KR20060094664A - 브릿지 구조를 갖는 가스 검지용 단일칩 가스센서 및 그 제조방법 - Google Patents

브릿지 구조를 갖는 가스 검지용 단일칩 가스센서 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20060094664A
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김창교
이희준
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이주헌
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Abstract

본 발명은 단일칩에서 다중가스를 동시에 감지할 수 있도록 하는 브릿지 구조를 갖는 단일칩 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 방향성을 갖는 실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판 상에 형성되는 절연층과, 상기 실리콘 기판을 소정 깊이로 식각하여 형성된 마이크로 채널과, 상기 마이크로 채널 위에, 쌍으로 형성되어 있는 미세전극선과, 상기 마이크로 채널 위에 상기 미세전극선과 전기적으로 분리되어 상기 미세전극선을 감싸며 형성되어 있는 미세히터선과, 상기 미세전극선과 상기 미세히터선을 각각 외부회로에 연결하기 위한 다수개의 전극패드와, 상기 미세전극선의 한 쌍과 상기 미세히터선의 일부를 덮는 감지막을 포함하여 구성되며, 미세전극선과 미세히터선 및 전극패드를 하나이상 배열하여 하나이상 다중가스를 검지할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 그 구조가 간단하면서도 소비전력을 극소화할 수 있음은 물론, 그 구조를 배열하여 다중가스를 검지할 수 있도록 하는 마이크로 채널위에 브릿지 구조로 제작되는 단일칩 가스센서를 제공하고자 한다.
마이크로 채널, 미세히터선, 미세전극선, 단일칩 가스센서

Description

브릿지 구조를 갖는 가스 검지용 단일칩 가스센서 및 그 제조방법{One chip gas sensor for detecting multi gases fabricated bridge on micro channel and fabricating method of the same}
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 채널 위에 브릿지 구조로 제작된 미세히터선과 다수개의 미세전극선을 가지는 단일칩 가스센서의 감지막이 형성되기 전 구조를 나타내는 평면도.
도 2는 본 발명에 있어서, 도 1의 사시도.
도 3은 본 발명에 있어서, 도 1에 도시된 단일칩 가스센서에 감지막이 형성된 후 구조를 나타내는 사시도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 단일칩 가스센서의 제조방법을 순차적으로 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 단일칩 가스센서를 나타낸 평면도,
도 6는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 단일칩 가스센서를 나타낸 평면도,
도 7는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 단일칩 가스센서를 나타낸 평면도,
도 8은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 단일칩 가스센서를 나타낸 평면도이다.
본 발명은 가스 검지용 센서에 관한 것으로, 더 상세하게는 그 구조가 간단하면서도 소비전력을 극소화시킬 수 있음은 물론, 단일칩에서 다중가스를 동시에 감지할 수 있도록 하는 브릿지 구조를 갖는 단일칩 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
독성가스와 폭발성 가스 검지의 수요에 의해 계속된 발전을 이루어온 가스센서는 현재에는 환경문제가 대두되면서 대기환경 측정용 가스센서를 이용하려는 노력이 활발히 이루어지고 있다.
대기오염현상은 인간의 보건 위생뿐 아니라 환경에 해를 끼치며 전 지구적 범위로 확대되고 있어 매우 심각하다. 따라서 유해물질의 연속 모니터링과 제어가 절실히 필요하다.
또한, 사회가 점차 도시화와 산업화가 진행됨에 따라 가스의 수요가 급증하고 있으며 이에 따라 가스 누출에 의한 화재 및 인명 피해의 손실이 급증하고 있는 바, 다양한 원료를 사용하는 식품, 향료 산업과 의료 분야에 적용할 수 있는 다중 가스를 감지하기 위한 가스 센서가 필요하게 되었다.
일반적으로, 가스센서는 화학센서의 일종으로서 인간이 갖고 있는 5감 중 후각의 불완전성을 보완하고 그 기능을 확장시키는 고성능 인조 감각기관의 하나이다.
지상에 존재하거나 인간에 의해 개발된 무수한 센서들 중 가스센서가 기본이 되는 이유는 이는 모든 생명체를 유지하는데 필수 불가결의 요소인 공기를 대상으로 하기 때문이다.
지금까지 가스센서의 계속적인 개발에 의해 보다 낮은 가격으로 보다 높은 성능의 소자와 시스템의 획득이 가능하게 되었다.
이에 본 발명에서는 유해 물질의 연속 적인 모니터링과 제어 및 다양한 원료를 사용하는 식품, 향료 산업과 의료분야 등에 적용할 수 있도록 반도체식 가스센서를 제공하고자 하는 것이다.
많은 연구가 진행되고 있는 반도체식 가스센서는 감지물질 도포 형태에 따라 후막형, 박막형으로 구분될 수 있으며, 벌크형??후막형??박막형??마이크로형으로 점차 소형화 되어가고 있다.
최근에는 이들 센서를 여러 개 조합한 센서 어레이에 대한 연구가 진행되고 있다.
그러나, 종래 마이크로 가스센서의 경우 개별가스를 검지하는 구조이거나 또는 다중가스를 감지하는 센서인 경우 다수개의 히터와 다수개의 감지부를 포함하여 복잡한 구조로 이루어져 있다는 문제점이 있다.
본 발명에서는 반도체 미세가공 기술을 이용하여 제작한 마이크로 채널 위에 브릿지 구조를 갖는 미세히터선과 미세전극선을 구성하여, 그 구조가 간단하면서도 소비전력을 극소화할 수 있음은 물론, 그 구조를 배열하여 다중가스를 검지할 수 있도록 하는 마이크로 채널위에 브릿지 구조로 제작되는 단일칩 가스센서를 제공하 고자 한 것이다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 장치는,
방향성을 갖는 실리콘 기판과,
상기 실리콘 기판 상에 형성되는 절연층과,
상기 실리콘 기판을 소정 깊이로 식각하여 형성된 마이크로 채널과,
상기 마이크로 채널 위에, 쌍으로 형성되어 있는 미세전극선과,
상기 마이크로 채널 위에 상기 미세전극선과 전기적으로 분리되어 상기 미세전극선을 감싸며 형성되어 있는 미세히터선과,
상기 미세전극선과 상기 미세히터선을 각각 외부회로에 연결하기 위한 다수개의 전극패드와,
상기 미세전극선의 한 쌍과 상기 미세히터선의 일부를 덮는 감지막을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 미세전극선과 미세히터선 및 전극패드를 하나이상 배열하여 하나이상 다중가스를 검지할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명 브릿지 구조를 갖는 가스 검지용 단일칩 가스센서의 제조 방법은 다음과 같다.
방향성을 갖는 실리콘 기판 상에 절연층을 형성하고 이를 패터닝하는 패터닝 과정과,
상기 형성된 절연층상에 미세히터선, 미세전극선 및 전극패드의 패턴 부분에 금속층을 증착하여 미세전극선 및 전극패드를 형성시키는 과정과,
상기 미세히터선, 상기 미세전극선 및 상기 전극패드의 패턴부분에 대하여 마이크로 채널을 형성과정수행시 식각되는 것을 방지하기 위하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 과정과,
상기 보호막 형성 과정 후 상기 실리콘 기판을 소정 깊이로 식각하여 마이크로 채널을 형성하는 마이크로 채널 형성 과정과,
상기 미세전극선의 한 쌍과 상기 미세히터선의 일부를 덮도록 다수개의 감지막을 도포하는 감지막 도포 과정을 포함하여 브릿지 구조를 갖는 가스 검지용 단일칩 가스센서의 제조가 이루어지는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 보호막형성과정에 있어서, 자동절단부의 형성을 위해 자동절단부 형성부만을 제외하고 보호막을 형성하는 단계를 도 포함하고, 마이크로 채널 형성과정에 있어서, 식각을 통해 자동절단부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 첨부된 도면에 도시된 바람직한 실시예를 참조하여 구성과 그 동작을 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 채널 구조의 미세히터선과 다수개의 미세전극선을 가지는 단일칩 가스센서의 감지막이 형성되기 전 구조를 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 사시도이며, 도 3은 도 1에 도시된 단일칩 가스센서에 감지막이 형성된 후 구조를 나타내는 사시도이다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면,
본 발명을 따르는 단일칩 가스센서는, 방향성을 갖는 실리콘 기판(101)과, 상기 실리콘 기판 상에 형성되는 절연층(102)과, 상기 실리콘 기판(101)을 소정 깊이로 식각하여 형성된 마이크로 채널(107)과, 상기 마이크로 채널(107)위에, 쌍으로 형성되어 있는 미세전극선(104a,104b)과, 상기 마이크로 채널 위에 상기 미세전극선(104a, 104b)과 전기적으로 분리되어 상기 미세전극선(104a,104b)을 감싸며 형성되어 있는 미세히터선(103a,103b)과, 상기 미세전극선(104a,104b)과 상기 미세히터선(103a,103b)을 각각 외부회로에 연결하기 위한 다수개의 전극패드(105a,105b,106a,106b)와, 상기 미세전극선(104a,104b)의 한 쌍과 상기 미세히터선(103a,103b)의 일부를 덮는 감지막(201a,201b)을 포함하여 구성된다.
이와 같은 구성을 갖는 본 발명 실시예는 미세전극선(104a), 미세(103a) 그리고 전극패드(105a,106a)에 공간배열을 통해 미세전극선(104b),미세히터선(103b) 전극패드(105b,106b)를 구성한 것으로, 두가지의 가스를 검지하기 위한 다중가스 검지용 단일칩 가스센서를 나타낸 것이다.
이와 같은 본 발명 가스센서는 미세히터선(103a, 103b), 상기 미세전극선(104a, 104b) 및 상기 전극패드(105a, 105b, 106a, 106b)의 하부면은 실리콘 기판(101)을 통해서 누설되는 전류와 전극패드(105a, 105b, 106a, 106b) 간의 절연을 위해서 절연층(102)이 형성되어 있다.
상기 절연층(102)으로는 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(Si3N4), 산화막-질화막-산화막(SiO2-Si3N4-SiO2), 탄화규소막(SiC) 또는 다이아몬드박막 중 적어도 어느 하나 이상의 막으로 이루어 질 수 있다.
이와 같은 절연층(102)을 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition) 또는 전기로(Electrical Furnace)를 이용하여 일정 두께로 성장시키고, 또한 이를 부분적으로 습식식각하여 마이크로 채널(107)을 형성한다.
미세전극선(104a, 104b)은 마이크로 채널(107) 위에 두 개가 하나의 쌍을 이루어 가며 형성되어 있는데, 두 개가 하나의 쌍으로 이루어지는 "II" 구조로 이루어져 있다.
미세히터선(103a, 103b)은 마이크로 채널(107) 위에 미세전극선(104a, 104b)과 전기적으로 분리되어 형성되어 있는데, 상기 미세전극선(104a, 104b)을 감싸며 전체적으로 하나 또는 둘로 연결되어 있는 구조로 형성된다.
상기 미세히터선(103a, 103b)은 굴절 패턴으로 이루어진다.
상기 전극패드(105a, 106a)와 미세히터선(103a), 미세전극선(104a)은 산화 반응이 적고 전기전도도가 높은 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 금(Au) 등과 같은 금속 재료로 증착시켜 구성한다.
그리고 상기 마이크로 채널(107) 위에 굴절 패턴으로의 미세히터선(103a, 103b)과 II자형 패턴의 미세전극선(104a, 104b)에는 상기 미세히터선(103)과 미세전극선(104a, 104b)을 덮는 다수개의 감지막(201a, 201b)을 형성한다.
상기 형성된 각 감지막(201a,201b)을 통해 다중 가스(2가지 종류)를 감지할 수 있도록 설계된다.
상기 마이크로 채널(107)은 미세히터선(103a, 103b)의 열 방출을 최소화함으 로서 소비전력을 극소화하기 위한 구조이며, 마이크로 채널(107)의 형성은 습식식각을 이용한다.
도 3에서는 도 1의 구조에 각각의 감지물질을 다수개의 미세전극선(104a, 104b)위에 스크린 프린팅하여 형성하여 벌크화한 다수 감지막(201a, 201b)을 나타낸다.
여기에서, 특정한 가스와 이에 따른 다수 감지막(201a, 201b)의 반응을 설명하면 다음과 같다.
전원을 미세히터선(103a, 103b)에 인가하면 미세히터선을 형성하는 금속층의 두께와 길이에 따른 저항에 의해서 발열하게 되는데 이러한 열의 발생은 미세히터선(103a, 103b)의 온도를 특정 온도까지 상승시키게 된다.
여기에서, 다수개의 미세전극선(104a, 104b) 위에 형성된 감지막(201a, 201b)의 온도 또한 동반 상승하여 유입되는 가스에 대해서 화학적 흡착 또는 탈착 반응이 원활하게 이루어지게 된다.
이로 인하여 수개의 감지막(201a, 201b)에 저항 변화가 발생하게 되는데, 이와 같은 저항 변화를 각각의 미세전극선(104a, 104b)에서 측정하게 된다.
도 4의 (a) 내지 (f)는 본 발명의 일실시예에 따른 가스센서의 제조 공정을 순차적으로 도시한 것이다.
1㎛이상의 절연층(102)을 성장하여 누설 전류 차단 및 전극패드(105a, 106a) 간의 절연을 시키게 되는 바,
먼저 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 방향성을 가진 N형 실리콘 기판(101) 에 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(Si3N4), 산화막-질화막-산화막(SiO2-Si3N4-SiO2), 탄화규소막(SiC) 또는 다이아몬드 박막을 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition) 또는 전기로(Electrical Furnace)를 이용하여 1㎛이상 성장시켜 절연층(102)을 형성시킨다.
도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 마이크로 채널(107)과 자동 절단부(A)의 형성을 위해 절연층(102) 위에 감광제(301)를 패터닝한다.
자동절단부(303)는 공정이 완료된후, 각 만들어진 센서단위로 절단하기 위하여 형성되는 것으로, 공정완료후 절단장치를 이용하여 형성되는 바,
본 발명에서는 마이크로 채널(107) 형성시 함께 형성될 수 있도록 자동절단부(A)의 형성과정을 더 포함할 수 있도록 감광제(301)를 도포한다.
즉, 상단부 패턴이 형성된 부분에 감광제(301)를 도포하고, 건조된 후 자동채널부(303)가 형성될 하단부에 감광제(301)를 도포한다.
도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 습식식각을 이용하여 절연층(102)을 패터닝한다.
도 4의 (d)에 도시된 바와 같이, 진공증착법(Thermal Evaporation), 이온빔증착법(e-Beam Evaporation) 또는 스퍼터(Sputter) 시스템을 이용하여 미세히터선(103a), 미세전극선(104a), 전극패드(105a, 106a)의 패턴 부분에 타이타늄(Ti) 또는 크롬(Cr)과 금(Au)등을 이용하여 금속층(302)을 증착시켜 미세히터선(103a), 미세전극선(104a), 전극패드(105a,105b)를 형성시킨다.
상기 금속층(302)은 시드층(seed layer)으로 사용되며, 타이타늄(Ti) 또는 크롬(Cr)의 증착 두께는 500??이고 금(Au)은 500-800??의 두께로 증착한다.
미세히터선(103a)과 미세전극선(104a)의 패턴의 폭은 10-20㎛이고, 미세히터선(103a)과 미세전극선(104a) 간의 거리도 10㎛로 설계된다.
이때, 일반적으로 미세전극선(104a), 미세히터선(103a) 및 전극패드(105a,106a)를 백금(Pt), 금(Au) 등만을 이용하여 구성하게 될 경우 제조단가가 문제가 될 수 있어, 니켈(Ni)을 도금하는 단계를 더 포함시킬 수 있다.
니켈을 도금하는 이유는 히터로 사용하고자 함이고, 일반적으로 히터 재료로 사용되는 것은 상기에서 같이, 귀금속 백금 또는 금을 사용하고 있어, 본 발명에서는 제품의 단가 절감의 효과와 백금의 성능과 거의 흡사한 니켈을 사용할 수 있다.
니켈을 도금하기 위해서는 전도성 물질이 필요해서 금을 증착하였으며 금은 실리콘 물질과 접착력이 좋지 않아서 금을 증착하기 전에 니크롬 또는 크롬 또는 타이타늄을 증착한다.
따라서 니크롬 또는 크롬 또는 타이타늄을 1차 증착하고, 그 상부로 금을 증착하며, 최종 니켈을 도금하는 단계를 진행한다.
도 4의 (e)에 도시된 바와 같이, 140-150㎛ 깊이의 마이크로 채널(107)과 자동 절단부(303)의 형성을 위해 수산화 칼륨(KOH)을 사용하여 습식식각을 한다.
따라서 초기 500㎛의 실리콘 기판의 두께는 상, 하부면의 식각으로 인해 200-220㎛의 두께를 가지게 된다.
도 4의 (f)에 도시된 바와 같이 상기 미세히터선(103a)과 미세전극선(104a) 의 일부를 덮도록 감지막(201a)을 도포하여 그 제조공정을 완료한다.
도 5, 도 6, 도 7, 도 8은 본 발명의 다중가스 검지용 단일칩 가스센서에 있어서 주요 부분인 미세히터선과 다수개의 미세전극선의 패턴 변형에 따른 실시예를 도시한다.
도 5에 도시된 실시예에 있어서는, 마이크로 채널(107) 위에 "ㄷ" 패턴의 미세히터선(403a, 403b)과 II자형 패턴의 두 쌍이 있는 미세전극선(404a, 404b)이 형성되어 동시에 두 가지의 가스를 감지할 수 있도록 설계한 예를 나타낸 것이다.
도 6에 도시된 실시예에 있어서는, 마이크로 채널(107) 위에 "ㄷ" 패턴의 미세히터선(503a, 503b)과 II자형 패턴의 세 개의 미세전극선(504a, 504b, 504c)이 형성되어 동시에 세 가지의 가스를 감지할 수 있도록 설계된 예이다
도 6에서와 같은 경우 미세히터선(503a,504b)의 일측부를 미세전극선(504C)에서 공통으로 사용하여 공간내에 적절하게 세가지의 가스를 감지할 수 있도록 하는 패턴을 구성한 것이다.
도 7에 도시된 실시예에 있어서는, 마이크로 채널(107) 위에 "ㄹ" 패턴의 미세히터선(603)내에 II자형 패턴의 두 개의 미세전극선(604a, 604b)이 각각 형성되어 동시에 두 가지의 가스를 감지할 수 있도록 설계되었다.
도 8에 도시된 실시예에 있어서는, 마이크로 채널(107) 위에 "f"(변형된"??" 패턴의 미세히터선(703)과 II자형 패턴의 두 개의 미세전극선(704a, 704b)이 형성되어 동시에 두 가지의 가스를 감지할 수 있도록 설계되었다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 본 발명에 의한 단일칩 가스센서는 마이크로 채널 위에 미세히터선과 다수개의 미세전극선을 형성하여 제작하게된다.
마이크로 채널 위에 감지물질을 가열시키는데 필요한 미세히터선이 있고 다수개의 미세전극선에 다중 가스를 검지할 수 있도록 미세전극선의 수와 관계가 되는 감지막을 도포하여 감지부에서 동시에 여러 가스를 감지하게 된다.
센서가 가스감지에 필요한 200??이상의 고온을 얻기 위해 다수개의 미세전극선 주변을 동일 온도를 지닐 수 있도록 미세히터선이 감싸는 구조를 이용하였다.
전극패드는 실리콘 기판과의 절연 및 누설 전류 차단 등의 전기적 오동작을 막기 위해 실리콘 기판위에 형성된 절연층위에 금속층을 증착하여 형성하였고, 미세히터선과 다수개의 미세전극선 위에 진공증착법, 전자빔진공증착법, 스퍼터링법 또는 스크린프린트법 등으로 감지물질을 형성하여 동시에 여러 가스를 감지할 수 있다.
미세히터선과 미세전극선의 패턴변화에 따라 단일칩내의 적절한 공간활용을 통해 하나이상의 다중가스를 검지할 수 있는 가스센서를 구성할 수 있음은 물론 패턴변화에 따라 미세히터선의 온도의 차가 발생할 수 있어, 동작의 신뢰성에 영향을 줄 수 있다.
본 발명에서는 상기한 바와 같은 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 다양한 패턴을 변형하여 실시할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 마이크로 채널 위에 브릿지 구조로 제작된 다중가스 검지용 단일칩 가스센서 및 그 제조방법에 의하면, 최적의 구동으로 빠른 응답속도와 저 소비전력 및 산업의 고도화로 인한 동시 다발적으로 발생된 다중가스를 동시에 감지할 수 있는 다중가스 검지용 단일칩 가스센서이며, 단일칩 가스센서의 크기 및 공정의 단순화로 양산성을 확보할 수 있는 효과가 있다.
따라서 폭발성 가스와 유독성 가스를 조기에 감지하여 신속히 사고에 대응하고, 습도, 알코올 및 악취성 가스를 환경적 제어를 통해서 생활의 불편 요소를 사전에 제거할 수 있는바, 산업, 환경, 의료 분야에서 쉽게 적용할 수 있다.

Claims (11)

  1. 방향성을 갖는 실리콘 기판과,
    상기 실리콘 기판 상에 형성되는 절연층과,
    상기 실리콘 기판을 소정 깊이로 식각하여 형성된 마이크로 채널과,
    상기 마이크로 채널 위에, 쌍으로 형성되어 있는 미세전극선과,
    상기 마이크로 채널 위에 상기 미세전극선과 전기적으로 분리되어 상기 미세전극선을 감싸며 형성되어 있는 미세히터선과,
    상기 미세전극선과 상기 미세히터선을 각각 외부회로에 연결하기 위한 다수개의 전극패드와,
    상기 미세전극선의 한 쌍과 상기 미세히터선의 일부를 덮는 감지막을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 브릿지 구조를 갖는 가스 검지용 단일칩 가스센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 미세전극선과 한쌍의 미세전극선을 둘러싸는 미세히터선을 하나이상 더 배열하여 다중 가스를 검지할 있도록 하는 브릿지 구조를 갖는 가스 검지용 단일칩 가스센서.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판 상에 형성되는 절연층은 실리콘 산화막 (SiO2), 실리콘 질화막(Si3N4), 산화막-질화막-산화막(SiO2-Si3N4-SiO2), 탄화규소막(SiC) 또는 다이아몬드박막 중 적어도 어느 하나 이상의 막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 채널 위에 브릿지 구조로 제작된 다중가스 검지용 단일칩 가스센서.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 마이크로 채널의 구조는 다각형 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 채널 위에 브릿지 구조로 제작된 다중가스 검지용 단일칩 가스센서.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미세전극선 한 쌍의 패턴은 II자 구조로 이루어지고, 상기 미세히터선의 패턴은 굴곡 구조로 미세전극선이 그 내에 구성되어 미세히터선에 둘러싸일 수 있도록 하는 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 채널 상에 형성한 다중가스 검지용 단일칩 가스센서.
  6. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미세전극선 한 쌍의 패턴은 미세전극선 한 쌍의 패턴은 II자 구조로 이루어지고, 상기 미세히터선의 패턴은 다중 굴곡 구조로 한 쌍의 미세전극선이 각 굴곡내에 구성되어 하나의 미세히터선내에 다수개의 미세전극선이 둘러 싸일 수 있도록 하는 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 브릿지 구조를 갖는 가스 검지용 단일칩 가스센서.
  7. 제 2항 내지 제 4항중 어느 한 항에 있어서, 두 개이상의 미세전극선 및 미세히터선을 배열하여 다중가스를 검지할 수 있도록 하는 가스 센서를 구성함에 있어서,
    상기 미세전극선 한 쌍의 패턴은 II자 구조로 이루어지고, 상기 미세히터선의 패턴은 굴곡 구조로 미세전극선이 그 내에 구성되어 미세히터선에 둘러싸일 수 있도록 하는 구조로 이루어지며, 이와 같이 구조로 이루어진 미세전극선 및 미세히터선이 배열된 중앙에 미세전극선을 구성하고, 양측에 배열된 미세전극선을 둘러싼 미세히터선을 공통으로 사용하도록 패턴을 구성한 것을 특징으로 하는 브릿지 구조를 갖는 가스 검지용 단일칩 가스센서.
  8. 방향성을 갖는 실리콘 기판 상에 절연층을 형성하고 이를 패터닝하는 패터닝 과정과,
    상기 형성된 절연층상에 미세히터선, 미세전극선 및 전극패드의 패턴 부분에 금속층을 증착하여 미세전극선 및 전극패드를 형성시키는 과정과,
    상기 미세히터선, 상기 미세전극선 및 상기 전극패드의 패턴부분에 대하여 마이크로 채널을 형성과정 수행시 식각되는 것을 방지하기 위하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 과정과,
    상기 보호막 형성 과정 후 상기 실리콘 기판을 소정 깊이로 식각하여 마이크로 채널을 형성하는 마이크로 채널 형성 과정과,
    상기 미세전극선의 한 쌍과 상기 미세히터선의 일부를 덮도록 감지막을 도포하는 감지막 도포 과정을 포함하여 브릿지 구조를 갖는 가스 검지용 단일칩 가스센서의 제조가 이루어지는 것을 특징으로 하는 브릿지 구조를 갖는 가스 검지용 단일칩 가스센서 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 보호막 형성과정에 있어서, 자동절단부의 형성을 위해 자동절단부 형성부 이외의 부분에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 마이크로 채널 형성과정에 있어서, 마이크로 채널 형성 과정 진행시 실리콘 기판을 소정깊이로 식각하여 자동절단부를 형성하는 단계를 도 포함하는 것을 특징으로 하는 브릿지 구조를 갖는 가스 검지용 단일칩 가스센서 제조방법.
  10. 제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 금속층을 증착하여 미세전극선 및 전극패드를 형성시키는 과정에 있어서, 미세전극선, 미세히터선 및 전극패드의 패턴부분에 타이타늄 또는 크롬과 같은 접착성 물질을 증착하는 단계와, 그 상부로 금을 증착하는 단계와, 그 상부로 니켈을 도금하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 브릿지 구조를 갖는 가스 검지용 단일칩 가스센서 제조방법.
  11. 제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 감지막 도포 과정은 스크린프린트법, 진공증착법, 전자빔증착법 또는 스퍼터링법중 적어도 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 브릿지 구조를 갖는 가스 검지용 단일칩 가스센서 제조방법.
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