KR100675222B1 - 발광 다이오드 소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 발광 다이오드 소자에 관한 것으로서, 한 쌍의 리드 단자로 형성된 리드프레임과, 상기 리드프레임의 일부가 내측에 수용되도록 합성수지재로 형성된 패키지와, 상기 패키지 내부의 리드프레임 상에 실장된 LED 칩과, 상기 패키지 내부에 충진되어 상기 LED 칩을 보호하는 몰딩재와, 상기 패키지 외부표면에 코팅된 외부 반사부재 및 상기 패키지와 상기 코팅된 외부 반사부재 사이의 계면에 형성된 제1 보호막을 포함하는 발광 다이오드 소자를 제공한다.

이에 따라, 본 발명은 패키지 외부표면에 코팅된 외부 반사부재를 통해 패키지로 흡수 또는 산란되어 소멸되는 광을 확보할 수 있어 광효율을 향상시키는 동시에 패키지와 외부 반사부재 사이에 형성된 제1 보호막에 의해 패키지 외부로 노출된 리드프레임 즉, 리드 단자와 외부 반사부재가 직접 연결되어 전기적인 단락 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

발광다이오드, 반사부재, 광효율, 방열, 단락

Description

발광 다이오드 소자{Light Emitting Diode Device}

도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 나타낸 개략도.

도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 종래 기술에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 나타낸 단면도.

도 4는 도 3의 III-III'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도.

도 5a 및 도 5b는 도 1과 도 3에 나타낸 발광 다이오드 소자를 각각 시뮬레이션하여 나타낸 온도분포도.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 나타낸 단면도.

도 7은 도 6의 VI-VI'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도.

도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 나타낸 단면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10 : 인쇄회로기판 20 : 패키지

30 : 외부 반사부재 35 : 내부 반사부재

40 : 방사창 50 : 리드 단자

51 : 리드프레임 60 : LED 칩

70 : 와이어 80 : 몰딩재

91 : 제1 보호막 92 : 제2 보호막

본 발명은 발광 다이오드 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속재질의 반사부재를 통해 발광 다이오드의 광효율과 방열 효과를 향상시키는 동시에 외부 반사부재에 의한 전기적인 단락 현상을 방지할 수 있는 발광 다이오드 소자에 관한 것이다.

발광 다이오드(Light Emitting Diode, 이하, LED라 한다)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로서, 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.

최근 LED 소자는 비약적인 반도체 기술의 발전에 힘입어, 저휘도의 범용제품에서 탈피하여, 고휘도, 고품질의 제품 생산이 가능해졌다. 또한, 고특성의 청색(blue)과 백색(white) 다이오드의 구현이 현실화됨에 따라서, LED는 디스플레이, 차세대 조명원 등으로 그 응용가치가 확대되고 있다. 일예로서, 표면실장(Surface mounting device) 형태의 LED 소자가 제품화되고 있다.

그러면, 이하 도 1 및 도 2를 참조하여 종래 기술에 따른 표면실장형 LED 소자에 대하여 상세히 설명하기로 한다.

우선, 도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 나타낸 개략도로서, 종래 기술에 따른 표면실장형 LED 패키지는 몰딩 에폭시 수지로 이루어진 패키지(20)를 가지며, 상기 패키지(20)의 소정면은 빛이 방사되기 용이하도록 오픈된 방사창(40)이 형성되고, 다른 면에는 인쇄회로기판(10)에 장착되도록 리드프레임을 형성하는 한쌍의 리드 단자(50)가 돌출되어 있다. 또한, 상기와 같이 구성된 패키지(20)의 내부에는 LED 칩(도시하지 않음)이 그 발광면이 상기 방사창(40)을 향하도록 배치되며, 와이어(도시하지 않음)에 의해 상기 리드 단자(50)와 LED 칩이 연결되어 있다.

도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 종래 기술에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도이다.

도 2에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 따른 표면실장형 LED 패키지는 한쌍의 리드 단자(도 1의 50 참조)로 형성된 리드프레임(51)과, 상기 리드프레임(51)의 일부를 내측에 수용하도록 합성수지재로 형성된 패키지(20)와, 상기 패키지(20) 내부의 리드프레임(51) 상에 실장된 LED 칩(60)과, 상기 패키지(20) 내부에 충진되어 LED 칩(60)을 보호하는 몰딩재(80)로 이루어진다.

한편, 일반적으로 LED 칩의 특성을 결정하는 일반적인 기준은 색(color), 휘 도, 휘도의 세기 범위등이며, 이러한 LED 칩의 특성은 1차적으로 LED 칩에 사용되는 화합물 반도체의 재료에 의해 결정되지만, 부수적으로 LED 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 영향을 받는다. 특히, 이러한 LED 패키지의 구조는 휘도와 휘도의 각 분포에 큰 영향을 미치게 된다.

그런데, 상술한 종래의 표면실장형 LED 패키지는 그 구조에 따라 넓은 휘도 분포를 갖을 뿐만 아니라, LED 칩을 패키지 내에 실장하고 있기 때문에 패키지 내부의 흡수, 산란에 의하여 LED 칩 상태에서 발광하는 광도에 비하여 패키지 내에 실장된 후에 발광하는 광도가 낮아져 광효율이 떨어지게 되는 문제가 있다.

따라서, 몰딩수지류를 이용하는 표면실장형 LED 패키지의 경우에, 패키지 내부의 흡수 및 산란을 최소화하여 LED 칩의 발광 광도를 증가시키기 위하여 실장영역의 측면에 일정한 반사각 구조로 형성하여 금속을 도금하는 방식으로 내부 반사부재를 추가하거나 LED 칩이 실장된 LED 패키지의 외부표면에 금속을 도금하는 방식으로 외부 반사부재를 추가하는 방법 등이 연구 개발되고 있다.

이에 따라, 미국 특허 공개 2003-1166호 공보에는 LED 칩을 실장하고 있는 패키지의 외부표면에 패키지 내부로 흡수 및 산란되는 광을 반사시키기 위한 외부 반사 부재를 구비하고 있는 발광 다이오드를 개재하고 있다.

그런데, 상기 미국 특허 공개 2003-1166호 공보에 개재된 기술에서는 패키지의 외부표면에 반사부재를 구비함으로써, 패키지 내부로 흡수되거나 산란되어 소멸되는 광을 확보하여 광효율 및 방열 효과를 증가시킬 수 있다는 이점은 있으나, 반사부재로 반사율이 높은 Ag 등과 같은 금속을 사용하고 있기 때문에, 반사부재가 LED 칩이 실장된 패키지를 인쇄회로기판에 장착하기 위해 패키지의 외부로 돌출되어 있는 전극과 직접적으로 연결되어 전기적으로 단락(short)되는 문제가 있다.

또한, 상기와 같이 패키지 외부표면에 금속으로 이루어진 외부 반사부재가 존재할 경우에는, 공급전류가 아닌 그 외의 불필요한 외부 전류가 외부 반사부재로 유입되어 발광 다이오드의 특성을 저하시키는 문제가 있다

따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 패키지 내부의 흡수 및 산란을 최소화하여 발광 다이오드의 광효율과 방열 효과를 향상시키는 동시에 외부 반사부재에 의한 전기적인 단락 현상 및 공급전류 이외의 외부 전류 유입을 방지할 수 있는 발광 다이오드 소자를 제공하는데 있다.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 한 쌍의 리드 단자로 형성된 리드프레임과, 상기 리드프레임의 일부가 내측에 수용되도록 합성수지재로 형성된 패키지와, 상기 패키지 내부의 리드프레임 상에 실장된 LED 칩과, 상기 패키지 내부에 충진되어 상기 LED 칩을 보호하는 몰딩재와, 상기 패키지 외부표면에 코팅된 외부 반사부재 및 상기 패키지와 상기 코팅된 외부 반사부재 사이의 계면에 형성된 제1 보호막을 포함하는 발광 다이오드 소자를 제공한다.

여기서, 상기 패키지는 패키지의 외부표면이 외부 반사부재에 의해 코팅되어 있기 때문에 투명 합성수지재 또는 불투명 합성수지재 둘 중 어느 것을 이용하여 형성하더라도 소자의 특성 및 신뢰성에 영향을 미치지 않는다.

또한, 상기 외부 반사부재는 반사율이 높은 금속 또는 세라믹으로 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 상기 몰딩재는 투명 에폭시로 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 상기 외부 반사부재의 최외각 표면에 형성된 제2 보호막을 더 포함하는 것이 바람직하며, 이는 외부 반사부재를 통해 공급전류 이외의 불필요한 외부 전류가 발광 다이오드 소자로 유입되어 소자의 신뢰성을 저하시키는 것을 방지하기 위함이다.

또한, 상기 제1 및 제2 보호막은 전기적인 단락 및 불필요한 외부 전류의 유입을 방지하기 위한 것이기 때문에 절연물로 형성되는 바람직하며, 절연물로는 예를 들어, SiO₂, SiN, Al₂O₃ 그룹에서 선택된 어느 하나를 이용한다.

또한, 상기 제1 및 제2 보호막은 이-빔(E-beam) 또는 스퍼터(sputter) 방법을 통해 형성되는 것이 바람직하며, 이는 전기적인 단락 및 불필요한 외부 전류의 유입을 방지하기 위한 것으로 제1 및 제2 보호막의 전체적인 두께를 균일하게 형성하기 위함이다.

또한, 상기 LED 칩이 실장된 패키지의 내부표면에 코팅된 내부 반사부재를 더 포함하는 것이 바람직하며, 상기 내부 반사부재는 반사율이 높은 금속 또는 세라믹으로 이루어지는 것이 바람직하다.

이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하였다.

이제 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 소자에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.

먼저, 도 3과 4를 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 소자에 대하여 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 나타낸 단면도이고, 도 4는 도 3의 III-III'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도이다.

도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면실장형 LED 패키지는 투명 합성수지재 또는 불투명 합성수지재 둘 중 어느 하나로 이루어진 패키지(20)를 가지며, 상기 패키지(20)의 소정면은 빛이 방사되기 용이하도록 오픈된 방사창(40)이 형성되고, 다른 면에는 인쇄회로기판(도시하지 않음)에 장착되도록 리드프레임(51)을 형성하는 한쌍의 리드 단자(50)의 일부분이 돌출되어 있다. 이때, 상기 패키지는 패키지의 외부표면이 후술하는 외부 반사부재(30)에 의해 코팅되어 있기 때문에 투명 합성수지재 또는 불투명 합성수지재 둘 중 어느 것을 이용하여 형성하더라도 소자의 특성 및 신뢰성에 영향을 미치지 않는다.

그리고, 상기와 같이 구성된 패키지(20)의 내부에는 LED 칩(60)이 그 발광면이 상기 방사창(40)을 향하도록 배치되며, 와이어(70)에 의해 상기 리드 단자(50)와 LED 칩(60)이 연결되어 있다.

상기 LED 칩(60)은 리드프레임(51) 상에 실장되어 있으며, 상기 LED 칩(60)이 실장된 패키지(20) 내부에는 LED 칩(60)을 보호하는 몰딩재(80)가 충진되어 있다.

또한, 상기 패키지(20)의 외부표면에는 외부 반사부재(30)가 형성되어 있으며, 이는 반사율이 높은 금속 또는 세라믹으로 형성되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 본 발명에 따른 표면실장형 LED 패키지는 상기 외부 반사부재(30)를 통해 LED 칩(60)에서 발광하는 광 중 패키지(20) 내부로 흡수 및 산란되는 광을 방사창(40) 방향으로 다시 반사시킴으로써, 발광 다이오드 소자의 광효율을 증가시킬 뿐만 아니라, LED 칩(60)에서 발생하는 열을 효율적으로 방출시킬 수 있어 방열 효과 또한 향상시킬 수 있다.

특히, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면실장형 LED 패키지는 상기 패키지(20)의 외부표면과 외부 반사부재(30) 사이의 계면에 절연물로 이루어진 제1 보호막(91)을 구비하고 있다.

보다 상세하게, 상기 제1 보호막(91)은, 금속 또는 세라믹으로 이루어진 외부 반사부재(30)와 패키지(20)의 외부로 돌출되어 있는 리드 단자(50)가 직접적으 로 연결되어 단락되는 현상을 방지하기 위하여 SiO₂, SiN, Al₂O₃ 등과 같은 절연물로 이루어지며, 전체적으로 균일한 두께를 가지는 것이 바람직하다.

따라서, 상기 제1 보호막(91)은 전체적으로 균일한 두께를 가지게 하기 위하여 이-빔(E-beam) 또는 스퍼터(sputter) 방법을 사용하여 수Å~수㎛로 형성되나, 이는 상기 제1 보호막(91)은 외부 반사부재(30)와 리드 단자(50)의 단락을 방지하는 역할만을 하기 때문에 전체적으로 균일한 두께를 가지고 있기만 하다면, 반드시 상기 수치에 한정되지는 않는다.

다만, 상기 제1 보호막(91)의 두께는 균일하기만 하면 한정할 필요가 없으나, 상기 외부 반사부재(30)의 두께는 두께가 증가할수록 휘도가 향상될 뿐만 아니라 방열 효과 또한 향상되기 때문에 수Å이상의 두께를 가지는 것이 바람직하며, 더욱 구체적으로 본 발명의 실시예에서는 1000Å 이상의 두께를 가지고 있다.

도 5a 및 도 5b는 도 1 및 도 3에 나타낸 발광 다이오드 소자를 각각 시뮬레이션하여 나타낸 온도분포도로서, 즉, 외부 반사부재를 구비하고 있지 않은 발광 다이오드 소자와 외부 반사부재를 구비하고 있는 발광 소자의 온도분포를 시뮬레이션한 결과도이다.

이는 발광 다이오드 소자에 외부 반사부재를 구비하고 있을 경우, 외부 반사부재를 구비하지 않은 경우에 비하여 LED 칩에서의 최대온도가 약 10% 정도 낮은 것을 알 수 있다(도 5a 및 도 5b 참조). 특히, 외부 반사부재를 구비한 경우의 발광 다이오드 소자의 온도 하강은 LED 패키지가 PCB에 실장될 경우 열전도가 증가하 므로 더욱 효과적이다.

그러면, 다음으로, 도 6 및 도 7을 참고로, 본 발명의 제2 실시예에 대해 설명하기로 한다. 다만, 제2 실시예의 구성 중 제1 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 제2 실시예에서 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 나타낸 단면도이고, 도 7은 도 6의 VI-VI'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도이다.

도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 소자는 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 소자와 대부분의 구성이 동일하고, 다만, 상기 패키지(20) 외부표면에 형성된 외부 반사부재(30)의 표면 중 제1 보호막(91)이 형성되지 않은 다른 면에 절연물로 형성된 제2 보호막(92)을 더 포함한다는 점에서만 제1 실시예와 다르다.

이때, 상기 제2 보호막(92)은, 본 발명의 제1 실시에에 따른 제1 보호막(91)과 마찬가지로, 금속 또는 세라믹으로 이루어진 외부 반사부재(30)에 공급전류 이외의 불필요한 외부전류가 유입되는 것을 방지하는 역할을 하기 때문에 SiO₂, SiN, Al₂O₃ 등과 같은 절연물을 통해 전체적으로 균일한 두께를 가지게 형성되어 있는 것이 바람직하다.

따라서, 마찬가지로 상기 제2 보호막(92)은 전체적으로 균일한 두께를 가지 게 하기 위하여 이-빔(E-beam) 또는 스퍼터(sputter) 방법을 사용하여 수Å~수㎛로 형성되어 있으나, 이는 제2 보호막(92)이 외부 반사부재(30)로 공급전류 이외의 외부전류가 유입되는 것을 방지하는 역할만 하기 때문에 전체적으로 균일한 두께를 가지고 있기만 한다면 한정되지 않는다.

이러한 제2 실시예는 제1 실시예에서와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있을 뿐 아니라, 제1 실시예에 비하여 제2 보호막(92)를 더 포함하고 있기 때문에 제2 보호막(92)에 의해 외부 반사부재(30)로 불필요한 외부전류가 유입되는 것을 방지할 수 있어 발광 다이오드 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다는 점에서 제1 실시예보다 더욱 우수한 효과를 얻을 수 있다.

이하, 도 8을 참고로, 본 발명의 제3 실시예에 대해 설명하기로 한다. 다만, 제3 실시예의 구성 중 제1 실시예 및 제2 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 제3 실시예에서 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.

도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 구조를 나타낸 단면도이다.

도 8에 도시한 바와 같이, 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 소자는 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 소자와 대부분의 구성이 동일하고, 다만, 상기 패키지(20) 내부표면의 측벽에 형성된 내부 반사부재(35)를 더 포함한다는 점에서만 제2 실시예와 다르다. 이때, 상기 내부 반사부재(35)는 반사율이 높은 금속 또는 세라믹으로 형성되는 것이 바람직하다.

즉, 제2 실시예는 패키지의 외부표면에만 반사부재를 구비하고 있는 것을 예시한 것이며, 제3 실시예는 패키지의 외부 및 내부표면 양쪽에 반사부재를 각각 구비하고 있는 것을 예시한 것으로, 제3 실시예는 제2 실시예에서와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 패키지의 내부표면의 측벽에 형성된 내부 반사부재를 통해 LED 칩에서 발생한 광이 패키지로 흡수 및 산란되어 소멸되는 것을 제2 실시예에 비해 더욱 완전하게 방지할 수 있어 발광 다이오드 소자의 광효율을 더욱 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

상기한 바와 같이, 본 발명은 패키지의 외부표면 또는 외부 및 내부표면에 반사율이 높은 금속 또는 세라믹으로 이루어진 외부 반사부재를 구비하여 LED 칩에서 발광하는 광이 패키지로 흡수 및 산란되어 소멸되는 것을 방지하여 발광 다이오드의 광효율과 방열 효과를 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명은 패키지의 외부표면과 외부 반사부재 사이 계면에 절연물로 형성된 보호막을 구비하여 패키지의 외부표면으로 돌출된 리드 단자와 외부 반사부재가 직접 연결되어 전기적으로 단락되는 현상을 방지할 수 있다.

또한, 본 발명은 패키지의 외부 반사부재의 외측에 절연물로 형성된 보호막을 더 구비하여 공급전류가 아닌 그 외의 불필요한 외부전류가 외부 반사부재로 유입되는 것을 안전하게 방지할 수 있다.

따라서, 본 발명은 발광 다이오드 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (12)

1. 한 쌍의 리드 단자로 형성된 리드프레임;

   상기 리드프레임의 일부가 내측에 수용되도록 합성수지재로 형성된 패키지;

   상기 패키지 내부의 리드프레임 상에 실장된 LED 칩;

   상기 패키지 내부에 충진되어 상기 LED 칩을 보호하는 몰딩재;

   상기 패키지 외부표면에 코팅된 외부 반사부재; 및

   상기 패키지와 상기 코팅된 외부 반사부재 사이의 계면에 형성되고, 절연물로 이루어진 제1 보호막을 포함하는 발광 다이오드 소자.
2. 제1항에 있어서,

   상기 패키지는 투명 합성수지재 또는 불투명 합성수지재로 형성됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자.
3. 제1항에 있어서,

   상기 몰딩재는 투명 에폭시로 이루어짐을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자.
4. 삭제
5. 제1항에 있어서,

   상기 제1 보호막은 SiO₂, SiN, Al₂O₃로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 막으로 형성됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자.
6. 제1항에 있어서,

   상기 제1 보호막은 이-빔(E-beam) 또는 스퍼터(sputter) 방법으로 형성됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자.
7. 제1항에 있어서,

   상기 외부 반사부재는 금속 또는 세라믹으로 이루어짐을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자.
8. 제1항에 있어서,

   상기 외부 반사부재의 최외각 표면에 형성된 제2 보호막을 더 포함하는 발광 다이오드 소자.
9. 제8항에 있어서,

   상기 제2 보호막은 SiO₂, SiN, Al₂O₃로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 의 막으로 형성됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자.
10. 제8항 또는 제9항에 있어서,

    상기 제2 보호막은 이-빔(E-beam) 또는 스퍼터(sputter) 방법으로 형성됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자.
11. 제1항에 있어서,

    상기 LED 칩이 실장된 패키지의 내부표면에 코팅된 내부 반사부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자.
12. 제11항에 있어서,

    상기 내부 반사부재는 금속 또는 세라믹으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자.

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