KR100674830B1 - Multilayered chip capacitor array - Google Patents
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Abstract
본 발명은 적층형 캐패시터에 관한 것으로서, 복수개의 유전체층이 적층되어 형성된 캐패시터 본체와, 상기 복수개의 유전체층 상에 각각 형성되며, 일 유전체층을 사이에 두고 대향하도록 교대로 배치된 배치된 복수쌍의 제1 및 제2 내부전극과, 상기 캐패시터 본체의 상면 및 하면 중 적어도 한면에 형성된 적어도 하나의 제1 외부단자과 복수개의 제2 외부단자와, 상기 캐패시터 본체의 적층방향으로 형성되어 상기 제1 외부단자와 상기 제2 외부단자에 각각 연결된 적어도 하나의 제1 도전성 비아홀과 복수개의 제2 도전성 비아홀을 포함하며, 상기 적어도 하나의 제1 도전성 비아홀은 상기 제1 내부전극에 접속되고, 상기 제2 내부전극과는 전기적으로 절연되며, 상기 복수개의 제2 도전성 비아홀은 적어도 하나의 제2 도전성 비아홀을 포함한 k개(k≥2)의 그룹으로 구분되고, 상기 제2 내부전극은 적어도 하나의 제2 내부전극을 포함한 k개의 그룹으로 구분되며, 상기 각 그룹의 제2 도전성 비아홀은 상기 각 그룹의 제2 내부전극에 접속되고 다른 그룹의 제2 내부전극 및 상기 제1 내부전극과는 전기적으로 절연되는 것을 특징으로 하는 적층형 캐패시터 어레이를 제공한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a stacked capacitor, comprising: a capacitor body formed by stacking a plurality of dielectric layers; A second internal electrode, at least one first external terminal and a plurality of second external terminals formed on at least one of an upper surface and a lower surface of the capacitor body, and formed in a stacking direction of the capacitor body to form the first external terminal and the first And at least one first conductive via hole and a plurality of second conductive via holes respectively connected to the second external terminal, wherein the at least one first conductive via hole is connected to the first internal electrode, and electrically connected to the second internal electrode. And the plurality of second conductive via holes include k (k ≧ 2) including at least one second conductive via hole. The second internal electrode is divided into k groups including at least one second internal electrode, and the second conductive via hole of each group is connected to the second internal electrode of each group, and A stacked capacitor array is electrically isolated from a second internal electrode and the first internal electrode.
적층형 캐패시터(Multi-Layered Chip Capacitor), 등가직렬인덕턴스(ESL), 디커플링 캐패시터(decoupling capacitor)Multi-Layered Chip Capacitors, Equivalent Series Inductance (ESL), Decoupling Capacitors
Description
도1a 및 도1b는 각각 종래의 일예에 따른 적층형 캐패시터 어레이를 나타내는 분해사시도 및 개략사시도이다.1A and 1B are exploded and schematic perspective views showing a stacked capacitor array according to a conventional example, respectively.
도2a 및 도2b는 본 발명의 일실시형태에 따른 적층형 캐패시터 어레이의 개략사시도 및 측단면도이다.2A and 2B are schematic perspective and side cross-sectional views of a stacked capacitor array in accordance with one embodiment of the present invention.
도3a 내지 도3c는 각각 도2b에 도시된 적층형 캐패시터 어레이에 채용된 각 유전체층의 내부전극 및 도전성 비아홀의 배치를 나타낸다.3A to 3C show the arrangement of the inner electrode and the conductive via hole of each dielectric layer employed in the stacked capacitor array shown in FIG. 2B, respectively.
도4a 및 도4b는 본 발명에 따른 적층형 캐패시터 어레이에서 ESL저감효과를 설명하기 위한 개략도이다.4A and 4B are schematic diagrams for explaining an ESL reduction effect in a stacked capacitor array according to the present invention.
도5a 내지 도5c는 각각 본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층형 캐패시터 어레이를 나타내는 상부 평면도 및 단면도이다.5A to 5C are top plan views and cross-sectional views, respectively, of a stacked capacitor array according to another embodiment of the present invention.
도6a 및 도6b는 각각 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 적층형 캐패시터 어레이를 나타내는 상부 평면도 및 단면도이다.6A and 6B are top plan views and cross-sectional views respectively illustrating stacked capacitor arrays according to still another embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명><Code Description of Main Parts of Drawing>
20: 적층형 캐패시터 어레이 21: 캐패시터 본체20: stacked capacitor array 21: capacitor body
22a,22b: 제2 내부전극 23a,23b22a, 22b: second
24a,24b: 제2 도전성 비아홀 25: 제1 도전성 비아홀24a and 24b: second conductive via holes 25: first conductive via holes
26a,26b: 제1 외부단자 27: 제1 외부단자26a, 26b: first external terminal 27: first external terminal
본 발명은 적층형 캐패시터에 관한 것으로서, 보다 상세하게 복수개의 캐패시터가 하나의 칩으로 구현되며, 적층형 캐패시터에 관한 것이다.The present invention relates to a stacked capacitor, and more particularly, a plurality of capacitors are implemented as one chip, and more particularly, to a stacked capacitor.
일반적으로, 적층형 캐패시터(MLCC)는 복수개의 유전체층 사이에 내부전극이 삽입된 구조를 갖는다. 이러한 MLCC는 소형이면서도 고용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점으로 인하여 다양한 전자장치의 부품으로서 널리 사용된다.In general, the stacked capacitor MLCC has a structure in which an internal electrode is inserted between a plurality of dielectric layers. These MLCCs are widely used as components of various electronics because of their small size, high capacity, and easy mounting.
최근에는 부품을 소형화하는 동시에 용이한 실장공정을 위해서, 동일하거나 상이한 정전용량을 갖는 2개이상의 캐패시터를 하나의 칩으로 구현한 적층형 캐패시터 어레이가 요구되고 있다. Recently, in order to miniaturize components and to easily mount, there is a need for a stacked capacitor array in which two or more capacitors having the same or different capacitances are implemented in one chip.
도1a 및 도1b는 각각 종래의 일예에 따른 적층형 캐패시터 어레이를 나타내는 분해사시도 및 개략사시도이다.1A and 1B are exploded and schematic perspective views showing a stacked capacitor array according to a conventional example, respectively.
도1a의 분해사시도를 참조하면, 복수의 유전체층(11a,11b) 각각에 2개의 제1 내부전극(12a,12b)과 2개의 제2 내부전극(13a,13b)이 형성된다. 상기 제1 및 제2 내부전극(12a,12b,13a,13b)는 일변으로부터 인출된 리드(14a,14b,15a,15b)를 갖는다. 도1a에 도시된 제1 및 제2 내부전극(12a,12b,13a,13b)이 형성된 유전체층 (11a,11b)은 적층되어 도1b와 같이 캐패시터본체(11)를 형성한다. 또한, 도1b와 같이, 각 리드(14a,14b,15a,15b)에 연결된 외부단자(16a,16b,17a,17b)를 형성하여 적층형 캐패시터(10)로 완성된다.Referring to the exploded perspective view of FIG. 1A, two first
이와 같은 구조에서, 일측의 제1 및 제2 내부전극(12a,13a)과 다른 측의 제1 및 제2 내부전극(12b,13b)은 독립적인 캐패시터를 작용한다. 도1a 및 도1b에 설명된 종래의 적층형 캐패시터 어레이(10)는 다른 캐패시터를 수평적 배열로 구성함으로써, 3개 또는 그 이상의 캐패시터를 구성할 때에 소형화가 어렵다는 단점이 있다. In such a structure, the first and second
또한, 종래의 적층형 캐패시터 어레이(10)는 등가직렬인덕턴스(ESL)가 비교적 크므로, 특히 LSI 등의 전원회로에서 반도체칩과 전원 사이에 접속된 디커플링 캐패시터로서는 적절치 않다는 문제가 있다.In addition, the conventional stacked
일반적인 등가직렬인덕턴스를 저감시키는 방안으로서, 미국특허 5,880,925에는 리드를 복수개로 인출하여 다른 극성의 리드가 교차하도록 배열하는구조가 제안되고 있으나, 수평적으로 복수개의 내부전극을 배열하는 종래의 적층형 캐패시터 어레이에 채용되기에는 적합하지 않다. 즉, 도1a에도시된 적층형 캐패시터 어레이에서 일 내부전극의 한변에서 리드를 2배로 증가시키는 경우에, 캐패시터의 갯수에 따라 그 곱으로 리드 수가 증가하므로, 제한된 공간에서 충분한 ESL 저감을 위해 리드를 증가시키는 것은 어렵다는 구조적인 문제가 있다.As a method of reducing a general equivalent series inductance, a structure in which a plurality of leads are drawn out and arranged so that leads of different polarities cross each other is disclosed in US Patent 5,880,925, but a conventional stacked capacitor array in which a plurality of internal electrodes are arranged horizontally Not suitable for adoption. In other words, when the lead is doubled on one side of one internal electrode in the stacked capacitor array shown in FIG. 1A, the lead number is increased by the product according to the number of capacitors, so that the lead is increased for sufficient ESL reduction in a limited space. There is a structural problem that makes it difficult.
따라서, 종래의 적층형 캐패시터 어레이는 구조적인 한계로 인해 소형화가 어려울 뿐만 아니라, ESL를 감소시키기 위한 리드구조를 변경하는데 한계가 있다는 단점이 있다.Therefore, the conventional stacked capacitor array has a disadvantage in that it is difficult to miniaturize due to structural limitations, and there is a limit in changing a lead structure for reducing ESL.
본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 적층방향으로 형성된 도전성 비아홀과 캐패시터본체의 상면 또는 하면에 마련된 외부단자를 이용하여 복수개의 캐패시터를 구성하고, 나아가 각 도전성 비아홀의 위치를 적절히 배치시킴으로써 ESL저감효과를 향상시킬 수 있는 적층형 캐패시터 어레이를 제공하는데 있다.
The present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, the object is to configure a plurality of capacitors using the conductive via hole formed in the stacking direction and the external terminal provided on the upper or lower surface of the capacitor body, and further, each conductive via hole The present invention provides a stacked capacitor array capable of improving the ESL reduction effect by properly disposing the position.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명은In order to achieve the above technical problem, the present invention
복수개의 유전체층이 적층되어 형성된 캐패시터 본체와, 상기 복수개의 유전체층 상에 각각 형성되며, 일 유전체층을 사이에 두고 대향하도록 교대로 배치된 배치된 복수쌍의 제1 및 제2 내부전극과, 상기 캐패시터 본체의 상면 및 하면 중 적어도 한면에 형성된 적어도 하나의 제1 외부단자과 복수개의 제2 외부단자와, 상기 캐패시터 본체의 적층방향으로 형성되어 상기 제1 외부단자와 상기 제2 외부단자에 각각 연결된 적어도 하나의 제1 도전성 비아홀과 복수개의 제2 도전성 비아홀을 포함하며, 상기 적어도 하나의 제1 도전성 비아홀은 상기 제1 내부전극에 접속되고, 상기 제2 내부전극과는 전기적으로 절연되며, 상기 복수개의 제2 도전성 비 아홀은 적어도 하나의 제2 도전성 비아홀을 포함한 k개(k≥2)의 그룹으로 구분되고, 상기 제2 내부전극은 적어도 하나의 제2 내부전극을 포함한 k개의 그룹으로 구분되며, 상기 각 그룹의 제2 도전성 비아홀은 상기 각 그룹의 제2 내부전극에 접속되고 다른 그룹의 제2 내부전극 및 상기 제1 내부전극과는 전기적으로 절연되는 것을 특징으로 하는 적층형 캐패시터 어레이를 제공한다.A capacitor body formed by stacking a plurality of dielectric layers, a plurality of pairs of first and second internal electrodes formed on the plurality of dielectric layers and alternately disposed to face each other with one dielectric layer interposed therebetween, and the capacitor body At least one first external terminal and a plurality of second external terminals formed on at least one of an upper surface and a lower surface of the at least one surface, and at least one connected to the first external terminal and the second external terminal in a stacking direction of the capacitor body And a first conductive via hole and a plurality of second conductive via holes, wherein the at least one first conductive via hole is connected to the first internal electrode, is electrically insulated from the second internal electrode, and the plurality of second conductive via holes. The conductive via hole is divided into k (k≥2) groups including at least one second conductive via hole, and the second internal electrode is red. FIG. 5 is divided into k groups including one second internal electrode, and the second conductive via holes of each group are connected to the second internal electrodes of the respective groups, and the second internal electrodes and the first internal electrodes of the other groups. Provides a stacked capacitor array, which is electrically insulated.
바람직하게, 상기 제1 및 제2 도전성 비아홀은 각각에 연결된 내부전극에 흐르는 전류에 의해 유도되는 자계가 서로 상쇄되도록 배치되어 ESL를 저감시킬 수 있다. Preferably, the first and second conductive via holes may be disposed such that magnetic fields induced by currents flowing through the internal electrodes connected to each other cancel each other, thereby reducing ESL.
ESL저감을 위한 바람직한 실시형태에서는, 특정의 제1 도전성 비아홀에 인접한 각 그룹의 제2 도전성 비아홀은 상기 특정의 제1 도전성 비아홀과 동일한 간격으로 배열된다.In a preferred embodiment for reducing ESL, the second conductive via holes of each group adjacent to the particular first conductive via holes are arranged at the same interval as the particular first conductive via holes.
또한, 상기 제1 도전성 비아홀은 복수개일 수 있으며, 이 경우에, 상기 제1 및 제2 도전성 비아홀을 거의 정사각형의 각 코너위치에 배열하는 것이 ESL개선측면에서 바람직하다. 특히, 본 실시형태에서, 상기 제1 도전성 비아홀을 상기 코너 중 대각선 방향으로 대향하는 두 코너에 배치하고, 다른 그룹의 제2 도전성 비아홀을 각각 나머지 두 코너에 배열하는 것이 보다 바람직하다.In addition, the first conductive via hole may be plural, and in this case, it is preferable to arrange the first and second conductive via holes at respective corner positions of substantially square, in terms of improving ESL. In particular, in this embodiment, it is more preferable to arrange | position the said 1st conductive via hole in the two opposite corners diagonally among the said corners, and arrange | positioning another group of 2nd conductive via holes in the other two corners, respectively.
실시형태에 따라, 상기 각 그룹의 제2 내부전극이 서로 중복되지 않도록 일 그룹의 제2 도전성 비아홀에 연결된 제2 내부전극은 다른 그룹의 제2 도전성 비아 홀과 연결되지 않고 전기적으로 절연되도록 설치될 수 있다. 이와 달리, 상기 각 그룹의 제2 내부전극은 적어도 하나의 내부전극이 적어도 2개의 그룹에 중복될 수도 있다. According to an embodiment, the second internal electrodes connected to the second conductive via holes of one group may be installed to be electrically insulated without being connected to the second conductive via holes of the other group so that the second internal electrodes of each group do not overlap each other. Can be. Alternatively, at least one internal electrode may overlap at least two groups in the second internal electrode of each group.
또한, 상기 각 그룹의 제2 내부전극은 동일한 수로 하여 각 캐패시터부가 동일한 정전용량값을 갖도록 설계할 수 있으며, 이와 달리, 상기 적어도 한 그룹의 제2 내부전극의 수는 다른 그룹의 제2 내부전극의 수와 달리하여, 적어도 하나의 캐패시터부가 다른 정전용량을 갖도록 설계할 수 있다. 이와 유사하게, 적어도 일 그룹의 제2 도전성 비아홀의 수를 다른 그룹의 제2 도전성 비아홀의 수와 달리할 수 있다.In addition, the second internal electrodes of each group may be the same number, and each capacitor may be designed to have the same capacitance value. Alternatively, the number of the second internal electrodes of the at least one group may be the second internal electrode of the other group. In contrast to the number of, at least one capacitor portion can be designed to have different capacitance. Similarly, the number of at least one group of second conductive via holes may be different from the number of other groups of second conductive via holes.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.
도2a 및 도2b는 본 발명의 일실시형태에 따른 적층형 캐패시터 어레이의 개략사시도 및 측단면도이다. 본 실시형태는 동일한 정전용량을 갖는 2개의 캐패시터를 포함한 적층형 캐패시터 어레이를 예시한다.2A and 2B are schematic perspective and side cross-sectional views of a stacked capacitor array in accordance with one embodiment of the present invention. This embodiment illustrates a stacked capacitor array comprising two capacitors having the same capacitance.
도2a를 참조하면, 본 실시형태에 따른 적층형 캐패시터 어레이(20)는 캐패시터본체(21)를 포함하며, 그 상면에 제1 외부단자(27)와 두 그룹의 제2 외부단자(26a,26b)를 형성된다. 상기 제1 외부단자(27)는 (-)극성에 연결되어 2개의 캐패시터에 의해 공유되며, 일 그룹의 제2 외부단자(26a)는 일 캐패시터의 (+)극 단자로 제공되며, 다른 그룹의 제2 외부단자(26b)는 다른 캐패시터의 (+)극 단자로 제공될 수 있다. 도2a에서는 캐패시터 본체의 상면이 도시되어 있으나, 그 하면에 상면에 대응하는 외부단자(26a,26b,27)가 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2A, the
본 실시형태에서, 상기 제1 및 제2 외부단자(27,26a,26b)와 내부전극(25,24)의 연결은 도2b와 같이 수직방향으로 형성된 도전성 비아홀(25,24a,24b)에 의해 구현된다. 도2b는 도2a의 적층형 캐패시터 어레이(20)를 A-A'를 따라 절개한 단면도로 이해할 수 있을 것이다.In the present embodiment, the first and second
도2b에 도시된 바와 같이, 상기 적층형 캐패시터 어레이(20)의 본체(21)는 복수개의 유전체층(21a-21e)을 적층하여 이루어지며, 상기 유전체층(21a-21e)에는 제1 및 제2 내부전극(25,24a,24b)이 하나의 유전체층을 사이에 두고 서로 대향하도록 교대로 배치된다. As shown in FIG. 2B, the
또한, 상기 제1 도전성 비아홀(25)은 상기 2개의 제1 내부전극(22a,22b)에 접속되어 상기 제1 외부단자(27)와 상기 제1 내부전극(22a,22b)을 전기적으로 연결시킨다. 하지만, 상기 제1 도전성 비아홀(25)은 2개의 제2 내부전극(23a,23b)과는 오픈영역을 통해 전기적으로 절연된다. In addition, the first conductive via
하나의 제2 도전성 비아홀(24a)은 C로 표시된 바와 같이 하나의 제2 내부전극(22a)에 접속되어 상기 제2 내부전극(22a)을 상기 제2 외부단자(26a)와 전기적으로 연결시키며, 상기 제1 내부전극(23a,23b)과 다른 제2 내부전극(22b)과는 O로 표시된 바와 같이 오픈영역을 통해 전기적으로 절연된다. 이와 유사하게, 다른 하나 의 제2 도전성 비아홀(24b)은 다른 하나의 제2 내부전극(22b)에 접속되어 그 제2 내부전극(22b)을 상기 제2 외부단자(26b)와 전기적으로 연결시키며, 상기 제1 내부전극(23a,23b)과 다른 제2 내부전극(22a)과는 오픈영역을 통해 전기적으로 절연된다.One second conductive via
도2b에서는 A-A'방향에 따른 가장 앞열의 외부단자에 연결된 도전성 비아홀과 그를 통한 내부전극과의 연결구조를 설명하였으나, 이와 유사하게, 다른 열의 외부단자도 도전성 비아홀을 이용한 내부전극과의 연결구조를 갖는다.In FIG. 2B, the connection structure of the conductive via hole connected to the outermost terminal of the front row along the A-A 'direction and the internal electrode therethrough has been described. Similarly, the connection of the outer terminal of the other row to the inner electrode using the conductive via hole is similar. Has a structure.
즉, 상기 제1 외부단자(27)에는 도2b에 도시된 제1 도전성 비아홀(25)과 같이 제1 내부전극(23a,23b)에 연결되면서 제2 내부전극(22a,22b)과는 전기적으로 분리된 구조를 가지며, 상기 제1 (+)극성에 관련된 제2 외부단자(26a)와 제2 (+)극성에 관련된 제2 외부단자(26b)는 각각 가장 아래의 제2 내부전극(22a) 또는 다른 제2 내부전극(22b)에만 전기적으로 연결되도록 형성된다. That is, the first
도2b에 도시된 연결구조는 도3a 내지 도3c를 참조하여 보다 상세히 설명될 수 있다.The connection structure shown in FIG. 2B can be described in more detail with reference to FIGS. 3A to 3C.
도3a 내지 도3c는 각각 도2b에 도시된 적층형 캐패시터 어레이(20)에 채용된 각 유전체층(21a,21b,21c,21d)의 내부전극(22a,22b,23a,23b) 및 도전성 비아홀(24a,24b,25)의 배치를 나타낸다.3A to 3C show
도3a를 참조하면, 도2b의 제1 유전체층(21a) 상부에 형성된 제2 내부전극 (22a)이 도시되어 있다. 도시된 바와 같이, 상기 제2 내부전극(22a)에는 제1 (+)극성에 관련된 제2 도전성 비아홀(24a)만이 접속되며, 제1 도전성 비아홀(25)과 다른 제2 도전성 비아홀(24b)은 오픈영역에 의해 전기적으로 분리되어 있다. Referring to FIG. 3A, a second
도3b과 같이, 제3 유전체층(21c) 상부에 형성된 제2 내부전극(22b)에는, 제2 (+)극성에 관련된 제2 도전성 비아홀(24b)만이 접속되며, 제1 도전성 비아홀(25)과 다른 제2 도전성 비아홀(24a)은 오픈영역에 의해 전기적으로 분리되어 있다. As shown in FIG. 3B, only the second conductive via
또한, 제2 유전체층(21b) 및 제4 유전체층(21c) 상에 형성된 제1 내부전극(23a,23b)은 도3c에 도시된 바와 같이, (-)극성에 관련된 제1 도전성 비아홀(25)과 접속되고, 모든 제2 도전성 비아홀(24a,24b)과는 전기적으로 분리된다. In addition, the first
본 실시형태에서 예시된 배열구조는 내부전극에 흐르는 전류에 의해 유도되는 자계가 서로 상쇄시키는 유리하다. 즉, 도3a 내지 도3b에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 도전성 비아홀(25,24a,24b)은 거의 정사각형의 각 코너에 위치하도록 연속적으로 배열되며, 나아가 상기 제1 도전성 비아홀(25)을 상기 코너 중 대각선 방향으로 대향하는 두 코너에 배치하고, 다른 그룹(제1 (+)극성과 제2 (+)극성과 관련된)의 제2 도전성 비아홀(24a,24b)을 각각 나머지 두 코너에 배치한다. 이와 같이, 서로 반대인 극성과 관련된 제1 및 제2 도전성 비아홀(26과 24a,24b)을 인접하게 규칙적으로 배열함으로써 화살표로 표시된 바와 같이 대응하는 제1 및 제2 내부전극(22a,23a,22b,23b)에서 전류방향이 반대로 형성할 수 있다. 따라서, 발생되는 자계를 효과적으로 상쇄시켜 ESL를 크게 저감시킬 수 있다.The arrangement illustrated in this embodiment is advantageous in that the magnetic fields induced by the current flowing through the internal electrodes cancel each other out. That is, as shown in FIGS. 3A to 3B, the first and second conductive via
도4a 및 도4b는 본 발명에 따른 적층형 캐패시터 어레이에서 ESL저감효과를 설명하기 위한 개략도이다.4A and 4B are schematic diagrams for explaining an ESL reduction effect in a stacked capacitor array according to the present invention.
도2b에 도시된 적층형 캐패시터 어레이에서, 제1 외부단자(27)와 제1 (+)극성에 관련된 제2 외부단자(26a)에 전압을 인가할 때에, 도4a와 같이 상기 제2 외부단자(26a)에 연결된 제2 도전성 비아홀(24a)과 그와 인접한 제1 도전성 비아홀(25)에서는 서로 반대되는 자속이 발생되어 서로 상쇄될 수 있다. 또한, 제1 외부단자(27)와 제2 (+)극성에 관련된 제2 외부단자(26b)에 전압을 인가할 때에도, 도4b와 같이 상기 제2 외부단자(26b)에 연결된 제2 도전성 비아홀(24b)과 그와 인접한 제1 도전성 비아홀(25)에서는 서로 반대되는 자속이 발생되어 상쇄된다.In the stacked capacitor array shown in FIG. 2B, when a voltage is applied to the first
이와 같이, 본 발명에 따른 도전성 비아홀(24a,24b,25)을 통한 수직연결구조에서는 인접한 서로 반대되는 극성과 관련된 도전성 비아홀 사이에서 자계를 감소시켜 ESL를 크게 저감시킬 수 있다. As described above, in the vertical connection structure through the conductive via
본 발명에서의 ESL저감효과를 보다 향상시키기 위해서, 특정의 제1 도전성 비아홀에 인접한 각 그룹의 제2 도전성 비아홀을 상기 특정의 제1 도전성 비아홀과 동일한 간격으로 배열하는 것이 바람직하지만, 다른 측면에서는 외부단자와 외부회로의 연결을 용이하도록 도전성 비아홀의 배열구조를 변경할 수도 있다. 이러한 실시형태는 도5a 내지 도5c에 예시되어 있다.In order to further improve the ESL reduction effect in the present invention, it is preferable to arrange the second conductive via holes of each group adjacent to the specific first conductive via holes at the same interval as the specific first conductive via holes, but from the outside, The arrangement structure of the conductive via hole may be changed to facilitate the connection of the terminal and the external circuit. Such an embodiment is illustrated in FIGS. 5A-5C.
도5a 내지 도5c는 각각 본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층형 캐패시터 어레이(50)를 나타내는 상부 평면도 및 단면도이다.5A to 5C are top plan views and cross-sectional views, respectively, of a stacked
도5a를 참조하면, 캐패시터 본체(51)의 상면에는 (-)극성과 관련된 제1 외부단자(57)와 제1 (+)극성에 관련된 제2 외부단자(56a) 및 제2 (+)극성에 관련된 제2 외부단자(56b)가 형성되어 있다. 상기 제1 외부단자(57)는 일측에 두 열로 8개가 배열되며, 나머지 두 열에는 상기 제2 외부단자(56a,56b)가 그룹별로 구분되어 정방형으로 4개씩 배열되어 있다. Referring to FIG. 5A, the upper surface of the
도5b는 도5a에서 B-B'로 절개한 단면도이다. 도5b를 참조하면, 상기 제1 외부단자(57)와 연결된 제1 도전성 비아홀(55)과, 상기 제1 (+)극성에 관련된 제2 외부단자(56a)와 연결된 제2 도전성 비아홀(54a)이 제1 및 제2 내부전극(52a,52b,53a,53b)과 연결구조가 도시되어 있다. FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 5A. Referring to FIG. 5B, a first conductive via
상기 제1 도전성 비아홀(55)은 상기 2개의 제1 내부전극(53a,53b)에 접속되어 상기 제1 외부단자(57)와 상기 제1 내부전극(53a,53b)을 전기적으로 연결되며, 2개의 제2 내부전극(52a,52b)과는 오픈영역을 통해 전기적으로 절연된다. 또한, 상기 제2 도전성 비아홀(54a)은 하나의 제2 내부전극(52a)에 접속되어 상기 제2 내부전극(52a)을 상기 제2 외부단자(56)에 전기적으로 연결시키며, 상기 제1 내부전극(53)과 다른 제2 내부전극(52b)과는 오픈영역을 통해 전기적으로 절연된다. The first conductive via
또한, 도5c는 도5a에서 C-C'로 절개한 단면도이다. 도5c를 참조하면, 상기 제1 외부단자(57)과 연결된 제1 도전성 비아홀(55)과, 상기 제2 (+)극성에 관련된 제2 외부단자(56a)와 연결된 제2 도전성 비아홀(54b)이 제1 및 제2 내부전극(52a,52b,53a,53b)과 연결구조가 도시되어 있다. 5C is a cross-sectional view taken along line C-C 'in FIG. 5A. 5C, a first conductive via
상기 제2 도전성 비아홀(54b)은 도5b와 동일하게 상기 2개의 제1 내부전극(53a,53b)에 접속되어 상기 제1 외부단자(57)와 상기 제1 내부전극(53a,53b)을 전기적으로 연결되며, 2개의 제2 내부전극(52a,52b)과는 오픈영역을 통해 전기적으로 절연된다. 상기 제2 도전성 비아홀(54b)은 하나의 제2 내부전극(52b)에 접속되어 상기 제2 내부전극(52b)을 상기 제2 외부단자(56b)와 전기적으로 연결시키며, 상기 제1 내부전극(53a,53b)과 다른 제2 내부전극(52a)과는 오픈영역을 통해 전기적으로 절연된다. As shown in FIG. 5B, the second conductive via
본 실시형태에서는 제1 외부단자(57)와 제2 외부단자(56a,56b) 중 다른 극성끼리 인접한 중앙의 2열에 한하여 ESL저감효과를 기대하는 제한은 있으나, 단자배열이 단순화되어 실장에 용이한 잇점이 있을 수 있다.In the present embodiment, the ESL reduction effect is expected to be limited to only two rows in which the other polarities of the first
상술된 실시형태에서는 상기 제1 및 제2 도전성 비아홀은 복수개이며, 동일한 수인 실시형태를 예시하고 있으나, 이는 설명의 편의를 위한 것으로서 상기 제1 도전성 비아홀은 공유될 수 있는 극성이므로 하나만을 채용할 수도 있다. In the above-described embodiment, the first and second conductive via holes are plural in number, and the same number of embodiments are exemplified. However, this is for convenience of description and only one of the first conductive via holes may be shared. have.
또한, 2개의 캐패시터를 갖는 적층형 캐패시터 어레이만을 도시하여 설명하였으나, 3개 또는 그 이상의 캐패시터도 구현될 수 있다. 이 경우에, 복수개의 제2 도전성 비아홀과 복수개의 제2 내부전극을 캐패시터 수에 동일한 수의 그룹으로 구분하여 앞서 설명된 연결구조를 구현함으로써 제조될 수 있다. In addition, although only a stacked capacitor array having two capacitors is illustrated and described, three or more capacitors may also be implemented. In this case, the plurality of second conductive via holes and the plurality of second internal electrodes may be manufactured by dividing the plurality of capacitors into the same number of groups to implement the connection structure described above.
도6a 및 도6b는 각각 본 발명의 또 다른 실시형태로서, 3개의 캐패시터를 갖는 적층형 캐패시터 어레이(60)를 나타내는 상부 평면도 및 단면도이다. 본 적층형 캐패시터 어레이(60)는 (-)극성을 공유하며, (+)극성에 대해서만 분리되어 연결되어 3개의 캐패시터를 구성한 형태를 예시한다.6A and 6B are top plan views and cross-sectional views respectively illustrating a stacked
도6a를 참조하면, 캐패시터 본체(61)의 상면(또는 하면일 수 있음)에 (-)극성과 관련된 제1 외부단자(67)와 (+)극성에 관련된 제2 외부단자(66a,66b,66c)가 형성되어 있으며, 상기 (+)극성에 관련된 제2 외부단자는 각각 제1 내지 제3 (+)극성에 관련된 제2 외부단자(66a,66b,66c)로 구분된다.Referring to FIG. 6A, the first
또한, 본 실시형태의 외부단자 배열구조는 다른 극성((+),(-))의 외부단자가 동일한 극성의 외부단자에 비해 인접하도록 (+)극성의 외부단자를 정사각형의 코너위치에 배열하며 그 중앙에 (-)극성의 외부단자가 위치하도록 배치된 형태를 갖는다. In addition, the external terminal arrangement structure of the present embodiment arranges the external polarities of the positive polarities at the corners of the square so that the external terminals of the different polarities ((+), (-)) are adjacent to the external terminals of the same polarity. It is arranged so that the negative terminal of the negative polarity is located at the center thereof.
도6b는 도6a에서 D-D'로 절개한 단면도이다. 도6b를 참조하면, 상기 제1 외부단자(67)와 연결된 제1 도전성 비아홀(65)과, 각각 상기 제1 내지 제3 (+)극성에 관련된 제2 외부단자(66a,66b,66c)와 연결된 제2 도전성 비아홀(64a,64b,64c)의 연결구조가 도시되어 있다. FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line D-D 'in FIG. 6A. Referring to FIG. 6B, a first conductive via
상기 제1 도전성 비아홀(65)은 상기 3개의 제1 내부전극(63a,63b,63c)에 접속되어 상기 제1 외부단자(67)와 상기 제1 내부전극(63a,63b,63c)을 전기적으로 연 결되며, 3개의 제2 내부전극(62a,62b,62c)과는 오픈영역을 통해 전기적으로 절연된다. The first conductive via
상기 제1 내지 제3 극성에 관련된 제2 도전성 비아홀(64a,64b,64c)은 각각 하나의 제2 내부전극(62a,62b 또는 62c)에 접속되고, 상기 제1 내부전극(63a,63b,63c)과 다른 2개의 제2 내부전극(62b,62c;62a,62c 또는 62a,62b)과는 오픈영역을 통해 전기적으로 절연된다. Second conductive via
또한, 본 실시형태와 같이, 제3 (+)극성에 관련된 제2 도전성 비아홀(64c)은 다른 (+)극성에 관련된 제2 도전성 비아홀(64a,64b)보다 많은 수를 가질 수 있다. 상기 제3 (+)극성과 관련된 제2 도전성 비아홀(64c)은 다른 제2 도전성 비아홀(64a 또는 64b)에 각각 연결된 내부전극(62a 또는 62b)의 수과 동일한 개수의 제2 내부전극(62c)과 연결되지만, 멀리 이격된 양측에 동시에 연결되므로 보다 큰 정전용량값을 보장할 수 있다. In addition, as in the present embodiment, the second conductive via
이와 유사한 방식으로, 일 그룹의 (+)극성에 관련된 제2 도전성 비아홀과 연결되는 제2 내부전극을 다른 내부전극의 수와 달리하여 다른 정전용량을 갖도록 구현할 수 있다. 또한, 제2 내부전극은 제2 도전성 비아홀의 그룹과 대응하게 중복되지 않은 실시형태로 예시하였으나, 제2 내부전극 중 적어도 하나를 다른 그룹의 (+)극성과 관련된 제2 도전성 비아홀에도 연결하여 다양한 캐패시터 어레이 구조를 구현할 수 있다.In a similar manner, a second internal electrode connected to a second conductive via hole related to a group of (+) polarities may be implemented to have a different capacitance by varying the number of other internal electrodes. In addition, although the second internal electrode is illustrated as an embodiment not correspondingly overlapping with the group of the second conductive via holes, the second internal electrode may be connected to the second conductive via hole related to the positive polarity of the other group. Capacitor array structures can be implemented.
또한, 상기 제1 및 제2 외부단자는 각각 제1 및 제2 도전성 비아홀 수에 대 응하는 수로 형성되어 있으나, 동일한 극성과 동일한 그룹의 외부단자는 서로 연결되어 부분적으로 일체화될 수도 있다. 예를 들어, 도3a의 경우에는 사선방향으로 도전물질을 추가적으로 인쇄하여 동일극성과 동일한 그룹의 외부단자끼리 연결시킬 수 있으며, 도6의 경우에는 행방향으로 도전물질을 추가적으로 인쇄하여 외부단자를 그룹별로 연결시킬 수 있다.In addition, the first and second external terminals are formed to correspond to the number of the first and second conductive via holes, respectively, but external terminals of the same polarity and the same group may be connected to each other and partially integrated. For example, in FIG. 3A, the conductive material may be additionally printed in the diagonal direction to connect the external terminals of the same group with the same polarity. In FIG. 6, the external terminal may be additionally printed by additionally printing the conductive material in the row direction. You can connect it very much.
상술한 실시형태 및 첨부된 도면은 바람직한 실시형태의 예시에 불과하며, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 또한, 본 발명은 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.The above-described embodiments and the accompanying drawings are merely illustrative of preferred embodiments, and the present invention is intended to be limited by the appended claims. In addition, it will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be substituted, modified, and changed in various forms without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 적층형 캐패시터 어레이는 복수의 캐패시터를 수평적으로 배열하지 않고, 도전성 비아홀을 통해 수직연결구조를 채용함으로써 보다 소형화에 유리한 구조를 가질 수 있을 뿐만 아니라, 도전성 비아홀의 배열구조를 통해 ESL를 효과적으로 감소시킬 수 있다.As described above, the stacked capacitor array according to the present invention may not only arrange a plurality of capacitors horizontally, but also have a structure that is advantageous for miniaturization by adopting a vertical connection structure through conductive via holes, and also arrange conductive via holes. The structure can effectively reduce the ESL.
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Patent Citations (2)
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KR20010049257A (en) * | 1999-11-19 | 2001-06-15 | 무라타 야스타카 | Multi-layer Capacitor, Wiring Substrate, Decoupling Circuit and High Frequency Circuit |
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