KR100675865B1 - 실리콘 조성물 및 이를 포함하는 감압 점착제 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 (A) 실리콘 하이드록시 검 100 중량부에 대하여; (B) HMQ 수지 100 내지 200 중량부; 및 (C) 백금족 유기금속계 착화합물 0.001 내지 10 중량부를 포함하는 실리콘 조성물 및 이를 포함하는 감압 점착제에 관한 것이다.
본 발명의 실리콘 조성물은 백금족 유기금속계 착화합물을 내열 증진제로 사용함으로써, 실리콘 하이드록시 검 및 HMQ 수지 간의 결합력을 높여 점착력 및 접착력이 우수하고, 내열성이 높은 용제형 실리콘 감압 점착제를 제공한다.
실리콘, 감압 점착제

Description

실리콘 조성물 및 이를 포함하는 감압 점착제{A silicon composition and a pressure sensitive adhensive containing the same}
본 발명은 (A) 실리콘 하이드록시 검 100 중량부에 대하여; (B) HMQ 수지 100 내지 200 중량부; 및 (C) 백금족 유기금속계 착화합물 0.001 내지 10 중량부를 포함하는 실리콘 조성물 및 이를 포함하는 감압 점착제에 관한 것이다.
감압 점착제(Pressure Sensitive Adhensive, PSA)란 약한 압력으로도 충분히 피착면에 접착시킬 수 있고, 이것을 탈착시킬 경우에도 피착면에 흔적을 남기지 않고 쉽게 탈착시킬 수 있으며, 점착성 및 점착 강도를 유지하여 재점착이 가능한 점착제 또는 접착제를 말한다.
실리콘 감압 점착제는 일반 유기계 감압 점착제에 비해 우수한 점착 및 응집 강도, 양호한 전기적 성질 및 우수한 내열 성질 등을 갖기 때문에 내열 보호용, PCB 보드 보호용, 핸드폰 KEY PAD 지지용 또는 LCD 보호 액정 필름용 등 그 사용 범위가 증가되고 있으며, 그 종류 또한 세분화되고 있다.
실리콘 감압 점착제를 제조하는데 유용한 축합형 실리콘 조성물은 당해 기술 분야에 공지되어 있다. 일반적으로, 폴리오르가노실록산, 오르가노폴리실록산 수지 및 첨가제를 함유하는 실리콘 조성물을 사용한다.
일반적으로, 실리콘 감압 점착제는 내열 테이프 또는 내열 마스킹 테이프 및 내열 기재에 많이 사용되며, 내화학성 마스킹 테이프 용도로도 사용된다. 이런 특징으로 인하여 에칭 또는 솔더링 공정 등 내열과 내화학성이 동시에 요구되는 전기·전자 공정에 적용된다. 감압 점착 테이프는 용제와 직접 접촉을 하거나 고온 하에서 공정을 진행하여 전자제품의 마스킹 역할을 하며, 공정 마감 후에 기재에 잔사없이 탈착되어 다음 공정이 진행되도록 한다. 만일 점착제가 기재로 전이되거나 남아 있는 경우 제품 불량에 중요한 요인이 된다. 실제 공정 라인의 작업 온도는 150 ~ 250℃ 정도이므로, 감압 점착제는 250℃ 이상에서도 충분히 열 안정성을 가져야 할 것이다. 그러나, 종래에 사용되던 실리콘 감압 점착제의 경우 내열도가 약 220℃ 정도에 지나지 않아, 내열성에 문제가 있었다. 또한, 이러한 낮은 내열도를 극복하기 위해 실란류나 페닐류의 내열 증진제가 사용된 바 있으나, 물성이 떨어지고 가격이 높아지는 문제가 있었다. 따라서, 이전에 제시되었던 실리콘 감압 점착제보다 열 안정성이 뛰어나고, 물성이나 비용면에서도 우수한 실리콘 감압 점착제에 대한 필요성이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 250℃ 이상의 고온에서도 내열성을 가지며, 종래에 비해 점착력 및 접착력이 우수한 실리콘 조성물 및 이를 포함하는 감압 점착제 를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 백금족 유기금속계 착화합물을 내열 증진제로 사용함으로써, 실리콘 하이드록시 검 및 HMQ 수지 간의 결합력을 높여 점착력 및 접착력이 우수하고, 내열성이 높은 실리콘 조성물 및 이를 포함하는 감압 점착제를 제공하고자 하였다.
본 발명은 (A) 실리콘 하이드록시 검 100 중량부에 대하여, (B) HMQ 수지 100 내지 200 중량부, 및 (C) 백금족 유기금속계 착화합물 0.001 내지 10 중량부를 포함하는 실리콘 조성물 및 이를 포함하는 감압 점착제에 관한 것이다.
보다 구체적으로, 본 발명은
(A) 25℃ 및 50% 상대습도에서 점도가 1,000,000 내지 100,000,000 cP이며, 분자량이 100,000 내지 900,000인 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 하이드록시 검 100 중량부에 대하여;
(B) 하기 화학식 2로 표시되는 HMQ 수지 100 내지 200 중량부; 및
(C) 백금족 금속과 [{R3R4SiO1 /2}m]n과의 착화합물 0.001 내지 10 중량부(여기에서, R3 및 R4는 각각 독립적으로 직쇄 알킬기 또는 알케닐기를 나타내고, m = 4이며, n = 4 또는 6이다)
를 포함하는 실리콘 조성물에 관한 것이다:
Figure 112005078608367-pat00001
Figure 112005078608367-pat00002
상기 식에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 하이드록시기, 알킬기, 알케닐기 또는 아릴기를 나타내고,
a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 10,000의 정수이며,
R은 하나 이상의 수소를 포함하는 1가 탄화수소 라디칼이고,
w 및 z>0이며, x 및 y≥0이고, w+x+y+z=1 이며, 0≤{(x+y)/2}＜0.1 이다.
본 발명의 실리콘 조성물에서 사용되는 성분 (A) 실리콘 하이드록시 검은 25 ℃ 및 50% 상대습도에서 점도가 1,000,000 내지 100,000,000 cP이며, 분자량이 100,000 내지 900,000이고, 2개 이상의 하이드록시기를 포함하는 고분자로서, 하기 화학식 1로 표현할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112005078608367-pat00003
상기 식에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 하이드록시기, 알킬기 또는 알케닐기, 또는 아릴기를 나타낸다.
바람직하게는 상기 알킬의 탄소수는 1 내지 20이고, 보다 바람직하게는 1 내지 6이며, 알케닐의 탄소수는 2 내지 20이고, 보다 바람직하게는 2 내지 6이며, 아릴의 탄소수는 6 내지 12이다.
본 발명의 실리콘 하이드록시 검 중의 R1 및 R2는 바람직하게는 각각 독립적으로 하이드록시기, 탄소수 1 내지 4의 저급 알킬기 또는 페닐기이며, 보다 바람직하게는 R1 및 R2는 각각 독립적으로 하이드록시기 또는 메틸기이다.
본 발명의 실리콘 하이드록시 검은 25℃ 및 50% 상대습도에서 점도가 1,000,000 내지 100,000,000 cP이며, 분자량이 100,000 내지 900,000이다.
실리콘 하이드록시 검의 점도가 1,000,000 cP미만일 경우 반응성 및 점착력 저하를 발생시키고, 점도가 100,000,000 cP를 초과할 경우 작업성이 현저히 떨어지며, 만족할만한 수준의 검 투입에 제약을 받게 되어 바람직하지 못하다. 바람직한 점도는 1,500,000 내지 70,000,000 cP이다.
또한, 실리콘 하이드록시 검의 분자량이 100,000 미만일 경우 반응에 참여하는 하이드록시의 양이 만족스럽지 못하고, 분자량이 900,000을 초과할 경우 반응 후에도 미 반응 하이드록시가 잔존하여 기재와 반응에 참여하게 되어 물성 저하가 유발되어 바람직하지 못하다. 바람직한 분자량은 300,000 내지 800,000이다.
본 발명의 실리콘 하이드록시 검 중의 하이드록시 그룹은 규소 원자에 결합하고 있는 전체 유기 그룹의 1 내지 3 몰%를 구성한다. 하이드록시 그룹이 규소 원자에 결합하고 있는 전체 유기 그룹의 1 몰% 미만인 경우 미경화가 발생 하고, 3 몰%를 초과하는 경우 하이드록시 그룹이 잔존하여 저장성을 비롯한 장기 물성에 바람직하지 못하다. 바람직하게는 1.2 몰% 내지 2.5 몰%인 것이 적당하다.
한편, MQ 수지는 오르가노폴리실록산 수지라 불리우는 고분자 중합체로서, 본질적으로 R3SiO1 /2 단위 (M 단위) 및 SiO4 /2 단위 (Q 단위)를 기본 구성으로 하고, R2SiO2/2 단위(D 단위) 및 R1SiO3 /2 단위(T 단위)를 일부분 포함할 수 있다.
본 발명의 실리콘 조성물에서 사용되는 성분 (B) HMQ 수지는 Si-H기를 포함 하며, 평균하여 수지분자의 20 몰% 미만으로 D 및 T 단위를 포함하는 MQ 수지를 말하며, 이는 하기 화학식 2로 표현할 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112005078608367-pat00004
상기 식에서,
R은 하나 이상의 수소를 포함하는 1가 탄화수소 라디칼이고,
w 및 z>0이며, x 및 y≥0이고, w+x+y+z=1 이며, 0≤{(x+y)/2}＜0.1 이다.
바람직하게는 상기 1가 탄화수소의 탄소수는 1 내지 20이다.
상기 1가 탄화수소 라디칼은 메틸, 에틸, 프로필 또는 펜틸 등으로 예시되는 탄소수 1 내지 12의 알킬 라디칼; 시클로 헥실로 예시되는 탄소수 3 내지 12의 시클로 지방족 라디칼; 페닐, 톨릴, 크실릴 또는 벤질 등으로 예시되는 6 내지 12 환 멤버의 방향족 라디칼이 있다.
상기 성분 (B)는 겔상크로마토그래피(GPC)로 측정한 수평균분자량 (Mn)이 일반적으로 3,000 내지 8,000 범위이고 중량평균분자량 (Mw)이 10,000 내지 30,000 범위이다. 수평균 분자량은 보다 바람직하게는 4,000 ~ 6,000 범위이다. HMQ 수지의 수평균 분자량이 3,000 미만일 경우 제품이 너무 딱딱하여 테이프(TAPE) 고유의 유연성을 내기 쉽지 않고, 분자량이 8,000을 초과할 경우 길이가 너무 길어 결합력이 저하되어 내열도 및 응집력에 상당한 물성 저하를 일으켜 바람직하지 못하다.
본 발명의 실리콘 HMQ 수지 중의 수소 원자는 규소 원자에 결합하고 있는 전체 유기 그룹의 1 내지 3 몰%를 구성한다. 수소 원자가 규소 원자에 결합하고 있는 전체 유기 그룹의 1 몰% 미만인 경우 미경화가 발생 하고, 3 몰%를 초과하는 경우 수소가 잔존하여 저장성을 비롯한 장기 물성에 바람직하지 못하다. 바람직하게는 1.2 몰% 내지 2.5 몰%인 것이 적당하다.
성분 (B) HMQ 수지는 성분 (A) 100 중량부에 대하여 100 내지 200 중량부로 사용되는 것이 바람직하다. HMQ 수지가 100 중량부 미만으로 사용되는 경우 미경화가 발생하여 바람직하지 못하고, 200 중량부를 초과하여 사용하는 경우 경화 후 도막이 딱딱해져 자연적으로 도막 균열이 생기므로 제품으로써 사용하기가 힘들다. 보다 바람직하게는 110 내지 145 중량부인 것이 적당하다.
본 발명의 실리콘 조성물에서 사용되는 성분 (C) 백금족 금속과 [{R3R4SiO1/2}m]n과의 착화합물(여기에서, R3 및 R4는 각각 독립적으로 직쇄 알킬기 또는 알케닐기를 나타내고, m = 4이며, n = 4 또는 6이다)은 내열 증진제로서, 성분 (A)와 성분 (B) 결합 사이에 충진되어 성분 (A)와 성분 (B)의 반응 후 감압점착제 의 유리전이 온도를 증가시키고 백금족 금속 고유의 내열도로 인해 감압점착제 자체의 내열도를 증진시키는 역할을 하고 있다.
백금족 금속과 [{R3R4SiO1 /2}m]n과의 착화합물에서, R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬, 탄소수 2 내지 20의 알케닐이 바람직하며, 보다 바람직하게는 에틸 또는 메틸과 같은 탄소수 1 내지 4의 저급 알킬 또는 에테닐과 같은 탄소수 2 내지 4의 저급 알케닐이다.
또한, 성분 (C) 백금족 금속과 [{R3R4SiO1 /2}m]n과의 착화합물에서 백금의 중량%는 1 내지 10 중량%인 것이 효율적이다. 백금량이 1 중량% 미만으로 사용시 내열 증진제로써 역할이 나타나지 않으며, 10 중량%를 초과할 때는 내열도는 어느 이상 증가하지 않으면서 오히려 기본 물성인 점착력과 접착력 물성이 저하되고, 가격이 상승하며, 백금족 착화합물의 저장성도 좋지 못하므로 바람직하지 않다.
본 발명에 있어서, 성분 (C) 내열 증진제의 양은 성분 (A) 100 중량부에 대하여 0.001 내지 10 중량부의 양을 사용하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.1 내지 9 중량부의 양을 사용하는 것이 적당하다. 0.001 중량부 미만의 양을 사용하거나 10 중량부를 초과하는 양을 사용할 경우 내열 증진 효과에 전혀 영향을 미치지 못하여 바람직하지 못하다.
또한, 본 발명의 실리콘 조성물은 성분 (A), (B), 및 (C)에 추가적으로, 조성물의 점도를 저하시키고 제조, 취급 및 도포를 용이하게 하기 위해 적당량의 용 매를 포함할 수 있다. 적절한 용매로는 톨루엔, 크실렌, 헵탄, 알코올, 에스테르, 케톤 및 이들 용매의 혼합물 등이 있다. 용매의 양은 성분 (A) 100 중량부에 대해 250 중량부 미만의 양을 사용하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 130 내지 240 중량부의 양을 사용하는 것이 적당하다. 250 중량부를 초과하는 양을 사용할 경우 박리력이 저하되어 바람직하지 않다.
또한, 본 발명은 상기 실리콘 조성물을 포함하는 감압 점착제에 관한 것이다.
이하, 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 그러나, 본 발명이 하기 실시예로 제한되는 것은 아니다.
실시예
본 실시예에서 달리 언급이 없는 경우 모든 백분율은 중량을 기준으로 한 것이며 모든 측정치는 25℃ 에서 얻었다.
HMQ 수지의 분자량 특성은 용매 톨루엔 중의 폴리디메틸실록산을 표준으로 하여 가스상크로마토그래피(GPC)로 측정하였다.
본 명세서에 나타낸 실리콘 조성물로부터 제조된 경화된 성형물의 점도, 접착력, 초기 점착력 측정은 다음과 같은 방법으로 측정하였다.
접착력
Mylar®폴리에스테르 필름에 2밀의 건조두께로 도포된 접착제의 6X1 인치 스트립을 100℃에서 2분, 180℃ 2분 경화 후 이를 표면이 깨끗한 2X6 인치 스테인레스 스틸 판넬에 4.5 lb. 의 고무피복 롤러로 두 번 밀어서 적용함으로써 측정하였다. 판넬에서 테이프를 제거하는데 필요한 힘을 인장 및 고속박리 시험기를 사용하여 판넬에 부착된 테이프를 박리각 180°에서 12 in/min의 속도로 측정하였다. 기록한 값은 샘플당 일정 구간 에서 잡아당기는 과정 동안 읽은 여러 값의 평균값이다. 측정값은 필름 두께당 떼어내는데 필요한 힘으로 gf/in 의 단위로 기록하였다.
내열도
폴리 이미드 필름에 2밀의 건조두께로 도포된 접착제의 6X1 인치 스트립을 100℃ 2분, 180℃에서 2분 동안 경화시킨 후 이를 표면이 깨끗한 2X6 인치 스테인레스 스틸 판넬에 4.5 lb. 의 고무피복 롤러로 두 번 밀어서 적용하였다. 고온 오븐에 10분간 밀착한 판넬을 방치 후 전이 상태를 측정하였다.
점도
브룩필드 회전디스크 점도계를 사용하여 25℃ 및 50% 상대습도에서 센티포이즈(cP)로 측정하였다.
비휘발분 함량
알루미늄 시료컵에 접착제 시료 2g을 담아 150℃ 오븐에서 1시간 가열하고 잔류물의 중량을 원시료 중량의 백분율로서 나타냄으로써 측정하였다.
본 실시예에서 사용된 재료는 별도로 명시하지 않는 한 다음과 같다.
성분 (A) 실리콘 하이드록시 검: 1-3 몰%의 하이드록시기를 함유하고 25℃에서 약 70,000,000 센티포이즈의 점도를 갖는 폴리디메틸실록산.
성분 (B) HMQ 수지: 디메틸클로로실란과 수용성 실리카 졸을 미합중국 특허 제 3,627,851호에 개시된 방법에 따라 축합시킴으로써 제조된, 몰비 M:Q가 0.8:1.0 이고 0.2 몰%의 수소기를 함유하고, GPC로 측정할 때 분자량 특성이 Mn 4,300, Mw 13,000, Mw/Mn 3.02인, 벤젠에 가용성인 실록산 수지.
성분 (C) 백금족 유기금속계 착화합물: 백금 약 3.5 중량%를 함유하는 1,3-디에테닐-1,1,3,3,-테트라메틸디실록산의 백금착체.
[실시예 1]
실리콘 하이드록시 검 유체 100 중량부에 HMQ 수지 150 중량부 및 크실렌 120 중량부를 혼입하여 균일상이 되도록 혼합했다. 내열 증진제로서 백금족 유기금속계 착화합물 0.05 중량부를 첨가하여 감압 점착제(PSA)를 제조했다. 이 100 중량부에 경화촉매 벤질퍼옥사이드(순도 98%) 1 중량부를 투입했다.
결과로서, 비휘발분 55%, 점도 27,000 cP인 실리콘 감압 접착제가 제조되었다. 실리콘 PSA를 폴리이미드 필름에 2밀의 건조두께가 되도록 도포한 후, 100℃ 오븐에서 2분, 180℃ 오븐에서 2분간 가열경화하여 성형시켰다. 경화된 성형물에 대한 접착력, 초기점착력, 내열도에 대해 시험했다. 측정결과는 표 1과 같다.
[실시예 2]
실리콘 하이드록시 검 유체 100중량부에 HMQ 수지 140 중량부, 크실렌 200 중량부를 혼입하여 균일상이 되도록 혼합했다. 내열 증진제로서 백금족 유기금속계 착화합물 8 중량부을 첨가하여 PSA를 제조했다. 이 100 중량부에 경화촉매 벤질퍼옥사이드(98%) 1 중량부를 투입했다.
결과로서, 비휘발분 56%, 점도 28,200 cP인 실리콘 접착제가 제조되었다. 실리콘 PSA를 폴리이미드 필름에 2밀의 건조두께가 되도록 도포한 후, 100℃ 오븐에서 2분, 180℃ 오븐에서 2분간 가열경화하여 성형시켰다. 경화된 성형물에 대한 접착력, 초기점착력, 내열도에 대해 시험했다. 측정결과는 표 1과 같다.
[비교예 1]
실리콘 하이드록시 검 유체 100중량부에 HMQ 수지 150중량부, 크실렌 100중량부를 혼입하여 균일상이 되도록 혼합하여 PSA를 제조했다. 이 100 중량부에 경 화촉매 벤질퍼옥사이드(98%) 1 중량부를 투입했다.
결과로서, 비휘발분 55%, 점도 27,000 cP인 실리콘 점착제가 제조되었다. 실리콘 PSA를 폴리이미드 필름에 2밀의 건조두께가 되도록 도포한 후, 100℃ 오븐에서 2분, 180℃ 오븐에서 2분간 가열경화하여 성형시켰다. 경화된 성형물에 대한 접착력, 초기점착력, 내열도에 대해 시험했다. 측정결과는 표 1과 같다.
[비교예 2]
실리콘 하이드록시 검 유체 100중량부에 HMQ 수지 200중량부, 크실렌 200중량부를 혼입하여 균일상이 되도록 혼합하여 PSA를 제조했다. 이 100 중량부에 경화촉매 벤질퍼옥사이드 (98%) 1 중량부를 투입했다.
결과로서, 비휘발분 60%, 점도 31,500 cP인 실리콘 접착제가 제조되었다. 실리콘 PSA를 폴리이미드 필름에 2밀의 건조두께가 되도록 도포한 후, 100℃ 오븐에서 2분, 180℃ 오븐에서 2분간 가열경화하여 성형시켰다. 경화된 성형물에 대한 접착력, 초기점착력, 내열도에 대해 시험했다. 측정결과는 표 1과 같다.
[비교예 3]
실리콘 하이드록시 검 유체 100중량부에 HMQ 수지 150중량부, 자일렌 120 중량부, 내열 증진제로서 백금족 유기금속계 착화합물 20중량부를 혼입하여 PSA를 제조하였다. 혼입하여 균일상이 되도록 혼합하여 PSA를 제조했다. 이 100 중량부에 경화촉매 벤질퍼옥사이드(98%) 1 중량부를 투입했다.
결과로서, 비휘발분 60%, 점도 26,200 cP인 실리콘 접착제가 제조되었다. 실리콘 PSA를 폴리이미드 필름에 2밀의 건조두께가 되도록 도포한 후, 100℃ 오븐에서 2분, 180℃ 오븐에서 2분간 가열경화하여 성형시켰다. 경화된 성형물에 대한 접착력, 초기점착력, 내열도에 대해 시험했다. 측정결과는 표 1에 나타낸다.
[표 1]
Figure 112005078608367-pat00005
표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 백금족 금속과 [{R3R4SiO1 /2}m]n과의 착화합물을 사용한 제품의 경우 내열도가 탁월하게 우수하다. 특히 백금족 금속과 [{R3R4SiO1/2}m]n과의 착화합물은 내열도 외의 다른 물성에는 전혀 영향을 미치지 않아 내열 첨가제로서 우수함을 알 수 있다. 다만, 비교예 3을 보면 알 수 있는 바 와 같이 내열 증진제의 과량 사용은 감압점착제의 중요한 물성인 점착력과 접착력을 저하시키므로, 적절한 양의 내열 증진제를 사용할 필요가 있다.
본 발명의 실리콘 조성물은 백금족 유기금속계 착화합물을 내열 증진제로 사용함으로써, 실리콘 하이드록시 검 및 HMQ 수지 간의 결합력을 높여 점착력 및 접착력이 우수하고, 내열성이 높은 실리콘 조성물 및 이를 포함하는 감압 점착제를 제공한다.

Claims (4)

  1. (A) 25℃ 및 50% 상대습도에서 점도가 1,000,000 내지 100,000,000 cP이며, 분자량이 100,000 내지 900,000인 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 하이드록시 검 100 중량부에 대하여;
    (B) 하기 화학식 2로 표시되는 HMQ 수지 100 내지 200 중량부; 및
    (C) 백금족 금속과 [{R3R4SiO1 /2}m]n과의 착화합물 0.001 내지 10 중량부(여기에서, R3 및 R4는 각각 독립적으로 직쇄 알킬기 또는 알케닐기를 나타내고, m = 4이며, n = 4 또는 6이다)
    를 포함하는 실리콘 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112005078608367-pat00006
    [화학식 2]
    Figure 112005078608367-pat00007
    상기 식에서,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 하이드록시기, 알킬기, 알케닐기, 또는 아릴기를 나타내고,
    a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 10,000의 정수이며,
    R은 하나 이상의 수소를 포함하는 1가 탄화수소 라디칼이고,
    w 및 z>0이며, x 및 y≥0이고, w+x+y+z=1 이며, 0≤{(x+y)/2}<1 이다.
  2. 제1항에 있어서, 실리콘 하이드록시 검 중의 하이드록시 그룹이 규소원자에 결합하고 있는 전체 유기 그룹의 1 내지 3 몰%인 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, HMQ 수지 중의 수소 원자는 규소 원자에 결합하고 있는 전체 유기 그룹의 1 내지 3 몰%인 것을 특징으로 하는 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 포함하는 실리콘 감압 점 착제 조성물.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4370358A (en) 1980-09-22 1983-01-25 General Electric Company Ultraviolet curable silicone adhesives
JPH07133432A (ja) * 1993-11-08 1995-05-23 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 導電性シリコーンゴム組成物

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