KR100666649B1 - 유기전계발광표시장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기전계발광표시장치의 면취 공정을 진행할 때 발생되는 기판의 날카로운 절단면을 레이저로 라운딩 처리하여 유기전계발광표시장치의 액티브 영역을 더 효율적으로 보호하기 위한 것으로, 기판 상에 복수의 트랜지스터와 한개 이상의 캐패시터 및 제 1 전극층을 형성하는 단계; 상기 기판을 분할하여 복수의 분할된 기판을 마련하는 단계; 상기 분할된 기판의 절단면을 레이저를 조사하여 라운딩 처리하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
유기전계발광표시장치, 절단, 레이저, 라운딩 처리

Description

유기전계발광표시장치의 제조방법{the Fabrication Method of Organic Light Emitting display}
도 1 및 도 2 는 본 발명의 일실시 예에 의한 유기전계발광표시장치의 공정 사시도.
본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 특히 기판 상에 복수의 트랜지스터와 한개 이상의 캐패시터 및 제 1 전극층을 형성한 후, 기판을 분할하여 유기전계발광소자의 나머지 공정을 진행하여 생산 효율을 증가시킨 유기전계발광표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
종래의 유기전계발광표시장치의 면취 방법은 기판 상에 복수의 트랜지스터와 한개 이상의 캐패시터 및 제 1 전극층을 형성한 후, 기판을 분할하여 유기 전계 발광 소자의 나머지 공정을 진행하여 생산 효율을 증가시키는 유기전계발광표시장치의 제조 방법이다.
유기전계발광표시장치의 면취 공정에서 발생하는 분할된 기판의 날카로운 절단면을 물리적인 방법, 예를 들면 다이아몬드 등으로 절단하여 라운딩 공정을 할 때에 파티클이 발생하여, 유기전계발광표시장치의 액티브 영역이 손상된다. 이러한 파티클 등을 제거하기 위해, 습식 세정법, 플라즈마 또는 UV등을 이용한 건식 세정법을 단독 또는 복합적으로 사용하여 세정을 실시한다.
그러나 이러한 세정방법으로는 유기전계발광표시장치의 액티브 영역에 파티클을 완전히 제거할 수 없고, 이로 인해 화소의 불량이 발생하게 된다. 그리고 물리적인 방법으로 기판의 날카로운 절단면을 라운딩 처리할 때 발생하는 파티클에 의하여 유기전계발광표시장치의 치명적인 불량을 유발할 수 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 유기전계발광표시장치의 면취공정시 파티클 발생을 감소시켜 소자 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 상기 기술적 과제를 이루기 위해, 기판 상에 복수의 트랜지스터와 한개 이상의 캐패시터 및 제 1 전극층을 형성하는 단계; 상기 기판을 분할하여 복수의 분할된 기판을 절단하는 단계; 상기 분할된 기판의 절단면을 레이저를 조사하여 라운딩 처리하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1 및 도 2 는 본 발명에 의한 유기전계발광표시장치의 공정 사시도이다.
도 1을 참조하면, 기판(10)상에 복수의 트랜지스터(미도시)와 한개 이상의 캐패시터(미도시) 및 제 1 전극층(20)을 형성한다.
상기 기판(10)은 740㎜×940㎜ 크기의 유리, 스테인레스 스틸 또는 플라스틱 등으로 구성 될 수도 있다.
상기 트랜지스터(미도시)는 반도체층, 소오스/드레인 전극, 게이트 전극 등으로 구성되어 있다.
상기 캐패시터(미도시)는 하부 전극과 상부 전극으로 구성되어 있다. 상기 하부 전극은 폴리 실리콘 또는 게이트 전극과 동일 물질로 형성하고, 상기 상부 전극은 소오스/드레인 전극과 동일 물질로 형성한다.
상기 제 1 전극층(20)은 일함수가 높은 ITO 또는 IZO로 이루어지며, 하부층에 Al, Al-Nd, Ag와 같은 고반사율의 특성을 갖는 금속으로 이루어진 반사막을 포함할 수 있다. 배면 발광인 경우, 반사막을 포함하지 않고, 투명전도막인 ITO이나 IZO중에 하나로 이루질 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 복수의 트랜지스터(미도시)와 한개 이상의 캐패시터(미도시) 및 제 1 전극층(20)이 형성된 상기 기판(10)을 분할하여 복수의 분할된 기판(11)을 절단한다. 상기 기판(10)이 절단될 때 발생한 상기 분할된 기판(11)의 날카로운 절단면을 레이저(미도시)를 조사하여 라운딩 공정을 실시한다.
상기 기판(10)은 레이저, 초음파, 그리고 다이아몬드 중 하나를 선택하여 분할 할 수도 있다.
상기 분할된 기판(11)은 증착 공정에 적합한 크기인 370㎜×470㎜로 마련될 수도 있다.
상기 기판(10) 상에서 상기 제 1 전극층(20)을 형성한 후 절단하는 이유는 유기발광층이 진공 챔버내에서 형성된 후 기판 절단을 위해 외부로 노출될 경우 유기발광층이 외부의 수분 및 산소에 의해 손상을 입기 때문이고, 또한 유기발광층이 형성될 수 있는 진공 챔버의 크기가 한정되어 있기 때문에 진공챔버에 들어갈 수 있는 알맞은 크기로 기판을 절단하기 위해서이다.
상기 레이저(미도시)는 CO2 레이저 또는 UV 레이저인 것을 특징으로 한다.
레이저 소스 CO2 레이저 UV 레이저
파장 5<10.6㎛<20 200<355㎚<500
사용된 출력 10<16W<30 1<2W<5
펄스 반복율 5<10㎑<20 50<80㎒<200
스팟 사이즈 10<125㎛<200 10<20㎛<200
스캔 스피드 10<50㎜/s<200 10<100㎜/s<200
상기 CO2 레이저의 파장범위는 5~20㎛인 것을 특징으로 한다. 파장이 5㎛ 이하일 경우 레이저의 특성이 불안정함을 보이며, 20㎛ 이상일 경우 기판의 일정부분은 과다하게 에너지를 받고 다른 부분은 에너지를 부족하게 받는 면이 생기는 에너지 불균형 현상이 생길 수 있다. 이로 인해 기판의 손상이 생길 수도 있다. 상기 CO2 레이저의 파장은 10.6㎛인 것이 바람직하다.
상기 CO2 레이저의 출력범위는 10~30W 인 것을 특징으로 한다. 출력이 10W 이하일 경우 기판의 용융이 충분히 되지 않아 기판의 라운딩 처리가 잘 되지 않고, 30W 이상일 경우는 과다한 에너지에 의해 용융부분의 기판 스트레스로 인해 크랙이 발생할 수 있다. 상기 CO2 레이저의 출력은 16W인 것이 바람직하다.
상기 CO2 레이저의 펄스 반복율의 범위는 5~20㎑ 인 것을 특징으로 한다. 펄스 반복율은 파장과 서로 반비례하는 특성이 있으며, 설명을 생략한다. 상기 CO2 레이저의 펄스 반복율은 10㎑인 것이 바람직하다.
상기 CO2 레이저의 스팟 사이즈(SPOT SIZE)의 범위는 10~200㎛ 인 것을 특징으로 한다. 스팟 사이즈가 10㎛이하 일 경우는 기판의 절단면의 용융되는 부위가 너무 협소해 라운딩 효과를 보여주기 어려우며, 200㎛이상일 경우는 기판의 절단면의 너무 넓은 부분이 용융되므로 정밀도가 떨어질 수 있다. 상기 CO2 레이저의 스팟 사이즈(SPOT SIZE)는 125㎛인 것이 바람직하다.
상기 CO2 레이저의 스캔 스피드의 범위는 10~200㎜/s 인 것을 특징으로 한다. 스캔 스피드는 출력과 서로 반비례 특성이 있으며, 설명을 생략한다. 상기 CO2 레이저의 스캔 스피드는 50㎜/s인 것이 바람직하다.
또한, 상기 UV레이저의 파장범위는 200~500㎚ 인 것을 특징으로 한다. 파장이 200㎚ 이하일 경우 레이저의 특성이 불안정함을 보이며, 500㎚ 이상일 경우 기판의 일정부분은 과다하게 에너지를 받고 다른 부분은 에너지를 부족하게 받는 면이 생기는 에너지 불균형 현상이 생길 수 있다. 이로 인해 기판의 손상이 생길 수 도 있다. 상기 UV레이저의 파장은 355㎚인 것이 바람직하다.
상기 UV레이저의 출력범위는 1~5W 인 것을 특징으로 한다. 출력이 1W 이하일 경우 기판의 용융이 충분히 되지 않아 기판의 라운딩 처리가 잘 되지 않고, 5W 이상일 경우는 과다한 에너지에 의해 용융부분의 기판 스트레스로 인해 크랙이 발생할 수 있다. 상기 UV레이저의 출력은 2W인 것이 바람직하다.
상기 UV레이저의 펄스 반복율의 범위는 50~200㎒ 인 것을 특징으로 한다. 펄스 반복율은 파장과 서로 반비례하는 특성이 있으며, 설명을 생략한다. 상기 UV레이저의 펄스 반복율은 80㎒인 것이 바람직하다.
상기 UV레이저의 스팟 사이즈의 범위는 10~200㎛ 인 것을 특징으로 한다. 스팟 사이즈가 10㎛이하 일 경우는 기판의 절단면의 용융되는 부위가 너무 협소해 라운딩 효과를 보여주기 어려우며, 200㎛이상일 경우는 기판의 절단면의 너무 넓은 부분이 용융되므로 정밀도가 떨어질 수 있다. 상기 UV레이저의 스팟 사이즈는 20㎛인 것이 바람직하다.
상기 UV레이저의 스캔 스피드의 범위는 10~200㎜/s 인 것을 특징으로 한다. 스캔 스피드는 출력과 서로 반비례 특성이 있으며, 설명을 생략한다. 상기 UV레이저의 스캔 스피드는 100㎜/s인 것이 바람직하다.
상기 분할된 기판(11)의 날카로운 절단면을 레이저로 라운딩 처리를 함으로써, 파티클의 발생 없이 상기 분할된 기판(11)의 절단면의 라운딩 처리가 가능하며, 이로 인해 유기전계발광표시장치의 액티브 영역의 손상을 방지할 수 있다.
또한 상기 분할된 기판(11)의 날카로운 절단면이 유기전계발광표시장치의 공 정 중 기구부와 접촉하는 공정에서 기판이 파손되거나, 파티클이 발생하여 일어나는 유기전계발광소자의 손상을 방지할 수 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
유기전계발광표시장치의 면취 공정을 진행할 때 발생하는 기판의 날카로운 절단면을 레이저로 라운딩 처리하여 파티클 등이 발생하지 않고, 이로 인해 유기전계발광표시장치의 액티브 영역의 손상을 방지할 수 있다.

Claims (12)

  1. 기판 상에 복수의 트랜지스터와 한개 이상의 캐패시터 및 제 1 전극층을 형성하는 단계;
    상기 기판을 분할하여 복수의 분할된 기판을 마련하는 단계;
    상기 분할된 기판의 절단면을 레이저를 조사하여 라운딩 처리하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저는 CO2 레이저 또는 UV 레이저인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 CO2 레이저의 파장범위는 5~20㎛인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 CO2 레이저의 출력범위는 10~30W 인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 CO2 레이저의 펄스 반복율의 범위는 5~20㎑ 인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 CO2 레이저의 스팟 사이즈(SPOT SIZE)의 범위는 10~200㎛ 인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 CO2 레이저의 스캔 스피드의 범위는 10~200㎜/s 인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 UV레이저의 파장범위는 200~500㎚ 인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 UV레이저의 출력범위는 1~5W 인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시 장치의 제조방법.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 UV레이저의 펄스 반복율의 범위는 50~200㎒ 인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  11. 제 2 항에 있어서,
    상기 UV레이저의 스팟 사이즈의 범위는 10~200㎛ 인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  12. 제 2 항에 있어서,
    상기 UV레이저의 스캔 스피드의 범위는 10~200㎜/s 인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101318732B1 (ko) 2012-02-03 2013-10-18 주식회사 엘티에스 휴대단말기용 강화유리 절단방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000038529A (ko) * 1998-12-04 2000-07-05 윤종용 액정표시기 패널의 제조방법
KR20010057008A (ko) * 1999-12-17 2001-07-04 구자홍 유리의 연마방법
KR20050118535A (ko) * 2004-06-14 2005-12-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 패널 연마 장치 및 연마 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000038529A (ko) * 1998-12-04 2000-07-05 윤종용 액정표시기 패널의 제조방법
KR20010057008A (ko) * 1999-12-17 2001-07-04 구자홍 유리의 연마방법
KR20050118535A (ko) * 2004-06-14 2005-12-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 패널 연마 장치 및 연마 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101318732B1 (ko) 2012-02-03 2013-10-18 주식회사 엘티에스 휴대단말기용 강화유리 절단방법

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