KR100643682B1 - 반도체식 가스센서 및 그 제조방법. - Google Patents

반도체식 가스센서 및 그 제조방법. Download PDF

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KR100643682B1 KR1020050092811A KR20050092811A KR100643682B1 KR 100643682 B1 KR100643682 B1 KR 100643682B1 KR 1020050092811 A KR1020050092811 A KR 1020050092811A KR 20050092811 A KR20050092811 A KR 20050092811A KR 100643682 B1 KR100643682 B1 KR 100643682B1
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Abstract

본 발명은 반도체식 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 상하부에 절연층이 형성된 실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판의 상부 절연층 상에 패턴 형성되는 감지전극과, 상기 실리콘 기판의 하부 절연층 상에 패턴 형성되는 히터전극과, 상기 실리콘 기판의 상부 일부분에 소정 깊이로 식각되어 형성된 마이크로 채널과, 상기 마이크로 채널 상에 패턴 형성되며 감지물질이 적층되는 성장판, 및 상기 성장판에 적층된 감지물질이 수직 성장하여 상기 마이크로 채널 상부에 브릿지 형태로 형성되는 감지막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반도체식 가스센서 및 그 제조방법은 안정적이면서도 단일가스뿐만 아니라 다중가스에 대한 응답속도를 단축시킬 수 있어 우수한 감지특성을 확보할 수 있으며, 또한 제작공정을 보다 단순화하여 생산비 절감을 통한 경제성 및 용이한 양산성을 확보할 수 있는 효과가 있다.
가스센서, 가스감지, 반도체

Description

반도체식 가스센서 및 그 제조방법. { The semiconductor Gas sensor and The method there of }
도 1은 본 발명에 따른 반도체식 가스센서에 있어서 감지물질이 성장되기 전의 구성을 나타내는 사시도.
도 2는 본 발명에 따른 반도체식 가스센서에 있어서 감지물질이 성장하여 감지막이 형성된 상태의 구성을 나타내는 사시도.
도 3은 도 2에 따른 반도체식 가스센서의 구성을 나타내는 측단면도.
도 4는 본 발명에 따른 히터전극의 구조를 나타내는 평면도.
도 5는 본 발명에 따른 반도체식 가스센서의 제조방법을 그 순서에 따라 각 단계별로 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 감지막의 형성과정을 예시한 예시도.
＊ 도면의 주요부위에 대한 부호의 설명 ＊
101: 실리콘 기판 102: 절연층
103: 마이크로 채널 104: 성장판
105: 감지전극 106: 히터전극
107: 감지막 201: 금속층
202/203/204: 포토레지스트 205: 니켈층
301: 감지물질 302: 적층판
본 발명은 반도체식 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 실리콘 기판의 마이크로 채널 상에 패턴 형성된 성장판에서 감지물질을 일정 조건하에서 수직 성장시켜 브릿지 형태의 감지막을 형성하고 히터전극을 실리콘 기판의 하부에 패턴 형성하는 구조로 이루어져 안정적이면서도 단일 또는 다중가스에 대한 응답속도를 단축할 수 있는 우수한 감지특성을 가짐과 아울러 단순한 공정을 통해 그 제작이 매우 용이한 반도체식 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
현재 우리의 생활환경 속에는 대단히 많은 종류의 위험한 가스가 존재하고 있는데, 화학플랜트 등과 같은 산업현장뿐만 아니라 일반가정이나 업소 등에서도 이러한 위해가스의 위험성은 점자 커지고 있는 실정으로서 가연성 가스의 폭발에 따른 인적, 재산적 손실 또는 각종 부산물 가스에 의한 환경오염 등 많은 피해가 잇따라 발생하고 있다.
따라서, 이러한 위험한 가스의 누출 등을 사전에 감지하여 대처할 필요성이 절실히 요구되는데, 인간의 감각기관으로는 이러한 위험 가스의 농도를 정량하거나 종류를 거의 판별할 수 없기 때문에 이에 대응하기 위한 가스센서가 개발되어 왔으며, 그 중 특히 반도체식 가스센서의 개발이 활발히 진행되어 왔다.
일반적으로 반도체식 가스센서는 가스감지부와 가열부 및 전극부로 이루어지 는데, 상기 가열부는 가스감지부가 최적의 성능을 나타낼 수 있는 온도까지 승온시키는 기능을 하고, 상기 가스감지부는 반도체의 성질을 가져 가스와 접촉하면서 저항변화를 일으키고, 상기 전극부는 가스감지부의 저항변화를 측정하여 일정 농도 이상의 가스 유무를 감지하는 것으로 구성된다.
그러나 종래의 반도체식 가스센서는 대부분 감지물질을 도포하기 위해 소결공정(Sintering)을 거치게 되어 그 제조공정이 복잡할 뿐만 아니라 소결공정에서의 고온 열처리에 따른 가스감지부와 가열부의 열적 변형을 일으키는 문제점이 있다.
또한, 종래 개시된 반도체식 가스센서는 가열부의 열 손실을 줄여 소비전력을 낮추기 위한 것이 주를 이루고 있으나, 가열부의 열에 의해 절연층이 손상되는 경우가 빈번히 발생하며, 이를 방지하기 위해 고가의 재질로 절연층을 형성시켜야 하는 바 경제성이 저하되어 그 양산성도 현저히 감소하는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 실리콘 기판의 마이크로 채널 상에 패턴 형성된 성장판에서 감지물질을 일정 조건하에서 수직 성장시켜 브릿지 형태의 감지막을 형성하고 히터전극을 실리콘 기판의 하부에 패턴 형성하는 구조로 이루어져 수율이 높고 안정적이면서도 단일 또는 다중가스에 대한 응답속도를 단축시켜 우수한 감지특성을 갖는 반도체식 가스센서를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 감지물질을 성장시켜 감지막을 형성시킴으로써 종래의 방식과 달리 소결(Sintering) 공정을 거치지 않아도 되므로 그 제작공정을 보다 단순화하여 생산비 절감을 통한 경제성 및 용이한 양산성을 확보할 수 있는 반도체식 가스센서의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체식 가스센서는,
상하부에 절연층이 형성되며, 상면의 중앙영역에 소정 깊이의 마이크로 채널이 식각 형성된 실리콘 기판과, 상기 마이크로 채널에 패턴 형성되며 감지물질이 적층되는 성장판과, 상기 성장판에 적층된 감지물질이 수직 성장하여 상기 마이크로 채널의 상측에 브릿지 형태로 형성되는 감지막, 및 상기 상부 및 하부 절연층 상에 각각 패턴 형성되는 감지전극과 히터전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체식 가스센서의 제조방법은,
상하부에 절연층이 형성된 실리콘 기판의 상면 중앙영역을 식각하여 소정 깊이의 마이크로 채널을 형성하는 제 1단계와, 상기 마이크로 채널의 저면에 포토레지스트를 도포한 후 상하부 절연층에 금속층을 증착하는 제 2단계와, 상기 금속층에 성장판과 전극 형성을 위한 포토레지스트 패턴을 형성한 후 니켈층을 증착하는 제 3단계와, 상기 포토레지스트를 제거하여 성장판, 감지전극, 히터전극의 패턴을 완성하는 제 4단계, 및 상기 성장판에 감지물질을 적층시킨 후 이를 수직 성장시켜 브릿지 형태의 감지막을 형성하는 제 5단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체식 가스센서 및 그 제조 방법의 구성을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체식 가스센서에 있어서 감지물질이 성장되기 전의 구성을 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1에서 감지물질이 성장하여 감지막이 형성된 상태의 구성을 나타내는 사시도이며, 도 3은 도 2에 따른 반도체식 가스센서의 구성을 나타내는 측 단면도이다.
상기한 도면들을 참조하면, 본 발명에 따른 반도체식 가스센서는 실리콘 기판(101)과, 상기 실리콘 기판(101)의 상하부에 각각 형성된 절연층(102)과, 상기 실리콘 기판(101)의 상면 중앙영역에 형성된 마이크로 채널(103)과, 상기 마이크로 채널(103)에 형성된 성장판(104)과, 상기 절연층(102) 상에 각각 형성된 감지전극(105) 및 히터전극(106)과, 상기 마이크로 채널(103)의 상측에 형성되는 감지막(107)으로 이루어진다.
상기 실리콘 기판(101)은 소자 제작에 있어서 후술할 마이크로 채널(103)의 형성을 위한 용이한 식각과 상기 감지전극(105)과 히터전극(106)의 리드 접합에 있어 와이어 본딩(Wire bonding) 또는 전도성 에폭시를 사용할 때 최상의 접합을 얻을 수 있도록 〈100〉방향성을 갖는 N형을 사용함이 바람직하다.
상기 절연층(102)은 상기 실리콘 기판(101)의 상부와 하부에 각각 형성되는데, 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(Si3N4), 산화막-질화막-산화막(SiO2-Si3N4-SiO2), 탄화규소막(SiC), 또는 다이아몬드 박막을 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition)이나 전기로(Electrical Furnace)를 이용하여 1㎛ 이상 성장시킴으로써 형성된다.
상기 마이크로 채널(103)은 상기 실리콘 기판(101)의 상면 중앙영역에 대략 140 내지 150㎛ 깊이로 식각되어 형성되며, KOH를 이용하여 습식식각 처리함으로써 상기 마이크로 채널(103)은 양 측면이 소정 구배가 진 상광하협한 형태의 단면을 갖게 된다.
상기 성장판(104)은 감지물질이 적층되는 부위로서 상기 마이크로 채널(103) 상에 형성되는데, 바람직하게는 상기 구배가 진 마이크로 채널(103)의 양 측면에 한 쌍을 이루어 동일한 기울기로 각각 패턴 형성된다.
상기 성장판(104)은 대략 10 ∼ 50 ㎛의 폭을 갖도록 형성되며, 적층된 감지물질이 일정 온도조건 하에서 원활하게 성장할 수 있도록 금 또는 백금층으로 형성됨이 바람직하다.
상기 감지막(107)은 도면에 도시된 바와 같이 상기 마이크로 채널(103)의 상부에 형성되어 가스를 최적의 조건에서 감지하도록 설계되는데, 종래의 가스감지부와 달리 상기 감지막(107)은 상기 마이크로 채널(103)의 양 측면에 형성된 한 쌍의 성장판(103)에 적층된 감지물질이 각각 수직 성장하여 상기 마이크로 채널(103)의 상측에 브릿지 형태로 막을 이룸으로써 형성되는 점에 특징이 있다.
상기 감지막(107)을 형성하는 감지물질은 SnO2, ZnO, WO3, Fe2O3 중 선택된 물질에 Pt, Pd, Ag, Ni 등과 같은 촉매를 혼합하여 조성한 물질이 사용될 수 있다.
상기 감지전극(105)은 상기 감지막(107)의 저항변화를 측정하는 부위로서, 상기 실리콘 기판(101)의 상부 절연층(102) 상에 패턴 형성되는데, 바람직하게는 상기 한 쌍으로 형성되는 성장판(104)에 대응하여 상기 감지적극(105)도 한 쌍으로 형성된다. 즉, 상기 마이크로 채널(103)을 기준으로 마이크로 채널(103)의 양쪽에 각각 감지전극(105)이 패턴 형성되는 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 상기 히터전극(106)의 구조를 나타내는 평면도로서, 도면에 도시된 바와 같이 상기 히터전극(106)은 외부 전원과 연결되는 한 쌍의 전극패드(106a)와, 일단이 일측 전극패드에 타단이 타측 전극패드에 각각 연결되며 지그재그 형태로 형성되어 전원이 인가된 경우 그 두께와 길에 따른 저항에 의해 발열하게 되는 미세히터선(106b)으로 이루어진다.
상기 히터전극(106)은 상기 감지전극(105)과는 전기적으로 분리되며, 안전성과 양호한 양산성을 위하여 종래의 가스센서와 달리 실리콘 기판(101)의 하부 절연층(102) 상에 패턴 형성됨이 바람직하다.
상기와 같은 구성의 본 발명에 있어 상기 성장판(104)은 상기 마이크로 채널(103)의 길이 방향을 따라서 적어도 둘 이상이 배치되도록 패턴 형성됨이 바람직하다.
즉, 도면에 도시된 것과 같이(본 도면에서는 쌍을 이루는 성장판(104)이 세 개 형성된 것을 예시함.), 쌍을 이루는 성장판(104)이 일정 간격을 두고 마이크로 채널(103)에 일렬로 형성되도록 다수 개를 패턴 형성시키고, 상기 각 성장판(104)에서 이종가스와 반응하는 각각의 감지물질을 성장시켜 각 성장판(104)과 동일한 수의 감지막(107)을 형성시킴으로써 단일가스뿐만 아니라 다중가스도 동시에 감지하도록 구성할 수 있다.
이때, 상기 감지전극(106) 또한 이종가스와 반응하는 각 감지막(107)의 저항 변화를 각각 감지할 수 있도록 성장판(104) 및 감지막(107)과 동일하게 다수 개가 패턴 형성됨은 물론이다.
상기한 구성의 본 발명에 따른 반도체식 가스센서가 특정가스에 대해 반응하는 것을 간단히 설명하면, 상기 히터전극(106)은 전원이 인가된 경우 미세히터선(106b)의 두께와 길이에 따른 저항에 의해 발열을 하게 되고, 상기 열은 상부의 마이크로 채널(103)에 형성된 감지막(107)으로 전달되어 상기 감지막(107)이 최적의 성능을 나타낼 수 있는 온도로 승온시키게 된다.
상기 최적의 온도로 승온된 감지막(107)은 유입되는 가스에 대해 화학적 흡착 또는 탈착 반응이 원활하게 이루어지며, 이로 인해 상기 감지막(107)에 저항변화가 발생하게 되고, 이러한 감지막(107)의 저항변화를 감지전극(105)에서 측정하게 된다.
도 5는 본 발명에 따른 반도체식 가스센서의 제조방법을 그 순서에 따라 각 단계별로 나타내는 단면도이다.
상기한 도면을 참조하면, 먼저 〈100〉방향성을 갖는 N형 실리콘 기판(101)의 상하부에 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(Si3N4), 산화막-질화막-산화막(SiO2-Si3N4-SiO2), 탄화규소막(SiC), 또는 다이아몬드 박막을 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition)이나 전기로(Electrical Furnace)를 이용하여 1㎛ 이상 성장시켜 절연층(102)을 형성한다 (S1-1).
상기 절연층(102)이 상하부에 형성된 실리콘 기판(101)에 포토리소그래픽 공 정을 통해 실리콘 기판(101)의 상면 중앙영역만을 식각하여 대략 140 내지 150㎛ 깊이를 가지며 양 측면이 구배진 마이크로 채널(103)을 형성시킨다 (S1-2).
그리고 상기 마이크로 채널(103)에도 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition)이나 전기로(Electrical Furnace)를 이용하여 300 내지 500Å 두께의 절연층(102)을 형성시킨다 (S1-3).
상기와 같이 실리콘 기판(101)에 마이크로 채널(103)이 형성된 후에는 포토레지스트(PR)(202)를 마이크로 채널(103)의 저면에 도포한다 (S2-1).
여기서, 상기 마이크로 채널(103)의 저면에 포토레지스트(202)를 도포하는 것은 후술할 리프트오프(Lift off)과정을 통해 도포된 포토레지스트(202)를 제거함으로써 성장판(104)이 마이크로 채널(103)의 양 측면에만 패턴 형성되도록 하기 위함이다.
상기 포토레지스트(202)의 도포 후, 상하부의 절연층(102) 상에 진공증착법(Thermal Evaporation), 이온빔증착법(e-Beam Evaporation) 또는 스퍼터링(Sputtering)을 이용하여 금속층(201)을 증착한다 (S2-2).
상기 금속층(201)은 금(Au) 또는 백금과 접착력을 증대시키기 위한 타이타늄(Ti) 또는 크롬(Cr)으로 이루어지며, 타이타늄(Ti) 또는 크롬(Cr)의 증착 두께는 500Å이고, 금 또는 백금은 500-800Å의 두께로 증착하는 것이 바람직하다.
상기 금속층(201)의 증착 후, 포토리소그래픽 공정을 통해 하부 금속층(201)에 히터전극(106)의 형성을 위한 포토레지스트 패턴(203)을 형성시킨다 (S3-1).
또한, 상부 금속층(201)에 성장판(104)과 감지전극(105)의 형성을 위한 포토 레지스트 패턴(204)을 각각 형성시킨다 (S3-2).
상기와 같이 상하부 금속층(201)에 각각 포토레지스트 패턴(203,204)이 형성된 후에 상기 상하부 금속층(201)에 전해도금법을 이용하여 니켈층(205)을 증착한다 (S3-3).
상기 니켈층(205)은 포토레지스트 패턴(203,204)이 형성되지 않은 금속층(201) 부분에만 증착되며, 상기 니켈층(205)의 증착 두께는 대략 1 ∼ 5㎛가 되도록 함이 바람직하다.
이와 같이 니켈층(205)이 증착된 후에는 상기 형성된 포토레지스트(202,203,204)를 제거함으로써 성장판(104)과 감지전극(105) 및 히터전극(106) 만의 패턴을 형성시키게 된다.
더욱 구체적으로 설명하면, 먼저 노광 및 현상 공정을 통해 상하부에 패턴 형성된 포토레지스트(203,204)를 제거하게 되면, 마이크로 채널(103) 부위의 금속층(201) 상부에 채워진 포토레지스트(204)와 상기 (S2-1) 단계에서 도포된 포토레지스트(202)만이 기판 상에 남게 된다 (S4-1).
이 상태에서 금속 에칭을 하여 니켈층(205)이 형성된 부분과 포토레지스트(204) 가 채워진 마이크로 채널(103) 부위의 금속층(201) 만을 기판 상에 남긴다 (S4-2).
그리고 상기 남아 있는 포토레지스트(202,204)를 리프트오프(Lift off)시킴으로써 최종적으로 성장판(104)과 감지전극(105) 및 히터전극(106) 만의 패턴을 형성시킨다 (S4-3).
상기와 같이 성장판(104), 감지전극(105) 및 히터전극(106)이 최종 형성된 후, 마이크로 채널(103) 양 측면에 형성된 성장판(104)에 감지물질을 적층시키고, 상기 감지물질을 수직 성장시켜 마이크로 채널(103)의 상측에 브릿지 형태의 감지막(107)을 형성시킨다 (S5).
도 6은 상기 감지물질이 성장판(104)에서 성장하는 것을 순차적으로 나타내는 도면으로서, 도 6의 (a)에서와 같이 전기로 내에서 감지물질(301)을 성장판(104)의 근거리, 즉 대략 0.1 ∼ 0.5㎝에 위치시키고, 상기 감지물질(301)을 일정량의 아르곤과 산소 가스 분위기에서 300 ∼400℃ 온도를 1 ∼ 10분 동안 유지시키면 상기 감지물질은 상기 성장판(104)에 적층되어 적층판(302)을 형성시키게 된다.
상기와 같이 감지물질이 적층되어 적층판이 형성된 후, 500 ∼ 600℃로 온도를 증가시켜 60 ∼ 100분 정도 유지시키면 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이 상기 적층된 감지물질은 100 ∼ 150㎛ 수직 성장하게 된다.
상기 성장판(104)은 전술한 바와 같이 마이크로 채널(103)의 양 측면에 한 쌍을 이루어 형성되므로 각 성장판(104)에 수직 성장한 상기 감지물질은 마이크로 채널(103)의 상부에서 브릿지를 이루어 감지막(107)을 형성시키게 되는 것이다.
이상에서 설명된 본 발명에 따른 반도체식 가스센서 및 그 제조방법은 전술한 실시예와 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서의 다양한 변환 및 치환이 가능한 것은 본 발명이 속하 는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것으로서 특허청구범위에서 기술된 본 발명의 기술적 사상에 속하는 것이라 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 반도체식 가스센서 및 그 제조방법은 성장판에서 감지물질을 일정 조건하에서 수직 성장시켜 브릿지 형태의 감지막을 형성하고 히터전극을 실리콘 기판의 하부에 패턴 형성하는 구조로 이루어져 수율이 높고 안정적이면서도 단일가스뿐만 아니라 다중가스에 대한 응답속도를 단축시킬 수 있어 우수한 감지특성을 확보할 수 있는 효과가 있다.
또한, 감지물질을 성장시켜 감지막을 형성시킴으로써 종래의 방식과 달리 소결(Sintering) 공정을 거치지 않아도 되므로 그 제작공정을 보다 단순화하여 생산비 절감을 통한 경제성 및 용이한 양산성을 확보할 수 있는 효과가 있다.

Claims (7)

  1. 상하부에 절연층이 형성되며, 상면의 중앙영역에 소정 깊이의 마이크로 채널이 식각 형성된 실리콘 기판;
    상기 마이크로 채널에 패턴 형성되며 감지물질이 적층되는 성장판;
    상기 성장판에 적층된 감지물질이 수직 성장하여 상기 마이크로 채널의 상측에 브릿지 형태로 형성되는 감지막; 및
    상기 상부 및 하부 절연층 상에 각각 패턴 형성되는 감지전극과 히터전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 마이크로 채널은 양 측면이 구배진 상광하협한 형상이며, 상기 성장판은 쌍을 이루어 상기 마이크로 채널의 구배진 양 측면에 상호 대칭되도록 패턴 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 한 쌍의 성장판은 마이크로 채널의 길이 방향을 따라 적어도 둘 이상이 일렬로 배치되도록 패턴 형성되며, 상기 각 성장판에 대응하여 적어도 둘 이상의 감지막이 마이크로 채널의 상측에 일렬로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 성장판은 금 또는 백금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서.
  5. 상하부에 절연층이 형성된 실리콘 기판의 상면 중앙영역을 식각하여 소정 깊이의 마이크로 채널을 형성하는 제 1단계;
    상기 마이크로 채널의 저면에 포토레지스트를 도포한 후 상하부 절연층에 금속층을 증착하는 제 2단계;
    상기 금속층에 성장판과 전극 형성을 위한 포토레지스트 패턴을 형성한 후 니켈층을 증착하는 제 3단계;
    상기 포토레지스트를 제거하여 성장판, 감지전극, 히터전극의 패턴을 완성하는 제 4단계; 및
    상기 성장판에 감지물질을 적층시킨 후 이를 수직 성장시켜 브릿지 형태의 감지막을 형성하는 제 5단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제 5단계는 성장판의 근거리에 위치시킨 감지물질을 아르곤과 산소가스 분위기 하에서 300 ∼ 400℃ 온도로 유지시켜 상기 성장판에 감지물질이 적층되도 록 한 후, 500 ∼ 600℃ 온도로 유지시켜 상기 적층된 감지물질이 수직 성장하여 브릿지 형태의 감지막이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 감지물질을 성장판에 적층시키기 위해 300 ∼ 400℃ 온도로 1 ∼ 10분간 유지시키며, 감지막을 형성시키기 위해 500 ∼ 600℃ 온도로 60 ∼ 100분간 유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서의 제조방법.
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