KR100604673B1 - Ferroelectric capacitor in semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 캐패시터 유전체로 강유전체 박막을 사용하는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터에 관한 것이다. 본 발명은 열적 안정성, 피로 특성 및 잔류 분극 특성을 확보할 수 있으며, 잔류 분극 특성이 우수한 SBT 사용시에도 집적도 측면에서 유리한 PP 구조를 적용할 수 있는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터를 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명의 특징적인 반도체 소자의 강유전체 캐패시터는, 소정의 하부층 상에 제공되는 하부 전극; 상기 하부 전극 상부에 제공되며, 제1강유전체/제2강유전체/제3강유전체의 다층 구조로 이루어진 강유전체 박막; 및 상기 강유전체 박막 상부에 제공되는 상부 전극을 구비하되, 상기 제1강유전체가 SBT, SBTN, (Bi, La)4Ti3O12 중 어느 하나이며, 상기 제2 강유전체가 PZT, PLZT, Bi4Ti3O12 중 어느 하나이며, 상기 제3강유전체가 SBT, SBTN, (Bi, La)4Ti3O12 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor technology, and more particularly to a ferroelectric capacitor of a semiconductor device using a ferroelectric thin film as a capacitor dielectric. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a ferroelectric capacitor of a semiconductor device capable of securing thermal stability, fatigue characteristics, and residual polarization characteristics, and applying a PP structure that is advantageous in terms of integration degree even when using SBT having excellent residual polarization characteristics. A ferroelectric capacitor of a semiconductor device of the present invention includes a lower electrode provided on a predetermined lower layer; A ferroelectric thin film provided on the lower electrode and formed of a multilayer structure of a first ferroelectric / second ferroelectric / third ferroelectric; And an upper electrode provided on the ferroelectric thin film, wherein the first ferroelectric is any one of SBT, SBTN, (Bi, and La) 4 Ti 3 O 12 , and the second ferroelectric is PZT, PLZT, and Bi 4 Ti. Any one of 3 O 12 , characterized in that the third ferroelectric is any one of SBT, SBTN, (Bi, La) 4 Ti 3 O 12 .

강유전체 캐패시터, SBT, PZT, 피로 현상, 잔류 분극Ferroelectric Capacitors, SBT, PZT, Fatigue Phenomenon, Residual Polarization

Description

반도체 소자의 강유전체 캐패시터{Ferroelectric capacitor in semiconductor device} Ferroelectric capacitor in semiconductor device             

도 1a는 NPP 구조의 강유전체 캐패시터를 포함한 FeRAM의 단면도.1A is a cross-sectional view of FeRAM including a ferroelectric capacitor of NPP structure.

도 1b는 PP 구조의 강유전체 캐패시터를 포함한 FeRAM의 단면도.1B is a cross-sectional view of FeRAM including a ferroelectric capacitor of PP structure.

도 1c는 종래기술에 따른 강유전체 캐패시터의 단면 구성도.Figure 1c is a cross-sectional configuration of a ferroelectric capacitor according to the prior art.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 강유전체 캐패시터의 단면 구성도.
2 is a cross-sectional view of a ferroelectric capacitor according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

21 : 하부전극 22 : 제1 SBT막21: lower electrode 22: first SBT film

23 : PZT막 24 : 제2 SBT막
23: PZT film 24: second SBT film

본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 캐패시터 유전체로 강유전체 박막을 사용하는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor technology, and more particularly, to a ferroelectric capacitor of a semiconductor device using a ferroelectric thin film as a capacitor dielectric.                         

강유전체 메모리 소자(Ferroelectric Random Access Memory, FeRAM)는 (Sr,Bi)Ta2O9(이하, SBT라 약칭함), Pb(ZrxTix-1)O3(이하, PZT라 약칭함) 등의 강유전체 물질을 캐패시터 유전체로 사용하는 비휘발성 메모리 소자의 일종으로 전원이 끊어진 상태에서도 저장 정보를 메모리하고 있는 장점이 있을 뿐만 아니라, 동작 속도 측면에서도 기존의 DRAM(Dynamic Random Access Memory)에 필적하기 때문에 차세대 메모리 소자로 각광받고 있다.Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) includes (Sr, Bi) Ta 2 O 9 (hereinafter abbreviated as SBT), Pb (Zr x Ti x-1 ) O 3 (hereinafter abbreviated as PZT), etc. It is a kind of nonvolatile memory device that uses ferroelectric material as a capacitor dielectric. It has the advantage of storing the stored information even when the power supply is cut off, and also comparable to the existing Dynamic Random Access Memory (DRAM) in terms of operation speed. It is attracting attention as the next generation memory device.

이와 같이, 반도체 소자에서 강유전체(ferroelectric) 재료를 캐패시터에 적용함으로써 기존 DRAM 소자에서 필요한 리프레쉬(refresh)의 한계를 극복하고 대용량의 메모리를 이용할 수 있는 소자의 개발이 진행되어왔다. As described above, by applying a ferroelectric material to a capacitor in a semiconductor device, a device for overcoming a refresh limit required in a conventional DRAM device and using a large memory has been developed.

강유전체는 상온에서 유전상수가 수백에서 수천에 이르며 두 개의 안정한 잔류분극(remanent polarization) 상태를 갖고 있어 이를 박막화하여 비휘발성(nonvolatile) 메모리 소자로의 응용이 실현되고 있다. 강유전체 박막을 비휘발성 메모리 소자로 사용하는 경우 가해주는 전기장의 방향으로 분극의 방향을 조절하여 신호를 입력하고 전기장을 제거하였을 때 남아있는 잔류분극의 방향에 의해 디지털 신호 1과 0을 저장하게 되는 원리를 이용하는 것이다.Ferroelectrics have dielectric constants ranging from hundreds to thousands at room temperature and have two stable residual polarization states, making them thinner and enabling their application to nonvolatile memory devices. When ferroelectric thin film is used as a nonvolatile memory device, the signal is input by adjusting the direction of polarization in the direction of the electric field applied and the digital signals 1 and 0 are stored by the remaining polarization direction when the electric field is removed. To use.

상기와 같은 강유전체막의 우수한 강유전 특성을 얻기 위해서는 상하부 전극물질의 선택과 적절한 공정의 제어가 필수적이다. In order to obtain the excellent ferroelectric properties of the ferroelectric film as described above, it is necessary to select the upper and lower electrode materials and control the appropriate process.

일반적으로, 강유전체 캐패시터의 구조는 하부전극/강유전체막/상부전극의 구조로 이루어져 있다. 강유전체 기억소자의 강유전체 물질로는 SBT박막 또는 PZT박막이 주로 사용되며, 상/하부전극 재료로는 백금(Pt), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru) 과 같은 금속물질 또는 산화이리듐(IrO2)이나 산화루테늄(RuO2)과 같은 산화물이 주로 사용되고 있다.In general, the ferroelectric capacitor has a structure of a lower electrode / ferroelectric film / upper electrode. SBT thin films or PZT thin films are mainly used as ferroelectric materials of ferroelectric memory devices, and metal materials such as platinum (Pt), iridium (Ir), and ruthenium (Ru) or iridium oxide (IrO 2 ) are used as upper and lower electrode materials. And oxides such as ruthenium oxide (RuO 2 ) are mainly used.

그러나, 상기 강유전체 물질 중 PZT는 잔류분극값이 큰 장점이 있으나, 상, 하부전극 물질로 백금, 이리듐, 루테늄과 같은 금속물질을 채용할 경우 소자의 반복적인 읽기, 쓰기 동작에 따른 스위칭(switching)으로 인하여 잔류분극값이 감소하게 되는 피로(fatigue) 현상이 발생하는 문제점이 있다. 이를 극복하기 위하여 상, 하부 전극물질을 백금 대신에 산화이리듐(IrO2)이나 산화루테늄(RuO2)과 같은 금속산화물 전극이 채용되고 있으나, 이와 같은 산화물 전극은 열적안정성이 떨어져 후속공정에서 안정성이 저하되는 문제점이 발생하고 있다.However, although the PZT has a strong residual polarization value among the ferroelectric materials, when metal materials such as platinum, iridium, and ruthenium are used as the upper and lower electrode materials, switching is performed due to repeated reading and writing operations of the device. Due to this, there is a problem in that a fatigue phenomenon in which the residual polarization value is reduced. In order to overcome this problem, metal oxide electrodes such as iridium oxide (IrO 2 ) and ruthenium oxide (RuO 2 ) are used instead of platinum for the upper and lower electrode materials. However, these oxide electrodes have low thermal stability and are not stable in subsequent processes. There is a problem of deterioration.

또한, 강유전체 물질로 SBT를 사용하는 경우에는 금속 전극을 사용하더라도 피로 현상은 크게 나타나지 않으나, PZT를 강유전체 물질로 사용하는 경우보다 잔류분극값이 작고, PZT(600℃)보다 높은 800℃ 이상의 후속 열처리를 진행하여야 하는 단점이 있다.In addition, in the case of using SBT as a ferroelectric material, fatigue phenomenon does not appear much even when using a metal electrode. However, the residual polarization value is smaller than that of using PZT as a ferroelectric material and subsequent heat treatment of 800 ° C. or higher higher than PZT (600 ° C.). There is a disadvantage to proceed.

현재, 강유전체 캐패시터는 구조 측면에서 NPP(Non-Plug Poly) 구조와 PP(Plug Poly)구조로 나눌 수 있다.Currently, ferroelectric capacitors can be divided into NPP (Non-Plug Poly) structure and PP (Plug Poly) structure in terms of structure.

도 1a는 NPP 구조의 강유전체 캐패시터를 포함한 FeRAM의 단면 구성을 도시한 것이며, 도 1b는 PP 구조의 강유전체 캐패시터를 포함한 FeRAM의 단면 구성을 도시한 것이며, 도 1c는 종래기술에 따른 강유전체 캐패시터의 단면 구성을 도시한 것이다. FIG. 1A illustrates a cross-sectional structure of a FeRAM including a ferroelectric capacitor having an NPP structure, and FIG. 1B illustrates a cross-sectional structure of a FeRAM including a ferroelectric capacitor having a PP structure, and FIG. 1C illustrates a cross-sectional structure of a ferroelectric capacitor according to the prior art. It is shown.                         

도 1a 및 도 1b에서 도면부호 '10'은 실리콘 기판, '11'은 게이트, '12'는 접합, '13'은 하부전극, '14'는 강유전체막, '15'는 상부전극, '16'은 제1금속배선, '17'은 비트라인, '18'은 제2금속배선, '19'는 콘택 플러그를 각각 나타낸 것이다.1A and 1B, reference numeral 10 denotes a silicon substrate, 11 denotes a gate, 12 denotes a junction, 13 denotes a lower electrode, 14 denotes a ferroelectric film, 15 denotes an upper electrode, and 16 '1' represents the first metal wiring, '17' represents the bit line, '18' represents the second metal wiring, and '19' represents the contact plug.

도 1a를 참조하면, NPP 구조의 강유전체 캐패시터는 모스 트랜지스터의 접합(12)과 상부전극용 전도막(15)이 금속배선(16)에 의해 접속되어 상부전극(15)이 스토리지 노드 역할을 하게 되며, 비트라인(17)이 캐패시터 구조의 상부에 위치하게 된다.Referring to FIG. 1A, in the NPP ferroelectric capacitor, the junction 12 of the MOS transistor and the conductive film 15 for the upper electrode are connected by the metal wiring 16 so that the upper electrode 15 serves as a storage node. The bit line 17 is located on top of the capacitor structure.

도 1b를 참조하면, PP 구조의 강유전체 캐패시터는 접합(12)과 하부전극(13)이 콘택 플러그(19)에 의하여 접속되어 하부전극(13)이 스토리지 노드 역할을 하게 되며, 비트라인(17)이 캐패시터의 하부에 위치하게 된다.Referring to FIG. 1B, a ferroelectric capacitor having a PP structure has a junction 12 and a lower electrode 13 connected by a contact plug 19 so that the lower electrode 13 serves as a storage node, and a bit line 17. It is located at the bottom of this capacitor.

한편, 도 1c에 도시된 바와 같이 종래기술에 따른 강유전체 캐패시터는 PP 구조이던지 NPP 구조이던지 간에 하부전극(1), 강유전체(2) 및 상부전극(3)의 구조를 이루게 된다.Meanwhile, as shown in FIG. 1C, the ferroelectric capacitor according to the related art forms a structure of the lower electrode 1, the ferroelectric 2, and the upper electrode 3 whether the structure is a PP structure or an NPP structure.

일반적으로, 소자의 집적도 측면을 고려하게 되면, NPP 구조의 강유전체 캐패시터보다는 PP 구조의 강유전체 캐패시터를 채택하는 것이 바람직하지만, FeRAM 제작에 있어서 PP 구조를 채용하는데는 공정상의 어려움이 따른다. 즉, 고온 공정을 거치면 강유전체에 포함된 산소들이 하부 전극을 통해 확산되어 유전율이 낮은 SiO2 박막을 생성하게 되는데, 이 경우 외부에서 가해준 전압의 대부분이 유전율이 낮은 SiO2 박막에 걸리게 되어 소자 작동에 있어서 치명적인 결함으로 작용하게 되는 문제점이 있다. 강유전체로 PZT를 사용할 경우에는 후속 열처리 온도를 600℃까지 낮출 수 있어 PP 구조를 적용할 수 있으나, SBT를 사용하는 경우 800℃ 이상의 후속 열처리를 필요로 하기 때문에 PP 구조의 적용에 있어서 어려움이 있으며, 이에 따라 집적도 측면에서 불리한 NPP 구조를 취하고 있다.
In general, considering the integration degree of the device, it is preferable to adopt the ferroelectric capacitor of the PP structure rather than the ferroelectric capacitor of the NPP structure, but there is a process difficulty in adopting the PP structure in FeRAM fabrication. In other words, when the high temperature process, the oxygen contained in the ferroelectric diffuses through the lower electrode to produce a SiO 2 thin film having a low dielectric constant. In this case, most of the voltage applied from the outside is caught by the SiO 2 thin film having a low dielectric constant. There is a problem that acts as a fatal defect in. When PZT is used as a ferroelectric, the PP structure can be applied because the subsequent heat treatment temperature can be lowered up to 600 ° C. However, when SBT is used, subsequent heat treatment of 800 ° C. or more is required. Accordingly, the NPP structure has a disadvantage in terms of integration.

본 발명은 열적 안정성, 피로 특성 및 잔류 분극 특성을 확보할 수 있는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터를 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a ferroelectric capacitor of a semiconductor device capable of securing thermal stability, fatigue characteristics, and residual polarization characteristics.

또한, 본 발명은 잔류 분극 특성이 우수한 SBT 사용시에도 집적도 측면에서 유리한 PP 구조를 적용할 수 있는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터를 제공하는데 그 목적이 있다.
Another object of the present invention is to provide a ferroelectric capacitor of a semiconductor device capable of applying a PP structure, which is advantageous in terms of integration degree, even when using SBT having excellent residual polarization characteristics.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 특징적인 반도체 소자의 강유전체 캐패시터는, 소정의 하부층 상에 제공되는 하부 전극; 상기 하부 전극 상부에 제공되며, 제1강유전체/제2강유전체/제3강유전체의 다층 구조로 이루어진 강유전체 박막; 및 상기 강유전체 박막 상부에 제공되는 상부 전극을 구비하되, 상기 하부전극에 접촉하는 상기 제1강유전체가 SBT, SBTN, (Bi, La)4Ti3O12 중 어느 하나이며, 상기 제2 강유전체가 PZT, PLZT, Bi4Ti3O12 중 어느 하나이며, 상기 상부전극에 접촉하는 상기 제3강유전체가 SBT, SBTN, (Bi, La)4Ti3O12 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.A ferroelectric capacitor of a characteristic semiconductor device of the present invention for achieving the above technical problem, the lower electrode provided on a predetermined lower layer; A ferroelectric thin film provided on the lower electrode and formed of a multilayer structure of a first ferroelectric / second ferroelectric / third ferroelectric; And an upper electrode provided on the ferroelectric thin film, wherein the first ferroelectric contacting the lower electrode is any one of SBT, SBTN, (Bi, and La) 4 Ti 3 O 12 , and the second ferroelectric is PZT. , PLZT, Bi 4 Ti 3 O 12 , wherein the third ferroelectric in contact with the upper electrode is any one of SBT, SBTN, (Bi, La) 4 Ti 3 O 12 .

바람직하게, 상기 하부층은 모스 트랜지스터와, 상기 모스트랜지스터의 접합과 상기 하부 전극을 전기적으로 접속하기 위한 콘택 플러그를 포함하는 것을 특징으로 한다.
The lower layer may include a MOS transistor, a contact plug for electrically connecting a junction of the MOS transistor and the lower electrode.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. do.

첨부된 도면 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 강유전체 캐패시터의 단면 구성을 도시한 것으로, 이하 이를 참조하여 설명한다.2 is a cross-sectional view of a ferroelectric capacitor according to an embodiment of the present invention, which will be described below with reference to the drawings.

본 실시예에 따른 강유전체 캐패시터는 도 2에 도시된 바와 같이 소정의 하부층(20) 상부에 하부전극(21), 제1 SBT막(22), PZT막(23), 제2 SBT막(24)의 다층 구조로 이루어진 강유전체막 및 상부전극(25)이 차례로 적층된 구조를 가진다.As shown in FIG. 2, the ferroelectric capacitor according to the present embodiment includes a lower electrode 21, a first SBT film 22, a PZT film 23, and a second SBT film 24 on a predetermined lower layer 20. Has a structure in which the ferroelectric film and the upper electrode 25 made of a multilayer structure are sequentially stacked.

이때, 하부전극(21) 및 상부전극(25)은 백금(Pt), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru) 과 같은 금속물질이나, 산화이리듐(IrO2), 산화루테늄(RuO2)과 같은 금속산화물이나, 금속물질과 금속산화물을 함께 사용한 하이브리드(Hybrid) 물질 중 어느 하나를 사용하여 형성한다. 또한, 하부전극(21) 및 상부전극(25)의 두께는 각각 10~5000Å 범위에서 결정한다. In this case, the lower electrode 21 and the upper electrode 25 are metal materials such as platinum (Pt), iridium (Ir), ruthenium (Ru), or metals such as iridium oxide (IrO 2 ) and ruthenium oxide (RuO 2 ). It is formed using either an oxide or a hybrid material using a metal material and a metal oxide together. In addition, the thickness of the lower electrode 21 and the upper electrode 25 is determined in the range of 10 ~ 5000Å respectively.

그리고, 제1 SBT막(22) 및/또는 제2 SBT막(24)을 대신하여 SBT에 Nb를 도핑(doping)한 SBTN막이나 (Bi, La)4Ti3O12막을 사용할 수 있으며, PZT막(23)을 대신하여 PZT에 La를 도핑한 PLZT막이나 Bi4Ti3O12막을 사용할 수 있다. 제1 SBT막(22), PZT막(23) 및 제2 SBT막(24) 각 층의 두께는 10~4000Å 범위에서 최적화하여 결정하며, 다층 구조의 강유전체막 전체 두께가 30Å~1㎛의 범위를 갖도록 하는 것이 바람직하다.Instead of the first SBT film 22 and / or the second SBT film 24, an SBTN film or a (Bi, La) 4 Ti 3 O 12 film doped with Nb may be used in the SBT, and PZT Instead of the film 23, a PLZT film or a Bi 4 Ti 3 O 12 film doped with La in the PZT may be used. The thickness of each layer of the first SBT film 22, the PZT film 23, and the second SBT film 24 is optimally determined in the range of 10 to 4000 GPa, and the overall thickness of the ferroelectric film of the multilayer structure is in the range of 30 GPa to 1 µm. It is desirable to have a.

이렇듯 본 발명은, 강유전체막을 SBT막이나 PZT막의 단일막 구성이 아닌, SBT막/PZT막/SBT막의 적층 구조 또는 이와 유사한 물질로 구성하며, 백금 등의 금속전극 사용시에도 PZT가 금속전극과 직접 접촉하지 않으므로, 피로 현상을 억제할 수 있게 된다. 또한, PZT는 SBT보다 큰 잔류분극값을 가지고 있으므로, SBT 단일막을 채용한 강유전체 캐패시터보다 큰 잔류분극값을 가지게 된다. 그리고, PZT가 주된 강유전체로서의 역할을 수행하게 되므로 후속 열처리 공정시 600℃ 정도의 저온 공정이 가능하며, 이에 따라 피로 특성이 우수한 SBT를 집적도 측면에서 유리한 PP 구조의 강유전체 캐패시터에 적용할 수 있게 된다.
As described above, the present invention is not composed of a single layer structure of an SBT film or a PZT film, but a stack structure of SBT film / PZT film / SBT film or the like, and PZT is in direct contact with the metal electrode even when using a metal electrode such as platinum. As a result, fatigue phenomenon can be suppressed. In addition, since PZT has a larger residual polarization value than SBT, the PZT has a larger residual polarization value than the ferroelectric capacitor employing the SBT single layer. In addition, since PZT plays a role as a main ferroelectric, a low temperature process of about 600 ° C. is possible in a subsequent heat treatment process, and thus SBT having excellent fatigue characteristics can be applied to a ferroelectric capacitor having a PP structure, which is advantageous in terms of integration.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

전술한 본 발명은 강유전체 박막의 잔류 분극 특성을 확보할 수 있으며, 전극 물질의 열적 안정성을 확보할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 SBT의 우수한 피로 특성을 확보하면서 후속 열처리 온도를 600℃까지 다운시킬 수 있어 PP 구조에의 SBT 적용을 가능하게 하며, 이로 인하여 FeRAM의 집적도를 개선하는 효과를 기대할 수 있다.The present invention described above can secure the residual polarization characteristics of the ferroelectric thin film, and can ensure the thermal stability of the electrode material. In addition, the present invention can lower the subsequent heat treatment temperature to 600 ℃ while ensuring excellent fatigue characteristics of the SBT enables the SBT application to the PP structure, thereby improving the integration of FeRAM can be expected.

Claims (2)

소정의 하부층 상에 제공되는 하부 전극;A lower electrode provided on the predetermined lower layer; 상기 하부 전극 상부에 제공되며, 제1강유전체/제2강유전체/제3강유전체의 다층 구조로 이루어진 강유전체 박막; 및A ferroelectric thin film provided on the lower electrode and formed of a multilayer structure of a first ferroelectric / second ferroelectric / third ferroelectric; And 상기 강유전체 박막 상부에 제공되는 상부 전극을 구비하되,An upper electrode provided on the ferroelectric thin film, 상기 하부전극에 접촉하는 상기 제1강유전체가 SBT, SBTN, (Bi, La)4Ti3O12 중 어느 하나이며,The first ferroelectric in contact with the lower electrode is any one of SBT, SBTN, (Bi, La) 4 Ti 3 O 12 , 상기 제2 강유전체가 PZT, PLZT, Bi4Ti3O12 중 어느 하나이며,The second ferroelectric is any one of PZT, PLZT, Bi 4 Ti 3 O 12 , 상기 상부전극에 접촉하는 상기 제3강유전체가 SBT, SBTN, (Bi, La)4Ti3O12 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터.The ferroelectric capacitor of the semiconductor device, characterized in that the third ferroelectric contacting the upper electrode is any one of SBT, SBTN, (Bi, La) 4 Ti 3 O 12 . 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 하부층은,The lower layer, 모스 트랜지스터와,MOS transistor, 상기 모스트랜지스터의 접합과 상기 하부 전극을 전기적으로 접속하기 위한 콘택 플러그를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터.And a contact plug for electrically connecting the junction of the MOS transistor and the lower electrode.
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