KR100623715B1 - 레이저 열전사 장치와 그를 이용한 레이저 열전사 방법 - Google Patents
레이저 열전사 장치와 그를 이용한 레이저 열전사 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100623715B1 KR100623715B1 KR1020040092120A KR20040092120A KR100623715B1 KR 100623715 B1 KR100623715 B1 KR 100623715B1 KR 1020040092120 A KR1020040092120 A KR 1020040092120A KR 20040092120 A KR20040092120 A KR 20040092120A KR 100623715 B1 KR100623715 B1 KR 100623715B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- laser
- substrate
- ccd
- light receiving
- receiving element
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 107
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 62
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 claims description 49
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
레이저 열전사 장치 및 그를 이용한 레이저 열전사 방법에 관한 것이다. 기판이 위치하는 기판부 및 상기 기판부에 인접하는 얼라인 참조부를 포함하는 스테이지; 상기 얼라인 참조부 내에 위치하는 수광소자; 및 상기 스테이지 상에 위치하는 CCD 및 레이저를 포함하는 레이저 열전사 장치 및 그를 이용한 레이저 열전사 방법을 제공한다.
빔 얼라인, 슬릿 마스크, 레이저 열전사법, 유기전계발광표시장치
Description
도 1은 본 발명에 따른 레이저 열전사 장치를 간략히 나타낸 사시도,
도 2는 본발명의 실시예에 따른 슬릿 마스크 및 슬릿형 포토 다이오드를 나타낸 도면,
도 3은 본 발명에 따른 레이저 열전사 장치를 사용하여 레이저 열전사법을 수행하는 과정을 나타낸 공정도,
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 레이저 열전사 방법을 나타낸 사시도,
도 5a 및 도 5b, 도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 레이저 열전사 방법을 나타낸 사시도들이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 도면 부호의 설명 *
20 : 기판, 25 : 도너 기판,
30 : 스테이지, 22 : 기판 얼라인 마크,
13 : CCD, 15 : 레이저
27 : 슬릿 마스크, 45 : 수광 소자
본 발명은 레이저 열전사 장치와 그를 이용한 레이저 열전사 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이저 빔 얼라인 장치를 포함하는 레이저 열전사 장치 및 그를 이용한 레이저 열전사 방법에 대한 것이다.
평판 표시 장치 중 유기전계발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어서, 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
상기 유기전계발광표시장치는 유기전계발광소자로 사용하는 재료와 공정에 따라 습식공정을 사용하는 고분자형 소자와 증착공정을 사용하는 저분자형 소자로 크게 나눌 수 있다.
상기 고분자 또는 저분자 발광층의 패터닝 방법 중 잉크젯 프린팅 방법의 경우 발광층 이외의 유기층들의 재료가 제한적이고, 기판 상에 잉크젯 프린팅을 위한 구조를 형성해야하는 번거로움이 있다.
또한 증착 공정에 의한 발광층의 패터닝 경우 금속 마스크의 사용으로 인해 대형 소자의 제작에 어려움이 있다.
위와 같은 패터닝의 방법을 대체할 수 있는 기술로 레이저 열전사법(LITI : Laser Induced Thermal Imaging)이 최근 개발되고 있다.
레이저 열전사법이란 광원에서 나오는 레이저를 열에너지로 변환하고, 이 열 에너지에 의해 패턴 형성 물질을 대상 기판으로 전사시켜 패턴을 형성하는 방법으로, 이와 같은 방법을 위해서는 전사층이 형성된 도너 기판과 광원, 피사체인 기판이 필요하다.
상기 열전사법은 도너 기판이 리셉터인 상기 기판 전체를 덮고 있는 형태를 가지고, 상기 도너 기판과 기판은 스테이지 상에서 고정된다. 그리고, 상기 도너 기판 상에 레이저 전사를 수행하여 패터닝을 완성하게 된다.
상기 패터닝 공정 시 레이저와 기판의 얼라인의 과정을 거치게 된다. 그러나 상기 레이저 전사를 위한 스캐닝 광학계의 경우 얼라인용 CCD 또는 갈바노미터를 레이저 빔과 동축으로 배치하기가 어려운 경우가 많다.
또한, CCD 또는 갈바노미터와 같은 얼라인 장치와 레이저 빔 사이의 거리 측정이 어렵고, 얼라인을 위해 실제 기판과 동일한 재료를 시료로 사용하여 레이저 빔을 조사하여 테스트함으로써 비용이 증가할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 얼라인 장치와 레이저 사이의 거리 및 레이저의 이동거리 측정이 개선되고, 얼라인을 위한 별도의 시료없이 레이저의 얼라인이 가능한 레이저 열전사 장치 및 레이저 열전사 방법을 제공하는 것에 목적이 있다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 스캐닝하는 레이저 빔의 특성을 파악할 수 있는 레이저 열전사 장치 및 레이저 열전사 방법을 제공함에 목 적이 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 기판이 위치하는 기판부 및 상기 기판부에 인접하는 얼라인 참조부를 포함하는 스테이지; 상기 얼라인 참조부 내에 위치하는 수광소자; 및 상기 스테이지 상에 위치하는 CCD 및 레이저를 포함하는 레이저 열전사 장치를 제공한다.
상기 포토 다이오드는 포지션 디텍터일 수 있다.
상기 포토 다이오드는 슬릿을 구비하는 것일 수 있다.
상기 얼라인 참조부는 슬릿 마스크를 구비하는 것일 수 있다.
상기 스테이지는 스캔 시험부를 더욱 구비하는 것일 수 있다.
또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 기판부 및 상기 기판부에 인접하는 얼라인 참조부를 포함하는 스테이지의 상기 기판부 상에 기판을 위치시키는 단계; CCD가 이동하여 상기 얼라인 참조부 상으로 이동하는 단계: 상기 CCD가 상기 얼라인 참조부 내에 위치하는 수광소자를 감지하는 단계; 레이저가 상기 얼라인 참조부 상으로 이동하여 상기 수광소자가 상기 레이저를 감지하는 단계; 및 상기 레이저와 상기 CCD의 오프셋을 계산하여 상기 레이저가 기판 상으로 이동함으로써, 상기 레이저와 상기 기판이 얼라인되어 레이저를 조사하는 것을 포함하는 레이저 열전사 방법을 제공한다.
상기 레이저와 상기 CCD의 오프셋은 상기 CCD의 수광 소자 감지할 때의 좌표와 상기 수광 소자가 상기 레이저를 감지할 때의 좌표에 의해서 계산되는 것일 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명에 따른 레이저 열전사 장치를 간략히 나타낸 사시도이다.
도면을 참조하면, 레이저 열전사 장치는 광학계와 광학계 하부에 위치하는 스테이지(30)로 이루어진다.
상기 스테이지(30)는 기판(20)이 위치하는 기판부 및 상기 기판부에 인접하는 얼라인 참조부(27)를 포함한다. 상기 스테이지는 스캔 시험부(26)를 더욱 구비할 수 있다.
또한, 상기 스테이지(30)는 베이스(33) 및 이송판(35)으로 구성되며, 상기 이송판(35) 상에는 척(37)이 위치할 수 있다. 또한, 상기 척(37) 상의 기판부에는 도너 기판(25)이 라미네이션된 기판(20)이 위치할 수도 있다. 상기 척(37)은 상기 이송판(35)을 따라 x축 방향으로 이동이 가능함으로써, 레이저 열전사 시 더욱 효율적으로 기판이 위치하도록 한다.
상기 도너 기판(25)과 라미네이션된 상기 기판(20)은 얼라인 마크(22)를 1개 이상을 구비하고, 상기 얼라인 마크는 상기 기판(20)의 레이저 전사 영역 이외의 영역에 위치할 수 있다.. 따라서, 상기 기판(20)이 상기 얼라인 마크(22)를 구비함으로써, 상기 기판(20)과 상기 스테이지(30)의 얼라인, 상기 기판(20)과 상기 도너 기판(25)의 얼라인, 및 상기 기판(20)과 광학계의 얼라인 등 레이저 열전사에 필요한 얼라인 작업들을 수행할 수 있다.
상기 얼라인 참조부(27) 내에는 수광소자가 위치한다. 상기 수광 소자(45)는 y축 방향으로 이동이 가능하다. 또한, 상기 얼라인 참조부(27)는 상기 기판(20)과 동일 높이에 위치할 수 있다.
상기 얼라인 참조부의 수광소자는 포토 다이오드일 수 있다.
또한, 상기 포토 다이오드는 포지션 디텍터일 수 있다. 상기 포지션 디텍터는 다이오드 센서 부분이 2 등분 또는 4 등분된 다이오드로써, 상기 각 등분된 부분에 동일하게 레이저 빔이 걸쳐 있으면 각 센서에 동일한 신호가 발생하고, 한 방향으로 레이저 빔이 치우쳐져 있으면 치우친 부분의 신호가 크게 발생한다. 따라서, 레이저 빔이 어느 방향으로 치우쳐져 있는지 알 수 있으므로, 레이저 빔의 얼라인을 더욱 정확히 할 수 있다.
나아가서, 상기 포토 다이오드는 슬릿을 구비하는 것일 수 있다.
또한 상기 얼라인 참조부(27)는 슬릿 마스크를 구비하는 것일 수 있다. 상기 슬릿 마스크의 하부에 수광소자가 위치하면, 상기 슬릿 마스크의 슬릿을 통해 투과한 레이저 빔을 수광소자가 감지할 수 있다.
상기 슬릿은 십자 또는 일자 모양의 형태를 가질 수 있다.
도 2는 본발명의 실시예에 따른 슬릿 마스크 및 슬릿형 포토 다이오드를 나 타낸 것이다.
도면을 참조하면, 상기 슬릿 마스크(45b)의 슬릿(15b)은 상기 광학계에서 조사되는 레이저 빔을 상기 슬릿 마스크(45b) 하부로 통과시키는 역할을 하며, 상기 슬릿(15b)은 십자형 또는 일자형일 수 있다.
상기 슬릿(15b)으로 인해, 상기 슬릿 마스크(45b)의 하부에 위치하는 상기 수광소자(45)는 상기 십자형 또는 일자형의 슬릿을 통과한 레이저 빔을 감지할 수 있다. 따라서, 레이저 빔의 이동 변위(15a)에 대한 감지가 가능함으로써, 빔의 이동 굴곡에 대한 측정이 가능하여 상기 레이저 빔의 스캔 시 궤적에 대한 오차를 파악하여 더욱 정확한 스캐닝이 되도록 레이저 빔의 스캔 변위를 조절할 수 있다.
상기 슬릿을 구비하는 포토 다이오드는 포토 다이오드 상에 슬릿(5)이 형성되어 있다. 따라서, 상기 포토 다이오드로 입사되는 빔이 상기 슬릿의 중심부를 통과하도록함으로써, 상기 레이저의 위치를 정확히 파악할 수 있으므로, 광학계의 위치를 더욱 정확히 파악할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 상기 스테이지(30) 상에는 광학계가 위치하고, 상기 광학계는 CCD(13) 및 레이저(15)를 구비한다. 또한, 상기 광학계는 레이저, 마스크 및 프로젝션 렌즈를 더욱 구비할 수 있다.
상기 CCD(13) 및 레이저(15)는 x축 방향으로 이동이 가능한 지지대 상에 위치할 수 있다.
상기 레이저(15)는 상기 얼라인 참조부(27)로 레이저 빔을 조사함으로써 위치를 파악할 수 있다. 또한, 상기 CCD(13)는 상기 기판(20)의 상기 얼라인 마크 (22) 및 상기 얼라인 참조부(27)의 수광소자(45)를 감지하고, 이동 거리를 파악함으로써, 상기 레이저(15)의 이동해야할 거리를 파악하는 역할을 수행한다.
상기 CCD(13) 및 레이저(15)는 동축선상에 위치하지 않더라도, 상기 얼라인 참조부(27)를 이용하여 서로 간의 이동 및 오프셋 간격을 측정할 수 있으므로, 상기 레이저의 이동 거리 측정 및 얼라인을 수행할 수 있다.
그리고, 슬릿 마스크를 사용함으로써, 얼라인을 위한 시료로 실제 기판과 동일한 재료를 사용하거나, 실제 기판의 일부를 시료로 사용해야하는 문제를 해결할 수 있다.
또한, 상기 수광소자(45)의 슬릿 사이로 통과한 레이저 빔의 에너지 프로파일(energy profile)을 간단히 측정할 수 있으므로, 레이저 전사 시 필요한 레이저의 강도를 용이하게 조절할 수 있다.
상기 CCD(13)는 1개 이상 위치하는 것일 수 있고, 또한, 상기 CCD(13) 및 레이저(15)는 가이드 바(10)에 장착된 것일 수 있다.
상기 레이저(15)는 빔 쉐이퍼를 포함하고, 상기 레이저에서 발생한 레이저 빔은 상기 빔 쉐이퍼를 통과함으로써 균질화(homogenized)될 수 있다. 상기 레이저는 내장된 레이저 다이오드 또는 외장된 레이저 다이오드의 옵티컬 화이버로 구비될 수 있으며, 상기 빔 쉐이퍼는 호모지나이저(homogenizer)를 사용할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 레이저 열전사 장치를 사용하여 레이저 열전사법을 수행하는 과정을 나타낸 공정도이고, 도 4a 내지 도 4c는 본발명의 제 1 실시예에 따른 레이저 열전사 방법을 설명한 사시도들이다. 상기 도면들을 참조하여 본발명 에 따른 레이저 열전사 방법을 하기와 같이 설명한다.
도 3 및 도 4a를 참조하면, 기판이 위치하는 기판부 및 상기 기판부에 인접하는 얼라인 참조부를 포함하는 스테이지 상에 상기 얼라인 참조부와 인접하도록 상기 기판부 상에 기판을 위치(a)시킨다.
즉, 도 4a를 참조하면, 상기 기판부에 위치하는 척(37) 상에 기판(20)을 고정시킨다. 상기 기판(20)은 TFT 어레이 및 화소전극이 형성된 것이다. 상기 기판(20)의 화소전극과 도너 기판의 전사층이 대향되도록 하여 도너 기판(25)을 위치시키고 얼라인 후, 상기 기판(20)과 상기 도너 기판(25)을 라미네이션한다.
상기 기판(20)은 얼라인 마크(22)를 1개 이상을 구비할 수 있으며, 또한, 상기 얼라인 마크(22)는 상기 기판의 레이저 전사 영역 이외의 영역에 위치할 수 있다.
상기 척(37) 상에 얼라인 참조부(27)를 상기 기판(20)과 나란히 위치시킨다. 상기 얼라인 참조부(27) 내에는 수광소자(45)가 위치하고, 상기 수광소자는 포토 다이오드일 수 있다. 본 실시예에서는 상기 포토 다이오드는 슬릿을 구비하는 것으로 레이저 열전사 방법을 설명하지만, 이에 한정되지는 않는다.
상기 얼라인 참조부(27)는 상기 기판(20)과 동일 높이를 가질 수 있다.
상기 척(37) 상에 위치하는 CCD(13)가 y축 방향으로 이동(도 3의 b)하여 상기 얼라인 참조부(27) 상으로 이동한다. 상기 기판(20)의 얼라인 마크(22)가 상기 기판(20)의 중심으로부터 일정한 거리에 위치하고, 상기 CCD(13)는 상기의 거리를 장치에 입력한 값만큼 이동함으로써, 상기 CCD(13)가 상기 기판(20)의 얼라인 마크 (22)와 동일한 x 좌표 선상에 위치(도 3의 c)하게 된다.
그리고, 상기 얼라인 참조부(27) 내의 수광소자(45)가 상기 CCD(13)가 있는 방향으로 이동(도 3의 d)한다.
도 4b를 참조하면, 상기 CCD(13)가 상기 수광소자(45)를 감지(도 3의 e)하고, 상기 수광소자(45), 상기 CCD(13) 및 상기 기판(20)의 얼라인 마크(22)는 동일 x축 선상, 즉 동일한 y좌표(y1) 선상에 위치하게 된다. 이때의 상기 CCD(13) 또는 상기 수광소자(45)의 좌표는 (x1, y1)이다.
그리고, 상기 척(37)이 x축 방향으로 이동함으로써, 상기 기판(20)이 이동하고, 상기 CCD(13')가 상기 기판(20) 상의 얼라인 마크(22)를 감지(도 3의 f)한다. 이 때의 상기 CCD(13)의 좌표는 (x2, y1)이다.
도 4c를 참조하면, 상기 수광소자(45)는 고정되어 상기 스테이지가 x축 방향으로 이동하고, 상기 레이저가 상기 얼라인 참조부 상으로 이동(g)한다. 그리고, 상기 얼라인 참조부의 수광소자(45)가 상기 레이저(15)를 감지(도 3의 j)한다. 이때, 상기 수광소자(45)는 상기 도 4b의 위치에서 고정되고, 상기 스테이지가 이동함으로써 상기 레이저(15)를 감지하는 것일 수 있다. 이때 상기 레이저(15)를 감지한 상기 수광소자의 좌표는 (x3, y1)이다.
상기의 좌표들 (x1, y1), (x2, y1), 및 (x3, y1)으로 상기 CCD(13)와 상기 레이저(15)의 오프셋을 계산(도 3의 j)하여, 상기 오프셋 값만큼 상기 레이저(15)가 상기 기판 상으로 이동한다.
즉, 상기 수광소자(45)가 상기 CCD(13)를 감지한 위치와 상기 CCD(13)가 상 기 얼라인 마크(22)를 감지한 위치 사이의 거리를 (x1, y1) 및 (x2, y1)로 계산하면 ((x2-x1), y1)가 되고, 이는 상기 수광소자(45)로부터 상기 얼라인 마크(22)의 위치가 된다.
또한, 상기 수광소자(45)가 상기 레이저(15)를 감지한 위치는 (x3, y1)이므로, 상기 레이저(15)가 (x3+(x2-x1), y1)만큼 이동하면 상기 기판(20) 상의 얼라인 마크(22) 상에 위치하게 되는 것이다.
상기 CCD(15)는 2개 이상이 위치할 수 있고, 상기 기판(20)의 양 쪽에 위치하는 얼라인 마크를 동시에 감지할 수 있다. 따라서, 상기의 과정을 상기 기판의 양측에서 동시에 수행하여 공정 시간을 줄일 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 레이저(15)가 오프셋 값만큼 이동함으로써, 상기 레이저(15')와 상기 기판(20)이 얼라인(도 3의 k)된다. 그리고, 장치 내에 입력된 상기 기판(20)의 얼라인 마크(22)와 전사 영역(21) 사이의 거리만큼 레이저(15'')가 이동하여 레이저 빔을 조사한다.
상기 레이저 빔을 조사함으로써 상기 도너 기판(25)의 전사층을 상기 기판 상(20)에 전사할 수 있다.
상기 전사층은 유기전계발광소자의 발광층일 수 있다. 또한, 상기 전사층은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 층을 더욱 포함할 수 있다.
따라서, 상기 얼라인 참조부(27)를 이용하여 레이저와 CCD 서로 간의 이동 및 오프셋 간격을 측정할 수 있으므로, 상기 레이저의 이동 거리 측정 및 얼라인을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수광소자(45)의 슬릿 사이로 통과한 레이저 빔의 에너지 프로파일(energy profile)을 간단히 측정할 수 있으므로, 레이저 전사 시 필요한 레이저의 강도를 용이하게 조절할 수 있고, 상기 슬릿 사이로 레이저 빔이 위치하게 함으로써 레이저 빔을 더욱 정확히 얼라인할 수 있다.
도 5a 내지 도 5b는 본발명의 제 2 실시예에 따른 레이저 열전사 방법을 설명한 사시도들이다. 본 발명의 제 2 실시예는 제 1 실시예와는 달리, 스테이지의 이동 후, 수광소자가 레이저를 감지하는 동안 수광소자가 고정되지 않는 경우(도 3의 i')에 대한 것이다.
도 3 및 도 5a를 참조하여 상세히 설명하면, 제 1 실시예와 마찬가지로 도 3의 a부터 g까지의 동일한 과정을 거친다.
즉, 동일한 x축 선상에서 CCD(13)가 수광소자(45)를 감지하여 좌표를 파악하고(x1, y1), 상기 CCD(13)가 상기 기판(20) 상으로 이동하여 얼라인 마크(22)를 감지하여 좌표를 파악(x2, y1)한다.
이 후 상기 수광소자(45)가 고정된 상태로 스테이지가 x축 방향으로 이동하고, 상기 레이저(15)가 상기 얼라인 참조부(27) 상으로 이동한다. 이 때의 수광소자(45)의 좌표는 (x3, y1)이다. 그리고, 상기 얼라인 참조부(27)의 수광소자(45)가 이동하여 레이저(15)를 감지(도 3의 i')한다. 이 때의 좌표는 (x4, y4)이다.
도 5b를 참조하면, 상기 레이저와 상기 CCD의 오프셋을 계산(도3의 j')하면 ((x4-x3)+(x2-x1), y3)이 된다. 따라서, 상기 수광소자(45)의 좌표 (x3, y1)와 (x4, y4)로부터 상기 레이저(15)가 (x4-x3, y4-y1)만큼 이동한다. 그리고, 상기 스 테이지가 상기 수광소자(45)의 좌표 (x1, y1) 및 (x2, y1)으로부터 계산된 값 (x2-x1, y1) 만큼 이동하면 상기 기판(20)의 얼라인 마크(22)상에 레이저(15')가 위치하게 되어 얼라인(k)된다.
도 6을 참조하면, 제 1 실시예와 마찬가지로, 장치 내에 입력된 상기 기판(20)의 얼라인 마크(22)와 전사 영역(21) 사이의 거리만큼 레이저(15'')가 이동하여 레이저 빔을 조사함으로써 상기 도너 기판(25)의 전사층이 전사된다.
따라서, 상기 기판(20) 상에 발광층을 포함한 유기층들을 상기와 같은 방법으로 패터닝한 후 대향 전극을 형성하고, 봉지함으로써 유기전계발광표시장치를 완성하게 된다.
본 발명에 따른 레이저 열전사 장치는 얼라인 참조부를 이용하여 레이저와 CCD 서로 간의 이동 및 오프셋 간격을 측정함으로써, 레이저 전사를 위한 레이저의 이동 거리 측정 및 얼라인을 수행할 수 있다.
그리고, CCD가 1개 이상이 위치하여, 기판의 양 쪽에 위치하는 얼라인 마크를 동시에 감지할 수 있으므로, 본 발명의 실시예에 따른 레이저와 기판의 얼라인 과정을 상기 기판의 양측에서 동시에 수행함으로써 공정 시간을 줄일 수 있다.
또한, 수광소자의 슬릿 사이로 통과한 레이저 빔의 에너지 프로파일(energy profile)을 간단히 측정할 수 있으므로, 레이저 전사 시 필요한 레이저의 강도를 용이하게 조절할 수 있고, 상기 슬릿 사이로 레이저 빔이 위치하게 함으로써 레이저 빔을 더욱 정확히 얼라인할 수 있다.
그리고, 상기 얼라인 참조부가 레이저 빔의 이동 변위에 대한 감지가 가능함으로써, 레이저 빔의 스캔 시 궤적에 대한 오차를 파악하여 더욱 정확한 스캐닝이 되도록 레이저 빔의 스캔 변위를 조절할 수 있다.
따라서, 상기와 같은 레이저 열전사 장치 및 방법을 사용함으로써, 유기전계발광표시장치의 패터닝을 더욱 효과적으로 수행할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (23)
- 기판이 위치하는 기판부 및 상기 기판부에 인접하는 얼라인 참조부를 포함하는 스테이지;상기 얼라인 참조부 내에 위치하는 수광소자; 및상기 스테이지 상에 위치하는 CCD 및 레이저를 포함하는 레이저 열전사 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 얼라인 참조부의 수광소자는 포토 다이오드인 레이저 열전사 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 포토 다이오드는 포지션 디텍터인 레이저 열전사 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 포토 다이오드는 슬릿을 구비하는 것인 레이저 열전사 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 얼라인 참조부는 슬릿 마스크를 구비하는 것인 레이저 열전사 장치.
- 제 4 항 또는 제 5항 에 있어서,상기 슬릿 또는 상기 슬릿 마스크의 슬릿은 십자 또는 일자 모양의 형태를 가지는 레이저 열전사 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판은 얼라인 마크를 1개 이상을 구비하고, 상기 얼라인 마크는 상기 기판의 레이저 전사 영역 이외의 영역에 위치하는 레이저 열전사 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 CCD는 1개 이상 위치하는 것인 레이저 열전사 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 CCD 및 레이저는 가이드 바에 장착된 것인 레이저 열전사 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 스테이지는 스캔 시험부를 더욱 구비하는 것을 포함하는 레이저 열전사 장치.
- 기판부 및 상기 기판부에 인접하는 얼라인 참조부를 포함하는 스테이지의 상기 기판부 상에 기판을 위치시키는 단계;CCD가 이동하여 상기 얼라인 참조부 상으로 이동하는 단계:상기 CCD가 상기 얼라인 참조부 내에 위치하는 수광소자를 감지하는 단계;레이저가 상기 얼라인 참조부 상으로 이동하여 상기 수광소자가 상기 레이저를 감지하는 단계; 및상기 레이저와 상기 CCD의 오프셋을 계산하여 상기 레이저가 기판 상으로 이동함으로써, 상기 레이저와 상기 기판이 얼라인되어 레이저를 조사하는 것을 포함하는 레이저 열전사 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 CCD가 상기 기판의 얼라인 마크와 동일한 y 좌표 선상에 위치하고, 이는 상기 기판의 얼라인 마크가 상기 기판의 중심으로부터 일정한 거리에 위치하고, 상기 CCD는 상기의 거리를 장치에 입력한 값만큼 이동함으로써 위치하는 것인 레이저 열전사 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 CCD가 상기 수광소자를 감지하는 것은 상기 수광소자가 상기 CCD의 위치로 이동함으로써 감지하는 것인 레이저 열전사 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 CCD가 상기 수광소자를 감지한 후 상기 CCD가 상기 기판 상으로 이동하여 얼라인 마크를 감지하는 단계를 더욱 포함하고, 상기 레이저가 상기 얼라인 참조부 상으로 이동하는 것은 상기 스테이지가 x축 방향으로 이동하는 것인 레이저 열전사 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 수광 소자는 고정되는 것인 레이저 열전사 방법.
- 제 11항 또는 제 14 항에 있어서,상기 레이저와 상기 CCD의 오프셋은 상기 CCD가 수광 소자를 감지할 때의 좌표와 상기 수광 소자가 상기 레이저를 감지할 때의 좌표에 의해서 계산되는 것인 레이저 열전사 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 스테이지가 x축 방향으로 이동하여 상기 레이저가 얼라인 참조부로 위치하고, 상기 얼라인 참조부의 수광소자가 y축 방향으로 이동하여 레이저를 감지하는 레이저 열전사 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 CCD는 1개 이상이 위치하여, 상기 기판의 양 쪽에 위치하는 얼라인 마크를 감지하는 것인 레이저 열전사 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 기판은 얼라인 마크를 1개 이상을 구비하고, 상기 기판의 레이저 전사 영역 이외의 영역에 위치하는 레이저 열전사 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 기판 상에 도너 기판이 위치하는 것을 더욱 포함하는 레이저 열전사 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 도너 기판의 전사층을 상기 기판 상에 전사하는 것을 더욱 포함하는 레이저 열전사 방법.
- 제 21 항에 있어서,상기 전사층은 유기전계발광소자의 발광층인 레이저 열전사 방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 전사층은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 층을 더욱 포함하는 레이저 열전사 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040092120A KR100623715B1 (ko) | 2004-11-11 | 2004-11-11 | 레이저 열전사 장치와 그를 이용한 레이저 열전사 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040092120A KR100623715B1 (ko) | 2004-11-11 | 2004-11-11 | 레이저 열전사 장치와 그를 이용한 레이저 열전사 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060044251A KR20060044251A (ko) | 2006-05-16 |
KR100623715B1 true KR100623715B1 (ko) | 2006-09-19 |
Family
ID=37149075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040092120A KR100623715B1 (ko) | 2004-11-11 | 2004-11-11 | 레이저 열전사 장치와 그를 이용한 레이저 열전사 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100623715B1 (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100793358B1 (ko) * | 2006-05-03 | 2008-01-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자의 제조방법 |
KR102001226B1 (ko) | 2012-11-12 | 2019-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 열전사 장치 및 레이저 열전사 방법 |
KR102051632B1 (ko) * | 2013-04-12 | 2019-12-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 열전사 장치 및 레이저 열전사 방법 |
KR20140129784A (ko) | 2013-04-30 | 2014-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 열전사용 도너 기판, 레이저 열전사 방법 및 레이저 열전사 방법을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030082175A (ko) * | 2002-04-17 | 2003-10-22 | 주식회사 칩팩코리아 | 반도체 제조 장비의 정렬 장치 |
-
2004
- 2004-11-11 KR KR1020040092120A patent/KR100623715B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030082175A (ko) * | 2002-04-17 | 2003-10-22 | 주식회사 칩팩코리아 | 반도체 제조 장비의 정렬 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060044251A (ko) | 2006-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5562424B2 (ja) | 2つの基板を位置合わせするための装置 | |
CN104885014B (zh) | 基板以及用于确定光刻中基板的位置的系统 | |
TWI428706B (zh) | 微影裝置、元件製造方法及施加一圖案至一基板之方法 | |
KR102176254B1 (ko) | 본딩 정렬을 위한 디바이스 및 방법 | |
WO2013004992A1 (en) | Method of manufacture and apparatus therefor | |
US20060243711A1 (en) | System and method for aligning a wafer processing system in a laser marking system | |
KR20120128571A (ko) | 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 디바이스 제조 방법 | |
TWI652551B (zh) | Optical measuring device and method | |
US8570535B2 (en) | Pattern generators, calibration systems and methods for patterning workpieces | |
HRP20221234T1 (hr) | Automatsko kalibriranje sustava za lasersku obradu uz pomoć integriranog telecentričnog optičkog detektora s ograničenim stupnjevima slobode | |
US7680616B2 (en) | Method for correcting an error of the imaging system of a coordinate measuring machine | |
KR100785420B1 (ko) | 압흔 검사기 | |
CN106997159B (zh) | 硅片预对准机构、曝光装置及曝光方法 | |
KR100623715B1 (ko) | 레이저 열전사 장치와 그를 이용한 레이저 열전사 방법 | |
KR20170105024A (ko) | 사전 정렬 측정 장치 및 방법 | |
KR20190032475A (ko) | 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템 및 정렬 장치 | |
JP2013131577A5 (ko) | ||
CN108010855A (zh) | 用于检测基板上的标记的装置、设备和方法 | |
CN108022847A (zh) | 用于检测基板上的标记的装置、设备和方法 | |
CN107883866A (zh) | 一种光学测量装置和方法 | |
CN108614392A (zh) | 平版印刷装置、物品的制造方法以及测量装置 | |
CN110383176A (zh) | 处理设备 | |
JP2006263803A (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
TW202121070A (zh) | 微影系統 | |
KR101121680B1 (ko) | 선형 엔코더를 이용한 정밀 인쇄 방법 및 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120831 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130830 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140901 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |