KR100654873B1 - 이온 빔을 스캐닝하고 포커싱하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents
이온 빔을 스캐닝하고 포커싱하기 위한 방법 및 장치 Download PDFInfo
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Abstract
Description
반도체 웨이퍼로 주입된 이온 에너지에 의해 불순물의 주입 깊이는 최소한 부분적으로 결정된다. 낮은 주입 에너지로 얇은 접합(shallow junction)이 얻어진다. 이온 주입기들은 통상, 비교적 높은 주입 에너지, 예를 들어 50keV 내지 400keV의 범위에서 유효한 동작을 하도록 설계되며, 얇은 접합 주입에 대하여 필요되는 에너지로는 유효하게 기능하지 못할 수 있다. 낮은 주입 에너지에서, 웨이퍼로 전달된 전류는 필요한 전류 레벨보다 훨씬 낮으며, 어떤 경우 제로 레벨 근처에 있을 수도 있다. 그 결과, 특정 주입량을 얻기 위해서는 매우 긴 주입 시간이 필요하고, 처리율에 불리한 영향을 미친다. 처리율에서의 이러한 감소는 제조 비용을 올려, 반도체 장치 제조자들에게는 그 비용을 수용하기 어렵게 한다.
오프셋(kV) | 평행도(deg) | 300mm 전류() |
0.0 | 0.33 | 98 |
-0.5 | 0.14 | 104 |
-1.0 | 0.02 | 140 |
-1.5 | 0.03 | 206 |
-2.0 | -0.14 | 246 |
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- 대전된 입자 빔을 제어하기 위한 방법에 있어서,대전된 입자 빔을 발생시키는 단계와,상기 대전된 입자 빔의 대향하는 부분상에 스캔 전극들을 위치시키는 단계와,상기 대전된 입자 빔에 인접하여 상기 스캔 전극의 하류방향에 포스트스캔 전극을 위치시키는 단계와,상기 포스트스캔 전극에 포스트스캔 전압을 인가하는 단계와,상기 스캔 전극들에 상기 대전된 입자 빔을 제1 방향으로 스캐닝하기 위한 네거티브 DC 전압 오프셋을 갖는 스캔 전압을 인가하는 단계를 포함하고, 상기 대전된 입자 빔은 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 포커싱되는 대전된 입자 빔 제어 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 대전된 입자 빔의 에너지와 종류에 기초하여, 상기 스캔 전압의 상기 DC 전압 오프셋을 조정하는 단계를 더 포함하는 대전된 입자 빔 제어 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 스캔 전압을 인가하는 단계는, 상기 대전된 입자 빔을 상기 제1 방향으로 스캐닝하기 위한 톱니형 스캔 파형을 갖는 전압을 인가하는 단계를 더 포함하고, 상기 톱니형 스캔 파형들은 네거티브 DC 전압 오프셋을 갖는 대전된 입자 빔 제어 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 스캔 전압을 인가하는 단계는, 동기된 스캔 전압들을 발생시키는 단계와, 상기 동기된 스캔 전압들을 증폭하는 단계와, 상기 증폭된 스캔 전압들을 상기 스캔 전극에 인가하는 단계를 포함하는 대전된 입자 빔 제어 방법.
- 제15항에 있어서, 스캐닝된 상기 대전된 입자 빔을 실질적으로 평행한 궤도들로 변환하는 단계와, 상기 스캔 전압의 상기 DC 전압 오프셋들을 조정하는 단계를 더 포함하고, 상기 궤도들의 평행도가 조정되는 대전된 입자 빔 제어 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 스캔 전압을 인가하는 단계는, 상기 포스트스캔 전압보다 더 네거티브인 DC 전압 오프셋을 인가하는 단계를 포함하는 대전된 입자 빔 제어 방법.
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