KR100662202B1

KR100662202B1 - 반도체 패키지 제조 방법

Info

Publication number: KR100662202B1
Application number: KR20040091667A
Authority: KR
Inventors: 김학선; 유민; 김근수
Original assignee: 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
Priority date: 2004-11-11
Filing date: 2004-11-11
Publication date: 2006-12-27
Also published as: KR20060043931A

Abstract

본 발명은 반도체 패키지 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 PCB를 이용한 반도체 패키지(PBGA:Plastic Ball Grid Array)의 전체 표면에 멤브레인 또는 불소계 고분자를 코팅하여, 반도체 패키지의 내외부의 수분을 흡수하거나 차단할 수 있도록 한 반도체 패키지 제조 방법에 관한 것이다.

이를 위해, 본 발명은 인쇄회로기판의 칩탑재부에 반도체 칩을 실장하는 단계, 반도체 칩과 인쇄회로기판의 전도성 회로패턴을 와이어로 연결하는 단계, 반도체 칩과 와이어 등을 봉지재로 감싸주는 단계, 인쇄회로기판의 저면에 다수의 솔더볼을 융착하는 단계 등을 포함하는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서, 상기 볼 그리드 어레이 반도체 패키지의 전체 표면에 코팅층을 형성하는 단계가 상기 솔더볼을 융착하는 단계 전에 더 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법을 제공한다.

볼 그리드 어레이 반도체 패키지, 인쇄회로기판, 코팅층, 수분

Description

반도체 패키지 제조 방법{Method for manufacturing semiconductor package}

도 1은 본 발명에 따른 반도체 패키지 제조 방법을 나타내는 단면도,

도 2는 본 발명에 따른 반도체 패키지 제조 방법을 설명하는 순서도,

도 3a는 통상의 인쇄회로기판 구조를 나타내는 평면도,

도 3b는 통상의 인쇄회로기판 구조를 나타내는 저면도,

도 3c는 통상의 인쇄회로기판 구조를 나타내는 도 3a의 A-A선 단면도,

도 4는 인쇄회로기판을 이용하여 제조된 볼 그리드 어레이 반도체 패키지를 나타내는 단면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10 : 인쇄회로기판 12 : 수지층

14 : 칩탑재부 16 : 전도성 회로패턴

18 : 비아홀 20 : 볼랜드

22 : 솔더마스크 24 : 반도체 칩

26 : 와이어 28 : 봉지재

30 : 솔더볼 32 : 코팅층

100 : 볼 그리드 어레이 반도체 패키지

통상적으로 반도체 패키지 제조용 PCB(Printed Circuit Board: 이하, 인쇄회로기판으로 칭함)는 반도체 칩을 탑재한 후 각종 전자기기의 마더보드에 장착되어 반도체 칩과 마더보드간의 전기적 신호를 전달하는 매개체 역할을 하는 것으로서, 첨부한 도 3a,3b,3c를 참조로 인쇄회로기판(10)의 일반적인 구조를 살펴보면 수지층(12)을 중심으로 그 상면에는 반도체 칩이 실장될 수 있는 칩탑재부(14)가 형성되고, 상기 칩탑재부(14)의 주변에는 방사상으로 전도성 회로패턴(16)이 형성되며, 또한 상기 수지층(12)의 상부에서 하부를 향하여 전도성 비아홀(18)이 형성되는 동시에 비아홀의 하단부는 전도성의 솔더볼이 융착되는 볼랜드(20)로 형성되며, 상기 수지층(12) 상면의 칩탑재부(14) 및 전도성 회로패턴(16)의 일부를 제외하고는 솔더 마스크(22)로 코팅된 구조로 되어 있다.

이러한 구조의 인쇄회로기판을 이용하여 제조되는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지는 인쇄회로기판의 상면에 하나 또는 그 이상의 반도체 칩이 장착되고, 마더보드에 대한 전기적 접속이 상기 인쇄회로기판의 저면에 융착된 다수의 솔더볼에 의하여 이루어지는 반도체 패키지로서, 200핀 이상의 다핀 디바이스 또는 고집적화된 대규모 집적회로, 마이크로 프로세서 등의 용도로 사용되고 있다.

상기 볼 그리드 어레이 반도체 패키지(100)는 인쇄회로기판(10)의 상면 중앙부에 형성된 칩탑재부(14)에 반도체 칩(24)이 실장되는 단계와; 상기 반도체 칩(24)과 인쇄회로기판(10)의 전도성 회로패턴(16)간을 와이어(26)로 상호 전기접속 가능하게 연결하는 단계와; 상기 인쇄회로기판(10)의 상면상의 반도체 칩(24)과 와이어 (26)등을 봉지재(28)로 감싸는 단계와; 상기 인쇄회로기판(10)의 비아홀(18)에 입출력 단자가 되는 솔더볼(30)을 융착하는 단계 등을 거쳐 첨부한 도 4에 도시된 바와 같은 구조로 제조된다.

이와 같은 볼 그리그 어레이 반도체 패키지를 제조하는데 사용되는 상기 인쇄회로기판은 수분의 흡수 능력이 높은 것으로 알려져 있는데, 이는 인쇄회로기판을 구성하고 있는 물질 중에 유기재료(organic material)의 높은 수분 흡수성 때문이다.

특히, 상기 인쇄회로기판의 표면을 구성하고 있는 수지층(solder resist material)의 경우 높은 수분 흡습성을 보유하고 있으며, 또한 볼 그리드 어레이 반도체 패키지의 봉지재(encapsulation material)의 주성분이 경화성 고분자로 이루어져 있는 바, 이 물질 또한 수분을 흡수하는 성질을 가지고 있다.

이렇게 수분 흡습성을 갖는 물질로 제조된 반도체 패키지에 수분이 흡수되는 경우, 반도체 패키지를 마더보드 등에 실장하기 위한 마운팅 공정 등에서 반도체 패키지의 박리 현상 및 크랙(crack) 현상 등의 문제점이 발생할 수 있다.

따라서, 상기와 같은 인쇄회로기판을 이용하여 제조된 볼 그리드 어레이 반도체 패키지를 제조하는 공정중에 패키지의 수분 흡수 제어는 반드시 고려되어야 하며, 그 이유는 상술한 바와 같이 패키지의 수분 흡수로 인해 수지의 내부에 보이드(void)가 발생되거나 칩과 인쇄회로기판간의 박리(delamination) 현상 등과 같은 여러 불량요인들이 발생할 수 있기 때문이다.

이러한 문제점을 감안하여 인쇄회로기판의 수분 흡수를 조절하기 위해서 인쇄회로기판의 원천재료를 어셈블리 공정으로 이송할 때 습도 지시계(moisture indicator), 수분 차단용 백(moisture barrier bag) 등이 사용되며, 어셈블리 공정에서도 인쇄회로기판내의 수분 함량을 줄이기 위해서 드라이 베이크(dry bake)공정을 수행하기도 한다.

또한, 반도체 패키지를 선적(shipping)할 때, 수분 차단용 백을 이용하여 이동하는 동안 주변에 산적된 수분의 흡수를 차단하고 있으며, 마더보드 장착을 위한 공정에서도 상기 드라이 베이크(dry bake) 공정을 추가로 실시하고 있다.

그러나, 위와 같은 수분 차단을 위한 방법들은 모두 추가적인 공정들로서, 공수 증가와 비용 상승의 원인이 되며, 수분 흡수를 막는 근본적인 해결 방법으로 받아들이지 못하고 있는 실정에 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 개발된 것으로서, 인쇄회로기판을 이용하여 제조된 볼 그리드 어레이 반도체 패키지의 경우, 유기재료(organic material) 및 수지층(solder resist material)을 포함하는 인쇄회로기판과, 경화성 고분자로 이루어진 봉지재(encapsulation material) 등이 수분의 가장 큰 유입 경로가 되고 있음에 착안하여, 볼 그리드 어레이 반도체 패키지의 전체 표면에 멤브레인 또는 불소계 고분자를 코팅하여, 반도체 패키지의 내외부의 수분을 흡수하거나 차단할 수 있도록 한 반도체 패키지 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 인쇄회로기판의 칩탑재부에 반도체 칩을 실장하는 단계, 반도체 칩과 인쇄회로기판의 전도성 회로패턴을 와이어로 연결하는 단계, 반도체 칩과 와이어 등을 봉지재로 감싸주는 단계, 인쇄회로기판의 저면에 다수의 솔더볼을 융착하는 단계 등을 포함하는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서,
상기 볼 그리드 어레이 반도체 패키지의 전체 표면에 딥 코팅(Dip coating) 또는 스프레이 코팅(Spray coating) 방법을 이용하여 다공성의 멤브레인 또는 불소계 고분자로 코팅층을 형성하는 단계가 상기 봉지재로 감싸주는 단계 후, 상기 솔더볼을 융착하는 단계 전에 진행되고, 상기 솔더볼을 융착하는 단계에서 솔더볼이 융착되는 부분의 코팅층이 플라즈마(PLASMA) 에칭 공정에 의하여 식각되는 단계가 더 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법을 제공한다.

삭제

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조로 상세하게 설명한다.

첨부한 도 1은 본 발명에 따른 반도체 패키지 제조 방법을 나타내는 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 패키지 제조 방법을 설명하는 순서도이다.

전술한 바와 같이, 볼 그리드 어레이 반도체 패키지(100)는 인쇄회로기판(10)의 상면 중앙부에 형성된 칩탑재부(14)에 반도체 칩(24)이 실장되는 단계와; 상기 반도체 칩(24)과 인쇄회로기판(10)의 전도성 회로패턴(16)간을 와이어(26)로 상호 전기접속 가능하게 연결하는 단계와; 상기 인쇄회로기판(10)의 상면상의 반도체 칩(24)과 와이어(26) 등을 봉지재(28)로 감싸는 단계와; 상기 인쇄회로기판(10)의 비아홀(18)에 입출력 단자가 되는 솔더볼(30)을 융착하는 단계 등을 거쳐 제조된다.

이렇게 제조된 볼 그리드 어레이 반도체 패키지의 수분 침투 경로는 수분 흡습성을 갖는 유기재료(organic material) 및 수지층(solder resist material)을 포함하는 인쇄회로기판과, 마찬가지로 수분 흡수성을 갖는 경화성 고분자로 이루어진 봉지재(encapsulation material)가 수분의 가장 큰 유입 경로가 되고 있다.

이에, 본 발명에 따르면, 다공성의 멤브레인 또는 불소계 수지를 상기 인쇄회로기판(10) 및 봉지재(28)를 포함하는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지(100)의 전체 표면에 코팅하여 코팅층(32)을 형성해줌으로써, 상기 볼 그리드 어레이 반도체 패키지(100)에 수분이 침투하는 것을 차단하는 동시에 반도체 패키지(100)의 내부에 포함된 수분을 흡수할 수 있게 된다.

이때, 상기 다공성 멤브레인을 적용할 경우, 코팅된 멤브레인의 내부와 외부에서의 수분을 흡수하게 되어 볼 그리드 어레이 반도체 패키지(100) 자체의 수분 흡습 정도를 떨어뜨리는 결과를 얻을 수 있으며, 상기 불소계 고분자의 경우에는 외부로부터의 수분을 차단하여 반도체 패키지(100)의 수분 흡수능을 원천적으로 봉쇄하는 역할을 하게 되어 볼 그리드 어레이 반도체 패키지(100)에 수분이 침투하는 것을 원천 차단하게 된다.

한편, 상기 볼 그리드 어레이 반도체 패키지(100)의 전체 표면에 다공성의 멤브레인 또는 불소계 고분자의 코팅층(32)을 형성하는 단계는 봉지재(28) 형성 단계후, 상기 솔더볼(30)을 융착하는 단계 전에 진행되는데, 그 이유는 솔더볼(30)은 반도체 패키지(100)의 인출력단자이므로 코팅층(32)에 의하여 절연되는 것을 방지하고자 한 것이다.

바람직하게는, 상기 코팅층(32)의 형성 단계는 딥 코팅(Dip coating) 또는 스프레이 코팅(Spray coating) 방법중 선택된 어느 하나의 방법으로 진행된다.

또한, 상기 코팅층(32)의 형성 단계 바로 전에 반도체 패키지 내부의 수분이 흡수 될 염려가 있으므로, 드라이 베이크(dry bake) 공정을 행하여 반도체 패키지내의 수분을 제거한 후, 상기 멤브레인 또는 불소계 고분자의 코팅층(32) 형성 단계를 진행하는 것이 좋다.

이때, 상기 코팅층(32)의 형성에 따라, 인쇄회로기판(10)의 저면에 노출되어 있던 전도성의 볼랜드(20:솔더볼의 융착자리면)가 코팅층(32)으로 가려지게 되는 바, 솔더볼 융착공정시 상기 솔더볼(30)이 융착되는 볼랜드(20) 부분에 코팅되어 있던 코팅층(32)을 플라즈마(PLASMA) 에칭 공정에 의하여 제거한 다음, 솔더볼(30)을 융착시키면 된다.

그러나, 추가적인 식각 공정에 의한 비용적인 측면을 고려할 때, 인쇄회로기판의 흡습이 짧은 시간에 포화되는 반면에 봉지재를 통한 흡습이 지속적인 것을 감안하여 반도체 패키지의 봉지재 부분과 상면 부분에 대한 선택적인 코팅 공정을 도입하여 상기 플라즈마(PLASMA) 식각에 들어가는 추가 비용을 줄일 수 있다.

이상에서 본 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 패키지 제조 방법에 의하면,볼 그리드 어레이 반도체 패키지의 전체 표면에 멤브레인 또는 불소계 고분자를 코팅함으로써, 반도체 패키지의 내외부의 수분을 용이하게 흡수하거나 차단하여 볼 그리드 어레이 반도체 패키지의 성능 및 생산성을 향상시킬 수 있고, 수분에 의한 박리현상 및 크랙 현상 등을 방지할 수 있다.

Claims

인쇄회로기판의 칩탑재부에 반도체 칩을 실장하는 단계, 반도체 칩과 인쇄회로기판의 전도성 회로패턴을 와이어로 연결하는 단계, 반도체 칩과 와이어 등을 봉지재로 감싸주는 단계, 인쇄회로기판의 저면에 다수의 솔더볼을 융착하는 단계 등을 포함하는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서,

상기 볼 그리드 어레이 반도체 패키지의 전체 표면에 딥 코팅(Dip coating) 또는 스프레이 코팅(Spray coating) 방법을 이용하여 다공성의 멤브레인 또는 불소계 고분자로 코팅층을 형성하는 단계가 상기 봉지재로 감싸주는 단계 후, 상기 솔더볼을 융착하는 단계 전에 진행되고, 상기 솔더볼을 융착하는 단계에서 솔더볼이 융착되는 부분의 코팅층이 플라즈마(PLASMA) 에칭 공정에 의하여 식각되는 단계가 더 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.
삭제
삭제
삭제