KR100663117B1 - 열전 모듈 - Google Patents

열전 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR100663117B1
KR100663117B1 KR1020050070197A KR20050070197A KR100663117B1 KR 100663117 B1 KR100663117 B1 KR 100663117B1 KR 1020050070197 A KR1020050070197 A KR 1020050070197A KR 20050070197 A KR20050070197 A KR 20050070197A KR 100663117 B1 KR100663117 B1 KR 100663117B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive
conductive semiconductor
semiconductor device
semiconductor element
electrode pattern
Prior art date
Application number
KR1020050070197A
Other languages
English (en)
Inventor
이기철
이정호
Original Assignee
이기철
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이기철 filed Critical 이기철
Priority to KR1020050070197A priority Critical patent/KR100663117B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100663117B1 publication Critical patent/KR100663117B1/ko

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B21/00—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
    • F25B21/02—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B2321/00—Details of machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
    • F25B2321/02—Details of machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effects; using Nernst-Ettinghausen effects
    • F25B2321/023—Mounting details thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B30/00—Energy efficient heating, ventilation or air conditioning [HVAC]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 열전 모듈에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 흡열부와 방열부를 열적으로 분리하여 형성함으로써 냉각 효율을 향상시키고, 신뢰성이 향상된 반도체 열전 모듈에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 열전 모듈은, 제1도전성 및 제2도전성 반도체소자 어레이가 장착될 위치에 형성되는 제1전극패턴과 제2전극패턴을 몸체 양쪽면에 각각 구비하되, 상기 제2도전성 반도체소자 어레이가 장착될 위치에는 몸체 양쪽면의 상기 제1전극패턴과 제2전극패턴을 전기적으로 연결하는 관통홀들이 형성된 중간기판과; 상기 중간기판 양쪽면의 제1전극패턴과 제2전극패턴 상부에 장착되는 제1도전성 및 제2도전성 반도체소자와; 상기 중간기판 양쪽면에 장착된 상기 제1도전성 반도체소자와 제2도전성 반도체소자를 각각 연결하는 제1전도판들 및 제2전도판들과; 상기 제1전도판들과 제2전도판들이 각각 접합되어 외형을 형성하는 한 쌍의 절연기판을 포함하여 구성된다.
본 발명에 따른 열전모듈은 흡열부와 방열부를 각각 독립적으로 분리하여 형성하여 방열부의 열이 흡열부로 전도되는 것을 방지할 수 있으므로 냉각효율을 향상시킬 수 있고, 동시에 열전쌍의 병렬연결이 가능한 구성을 제공함으로써 다수 개의 열전쌍 중 어느 하나의 열전쌍이 단락된 경우에도 열전모듈 전체를 교체할 필요가 없으므로 열전모듈의 신뢰성 및 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
열전모듈, 열전소자, 냉각효율, 열적 분리, 중간기판

Description

열전 모듈{Thermoelectric module}
도 1은 종래기술에 따른 열전모듈의 구성을 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 열전모듈의 구성을 개략적으로 도시한 단면도.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 열전모듈에 있어서, 각 열전쌍의 전기적 배열을 보여주고 있는 모식도.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 열전모듈의 구성을 개략적으로 도시한 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100, 252 : 하부기판 102, 250 : 상부기판
110 : 하부전도판 112 : 상부전도판
120 : n형 반도체소자 130 : p형 반도체소자
200 : 중간기판 202 : 관통홀
204 : 도전막 210, 310 : 제1전극
212, 312 : 제2전극 220, 340 : 제1전도판
222, 342 : 제2전도판 230, 320 : 제1 n형 반도체소자
240, 330 : 제1 p형 반도체소자 232, 322 : 제2 n형 반도체소자
242, 332 : 제2 p형 반도체소자 300 : 제1하부기판
302 : 제2하부기판 350 : 제1상부기판
352 : 제2상부기판 360 : 계통선
본 발명은 열전 모듈에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 흡열부와 방열부를 열적으로 분리시킴으로써 냉각효율을 향상시키고, 신뢰성이 향상된 열전 반도체 모듈에 관한 것이다.
서로 다른 종류의 반도체소자를 접합하여 전기 회로를 형성하고, 직류 전류를 흘리면 한쪽 접합부에서는 발열 현상이 발생하고, 다른 쪽 접합부에서는 흡열 현상이 발생한다. 이러한 현상은 펠티어 효과(Peltier effect)라 불린다. 펠티어 효과를 이용하여 대상물을 전자적으로 냉각하는 것을 열전 냉각이라 하고, 이러한 목적으로 구성된 소자를 열전 냉각 소자 또는 펠티어 소자라 한다. 또한, 두 개의 접합부 사이에 온도차를 발생시키면 온도차에 비례한 기전력이 발생한다. 이 현상을 제백 효과(Seebeck effect)라 하고, 발생한 기전력을 이용하여 행하는 발전은 열전 발전이라 한다.
열전 냉각은 고체 소자에 의한 냉각이기 때문에 유해한 냉매 가스를 사용할 필요가 없고, 소음 발생도 없으며 국부 냉각도 가능하다는 특징이 있다. 또한, 전류 방향의 전환으로 펠티어 효과에 의한 가열도 가능하기 때문에 정밀한 온도 조절 이 가능하다. 게다가 구조가 간단하여 다른 발전 장치나 냉각 장치에 비해서 소형화에도 유리한 조건을 구비하고 있어 유용성이 높다.
상기와 같은 열전모듈은 일반적으로 p형과 n형으로 이루어진 두 종류의 열전반도체 소자를 배열하고, 열전 반도체 소자를 금속전도판에 납땜하여 접합하여, π형 직렬회로를 구성하고, 이렇게 구성된 열전 반도체소자 및 금속 전도판을 세라믹 기판에 끼워서 구성한 것이 열전모듈로서 넓게 사용되고 있다.
도 1은 종래기술에 따른 열전모듈의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이 열전모듈은 n형 반도체소자(120)와 p형 반도체소자(130)가 교대로 배열되어 있으며, 반도체소자들(120, 130)의 상부 및 하부 표면들을 통해서 하부전도판(110) 및 상부전도판(112)에 교대로 접속되어 모든 반도체소자들은 전기적으로 직렬로 접속된다. 하부 및 상부전도판들과 반도체소자 간의 접속은 납땜에 의해 이루어진다. 상기 하부전도판(110) 및 상부전도판(112)의 외측에 외형을 형성하는 동시에 전도판을 병렬로 연결하는 하부기판 및 상부기판(100, 102)을 각각 부착하여 열전모듈을 형성한다. DC 전원은 이 열전 모듈의 하부전도판에 연결된다. 전류가 각 n형 반도체소자(120)로부터 p형 반도체소자(130)로 흐르게 되면, 펠티어 효과로 인해 소자의 상부에서 흡열반응이 일어나게 되고, 이에 따라 소자의 상부에서 냉각작용이 발생하게 된다. 이와는 반대로 소자의 하부에서는 발열반응이 일어나게 되고, 이에 따라 흡수된 열이 소자 하부를 통해 방출된다. 즉, n-p형으로 구성된 반도체소자의 상부는 흡열부(L)로 작용하고, p-n형으로 구성된 반도체소자의 하부는 방열부(H)로 작용한다. 또한, 전원의 연결방향을 반전시킴으로써 흡열부 (L)와 방열부(H)의 방향을 전환시킬 수 있다. 이러한 현상을 이용하여 열전소자를 냉각 및 가열장치에 이용할 수 있으며, 고집적회로, 컴퓨터 중앙처리 유니트 및 레이저 등과 같은 장치의 냉각에서부터 냉동기의 사용까지 광범위한 분야에 응용되고 있다.
상기와 같은 열전모듈에 있어서, 흡열부의 반도체소자에서 흡수되는 열은 흐르는 전류에 비례한다. 따라서, 이론적으로는 전류를 크게 하면 할 수록 온도가 더욱 더 내려갈 수 있으나, 실제로는 열전모듈을 구성하고 있는 반도체소자의 열전도율이 매우 높기 때문에 소자 양측의 온도 차이가 심해짐에 따라 이들 반도체소자를 통해 방열부에서 흡열부로 전도되는 열로 인하여 냉각 효율이 저하되기 때문에 냉각작용에 한계가 있다. 또한, 단일면 상에서 흡열과 발열을 이루기 때문에 밀폐되어 있고 좁은 공간을 냉각시키는 경우 방열부로부터 방사되는 열을 외부로 배출시키기 어려워 냉각 효율이 저하되는 문제점이 있다. 게다가, 종래기술에 따른 열전모듈은 각 소자들이 모두 전기적으로 직렬배열되어 있어 어느 한 쌍의 열전소자가 단락되는 경우 전체 모듈이 사용 불가능하게 된다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 열전모듈의 흡열부와 방열부 사이에 중간기판을 개재하여 흡열부와 방열부를 열적으로 분리시킴으로써 냉각 효율이 향상된 열전모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 열전모듈의 흡열부 본체와 방열부 본체를 분리하여 독립적으로 구성함으로써 열전모듈이 적용되는 환경에 적합한 열전모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 열전모듈은,
제1도전성 및 제2도전성 반도체소자 어레이가 장착될 위치에 형성되는 제1전극패턴과 제2전극패턴을 몸체 양쪽면에 각각 구비하되, 상기 제2도전성 반도체소자 어레이가 장착될 위치에는 몸체 양쪽면의 상기 제1전극패턴과 제2전극패턴을 전기적으로 연결하는 관통홀들이 형성된 중간기판과;
상기 중간기판 양쪽면의 제1전극패턴과 제2전극패턴 상부에 장착되는 제1도전성 및 제2도전성 반도체소자와;
상기 중간기판 양쪽면에 장착된 상기 제1도전성 반도체소자와 제2도전성 반도체소자를 각각 연결하는 제1전도판들 및 제2전도판들과;
상기 제1전도판들과 제2전도판들이 각각 접합되어 외형을 형성하는 한 쌍의 절연기판을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 열전모듈은,
제1도전성 및 제2도전성 반도체소자 어레이가 장착될 위치에 제1전극패턴을 구비하는 제1하부기판과, 상기 제1전극패턴 상부에 장착되는 제1도전성 반도체소자 및 제2도전성 반도체소자와, 상기 제1도전성 반도체소자 및 제2도전성 반도체소자를 연결하는 제1전도판들과, 상기 제1전도판들에 접합되는 제1상부기판을 포함하여 이루어지는 흡열부와;
제1도전성 및 제2도전성 반도체소자 어레이가 장착될 위치에 제2전극패턴을 구비하는 제2하부기판과, 상기 제2전극패턴들 상부에 장착되는 제1도전성 반도체소자 및 제2도전성 반도체소자와, 상기 제1도전성 반도체소자 및 제2도전성 반도체소자를 연결하는 제2전도판들과, 상기 제2전도판들에 접합되는 제2상부기판을 포함하여 이루어지는 방열부와;
상기 흡열부의 제1전극패턴과 상기 방열부의 제2전극패턴을 연결하여, 상기 흡열부의 제2도전성 반도체소자와 상기 방열부의 제2도전성 반도체소자를 전기적으로 연결하는 계통선;을 포함하여 구성되되,
상기 흡열부의 몸체와 상기 방열부의 몸체는 각각 독립적으로 분리되어, 상기 흡열부와 상기 방열부는 상기 계통선에 의해 전기적으로 연결되도록 구성됨으로써 상기 흡열부와 상기 방열부가 각각 별도의 공간에 위치할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참고로 하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 열전모듈의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 열전모듈은 중간기판(200)의 양쪽면에 형성된 제1전극패턴(210) 및 제2전극패턴(212) 표면에 제1 n형 반도체소자(230) 및 제1 p형 반도체소자(240)와 제2 n형 반도체소자(232) 및 제2 p형 반도체소자(242)가 각각 장착되고, 상기 중간기판(200)의 일면에 구비되는 제1 n형 반도체소자(230) 및 제1 p형 반도체소자(240)의 상측에 제1 n형 반도체소자(230) 및 제1 p형 반도체소자(240)를 전기적으로 연결하는 제1전도판(220)이 구비되며, 상기 제1전도판(220)에 접합되는 상부기판(252)이 구비되어 흡열부(L)를 구성하고, 상기 중간기판(200)의 타면에 구비되는 제2 n형 반도체소자(232) 및 제2 p형 반도체소자(242)의 하측에 상기 제2 n형 반도체소자(232) 및 제2 p형 반도체소자(242)를 전기적으 로 연결하는 제2전도판(222)이 구비되고, 상기 제2전도판(222)의 하측에 접합되는 하부기판(252)이 구비되어 방열부(H)를 구성한다. 이때, 상기 제1 및 제2 p형 반도체소자(240, 242)가 위치하는 중간기판(200)에는 관통홀(202)이 형성되어 있고, 상기 관통홀(202)의 벽면에 도전막(204)이 형성되어 제1 및 제2 p형 반도체소자(240, 242)를 전기적으로 연결한다.
상기 중간기판(200)은 인쇄회로 기판인 PCB 기판을 사용할 수도 있고, 전기적으로 절연성을 갖고, 열적으로 단열성을 갖는 세라믹기판을 사용할 수도 있다. 상기 상부기판(250) 및 하부기판(252) 각각의 일면은 전도판과의 접착력을 향상시키기 위하여 표면처리되어 있고, 열전도성이 높은 알루미나(Al2O3) 기판과 같은 절연물질이 사용되며, 열전도성이 높은 다른 물질로 대체할 수도 있다. 또한, 상기 반도체소자들로서 상온부근에서 성능 지수가 가장 높다고 알려진 Bi2Te3계 소결체가 사용된다. 상기 전극들 및 전도판들과 반도체소자들 간의 접합은 납땜(solder)에 의해 이루어진다. 상기 전도판들은 구리로 형성되고, n형 및 p형 반도체소자 간의 전기적 통로로 사용되며, 흡열 및 발열작용이 발생되는 부분이다.
상기 중간기판(200)의 양쪽면에 구비되는 제1전극패턴(210) 및 제2전극패턴(212)에 전원을 인가하면 전류가 제1 n형 반도체소자(230)에서 제1 p형 반도체소자(240)로 흐르면서 흡열반응을 일으켜 중간기판(200) 상측이 흡열부(L)가 되고, 관통홀(202)에 형성된 도전막(204)을 통해 제2전극패턴(212)으로 도입된 전류는 제2 p형 반도체소자(242)에서 제2 n형 반도체소자(232)로 흐르면서 발열반응을 일으켜 중간기판(200) 하측이 방열부(H)가 된다. 상기 흡열부(L)와 방열부(H)의 위치는 전류의 방향에 따라 전환될 수 있다. 상기 중간기판(200)에 의해 흡열부(L)와 방열부(H)가 열적으로 분리되고, 중간기판(200)의 관통홀(202)에 형성된 도전막(204)을 통해 흡열부(L)와 방열부(H)가 전기적으로 연결된다. 이와 같이, 본 발명에 따른 열전 모듈에서는 전기적으로는 절연성을 갖고 열적으로는 단열성을 갖는 중간기판(200)을 사용하여 방열부(H)와 흡열부(L)를 열적으로 분리함으로써 방열부(H)에서 흡열부(L)로 열이 전도되는 양을 최소화시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 열전 모듈에 있어서, 각 열전쌍의 전기적 배열을 보여주고 있는 모식도로서, 직렬 및 병렬연결이 혼합되어 있는 경우를 보여주고 있다.
중간기판(점선으로 표시됨)을 중심으로 형성되는 흡열부(L)와 방열부(H)가 도시되어 있다. 흡열부(L)의 제1 n형 반도체소자(230) 및 제1 p형 반도체소자(240)와 방열부(H)의 제2 p형 반도체소자(242)와 제2 n형 반도체소자(232)가 각 열마다 병렬로 연결되어 있고, 각각의 열이 다시 직렬로 연결되어 있다. 이와 같은 구성 하에서 열전 모듈에 전원을 인가하면, 병렬로 연결된 각각의 열전쌍을 통해 전류가 흐르기 때문에 일부의 열전쌍이 단락되는 경우에도 나머지 열전쌍들은 그대로 사용할 수 있으므로 열전모듈을 교체할 필요가 없다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 열전소자의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도로서, 흡열부(L)의 몸체와 방열부(H)의 몸체가 각각 독립적으로 구성되고 흡열부(L)와 방열부(H)가 계통선에 의해 전기적으로 연결되어 있는 것을 보여주고 있 다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 열전모듈은 제1하부기판(300) 상측에 형성되어 있는 제1전극패턴(310) 상부에 장착되어 있는 제1 n형 반도체소자(320) 및 제1 p형 반도체소자(330)와, 상기 제1 n형 반도체소자(320) 및 제1 p형 반도체소자(330) 상측에 부착되어 제1 n형 반도체소자(320) 및 제1 p형 반도체소자(330)를 전기적으로 연결하는 제1전도판(340)과, 상기 제1전도판(340)에 접합되어 외형을 이루는 동시에 열전도판으로 사용되는 제1상부기판(350)으로 이루어지는 흡열부(L)와, 제2하부기판(302) 상측에 형성되어 있는 제2전극패턴(312) 상부에 장착되어 있는 제2 p형 반도체소자(332) 및 제2 n형 반도체소자(322)와, 상기 제2 n형 반도체소자(322)와 제2 p형 반도체소자(332) 상측에 부착되어 제2 n형 반도체소자(322)와 제2 p형 반도체소자(332)를 전기적으로 연결하는 제2전도판(342)과, 상기 제2전도판(342)에 접합되어 외형을 이루는 동시에 열전도판으로 사용되는 제2상부기판(352)으로 이루어지는 방열부(H)를 포함하며, 상기 흡열부(L)와 방열부(H)는 제1 p형 반도체소자(330)와 제2 p형 반도체소자(332)가 장착되어 있는 제1전극(310)과 제2전극(312)을 계통선(360)에 의해 연결함으로써 전기적으로 연결된다. 상기 계통선(360)을 사용하여 흡열부(L)와 방열부(H)를 전기적으로 연결함으로써 좁고 밀폐된 공간을 냉각시킬 때 방열부(H)를 별도의 공간에 위치시킬 수 있으므로 공간 활용이 용이하다. 이 경우에도 열전모듈을 구성하는 각 열전쌍들은 직렬연결 및/또는 병렬연결이 혼합되어 구성될 수 있음은 앞서 제1실시예에서 설명한 바와 같다.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
이상에서 상술한 바에 따르면, 열전모듈의 흡열부와 방열부를 각각 독립적으로 분리하여 형성하여 방열부의 열이 흡열부로 전도되는 것을 방지할 수 있으므로 냉각효율을 향상시킬 수 있고, 흡열부와 방열부를 계통선에 의해 전기적으로 연결하여 형성함으로써 좁고 밀폐된 공간의 냉각을 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.
또한, 열전쌍의 병렬연결이 가능한 구성을 제작함으로써 다수 개의 열전쌍 중 어느 하나의 열전쌍이 단락된 경우에도 열전모듈 전체를 교체할 필요가 없으므로 열전모듈의 신뢰성 및 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 제1도전성 및 제2도전성 반도체소자 어레이가 장착될 위치에 형성되는 제1전극패턴과 제2전극패턴을 몸체 양쪽면에 각각 구비하되, 상기 제2도전성 반도체소자 어레이가 장착될 위치에는 몸체 양쪽면의 상기 제1전극패턴과 제2전극패턴을 전기적으로 연결하는 관통홀들이 형성된 중간기판과;
    상기 중간기판 양쪽면의 제1전극패턴과 제2전극패턴 상부에 장착되는 제1도전성 및 제2도전성 반도체소자와;
    상기 중간기판 양쪽면에 장착된 상기 제1도전성 반도체소자와 제2도전성 반도체소자를 각각 연결하는 제1전도판들 및 제2전도판들과;
    상기 제1전도판들과 제2전도판들이 각각 접합되어 외형을 형성하는 한 쌍의 절연기판을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간기판은 PCB 기판 또는 세라믹기판인 것을 특징으로 하는 열전모듈.
  3. 제1도전성 및 제2도전성 반도체소자 어레이가 장착될 위치에 제1전극패턴을 구비하는 제1하부기판과, 상기 제1전극패턴 상부에 장착되는 제1도전성 반도체소자 및 제2도전성 반도체소자와, 상기 제1도전성 반도체소자 및 제2도전성 반도체소자를 연결하는 제1전도판들과, 상기 제1전도판들에 접합되는 제1상부기판을 포함하여 이루어지는 흡열부와;
    제1도전성 및 제2도전성 반도체소자 어레이가 장착될 위치에 제2전극패턴을 구비하는 제2하부기판과, 상기 제2전극패턴들 상부에 장착되는 제1도전성 반도체소자 및 제2도전성 반도체소자와, 상기 제1도전성 반도체소자 및 제2도전성 반도체소자를 연결하는 제2전도판들과, 상기 제2전도판들에 접합되는 제2상부기판을 포함하여 이루어지는 방열부와;
    상기 흡열부의 제1전극패턴과 상기 방열부의 제2전극패턴을 연결하여, 상기 흡열부의 제2도전성 반도체소자와 상기 방열부의 제2도전성 반도체소자를 전기적으로 연결하는 계통선;을 포함하여 구성되되,
    상기 흡열부의 몸체와 상기 방열부의 몸체는 각각 독립적으로 분리되어, 상기 흡열부와 상기 방열부는 상기 계통선에 의해 전기적으로 연결되도록 구성됨으로써 상기 흡열부와 상기 방열부가 각각 별도의 공간에 위치할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 열전모듈.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제1도전성 반도체소자는 n형 반도체소자이고, 상기 제2도전성 반도체소자는 p형 반도체소자인 것을 특징으로 하는 열전모듈.
  5. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 도전성 반도체소자로 구성된 열전쌍들은 전기적으로 직렬연결 및 병렬연결이 혼합되어 사용될 수 있는 것을 특징으로 하는 열전모듈.
KR1020050070197A 2005-08-01 2005-08-01 열전 모듈 KR100663117B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050070197A KR100663117B1 (ko) 2005-08-01 2005-08-01 열전 모듈

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050070197A KR100663117B1 (ko) 2005-08-01 2005-08-01 열전 모듈

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100663117B1 true KR100663117B1 (ko) 2007-01-02

Family

ID=37866512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050070197A KR100663117B1 (ko) 2005-08-01 2005-08-01 열전 모듈

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100663117B1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100997994B1 (ko) 2009-04-13 2010-12-03 삼성전기주식회사 열전소자
KR101045685B1 (ko) * 2008-09-04 2011-07-01 루미엔스 포토닉스 잉크 열전 반도체 소자와 그의 제조 방법
KR101047478B1 (ko) 2011-02-08 2011-07-07 한국기계연구원 열전모듈 제조방법 및 이를 이용하여 제조한 열전모듈
KR101119595B1 (ko) * 2011-08-17 2012-03-06 한국기계연구원 수평형 박막 열전모듈의 제조방법 및 이에 의해 제조된 수평형 박막 열전모듈
US8232127B2 (en) 2008-09-24 2012-07-31 Hanvision Co., Ltd. Thermo-electric semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101395088B1 (ko) * 2010-02-08 2014-05-16 한국전자통신연구원 열전 어레이

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101045685B1 (ko) * 2008-09-04 2011-07-01 루미엔스 포토닉스 잉크 열전 반도체 소자와 그의 제조 방법
US8232127B2 (en) 2008-09-24 2012-07-31 Hanvision Co., Ltd. Thermo-electric semiconductor device and method for manufacturing the same
KR100997994B1 (ko) 2009-04-13 2010-12-03 삼성전기주식회사 열전소자
KR101395088B1 (ko) * 2010-02-08 2014-05-16 한국전자통신연구원 열전 어레이
KR101047478B1 (ko) 2011-02-08 2011-07-07 한국기계연구원 열전모듈 제조방법 및 이를 이용하여 제조한 열전모듈
KR101119595B1 (ko) * 2011-08-17 2012-03-06 한국기계연구원 수평형 박막 열전모듈의 제조방법 및 이에 의해 제조된 수평형 박막 열전모듈

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100620913B1 (ko) 열전 모듈
JP3847691B2 (ja) 電力用半導体装置
US20120201008A1 (en) Circuit assemblies including thermoelectric modules
KR100663117B1 (ko) 열전 모듈
JP2000164945A (ja) サーモモジュール
KR100772201B1 (ko) 열전소자모듈
KR20140122185A (ko) 인쇄 회로 보드에 통합된 열전 쿨러/히터
KR20150130168A (ko) 열전환장치
CN108417546B (zh) 电力电子模块
KR20210145703A (ko) 열변환장치
KR20190065763A (ko) 열변환장치
CN110660762A (zh) 热传递结构、电力电子模块及其制造方法以及冷却元件
US6521991B1 (en) Thermoelectric module
JP2002164485A (ja) 半導体モジュール
JP3885536B2 (ja) 熱電装置
KR20110135106A (ko) 방열 기능을 가지는 반도체 패키지
KR20100003494A (ko) 플렉시블 열전도체 밴드 와이어를 이용한 열전냉각장치
CN113225934B (zh) 算力板及其制造方法
KR100756535B1 (ko) 피씨비 생산 기법을 응용한 고효율 방열기 구조 및 이를이용한 방열기 일체형 열전소자 구조.
JP2000091648A (ja) ペルチェモジュール
JP4712948B2 (ja) 半導体装置
CN219919252U (zh) 印制电路板及电子设备
JP4288927B2 (ja) 多段熱電モジュール
CN220492874U (zh) 一种逆变器散热结构及光伏逆变器
CN216213539U (zh) 一种特殊连接方式的多层热电半导体模块

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111220

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121224

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee