KR100616679B1 - A side view type led package - Google Patents

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KR100616679B1
KR100616679B1 KR1020050039164A KR20050039164A KR100616679B1 KR 100616679 B1 KR100616679 B1 KR 100616679B1 KR 1020050039164 A KR1020050039164 A KR 1020050039164A KR 20050039164 A KR20050039164 A KR 20050039164A KR 100616679 B1 KR100616679 B1 KR 100616679B1
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송영재
김창욱
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삼성전기주식회사
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Abstract

측면 발광다이오드 패키지를 제공한다. Provided is a side light emitting diode package.

본 발명은 일정크기의 캐비티를 구비하는 패키지 본체 ; 상기 패키지본체내에 음극 리드프레임과 양극 리드프레임이 일정간격을 두고 배치되는 리드프레임부; 상기 음극 리드프레임상에 탑재되어 상기 양,음극리드프레임과 전기적으로 연결되는 발광칩 ; 상기 양극 리드프레임상에 탑재되어 상기 음극 리드프레임과 전기적으로 연결되는 정전압 수단 ; 및 상기 발광칩에서 발생된 빛이 상기 정전압 수단에 조사되는 것을 차단하도록 상기 발광칩과 정전압 수단사이에 구비되는 차단벽 ; 을 포함한다. The present invention provides a package body having a cavity of a predetermined size; A lead frame unit in which a cathode lead frame and an anode lead frame are disposed at a predetermined interval in the package body; A light emitting chip mounted on the cathode lead frame and electrically connected to the positive and negative lead frames; Constant voltage means mounted on the positive lead frame and electrically connected to the negative lead frame; And a blocking wall provided between the light emitting chip and the constant voltage means to block the light generated by the light emitting chip from being irradiated to the constant voltage means. It includes.

본 발명에 의하면, 발광시 발생되는 빛이 인접하는 다른 부재에 흡수되어 광손을 발생시키거나 광휘도를 저하시키는 것을 근본적으로 방지하여 광효율을 향상시킬 수 있다. According to the present invention, it is possible to fundamentally prevent the light generated during light emission from being absorbed by another adjacent member to generate light loss or to lower the light brightness, thereby improving the light efficiency.

발광다이오드 패키지, 리드프레임, 발광칩, 정전압 수단, 차단벽 LED package, lead frame, LED chip, constant voltage means, barrier wall

Description

측면 발광다이오드 패키지{A Side View Type LED Package}Side light emitting diode package {A Side View Type LED Package}

도 1은 종래 측면 발광다이오드 패키지가 백라이트 유닛에 채용되는 설치상태도이다.1 is a state diagram in which a conventional side light emitting diode package is employed in a backlight unit.

도 2는 종래 측면 발광다이오드 패키지를 도시한 것으로써,Figure 2 shows a conventional side light emitting diode package,

a)는 평면도이고,a) is a plan view,

b)는 도 2(a)의 A-A선을 따라 절단된 단면도이다.b) is sectional drawing cut along the line A-A of FIG.

도 3은 본 발명에 따른 측면 발광다이오드 패키지의 제1실시예를 도시한 것으로써, Figure 3 shows a first embodiment of a side light emitting diode package according to the present invention,

a)는 평면도이고, a) is a plan view,

b)는 단면도이다.b) is a cross-sectional view.

도 4는 본 발명에 따른 측면 발광다이오드 패키지의 제2실시예를 도시한 평면도이다.4 is a plan view showing a second embodiment of a side light emitting diode package according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 측면 발광다이오드 패키지의 제3실시예를 도시한 평면도이다.5 is a plan view showing a third embodiment of a side light emitting diode package according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 측면 발광다이오드 패키지의 제4실시예를 도시한 평면도이다.4 is a plan view showing a fourth embodiment of a side light emitting diode package according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

110 : 패키지 본체 115,155,155a : 반사판110: package body 115,155,155a: reflector

120 : 리드프레임부 121 : 음극 리드프레임120: lead frame portion 121: cathode lead frame

123 : 양극 리드프레임 130 : 발광칩123: anode lead frame 130: light emitting chip

131,133,141 : 금속 와이어 140 : 정전압 수단131,133,141: metal wire 140: constant voltage means

150 : 차단벽 160 : 보호수지부150: blocking wall 160: protective resin

162 : 형광체 164 : 형광수지162: phosphor 164: fluorescent resin

본 발명은 측면 발광다이오드 패키지에 관한 것으로, 보다 상세히는 발광칩에서의 발광시 발생되는 빛이 인접하는 다른 부품에 흡수되는 것을 근본적으로 차단하여 광손을 줄이고, 광휘도를 증가시켜 광효율을 향상시킬 수 있는 측면 발광다이오드 패키지에 관한 것이다. The present invention relates to a side light emitting diode package, and more particularly, it is possible to fundamentally block light emitted from light emitting chips from being absorbed by other adjacent parts, thereby reducing light loss and increasing light brightness to improve light efficiency. And a side light emitting diode package.

일반적으로 발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 양공)를 만들어내고, 이들의 재결합(再結合)에 의하여 전기에너지를 빛에너지로 바꾸어 주어 발광시키는 전자부품이다. 즉, 특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극의 접합 부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하는데 전자와 정공이 떨어져 있을 때 보다 작은 에너지가 되므로 이때 발생하는 에너지의 차이로 인해 빛을 방출한다.In general, a light emitting diode (LED) generates a small number of carriers (electrons or holes) injected using a pn junction structure of a semiconductor, and converts electrical energy into light energy by recombination of these. It is an electronic component that emits light. In other words, when a forward voltage is applied to a semiconductor of a specific element, electrons and holes move through the junction of the anode and the cathode and recombine with each other. However, when the electron and the hole are separated, the energy becomes smaller due to the difference in energy generated at this time. Release.

이러한 발광다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 조사할 수 있음으로 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화기기 등에 사용된다.Such a light emitting diode can be irradiated with high efficiency light at low voltage, and thus is used in home appliances, remote controls, electronic signs, indicators, and various automation devices.

이러한 발광다이오드 패키지는 그 사용도에 따라 상면(Top view)방식과 측면(Side view)방식으로 제조되는데, 측면 발광다이오드 패키지는 주로 휴대폰, PDA폰에 사용되는 액정 디스플레이용 백라이트 유닛으로 사용되고 있다. The light emitting diode package is manufactured in a top view method and a side view method according to its use, and the side light emitting diode package is mainly used as a backlight unit for a liquid crystal display used in mobile phones and PDA phones.

도 1은 종래 측면 발광다이오드 패키지가 백라이트 유닛에 채용되는 설치상태도로써, 백라이트 유닛(50)은 기판(52)상에 평탄한 도광판(54)이 배치되고, 그 일측면에는 복수의 측면 발광다이오드 패기지(1)가 어레이 형태로 배치된다. 1 is a view illustrating an installation state in which a conventional side light emitting diode package is adopted in a backlight unit. In the backlight unit 50, a flat light guide plate 54 is disposed on a substrate 52, and a plurality of side light emitting diode packages are disposed on one side thereof. (1) is arranged in an array form.

상기 측면 발광다이오드 패키지(1)에서 도광판(54)으로 입사된 빛(L)은 도광판(54)의 밑면에 제공된 미세한 반사 패턴 또는 반사 시트(56)에 의해 상부로 반사되어 도광판(54)에서 출사된 다음 도광판(54) 상부의 LCD 패널(58)에 백라이트인 광원을 제공하게 된다.The light L incident from the side light emitting diode package 1 to the light guide plate 54 is reflected upward by a fine reflection pattern or a reflective sheet 56 provided on the bottom surface of the light guide plate 54 and exits from the light guide plate 54. Then, the light source, which is a backlight, is provided to the LCD panel 58 on the light guide plate 54.

도 2(a)(b)는 종래 측면 발광다이오드 패키지를 도시한 평면도와 단면도로써, 도시한 바와같이, 측면 발광다이오드 패키지(1)는 플라스틱 수지사출물(10)의 좌우양측면으로 돌출되어 백라이트 유닛의 기판(미도시)과 전기적으로 연결되는 양극리드(11)와 음극리드(12)를 구비한다. 2 (a) and 2 (b) are a plan view and a cross-sectional view of a conventional side light emitting diode package. As shown in the drawing, the side light emitting diode package 1 protrudes from the left and right sides of the plastic resin injection product 10 to provide a backlight unit. A cathode lead 11 and a cathode lead 12 electrically connected to a substrate (not shown) are provided.

상기 양극, 음극리드(11)(12)는 양극, 음극 리드프레임(13)(14)과 전기적으로 연결되며, 상기 양극, 음극 리드프레임(13)(14)은 일정크기의 간격(G)을 두고 분리되는바, 상기 음극 리드프레임(13)상에 탑재되는 발광칩(15)은 복수개의 와이 어(17a)(17b)를 매개로 하여 상기 음,양극 리드프레임(13)(14)과 전기적으로 연결된다. The positive and negative lead 11, 12 are electrically connected to the positive and negative lead frames 13 and 14, and the positive and negative lead frames 13 and 14 have a predetermined gap G. The light emitting chip 15 mounted on the cathode lead frame 13 is electrically separated from the negative and anode lead frames 13 and 14 through a plurality of wires 17a and 17b. Is connected.

상기 발광다이오드 패키지(1)는 정전기 또는 역전압에 취약한 것으로 알려져 있는데, 이러한 발광다이오드 패키지의 취약성을 보완하기 위하여 역방향으로 전류가 흐를 수 있는 것을 방지하기 위하여 항상 전압을 일정하게 유지해주기 위한 정전압 수단을 제공하고 있으며, 이러한 정전압 수단으로 바람직하게는 제너 다이오드(Zener Diode)(16)를 발광칩(15)과 병렬로 연결함으로써 정전기에 효율적으로 대응하도록 하고 있다.The light emitting diode package 1 is known to be vulnerable to static electricity or reverse voltage. In order to compensate for the weakness of the light emitting diode package, a constant voltage means for maintaining a constant voltage at all times in order to prevent a current from flowing in the reverse direction is provided. As a constant voltage means, a Zener diode 16 is preferably connected in parallel with the light emitting chip 15 to efficiently cope with static electricity.

즉, 상기 양극 리드프레임(14)상에 탑재되는 제너 다이오드(16)는 또다른 금속와이어(18a)를 매개로 하여 상기 음극 리드프레임(13)과 연결됨으로써, 상기 발광칩(15)과 병렬구조를 갖는 것이다. That is, the zener diode 16 mounted on the anode lead frame 14 is connected to the cathode lead frame 13 through another metal wire 18a, thereby paralleling the light emitting chip 15. To have.

그러나, 이러한 측면 발광다이오드 패키지(1)에서의 발광시 상기 발광칩(15)에서 발생되는 빛중 일부는 상기 발광칩(15)과 동일한 수평선상에 배치되기 때문에, 상기 발광칩의 빛은 제너 다이오드(16)에 흡수되고, 이로 인하여 패키지의 휘도 및 발광효율을 저하시키는 요인으로 작용하였다. However, since some of the light generated from the light emitting chip 15 is disposed on the same horizontal line as the light emitting chip 15 when light is emitted from the side light emitting diode package 1, the light of the light emitting chip is a zener diode ( 16), thereby acting as a factor to lower the brightness and luminous efficiency of the package.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위한 것으로써, 그 목적은 발광시 발생되는 빛이 인접하는 다른 부재에 흡수되어 광손을 발생시키거나 광휘도를 저하시키는 것을 근본적으로 방지하여 광효율을 향상시킬 수 있는 측면 발광다이오드 패기지를 제공하고자 한다. Accordingly, the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, the object of which is to prevent the light generated during light emission is absorbed by the other member adjacent to generate light loss or lower the brightness of the light fundamentally light efficiency To provide a side light emitting diode package that can improve the.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은,In order to achieve the above object, the present invention,

일정크기의 캐비티를 구비하는 패키지 본체 ;A package body having a cavity of a predetermined size;

상기 패키지본체내에 음극 리드프레임과 양극 리드프레임이 일정간격을 두고 배치되는 리드프레임부;A lead frame unit in which a cathode lead frame and an anode lead frame are disposed at a predetermined interval in the package body;

상기 음극 리드프레임상에 탑재되어 상기 양,음극리드프레임과 전기적으로 연결되는 발광칩 ;A light emitting chip mounted on the cathode lead frame and electrically connected to the positive and negative lead frames;

상기 양극 리드프레임상에 탑재되어 상기 음극 리드프레임과 전기적으로 연결되는 정전압 수단 ; 및 Constant voltage means mounted on the positive lead frame and electrically connected to the negative lead frame; And

상기 발광칩에서 발생된 빛이 상기 정전압 수단에 조사되는 것을 차단하도록 상기 발광칩과 정전압 수단사이에 구비되는 차단벽을 포함하는 측면 발광다이오드 패키지를 제공한다. It provides a side light emitting diode package including a blocking wall provided between the light emitting chip and the constant voltage means to block the light generated by the light emitting chip is irradiated to the constant voltage means.

바람직하게는 상기 차단벽은 상기 음극 리드프레임과 양극 리드프레임사이의 간격을 통해 상부로 연장되는 수지물이다.Preferably, the blocking wall is a resin material extending upward through a gap between the cathode lead frame and the anode lead frame.

바람직하게는 상기 차단벽은 상기 패키지 본체와 동일한 수지물로 이루어진다. Preferably, the barrier wall is made of the same resin as the package body.

바람직하게는 상기 차단벽은 상기 패키지 본체의 내부면에 구비되는 반사판 과 좌우양단이 일체로 연결된다. Preferably, the blocking wall is integrally connected to both the left and right reflection plate provided on the inner surface of the package body.

바람직하게는 상기 차단벽은 상기 패키지 본체의 내부면에 구비되는 반사판과 좌우양단이 분리된다. Preferably, the blocking wall is separated from the left and right ends of the reflection plate provided on the inner surface of the package body.

바람직하게는 상기 발광칩과 대응하는 차단벽의 일측면은 일정각도로 경사지는 경사면으로 구비된다. Preferably, one side surface of the blocking wall corresponding to the light emitting chip is provided as an inclined surface inclined at a predetermined angle.

보다 바람직하게는 상기 차단벽의 경사면에는 반사판을 구비한다.More preferably, the inclined surface of the blocking wall is provided with a reflecting plate.

바람직하게는 상기 차단벽은 상기 발광칩 또는 정전압 수단중 어느 일측의 최상부면 보다 높은 높이로 구비된다. Preferably, the blocking wall is provided at a height higher than the top surface of any one of the light emitting chip or the constant voltage means.

바람직하게는 상기 정전압 수단은 제너 다이오드, 애벌란시 다이오드, 스위칭 다이오드 쇼트키 다이오드중 어느 하나를 선택적으로 채용한다.Preferably, the constant voltage means selectively employs any one of a zener diode, an avalanche diode, and a switching diode Schottky diode.

바람직하게는 상기 패키지 본체의 캐비티내에 구비되는 발광칩, 정전압 수단및 차단벽을 외부환경으로 부터 보호하도록 투명수지가 충진되는 보호수지부를 추가하여 포함한다. Preferably, the light emitting chip, the constant voltage means, and the blocking wall provided in the cavity of the package body further include a protective resin filled with transparent resin to protect from the external environment.

보다 바람직하게는 상기 발광칩의 외부면에는 백색광이 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질이 포함된 형광체가 도포된다. More preferably, a phosphor including at least one fluorescent material is coated on the outer surface of the light emitting chip so that white light appears.

보다 바람직하게는 상기 차단벽과 상기 패키지본체의 내부면사이에는 백색광이 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질이 포함된 형광수지를 구비한다. More preferably, a fluorescent resin including at least one fluorescent material is provided between the blocking wall and the inner surface of the package body so that white light appears.

이하,본 발명에 대하여 첨부된 도면에 따라 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 측면 발광다이오드 패키지의 제1실시예를 도시한 것으로써, a)는 평면도이고, b)는 단면도이다. Figure 3 shows a first embodiment of a side light emitting diode package according to the present invention, where a) is a plan view and b) is a sectional view.

본 발명의 측면 발광다이오드 패키지(100)는 도 3(a)(b)에 도시한 바와같이, 발광칩의 발광시 발생되는 빛이 불필요하게 인접하는 다른 부재에 흡수되어 광효율을 저하시키는 것을 방지할 수 있도록 패키지 본체(110), 리드프레임부(120), 발광칩(130), 정전압 수단(140) 및 차단벽(150)을 포함하여 구성된다. As shown in FIG. 3 (a) (b), the side light emitting diode package 100 of the present invention prevents light generated during light emission of the light emitting chip from being unnecessarily absorbed by another adjacent member to reduce light efficiency. The package body 110, the lead frame unit 120, the light emitting chip 130, the constant voltage means 140 and the blocking wall 150 to be configured to be.

즉, 상기 패키지 본체(110)는 상부로 개구된 일정크기의 캐비티(C)를 구비하는 플락스틱 수지체 구조물이며, 이러한 패키지 본체(110)의 좌우양단에는 상기 리드프레임부(120)와 전기적으로 연결되는 양극, 음극리드(111)(112)가 각각 돌출된다. That is, the package body 110 is a plastic resin structure having a predetermined size of the cavity (C) opened to the upper, the left and right ends of the package body 110 is electrically connected to the lead frame portion 120 The positive and negative lead 111 and 112 to be connected are protruded.

상기 패키지 본체(110)의 내부면은 일정각도로 경사진 경사면으로 구비하고, 이 경사면에는 상기 발광칩(130)에서 발광된 칩을 반사하도록 반사물질이 고르게 도포된 반사판(115)을 구비한다. The inner surface of the package body 110 is provided with an inclined surface inclined at a predetermined angle, and the inclined surface includes a reflecting plate 115 coated with a reflective material to reflect the chip emitted from the light emitting chip 130.

그리고, 상기 리드 프레임부(120)는 상기 패키지 본체(110)의 사출성형시 상기 캐비티(C)를 통해 상부면이 외부노출되도록 일체로 구비되는 음극 리드프레임(121)과 양극 리드프레임(123)을 각각 구비하며, 상기 음,양극 리드프레임(121)(123)은 일정간격(G)을 두고 서로 분리배치된다. In addition, the lead frame part 120 includes a cathode lead frame 121 and an anode lead frame 123 that are integrally provided such that an upper surface thereof is exposed to the outside through the cavity C during injection molding of the package body 110. Each of the negative and positive lead frames 121 and 123 are separated from each other at a predetermined interval (G).

또한, 상기 발광칩(130)은 전원인가시 빛을 발생시키도록 상기 리드프레임부(120)에 구비되는 발광소자이며, 이러한 발광칩(130)은 도전성 에폭시를 매개로 하 여 다이본딩방법으로 상기 음극 리드프레임(121)의 상부면에 탑재되고, 금소재로 이루어진 금속 와이어(131)(133)를 매개로 하여 상기 음극 리드프레임(121)과 양극 리드프레임(123)과 각각 전기적으로 연결된다. In addition, the light emitting chip 130 is a light emitting device provided in the lead frame unit 120 to generate light when the power is applied, the light emitting chip 130 is a die bonding method through a conductive epoxy It is mounted on the upper surface of the negative lead frame 121, and is electrically connected to the negative lead frame 121 and the positive lead frame 123, respectively, via metal wires 131 and 133 made of a gold material.

그리고, 상기 정전압 수단(140)은 상기 발광칩과 병렬로 연결되어 전류가 역방향으로 흐르는 것을 방지하도록 전압을 항상 일정하게 유지하는 전기소자이며, 이러한 정전압 수단(140)은 상기 음극 리드프레임(121)과 전기적으로 분리된 양극 리드프레임(123)상에 도전성 에폭시를 매개로 하여 다이본딩방법으로 탑재된 상태에서 상기 음극 리드프레임(121)과 또다른 금속 와이어(141)를 매개로 하여 전기적으로 연결된다. In addition, the constant voltage means 140 is an electrical element connected in parallel with the light emitting chip to maintain a constant voltage at all times to prevent current from flowing in the reverse direction, and the constant voltage means 140 is the negative lead frame 121. The anode lead frame 121 is electrically connected to the cathode lead frame 121 and another metal wire 141 in a state of being mounted by a die bonding method on the anode lead frame 123 that is electrically separated from each other. .

여기서, 상기 정전압 수단(140)은 일명 정전압 다이오드라고도 하는 제너 다이오드이며, 이는 반도체 PN 접합 다이오드의 하나로서, PN접합의 항복(Breakdown)영역에서 동작특성이 나타나도록 제작된 다이오드로 주로 정전압용으로 사용된다. 그리고, 제너 회복현상을 이용해서 일정 전압을 얻는 소자이며, 규소의 p-n접합에서 전류 약 10mA로 동작하고 품종에 따라 3~12 V의 정전압을 얻을 수 있는 다이오드이다. Here, the constant voltage means 140 is a zener diode, also known as a constant voltage diode, which is one of the semiconductor PN junction diodes, and is a diode manufactured to exhibit operating characteristics in the breakdown region of the PN junction, and is mainly used for constant voltage. do. It is a device that obtains a constant voltage by using Zener recovery phenomenon, and it is a diode that operates with a current of about 10 mA at a p-n junction of silicon and obtains a constant voltage of 3 to 12 V depending on the variety.

상기 정전압 수단(140)은 상기 제너 다이오드를 채용하여 사용할 수도 있지만 이에 한정되는 것은 아니며, 애벌란시 다이오드(Avalanche Diode) 및 스위칭 다이오드 (Switching Diode), 쇼트키 다이오드중 어느 하나를 선택하여 사용할 수도 있다. The constant voltage means 140 may be used by employing the zener diode, but is not limited thereto. Any one of an avalanche diode, a switching diode, and a schottky diode may be selected and used.

따라서, 상기 발광칩(130)과 상기 정전압 수단(140)을 금속 와이어 (133)(141)등에 의하여 병렬로 연결함으로써 정전기로 인하여 역방향의 전류가 인가되어도 상기 정전압 수단에 의하여 발광칩(130)의 손상을 방지할 수 있다. Accordingly, by connecting the light emitting chip 130 and the constant voltage means 140 in parallel by metal wires 133 and 141, even if a reverse current is applied due to static electricity, Damage can be prevented.

한편, 상기 차단벽(150)은 상기 발광칩(130)의 발광시 발생된 빛이 상기 정전압 수단(140)으로 조사되어 흡수되는 것을 차단할 수 있도록 상기 발광칩(130)과 정전압 수단(140)사이에 수직하게 일정높이로 구비되는 차단부재이다. On the other hand, the blocking wall 150 is between the light emitting chip 130 and the constant voltage means 140 to block the light generated when the light emitting chip 130 is emitted by the constant voltage means 140 is absorbed. The blocking member is provided at a predetermined height perpendicular to the.

이러한 차단벽은(150)은 상기 패키지본체(110)의 성형시 상기 음극 리드프레임(121)과 양극 리드프레임(123)사이의 간격(G)을 통해 상부로 연장되는 수지물로 구성되며, 이에 따라, 상기 차단벽(150)은 상기 패키지 본체(110)와 동일한 수지물을 소재로 하여 일체로 구비된다. The blocking wall 150 is made of a resin material extending upward through the gap (G) between the negative lead frame 121 and the positive lead frame 123 during the molding of the package body 110, Accordingly, the blocking wall 150 is integrally provided with the same resin material as the package body 110.

상기 발광칩(130)과 정전압 수단(140)사이에 구비되는 차단벽(150)은 도 3(a)(b)에 도시한 바와같이, 상기 패키지 본체(110)의 내부면에 구비되는 반사판(115)과 좌우양단이 일체로 연결되는 구조를 가질 수 도 있지만 이에 한정되는 것은 아니다. The blocking wall 150 provided between the light emitting chip 130 and the constant voltage means 140 is a reflecting plate provided on the inner surface of the package body 110 as shown in FIGS. 115) and may have a structure in which the left and right ends are integrally connected, but is not limited thereto.

상기 차단벽(150a)은 도 4에 도시한 바와같이, 상기 패키지 본체(110)의 내부면에 구비되는 반사판(115)과 좌우양단이 서로 이격되어 분리되는 패키지(100a)를 가질 수도 있다. 이에 따라, 상기 캐비티(C)내의 부품을 외부환경으로부터 보호하기 위해서 상기 캐비티(C)내에 투명한 수지를 주입하여 충진하는 경우, 주입된 수지는 상기 반사판(115)과 차단벽(150a)사이의 틈새를 통해 수지흐름이 원활하게 이루어져 수지충진작업을 상기 차단벽(150)의 좌우양단이 반사판(115)에 일체로 연 결된 패키지(100)에 비하여 보다 수월하게 수행할 수 있는 것이다.As shown in FIG. 4, the blocking wall 150a may have a package 100a in which the reflecting plate 115 provided on the inner surface of the package body 110 and the left and right ends thereof are separated from each other. Accordingly, when the transparent resin is injected and filled into the cavity C in order to protect the components in the cavity C from the external environment, the injected resin is a gap between the reflecting plate 115 and the blocking wall 150a. Through the resin flow is made smoothly the resin filling operation can be performed more easily than the package 100 connected to the left and right ends of the blocking wall 150 integrally to the reflecting plate 115.

그리고, 상기 발광칩(130)과 서로 대응하는 차단벽(150)(150a)의 일측면은 일정각도로 경사진 경사면으로 구비하고, 상기 경사면에는 상기 발광칩(130)에서 출사되는 빛을 반사할 수 있도록 반사물질이 도포되는 반사판(155)(155a)으로 구비되는 것이 바람직하다. One side of the light blocking chip 150 and the blocking walls 150 and 150a corresponding to each other may be provided as an inclined surface inclined at a predetermined angle, and the inclined surface may reflect light emitted from the light emitting chip 130. It is preferable that the reflective plate is provided with a reflecting plate 155, 155a.

또한, 상기 발광칩(130)과 정전압 수단(140)사이에 구비되는 차단벽(150)(150a)은 상기 발광칩(130) 또는 정전압 수단(140)중 어느 일측의 최상부면보다 높은 높이(H)로 구비되는 것이 바람직하다. 상기 차단벽(150)(150a)의 높이(H)가 상기 발광칩(130) 또는 정전압 수단(140)중 어느 일측의 최상부면보다 낮게 되면, 상기 발광칩(130)에서 발생된 빛은 상기 차단벽(150)(150a)에 차단되지 않고 정전압 수단(140)에 조사되어 흡수되는 것을 근본적으로 해결할 수 없게 된다. In addition, the blocking walls 150 and 150a provided between the light emitting chip 130 and the constant voltage means 140 have a height H higher than the top surface of either side of the light emitting chip 130 or the constant voltage means 140. It is preferable to be provided with. When the height H of the blocking walls 150 and 150a is lower than the uppermost surface of any one of the light emitting chip 130 or the constant voltage means 140, the light generated from the light emitting chip 130 is transferred to the blocking wall. Without being blocked by the 150 and 150a, irradiated and absorbed by the constant voltage means 140 cannot be fundamentally solved.

그리고, 상기 패키지 본체(110)의 캐비티(C)내에는 상기 발광칩(130), 정전압 수단(140) 및 차단벽(150)을 외부환경으로 부터 보호하도록 투명수지가 충진되는 보호수지부(160)를 구비한다. In addition, in the cavity C of the package body 110, a protective resin 160 filled with transparent resin so as to protect the light emitting chip 130, the constant voltage means 140, and the blocking wall 150 from an external environment. ).

상기 보호수지부(160)에 의해 덮어지는 발광칩(130)외부면에는 도 5에 도시한 바와같이, 백라이트 유닛에 제공되는 광원이 백색광으로 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질이 포함된 형광체(162)가 일정두께로 도포되며, 상기 형광체(162)를 제외한 나머지 캐비티(C)는 투명수지로 채워지게 된다.As illustrated in FIG. 5, the outer surface of the light emitting chip 130 covered by the protective resin unit 160 includes a phosphor 162 including at least one fluorescent material such that a light source provided to the backlight unit appears as white light. Is applied to a predetermined thickness, the remaining cavity (C) except the phosphor 162 is filled with a transparent resin.

이러한 경우, 상기 발광칩(130)의 발광시 반도체소재의 차이에 따라 발생되는 R,G,B 파장대의 빛은 상기 형광체(162)에 의해서 백색광으로 전환되어 패키지 (100b)로부터 발산되어 백색광의 광원으로 제공되는 것이다. In this case, the light of the R, G, B wavelength band generated according to the difference of the semiconductor material when the light emitting chip 130 emits light is converted into white light by the phosphor 162 and is emitted from the package 100b to emit light of white light. Will be provided.

또한, 상기 차단벽(150)과 상기 패키지 본체(110)의 내부면사이에는 도 6에 도시한 바와같이, 백라이트 유닛에 제공되는 광원이 백색광으로 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질이 포함된 형광수지(164)를 추가하여 구비하며, 상기 형광수지(164)를 제외하는 캐비티(C)는 투명수지로 채워지게 된다. In addition, as shown in FIG. 6, between the blocking wall 150 and the inner surface of the package body 110, a fluorescent resin including at least one fluorescent material such that a light source provided to the backlight unit is represented as white light ( In addition to the 164, the cavity (C) excluding the fluorescent resin 164 is filled with a transparent resin.

이러한 경우, 상기와 마찬가지로 상기 발광칩(130)에서 발생되는 R,G,B 파장대의 빛은 상기 형광수지(164)에 의해서 백색광으로 전환되어 패키지(100c)로부터 발산되어 백색광의 광원으로 제공되는 것이다. In this case, the light of the R, G, B wavelength band generated in the light emitting chip 130 as described above is converted into white light by the fluorescent resin 164 is emitted from the package 100c is provided as a light source of white light. .

상기한 구조를 갖는 측면 발광다이오드 패키지(100)(100a)(100b)(100c)에 순방향의 전류가 인가되는 경우, 이 전류는 상기 양극 리드프레임(123) 및 금속 와이어(133)를 통하여 발광칩(130)에 공급됨으로써 상기 발광칩(130)은 이를 구성하는 반소체소재의 차이에 따라 R, G, B 등의 소정의 색을 갖는 광을 발생하게 된다. When forward current is applied to the side light emitting diode packages 100, 100a, 100b, and 100c having the above structure, the current is transmitted through the anode lead frame 123 and the metal wire 133. By being supplied to 130, the light emitting chip 130 generates light having a predetermined color such as R, G, and B according to the difference between semi-materials constituting the light emitting chip 130.

이때, 상기 발광칩(130)에서 발생된 빛은 상기 발광칩(130)과 정전압 수단(140)사이에 일정높이(H)로 수직하게 구비되는 차단벽(150)에 의해서 상기 정전압 수단(140)으로 직접 조사되는 것을 근본적으로 차단할 수 있기 때문에, 빛이 정전압 수단(140)에 흡수되어 광손이나 광휘도의 저하를 유발하지 않고 상기 패키지 본체(110)의 반사막(115)이나 상기 차단벽(150)(150a)의 반사막(155)(155a)에 반사된 다음, 광원으로 제공되는 것이다. At this time, the light generated by the light emitting chip 130 is the constant voltage means 140 by the blocking wall 150 is provided vertically at a predetermined height (H) between the light emitting chip 130 and the constant voltage means 140. Since it is possible to fundamentally block the direct irradiation to the light, the light is absorbed by the constant voltage means 140, without causing a loss of light or brightness, the reflective film 115 of the package body 110 or the blocking wall 150 It is reflected by the reflective films 155 and 155a of 150a and then provided as a light source.

여기서, 상기 발광칩(130)이 GaN 계열의 반도체소자를 채용하여 사용하는 경우, GaN 계열의 발광칩(130)은 발광시 청색 파장대의 빛을 조사하도록 제조되는바, 이러한 발광칩(130)은 칩위에 엘로우(Yellow) 파장대의 빛을 발산하는 형광물질이 포함된 형광체(162)를 도포하거나 상기 패키지 본체(110)의 내부면과 상기 차단벽(150)사이에 엘로우(Yellow) 파장대의 빛을 발산하는 형광물질이 포함된 형광수지를 충진하게 되면, 이들 빛의 혼합으로 백색광으로 나타나게 된다.Here, when the light emitting chip 130 employs a GaN-based semiconductor device, the GaN-based light emitting chip 130 is manufactured to emit light in the blue wavelength range when the light emitting chip 130 emits light. Applying a phosphor 162 containing a fluorescent material that emits light in the yellow wavelength band on the chip, or the light of the yellow wavelength band between the inner surface of the package body 110 and the blocking wall 150 When the fluorescent resin containing the emitting fluorescent material is filled, a mixture of these lights appears as white light.

한편, 상기 정전압 수단(140)은 역방향 상태이므로 전기적으로는 오픈(Open) 상태이며 일정전압이상에서는 쇼트(Short)상태로 발광칩(130)을 보호하게 된다. On the other hand, since the constant voltage means 140 is in a reverse state, it is electrically open and the light emitting chip 130 is protected in a short state at a predetermined voltage or more.

일정범위 이내의 정방향 전압(양극에서 음극방향)을 갖는 전류가 발광칩(130)에 공급되는 상태가 유지되는 동안은 안정적으로 발광이 계속될 수 있는 반면에, 전류공급중 정전기 등으로 인하여 역방향의 전압이 인가되면, 이러한 역방향의 전압은 전기적으로 순방항인 정전압 수단(140)으로 공급되며, 이때 발광칩(130)은 전기적으로 오픈(open)상태이다.While the state in which the current having the positive voltage (positive to negative) within a predetermined range is supplied to the light emitting chip 130 is maintained, light emission can be stably continued, while When a voltage is applied, this reverse voltage is supplied to the constant voltage means 140 which is electrically forward, wherein the light emitting chip 130 is in an electrically open state.

따라서, 역방향으로 전압이 인가될 때는 상기 발광칩(130)은 쇼트(Short)상태로 전류를 바이패스(by pass)시켜 상기 발광칩(130)이 손상되는 것을 방지할 수 있는 것이다. Therefore, when voltage is applied in the reverse direction, the light emitting chip 130 may bypass the current in a short state to prevent the light emitting chip 130 from being damaged.

본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있음을 밝혀두고자 한다.While the invention has been shown and described with respect to particular embodiments, it will be understood that various changes and modifications can be made in the art without departing from the spirit or scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated that those skilled in the art can easily know.

상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 패키지 본체의 캐비티내에 구비되는 발광칩과 정전압 수단사이에 패키지 본체의 성형시 일정높이의 차단벽을 구비함으로써, 발광칩의 발광시 발광된 빛이 정전압 수단에 직접 조사되어 흡수되는 것을 근본적으로 방지함과 동시에 반사시킬 수 있기 때문에, 패키지의 광휘도를 종래에 비하여 높일 수 있고, 광손을 줄여 광효율을 보다 향상시킬 수 있는 효과가 얻어진다. According to the present invention as described above, by providing a blocking wall of a certain height during the molding of the package body between the light emitting chip and the constant voltage means provided in the cavity of the package body, the light emitted during the light emission of the light emitting chip directly to the constant voltage means Since it is possible to fundamentally prevent irradiated and absorbed light and to reflect it, the brightness of the package can be increased as compared with the conventional one, and the effect of reducing light loss and further improving the light efficiency is obtained.

Claims (12)

일정크기의 캐비티를 구비하는 패키지 본체 ;A package body having a cavity of a predetermined size; 상기 패키지본체내에 음극 리드프레임과 양극 리드프레임이 일정간격을 두고 배치되는 리드프레임부;A lead frame unit in which a cathode lead frame and an anode lead frame are disposed at a predetermined interval in the package body; 상기 음극 리드프레임상에 탑재되어 상기 양,음극리드프레임과 전기적으로 연결되는 발광칩 ;A light emitting chip mounted on the cathode lead frame and electrically connected to the positive and negative lead frames; 상기 양극 리드프레임상에 탑재되어 상기 음극 리드프레임과 전기적으로 연결되는 정전압 수단 ; 및 Constant voltage means mounted on the positive lead frame and electrically connected to the negative lead frame; And 상기 발광칩에서 발생된 빛이 상기 정전압 수단에 조사되는 것을 차단하도록 상기 발광칩과 정전압 수단사이에 구비되는 차단벽 ; 을 포함하는 측면 발광다이오드 패키지. A blocking wall provided between the light emitting chip and the constant voltage means to block the light generated by the light emitting chip from being irradiated to the constant voltage means; Side light emitting diode package comprising a. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 차단벽은 상기 음극 리드프레임과 양극 리드프레임사이의 간격을 통해 상부로 연장되는 수지물임을 특징으로 하는 측면 발광다이오드 패키지. The blocking wall is a side light emitting diode package, characterized in that the resin extending upward through the gap between the cathode lead frame and the anode lead frame. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 차단벽은 상기 패키지 본체와 동일한 수지물로 이루어짐을 특징으로 하는 측면 발광다이오드 패키지.  The blocking wall is a side light emitting diode package, characterized in that made of the same resin as the package body. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 차단벽은 상기 패키지 본체의 내부면에 구비되는 반사판과 좌우양단이 일체로 연결됨을 특징으로 하는 측면 발광다이오드 패키지. The blocking wall is a side light emitting diode package, characterized in that the reflecting plate provided on the inner surface of the package body and the left and right ends are integrally connected. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 차단벽은 상기 패키지 본체의 내부면에 구비되는 반사판과 좌우양단이 분리됨을 특징으로 하는 측면 발광다이오드 패키지. The blocking wall is a side light emitting diode package, characterized in that the left and right ends of the reflective plate provided on the inner surface of the package body is separated. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 발광칩과 대응하는 차단벽의 일측면은 일정각도로 경사지는 경사면으로 구비됨을 특징으로 하는 측면 발광다이오드 패키지. One side surface of the blocking wall corresponding to the light emitting chip is a side light emitting diode package, characterized in that provided as an inclined surface inclined at a predetermined angle. 제 6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 차단벽의 경사면에는 반사판을 구비함을 특징으로 하는 측면 발광다이오드 패키지. Side surface light emitting diode package, characterized in that provided with a reflecting plate on the inclined surface of the blocking wall. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 차단벽은 상기 발광칩 또는 정전압 수단중 어느 일측의 최상부면 보다 높은 높이로 구비됨을 특징으로 하는 측면 발광다이오드 패키지. The blocking wall is a side light emitting diode package, characterized in that provided with a height higher than the top surface of any one of the light emitting chip or the constant voltage means. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 정전압 수단은 제너 다이오드, 애벌란시 다이오드, 스위칭 다이오드, 쇼트키 다이오드중 어느 하나를 선택적으로 채용함을 특징으로 하는 측면 발광다이오드 패키지. And said constant voltage means selectively employs any one of a zener diode, an avalanche diode, a switching diode, and a Schottky diode. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 패키지 본체의 캐비티내에 구비되는 발광칩, 정전압 수단및 차단벽을 외부환경으로 부터 보호하도록 투명수지가 충진되는 보호수지부를 추가하여 포함함을 특징으로 하는 측면 발광다이오드 패키지. And a protective resin part filled with a transparent resin to protect the light emitting chip, the constant voltage means, and the blocking wall from the external environment provided in the cavity of the package body. 제 1항 또는 제 10항에 있어서, The method according to claim 1 or 10, 상기 발광칩의 외부면에는 백색광이 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질이 포함된 형광체가 도포됨을 특징으로 하는 측면 발광다이오드 패키지. Side light emitting diode package, characterized in that the outer surface of the light emitting chip is coated with a phosphor containing at least one fluorescent material to appear white light. 제 1항 또는 제 10항에 있어서, The method according to claim 1 or 10, 상기 차단벽과 상기 패키지본체의 내부면사이에는 백색광이 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질이 포함된 형광수지를 구비함을 특징으로 하는 측면 발광다이오드 패키지. And a fluorescent resin including at least one fluorescent material between the blocking wall and the inner surface of the package body to display white light.
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