KR100598189B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법 Download PDF

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Abstract

선택적 쓰기 및 선택적 소거 구동방식에서 휘도 특성을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법이 개시된다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 선택적 소거 구간에서의 서스테인 전압을 선택적 쓰기 구간에서의 서스테인 전압보다 일정 범위 높게 공급시킨다.
따라서, 선택적 소거 구간에서의 휘도 특성이 전반적으로 향상되는 동시에 전압마진도 향상될 수 있다.
플라즈마디스플레이패널, 휘도특성, 선택적 쓰기 및 선택적 소거 구동방식

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법{Method for driving a plasma display panel}
도 1은 종래의 선택적 쓰기 및 선택적 소거 구동방식에 사용되는 파형을 나타낸 도면.
도 2는 모델 1과 모델 2에 해당하는 PDP 패널에서 에너지 리커버리(energy recovery) 시간을 300ns, 400ns, 500ns로 변경하면서 서스테인 개수 1개당 휘도의 값을 나타낸 그래프.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 선택적 쓰기 및 선택적 소거 구동방식에 사용되는 파형을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 선택적 소거 구간의 서스테인 전압을 선택적 쓰기 구간의 전압보다 더 높게 공급하는 경우에 휘도의 변화를 나타낸 그래프.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 특히 선택적 쓰기 및 선택적 소거 구동방식에서 휘도특성을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 관한 것이다.
최근 들어, 평판 디스플레이 장치로서, 대형 패널의 제작이 용이한 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 'PDP'라 한다)이 주목받고 있다. PDP는 통상 디지털 비디오데이터에 따라 화소들 각각의 방전기간을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이러한 PDP로는 도1에 도시된 바와 같은 3전극을 구비하고 교류전압에 의해 구동되는 교류형 PDP가 대표적이다.
이러한 PDP를 구동하기 위한 방식으로는 선택적 쓰기(SW : Selective Write) 구동방식과 선택적 소거(SE : Selective Erase) 구동방식으로 대별된다.
선택적 쓰기 구동방식은 리셋기간에 전 화면을 턴-오프(turn-off)시킨 후, 어드레스 기간에 선택된 방전셀을 턴-온(turn-on)시키게 된다. 이어서, 서스테인 기간에는 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀들을 서스테인 방전시킴으로써 화상을 표시하게 된다.
하지만, 선택적 쓰기 구동방식은 한 프레임 기간을 16.67ms로 할 때, 한 프레임 내에 어드레스 기간이 총 11.52ms 정도를 차지하게 됨으로써, 계조 표현을 위해 더 많은 서브필드들을 추가할 수 없는 단점이 있다.
선택적 소거 구동방식은 리셋기간에 전 화면을 라이팅 방전시킴으로써 턴-온시킨 후, 어드레스 기간에 선택된 방전셀들을 턴-오프시키게 된다. 이어서, 서스테인기간에는 어드레스 방전에 의해 선택되지 않은 방전셀들을 서스테인 방전시킴으 로써 화상을 표시하게 된다. 이러한 선택적 소거 구동방식은 한 프레임 내에 어드레스 기간이 총 3.84ms 정도를 차지하게 되어 서브필드들을 추가할 수 있어 원하는 계조표현을 구현할 수 있다. 하지만, 이와는 반대로, 콘트라스트비(contrast ratio)가 대략 60 : 1 정도로 지극히 좋지 않게 되는 단점이 있다.
이와 같이 선택적 쓰기 구동방식과 선택적 소거 구동방식은 서로 상호 보완적인 장단점이 존재한다.
따라서, 선택적 쓰기 구동방식과 선택적 소거 구동방식의 단점들을 보완하기 위해 제안된 것이 선택적 쓰기 및 선택적 소거(SWSE) 구동방식이다.
선택적 쓰기 구동방식과 선택적 소거 구동방식은 하나의 프레임에 선택적 쓰기 구간과 선택적 소거 구간이 존재하여 선택적 쓰기 구간에는 선택적 쓰기 구동방식으로 구동되고, 선택적 소거 구간에는 선택적 소거 구동방식으로 구동되게 된다.
도 1은 종래의 선택적 쓰기 및 선택적 소거 구동방식에 사용되는 파형을 나타낸 도면이다.
상기 선택적 쓰기 및 선택적 소거 구동방식은 적어도 하나 이상의 서브필드들로 이루어지는 선택적 쓰기 구간과 적어도 하나 이상의 서브필드들로 이루어지는 선택적 소거 구간으로 구분된다. 도 1은 선택적 쓰기 구간에 2개의 서브필드들이 존재하고, 선택적 소거 구간에 7개의 서브필드들이 존재하는 것을 도시하였지만, 한 프레임을 5개의 서브필드들로 이루어지는 선택적 쓰기 구간과 2개의 서브필드들로 이루어지는 선택적 소거 구간으로 구분할 수도 있다.
도1을 참조하면, 선택적 쓰기 구간의 어드레스전극들(X)에는 제1 및 제2 서 브필드들(WSF1, WSF2)의 어드레스 기간동안 선택적 쓰기 데이터(SWD)가 공급되며, 선택적 소거 구간의 어드레스전극들(X)에는 제1 내지 제7 서브필드들(ESF1 내지 ESF7)의 어드레스 기간동안 선택적 소거 데이터(SED)가 공급된다.
또한, 선택적 쓰기 구간의 스캔전극들(Y)에는 제1 및 제2 서브필드들(WSF1, WSF2)의 어드레스 기간동안 스캔펄스(-SWSCN)가 순차적으로 공급되며, 선택적 소거 구간의 스캔전극들(Y)에는 제1 내지 제7 서브필드들(ESF1 내지 ESF7)의 어드레스 기간동안 스캔펄스(-SESCN)가 순차적으로 공급된다.
먼저, 선택적 쓰기 구간의 제1 서브필드(WSF1)의 리셋기간이 시작됨과 동시에 스캔전극들(Y)에 정극성의 램프파(RPS)가 공급된다. 그러면, 전 화면의 방전셀들은 리셋방전에 의해 균일하게 벽전하가 축적되게 된다.
이어서, 상기 제1 서브필드(WSF1)의 어드레스기간에는 비디오 데이터의 논리값 "1"에 대응하는 선택적 쓰기 데이터(SWD)가 어드레스전극들(X)에 공급된다. 이러한 선택적 쓰기 데이터에 동기되어 스캔전극들(Y)에는 부극성의 스캔펄스(-SWSCN)가 공급된다. 따라서, 이들 선택적 쓰기 데이터(SWD)와 스캔펄스(-SWSCN)의 전압차에 의해 어드레스전극들(X)과 스캔전극들(Y) 사이에 쓰기 어드레스 방전이 일어나게 된다. 그러면, 비디오 데이터의 논리값 "1"에 해당하는 방전셀들이 어드레스 방전에 의해 선택된다.
이렇게 선택된 방전셀들만이 어드레스 방전에 의해 벽전하 및 공간전하들이 생성된다. 이에 따라, 선택된 방전셀들의 벽전압레벨은 서스테인 펄스가 공급되면, 서스테인 방전이 일어날 수 있는 서스테인전압레벨로 상승된다.
제1 서브필드(WSF1)의 서스테인기간에는 스캔전극들(Y)과 서스테인전극들(Z)에 교번적으로 서스테인 펄스(SUSP)가 공급된다. 이 서스테인 펄스(SUSP)와 선택된 방전셀들 내의 벽전압이 더해지면서 선택된 방전셀들은 서스테인 방전이 일어나게 된다. 제2 서브필드(WSF2)도 제1 서브필드(WSF1)와 동일하게 구동되게 된다.
다음에, 선택적 소거 구간의 제1 서브필드(ESF1)는 선택적 소거 어드레스 기간으로 시작된다. 제1 서브필드(ESF1)의 선택적 소거 어드레스 기간에는 비디오 데이터의 논리값"0"에 대응하는 선택적 소거 데이터(SED)가 어드레스전극들(X)에 공급된다. 이러한 선택적 소거 데이터에 동기되어 스캔전극들(Y)에는 부극성의 스캔펄스(-SESCN)가 순차적으로 공급된다. 이들 선택적 소거 데이터(SED)와 스캔펄스(-SESCN) 사이의 전압차에 의해 어드레스전극들(X)과 스캔전극들(Y) 사이에 소거 어드레스 방전이 일어나게 된다. 이에 따라, 선택적 소거 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀들의 벽전압레벨은 서스테인 펄스가 공급되어도 서스테인 방전이 일어날 수 없는 전압레벨로 떨어지게 된다.
제1 서브필드(ESF1)의 서스테인 기간에는 스캔전극들(Y)과 서스테인전극들(Z)에 교번적으로 서스테인 펄스(SUSP)가 공급된다. 이러한 서스테인 펄스와 어드레스 기간에 선택되지 않은 방전셀들 내의 벽전압이 더해지면서 선택되지 않는 방전셀들은 서스테인 방전이 일어나게 된다.
제2 내지 제7 서브필드들(ESF2 내지 ESF7) 역시 제1 서브필드(ESF1)와 마찬가지로 이전 서브필드가 켜질 때에만 켜지게 되고, 매 서브필드마다 필요 없는 방전셀들이 꺼지게 된다.
이와 같이 구동되는 선택적 쓰기 및 선택적 소거 구동방식은 선택적 쓰기 구간에서 매 서브필드들(WSF1, WSF2)의 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 전압과 선택적 소거 구간에서 매 서브필드(ESF1 내지 ESF7)의 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 전압은 대략 200V로서, 선택적 쓰기 구간 또는 선택적 소거 구간에 관계없이 동일하게 공급되게 된다.
하지만, 이와 같은 선택적 쓰기 및 선택적 소거 구동방식을 사용하게 되면, 도 2에 나타낸 바와 같이, 선택적 쓰기 구간에서 선택적 소거 구간으로 변경되는 지점에서 휘도의 감소폭이 다른 지점들보다 크게 됨을 알 수 있다.
도 2는 모델 1과 모델 2에 해당하는 PDP 패널에서 에너지 리커버리(energy recovery) 시간을 300ns, 400ns, 500ns로 변경하면서 서스테인 개수 1개당 휘도의 값을 나타낸 그래프이다. 또한, 도 2에서는 한 프레임이 5개의 서브필드들(sw1 내지 sw5)로 이루어지는 선택적 쓰기 구간과 2개의 서브필드들(se6, se7)로 이루어지는 선택적 소거 구간으로 이루어지어 구동된다.
도 2에서 알 수 있듯이, 선택적 쓰기 구간의 제5 서브필드(sw5)와 선택적 소거 구간의 제1 서브필드(se6) 사이에서 휘도의 감소폭이 크게 된다. 이는 선택적 쓰기 구간의 경우에는 리셋이라는 벽전하를 형성하는 구간이 존재하지만, 선택적 소거 구간에서는 벽전하를 형성하는 구간이 별도로 존재하지 않게 되므로, 상대적으로 선택적 쓰기 구간에서 선택적 소거 구간으로 방전을 유지하는 경우에 선택적 쓰기 구간에 비하여 선택적 소거 구간에서의 벽전하 양이 상대적으로 10-20v 정도 작아지기 때문이다. 즉, 이와 같은 선택적 소거 구간에서의 벽전하 양이 상대적으 로 작아짐에 따라 방전이 그만큼 용이하지 않게 되어 휘도가 상대적으로 떨어지게 되는 것이다.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 선택적 소거 구간에서의 휘도특성을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 선택적 쓰기 및 선택적 소거 구동방식에 따라 복수의 스캔전극들, 복수의 서스테인전극들 및 복수의 어드레스전극들로 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 방법은, 한 프레임이 적어도 하나 이상의 서브필드들로 이루어지는 선택적 쓰기 구간과 적어도 하나 이상의 서브필드들로 이루어지는 선택적 소거 구간으로 구분되고, 상기 선택적 소거 구간에서의 서스테인 전압이 상기 선택적 쓰기 구간에서의 서스테인 전압보다 일정 범위 높게 공급되며,
상기 선택적 소거 구간에서의 서스테인 전압은 상기 서스테인 전극들에 공급되고, 상기 선택적 쓰기 구간에서의 서스테인전압과 동일한 전압은 상기 스캔 전극들에 공급된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법을 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 선택적 쓰기 및 선택적 소거 구동방식에 사용되는 파형을 나타낸 도면이다
상기 선택적 쓰기 및 선택적 소거 구동방식은 적어도 하나 이상의 서브필드들로 이루어지는 선택적 쓰기 구간과 적어도 하나 이상의 서브필드들로 이루어지는 선택적 소거 구간으로 구분된다. 도 3은 선택적 쓰기 구간에 2개의 서브필드들이 존재하고, 선택적 소거 구간에 7개의 서브필드들이 존재하는 것을 도시하였지만, 한 프레임을 5개의 서브필드들로 이루어지는 선택적 쓰기 구간과 2개의 서브필드들로 이루어지는 선택적 소거 구간으로 구분할 수도 있다.
도 3을 참조하면, 선택적 쓰기 구간의 어드레스전극들(X)에는 제1 및 제2 서브필드들(WSF1, WSF2)의 어드레스 기간동안 선택적 쓰기 데이터(SWD)가 공급되며, 선택적 소거 구간의 어드레스전극들(X)에는 제1 내지 제7 서브필드들(ESF1 내지 ESF7)의 어드레스 기간동안 선택적 소거 데이터(SED)가 공급된다.
또한, 선택적 쓰기 구간의 스캔전극들(Y)에는 제1 및 제2 서브필드들(WSF1, WSF2)의 어드레스 기간동안 스캔펄스(-SWSCN)가 순차적으로 공급되며, 선택적 소거 구간의 스캔전극들(Y)에는 제1 내지 제7 서브필드들(ESF1 내지 ESF7)의 어드레스 기간동안 스캔펄스(-SESCN)가 순차적으로 공급된다.
먼저, 선택적 쓰기 구간의 제1 서브필드(WSF1)의 리셋기간이 시작됨과 동시에 스캔전극들(Y)에 정극성의 램프파(RPS)가 공급된다. 그러면, 전 화면의 방전셀들은 리셋방전에 의해 균일하게 벽전하가 축적되게 된다.
이어서, 상기 제1 서브필드(WSF1)의 어드레스기간에는 비디오 데이터의 논리값 "1"에 대응하는 선택적 쓰기 데이터(SWD)가 어드레스전극들(X)에 공급된다. 이 러한 선택적 쓰기 데이터에 동기되어 스캔전극들(Y)에는 부극성의 스캔펄스(-SWSCN)가 공급된다. 따라서, 이들 선택적 쓰기 데이터(SWD)와 스캔펄스(-SWSCN)의 전압차에 의해 어드레스전극들(X)과 스캔전극들(Y) 사이에 쓰기 어드레스 방전이 일어나게 된다. 그러면, 비디오 데이터의 논리값 "1"에 해당하는 방전셀들이 어드레스 방전에 의해 선택된다.
이렇게 선택된 방전셀들만이 어드레스 방전에 의해 벽전하 및 공간전하들이 생성된다. 이에 따라, 선택된 방전셀들의 벽전압레벨은 서스테인 펄스가 공급되면, 서스테인 방전이 일어날 수 있는 서스테인전압레벨로 상승된다.
제1 서브필드(WSF1)의 서스테인기간에는 스캔전극들(Y)과 서스테인전극들(Z)에 교번적으로 서스테인 펄스(SUSP)가 공급된다. 이 서스테인 펄스(SUSP)와 선택된 방전셀들 내의 벽전압이 더해지면서 선택된 방전셀들은 서스테인 방전이 일어나게 된다. 제2 서브필드(WSF2)도 제1 서브필드(WSF1)와 동일하게 구동되게 된다.
다음에, 선택적 소거 구간의 제1 서브필드(ESF1)는 선택적 소거 어드레스 기간으로 시작된다. 제1 서브필드(ESF1)의 선택적 소거 어드레스 기간에는 비디오 데이터의 논리값"0"에 대응하는 선택적 소거 데이터(SED)가 어드레스전극들(X)에 공급된다. 이러한 선택적 소거 데이터에 동기되어 스캔전극들(Y)에는 부극성의 스캔펄스(-SESCN)가 순차적으로 공급된다. 이들 선택적 소거 데이터(SED)와 스캔펄스(-SESCN) 사이의 전압차에 의해 어드레스전극들(X)과 스캔전극들(Y) 사이에 소거 어드레스 방전이 일어나게 된다. 이에 따라, 선택적 소거 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀들의 벽전압레벨은 서스테인 펄스가 공급되어도 서스테인 방전이 일어날 수 없는 전압레벨로 떨어지게 된다.
제1 서브필드(ESF1)의 서스테인 기간에는 스캔전극들(Y)과 서스테인전극들(Z)에 교번적으로 서스테인 펄스(SUSP)가 공급된다. 이러한 서스테인 펄스와 어드레스 기간에 선택되지 않은 방전셀들 내의 벽전압이 더해지면서 선택되지 않는 방전셀들은 서스테인 방전이 일어나게 된다.
제2 내지 제7 서브필드들(ESF2 내지 ESF7) 역시 제1 서브필드(ESF1)와 마찬가지로 이전 서브필드가 켜질 때에만 켜지게 되고, 매 서브필드마다 필요 없는 방전셀들이 꺼지게 된다.
이때, 선택적 쓰기 구간에서 매 서브필드들(WSF1, WSF2)의 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 전압은 대략 200V이다. 이와는 반대로, 선택적 소거 구간의 서스테인 전압은 최소한 200V 이상인 것이 바람직하다. 더욱 상세히 설명하면, 상기 선택적 소거 구간의 서스테인 전압은 200V인 상기 선택적 쓰기 구간의 서스테인 전압보다 10~5V 더 높은 전압인 것이 바람직하다.
이와 같이 선택적 쓰기 구간의 서스테인 전압보다 더 높은 전압을 갖는 선택적 소거 구간의 서스테인 전압은 상기 스캔전극들(Y)에 공급되고, 상기 서스테인 전극들(Z)에는 상기 선택적 쓰기 구간에서의 서스테인전압과 동일한 전압이 공급될 수 있다.
반대로, 선택적 쓰기 구간의 서스테인 전압보다 더 높은 전압을 갖는 선택적 소거 구간의 서스테인 전압은 상기 서스테인전극들(Z)에 공급되고, 상기 스캔전극들(Y)에는 상기 선택적 쓰기 구간에서의 서스테인전압과 동일한 전압이 공급될 수 있다.
또한, 선택적 쓰기 구간의 서스테인 전압보다 더 높은 전압을 갖는 선택적 소거 구간의 서스테인 전압은 상기 스캔전극들(Y) 및 상기 서스테인전극들(Z)에 공급될 수도 있다.
한편, 선택적 쓰기 구간의 서스테인 전압보다 더 높은 전압을 갖는 선택적 소거 구간의 서스테인 전압은 상기 선택적 소거 구간의 첫 번째 서브필드에서만 공급될 수 있다. 또한, 선택적 쓰기 구간의 서스테인 전압보다 더 높은 전압을 갖는 선택적 소거 구간의 서스테인 전압은 상기 선택적 소거 구간에 포함되는 적어도 하나 이상의 서브필드들에 공급될 수 있다.
이와 같이, 상기 선택적 소거 구간의 서스테인 전압을 상기 선택적 쓰기 구간의 서스테인 전압보다 높게 공급함으로써, 선택적 소거 구간에서의 휘도특성이 향상되게 되는데, 이에 대한 실험 그래프가 도 4에 도시되었다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 선택적 소거 구간의 서스테인 전압을 선택적 쓰기 구간의 전압보다 더 높게 공급하는 경우에 휘도의 변화를 나타낸 그래프이다. 이때, 선택적 소거 구간의 서스테인 전압은 200V(기준전압), 205V, 210V, 215V로 하였다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 기준전압 200V에서는 이미 살펴본 바와 같이 선택적 쓰기 구간과 선택적 소거 구간 사이에서 휘도 감소폭이 상대적으로 높게 나타난다. 하지만, 선택적 쓰기 구간의 서스테인 전압을 205V, 210V, 215V로 점차로 상승시킴에 따라 선택적 소거 구간에서의 휘도값도 비례적으로 증가하게 됨을 알 수 있 다. 특히, 선택적 소거 구간의 서스테인 전압을 210V 이상으로 할 경우에는 선택적 소거 구간에서의 휘도값이 선택적 쓰기 구간에서의 휘도감소폭에 대응하도록 소폭 감소되게 된다. 따라서, 이와 같이 선택적 소거 구간의 서스테인 전압을 21V 이상으로 하면, 한 프레임 내의 선택적 쓰기 구간과 선택적 소거 구간의 전 범위에 걸쳐서 휘도 감소폭이 일정 비율로 변화됨을 알 수 있다. 하지만, 선택적 소거 구간의 서스테인 전압은 250V 이상을 넘게 되면, 구동시 자칫 오동작을 유발하게 된다. 따라서, 선택적 소거 구간의 서스테인 전압은 선택적 쓰기 구간의 서스테인 전압보다 10V 내지 50V 정도 높은 전압으로 공급되는 것이 바람직하다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 의하면, 선택적 소거 구간의 서스테인 전압을 선택적 쓰기 구간의 서스테인 전압보다 10V 내지 50V 정도 높도록 설정함으로써, 선택적 소거 구간에서의 휘도특성이 10% 정도 향상되는 동시에 선택적 소거 구간에서의 전압 마진도 향상될 수 있다.
또한, 이와 같은 구동방식은 모든 3전극 구조의 PDP에 적용이 가능하여 제품 적용 가능성이 매우 높은 기술이라 말할 수 있다.

Claims (9)

  1. 선택적 쓰기 및 선택적 소거 구동방식에 따라 복수의 스캔전극들, 복수의 서스테인전극들 및 복수의 어드레스전극들로 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 방법에 있어서,
    한 프레임이 적어도 하나 이상의 서브필드들로 이루어지는 선택적 쓰기 구간과 적어도 하나 이상의 서브필드들로 이루어지는 선택적 소거 구간으로 구분되고, 상기 선택적 소거 구간에서의 서스테인 전압이 상기 선택적 쓰기 구간에서의 서스테인 전압보다 일정 범위 높게 공급되며,
    상기 선택적 소거 구간에서의 서스테인 전압은 상기 서스테인 전극들에 공급되고, 상기 선택적 쓰기 구간에서의 서스테인전압과 동일한 전압은 상기 스캔 전극들에 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 선택적 소거 구간에서의 서스테인 전압은 상기 선택적 소거 구간의 첫 번째 서브필드에서만 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 선택적 소거 구간에서의 서스테인 전압은 상기 선택적 소거 구간에 포함되는 적어도 하나 이상의 서브필드들에 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  7. 선택적 쓰기 및 선택적 소거 구동방식에 따라 복수의 스캔전극들, 복수의 서스테인전극들 및 복수의 어드레스전극들로 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 방법에 있어서,
    한 프레임이 적어도 하나 이상의 서브필드들로 이루어지는 선택적 쓰기 구간과 적어도 하나 이상의 서브필드들로 이루어지는 선택적 소거 구간으로 구분되고, 상기 선택적 소거 구간에서의 서스테인 전압이 상기 선택적 쓰기 구간에서의 서스테인 전압보다 일정 범위 높게 공급되며,
    상기 선택적 소거 구간에서의 서스테인 전압은 상기 스캔전극들 및 상기 서스테인 전극들에 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 선택적 소거 구간에서의 서스테인 전압은 상기 선택적 소거 구간의 첫 번째 서브필드에서만 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 선택적 소거 구간에서의 서스테인 전압은 상기 선택적 소거 구간에 포함되는 적어도 하나 이상의 서브필드들에 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
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