의 방열핀의 추가를 위한 부착작업 없이 주형에서 한 번에 방열부를 성형할 수 있어 다이오드 패키지의 열저항을 낮출 수 있다.In addition, the present invention can form the heat dissipation portion at a time in the mold without the attachment work for the addition of a separate heat dissipation fin for heat dissipation can lower the thermal resistance of the diode package.
본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명 하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 제공되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개량 및 변화 될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진자는 용이하게 알 수 있음을 밝혀 두고자 한다.While the invention has been shown and described with respect to specific embodiments thereof, it will be appreciated that the invention can be variously modified and modified without departing from the spirit or scope of the invention as provided by the following claims. It will be clear to those skilled in the art that they can easily know.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 리드를 통한 열 전달이 열 전도 뿐만 아니라, 대류 현상에 의해서도 방열효과가 이루어지도록 하여 발광칩의 온 도와 패키지의 열저항을 낮출 수 있는 이점이 있다.As described above, according to the present invention, there is an advantage that the heat transfer through the lead may not only heat conduction but also heat dissipation effect by convection, thereby lowering the temperature of the light emitting chip and the thermal resistance of the package.
또한, 본 발명은 리드의 방열 효율을 증대하여 발광칩에서 발산되는 열을 효과적으로 방출할 수 있고, 발광 다이오드에서 발생되는 열로 인한 스트레스를 줄일 수 있어 수명을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, the present invention can increase the heat dissipation efficiency of the lead to effectively dissipate heat emitted from the light emitting chip, it is possible to reduce the stress due to the heat generated from the light emitting diode has the advantage of improving the life.
또한, 본 발명은 별도의 외부 방열 장치 없이 패키지 내부에서 발광 칩의 열을 외부로 효과적으로 방출할 수 있는 이점이 있다. In addition, the present invention has the advantage that can effectively discharge the heat of the light emitting chip to the outside inside the package without a separate external heat dissipation device.
또한, 본 발명은 방열효과를 증대시키기 위한 별도의 방열핀의 추가가 필요하지 않으므로 그에 드는 비용의 절감할 수 있는 이점이 있다.In addition, the present invention does not require the addition of a separate heat sink fin to increase the heat dissipation effect has the advantage of reducing the cost.
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KR100937136B1 (en) * | 2007-12-24 | 2010-01-18 | (주)루미브라이트 | A light-emitting diode module with a lead frame comprising packages |
CN102456806A (en) * | 2010-10-26 | 2012-05-16 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Packaging structure of light emitting diode |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000183406A (en) | 1998-12-15 | 2000-06-30 | Matsushita Electric Works Ltd | Led |
JP2005116937A (en) | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
KR20050101737A (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-25 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting diode package |
KR20060014899A (en) * | 2004-08-12 | 2006-02-16 | 삼성전기주식회사 | Light emitting diode having multiple lenses |
KR20060033577A (en) * | 2004-10-15 | 2006-04-19 | 윤영노 | Led lamp having heat release structure |
-
2005
- 2005-06-30 KR KR1020050057891A patent/KR100679272B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000183406A (en) | 1998-12-15 | 2000-06-30 | Matsushita Electric Works Ltd | Led |
JP2005116937A (en) | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
KR20050101737A (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-25 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting diode package |
KR20060014899A (en) * | 2004-08-12 | 2006-02-16 | 삼성전기주식회사 | Light emitting diode having multiple lenses |
KR20060033577A (en) * | 2004-10-15 | 2006-04-19 | 윤영노 | Led lamp having heat release structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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