KR100586164B1 - 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서 및 그제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 SOI 웨이퍼의 실리콘 활성영역에 나노 사이즈의 신호 전하 전달 채널을 국소적으로 형성함으로써 전하의 구속상태를 국소적으로 달리하여 차원 변조(Dimension Modulation)를 시킴으로써 전하의 비선형적인 상태밀도분포를 인위적으로 만들어 광여기된 전하들에 의해 선형적으로 광신호가 발생, 전달될 수 있는 고감도의 이미지 센서 단위화소 구조에 관한 것이다.
본 발명의 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서 및 그 제조방법은 Si 기판 상부에 형성된 매몰산화층을 포함하는 SOI 기판; 상기 SOI 기판 상부에 형성되는 단결정 실리콘층; 상기 단결정 실리콘층에 형성되는 소오스와 드레인; 상기 소오스와 드레인 사이의 활성영역; 상기 활성영역에 형성되는 나노 사이즈의 채널; 및 상기 나노 사이즈의 채널 상부에 절연막을 게재하여 형성되는 게이트를 포함하여 이루어진 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서로서, Si 기판상에 매몰산화층을 형성하는 제 1단계; 상기 매몰산화층 상부에 단결정 실리콘층을 형성하는 제 2단계; 상기 단결정 실리콘층 상부에 SiO2 산화막층을 형성하는 제 3단계; 상기 SiO2 산화막층 상부에 질화막을 형성하는 제 4단계; 상기 질화막 위에 병목 형태의 패턴이 된 마스크를 정렬하여 단결정 실리콘층까지 리소그라피하는 제 5단계; 습식산화에 의해 나노 사이즈의 채널을 형성하는 제 6단계; 상기 질화막과 SiO2 산화막층 및 상기 6단계의 습식산화에 의해 생성된 산화물을 제거하여 나노 사 이즈의 채널이 형성된 단결정 실리콘층이 최상부에 위치하도록 하는 제 7단계; 상기 단결정 실리콘층 위에 게이트 절연막을 형성하는 제 8단계; 상기 게이트 산화막 상부에 게이트를 형성시키는 제 9단계; 및 상기 게이트와 단결정 실리콘층을 이온주입 공정을 통해 도핑하는 제 10단계를 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서 및 그 제조방법은 SOI 웨이퍼에 나노 채널을 형성하여 광여기된 전자의 구속상태가 2차원-1차원-2차원…이 되도록 차원 변조 함으로써 전하 상태 밀도 함수의 비선형성을 광여기된 전하들로 하여금 광전변환하므로 기존의 PN 접합에 의한 포토 다이오드를 대체할 수 있어 PN 접합부가 차지하던 수광부 면적을 현저하게 줄일 수 있다. 또한 상기 신호전달 채널을 적어도 두 개 이상의 복수개로 형성했을 때에는 특정한 외부 바이어스나 빛의 조사 없이는 전류가 흐르기 어렵기 때문에 암전류나 노이즈로 인한 전류를 방지할 수 있고, 열과 같은 외부영향에 의한 전하의 전달을 막을 수 있다는 장점이 있다.
이미지 센서, 나노 채널, 포토 트랜지스터
Description
도 1a는 종래 포토 트랜지스터의 구조를 나타낸 개념도.
도 1b는 종래 포토 트랜지스터의 에너지 밴드를 나타낸 개념도.
도 2는 본 발명에 의한 단일 나노 채널이 형성된 포토 트랜지스터의 사시도.
도 3a와 도 3b는 본 발명에 의한 이미지 센서 단위픽셀의 단면도 및 개념도.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 의한 포토 트랜지스터의 에너지 밴드를 나타낸 개념도.
도 5a와 도 5b는 본 발명의 실시예에 의한 이미지 센서 단위픽셀의 단면도 및 개념도.
도 6a와 도 6b는 본 발명의 실시예에 의한 포토 트랜지스터의 에너지 밴드를 나타낸 개념도.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명에 의한 포토 트랜지스터의 제조방법을 나타낸 공정단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
3 : 소오스 4 : 드레인
5 : 활성영역 6 : 나노 채널
7 : 게이트 절연막 8 : 게이트
60 : 문턱전압
본 발명은 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 SOI 웨이퍼의 실리콘 활성영역에 나노 사이즈의 채널을 국소적으로 형성하여 전하의 구속상태를 국소적으로 달리함으로써 차원 변조(Single Dimension Modulation)에 의해 광전변환하는 구조를 가진 포토 트랜지스터로 이루어진 이미지 센서에 관한 것이다.
포토 트랜지스터는 포토 다이오드의 PN접합을 베이스-에미터 접합에 이용한 트랜지스터로서 광전관에 비해 외형을 매우 작게 할 수 있기 때문에 제품에 적용시 소자의 소형화의 측면에서 큰 장점을 지니며, 파장 감도 특성이 적외선쪽으로도 우수하여 적외선 통신, 적외선 검출, 적외선 도청 경보기 등에서 사용될 수 있다.
도 1a와 도 1b에는 종래 기술에 의한 포토 트랜지스터의 구조도 및 에너지 밴드 개념도를 나타내었다. 도 1a는 종래의 NPN형 포토 트랜지스터를 나타낸 개념도로서, N형 기판 상에 형성된 N형 콜렉터와 P형 베이스의 접합이 수광부로 사용된다. 도 1b는 도 1a에 나타낸 종래 포토 트랜지스터의 에너지 밴드 구조를 나타낸 것으로서, 포토 트랜지스터에 빛이 입사되면 가전자대(Ev)의 전자는 전도대(Ec)로 올라가고 그 자리엔 정공이 남게 된다. 전자와 정공은 각각 확산에 의해 만들어진 PN접합의 확산전위에 따라 전자는 N층으로, 정공은 베이스 층에 있는 P층으로 각각 이동한다. 그 결과 베이스 에미터 접합은 순바이어스되고 통상의 트랜지스터처럼 에미터로부터 전자의 주입이 시작된다. 그리고 베이스를 빠져나가 소수 케리어인 전자에 대해 순바이어스되어 있는 콜렉터에 이른다. 이렇게 해서 빛에 의해 전류를 제어할 수 있고 증폭된 콜렉터 전류를 제어할 수 있다.
그러나, 상기와 같은 종래의 포토 트랜지스터는 소자의 고감도 및 고집적화를 위한 사이즈의 최소화 측면에서 빛을 받아 전기적 신호를 발생시키는 수광부의 면적을 더이상 줄일 수 없으며, 또한 암전류 및 노이즈 특성이 크게 나타나는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 수광부에 나노 사이즈의 채널을 형성하여 수광부의 면적을 현저하게 줄이고, PN접합이 없이도 조사된 빛을 광전변환할 수 있는 나노 사이즈의 고감도 포토 트랜지스터를 제공함에 본 발명의 목적이 있다. 이때, 서로 다른 차원간에는 비선형적인 전하의 상태 밀도 함수와 실리콘 표면에서의 전하 피닝(pinning) 현상에 의해 1차원 부분에서는 전위장벽이 발생하게 된다. 광전류 소자로서의 동작은 암전류 가 흐르지 않을 정도의 전계를 미리 가하여 전자를 나노 채널 형성에 의한 에너지 장벽에 축적하여 둠으로써 적은 양의 빛이 조사되어도 큰 전류를 흐를 수 있도록 하여 단위화소 내의 수광부로 상기 구조를 활용한 이미지 센서 단위화소를 제공한다.
또한 적어도 두 개 이상의 나노 사이즈 신호전달 채널을 형성함으로써 암전류와 노이즈로 인한 전류를 차단하고 외부 바이어스나 빛의 조사에 의해서만 광전류가 흐를 수 있도록 하며, 소량의 빛이 조사되더라도 광전변환되는 고감도의 이미지 센서를 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 Si 기판 상부에 형성된 매몰산화층을 포함하는 SOI 기판; 상기 SOI 기판 상부에 형성되는 단결정 실리콘층; 상기 단결정 실리콘층에 형성되는 소오스와 드레인; 상기 소오스와 드레인 사이에 형성되는 활성영역; 상기 활성영역에 형성되는 나노 사이즈의 채널; 상기 나노 사이즈의 채널 상부에 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상부에 형성되는 게이트를 포함하여 이루어진 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 Si 기판상에 매몰산화층을 형성하는 제 1단계; 상기 매몰산화층 상부에 단결정 실리콘층을 형성하는 제 2단계; 상기 단결정 실리콘층 상부에 SiO2 산화막층을 형성하는 제 3단계; 상기 SiO2 산화막층 상부에 질 화막을 형성하는 제 4단계; 상기 질화막 위에 병목 형태의 패턴이 된 마스크를 정렬하여 단결정 실리콘층까지 리소그라피하는 제 5단계; 습식산화에 의해 나노 사이즈의 채널을 형성하는 제 6단계; 상기 질화막과 SiO2 산화막층 및 상기 6단계의 습식산화에 의해 생성된 산화물을 제거하여 나노 사이즈의 채널이 형성된 단결정 실리콘층이 최상부에 위치하도록 하는 제 7단계; 상기 단결정 실리콘층 위에 게이트 절연막을 형성하는 제 8단계; 상기 게이트 산화막 상부에 게이트를 형성시키는 제 9단계; 및 상기 게이트와 단결정 실리콘층에 이온주입 공정을 통해 도핑하는 제 10단계를 포함하여 이루어지는 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서의 제조방법에 의해 달성된다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
먼저, 도 2는 본 발명에 의한 단일 나노 채널이 형성된 포토 트랜지스터의 사시도로서, 본 발명에서는 Si 기판(1) 상부에 매몰산화층(Buried Oxide, BOX)(2)이 형성된 SOI 기판을 사용한다. 상기 SOI 기판에 N+ 또는 P+ 도핑된 소오스(3)와 드레인(4) 및 활성 영역(5)이 형성된 단결정 실리콘층이 형성되고, 상기의 활성영역에는 나노 채널(6)이 형성된다. 상기의 나노 채널이 형성된 활성영역 상부에는 게이트 절연막(7) 및 게이트(8)가 형성되어 하나의 단위화소를 구성한다.
다음, 도 3a는 상기 도 2에서 나타낸 단위픽셀의 단면도이고, 도 3b는 본 발 명에 의한 이미지 센서 단위픽셀의 활성영역에서의 에너지 밴드를 나타낸 개념도이다.
도 3a의 단면도에 나타낸 바와 같이 나노 채널의 폭은 전체 활성영역에서 매우 작은 영역을 차지하게 되며, 바람직하게는 나노 사이즈의 채널의 폭은 10 내지 50㎚가 되도록 한다.
상기의 나노 채널이 형성된 활성영역의 에너지 밴드는 도 3b를 참조하여 설명될 수 있다. 활성영역에 형성된 나노 사이즈의 채널의 폭이 수 내지 수십㎚, 바람직하게는 10 내지 50㎚로 작아지면 광여기된 전자의 흐름이 2차원-1차원-2차원으로 차원 변조(dimension modulation)가 되고 나노 채널이 형성된 1차원에서의 문턱전압(Vth)(60)이 변화하게 됨을 나타내고 있다. 여기에서 드레인에 일정한 바이어스가 가해져 있을 때 소자에 전류가 흐르기 시작하는 게이트 전압을 문턱전압(Vth)이라고 한다.
전하의 흐름을 에너지 밴드를 고려한 관점에서 고려한다면 다음의 도 4a 내지 도 4c의 본 발명에 의한 포토 트랜지스터의 에너지 밴드 개념도를 통해 설명될 수 있다.
도 4a는 빛이 조사되기 전 나노 채널이 형성된 활성영역의 에너지 밴드를 나타낸 것으로서, 나노 채널에 의해 문턱전압이 높아지고 에너지 밴드갭이 넓어짐을 알 수 있다. 다음, 도 4b는 소오스와 드레인 간에 암전류가 흐르지 않을 정도의 전계를 유기시켰을 경우의 에너지 밴드를 나타낸 것으로서, 문턱전압 증가에 의한 장 벽으로 인해 전도대(Ec)에 전자가 축적된다. 다음으로 도 4c는 빛이 조사되었을 때의 에너지 밴드를 나타낸 것으로서, 빛이 조사되었을 때 생성되는 정공은 전자에 비해 이동도가 느리기 때문에 가전자대(Ev)의 장벽에 축적되어 부분적으로 전계를 인가하는 현상을 주게 되므로 나노 채널에서의 에너지갭의 크기를 줄여 더 많은 광전류를 흐를 수 있게 하는 증폭작용을 하게 된다. 즉, 소수의 정공이 가전자대(Ev)에 축적되어도 국소적인 바이어스 효과에 의해 다수의 전자를 통과시킬 수 있다.
다음, 도 5a와 도 5b는 본 발명의 실시예에 의한 이미지 센서 단위픽셀의 단면도 및 개념도를 나타낸 것으로서, 상기 도 2 내지 도 4c에서 설명한 단일 나노 사이즈의 신호전달 채널을 적어도 두 개 이상의 복수 나노 채널로 형성했을 경우의 실시예를 나타낸 것이다.
도 5a는 나노 사이즈의 복수 신호전달 채널을 가지는 이미지 센서 단위픽셀의 단면도를 나타낸 것으로서, 본 발명에 의한 이미지 센서 단위픽셀을 나타낸 도 3a와 같이 SOI 기판 상부에 소오스와 드레인 및 활성영역이 형성된 단결정 실리콘층이 형성되고, 활성영역에는 나노 사이즈의 신호전달 채널이 복수개 형성된다. 상기의 복수 나노 채널이 형성된 활성영역 상부에는 게이트 전역막 및 게이트가 형성되어 하나의 단위화소를 구성하는 실시예를 나타내었다.
다음 도 5b는 도 5a의 활성영역을 나타낸 것으로서, N+ 또는 P+ 도핑된 소오스와 드레인 사이에 나노 사이즈의 채널이 복수개 형성된 활성영역의 평면도 상에 전하의 흐름을 도식적으로 나타내었다. 나노 채널이 형성된 1차원에서는 피닝(pinning)현상이 일어나게 되어 에너지 장벽을 형성하므로 문턱전압(Vth)(60)이 변화하게 됨을 나타내고 있다.
상기의 실시예에 의한 복수의 나노 채널이 형성된 포토 트랜지스터에 빛이 조사되었을 때 생성되는 전하의 흐름은 다음의 도 6a와 도 6b의 에너지 밴드 개념도를 통해 설명될 수 있다.
도 6a는 실시예에 의한 포토 트랜지스터의 소오스와 드레인간에 암전류가 흐르지 않을 정도의 전계를 유기시켰을 경우의 에너지 밴드를 나타낸 것으로서, 문턱전압 증가에 의한 장벽으로 인해 전도대(Ec)에 전자가 축적된다. 따라서 동일한 에너지 상태에서는 전하가 수평적으로 전달될 수가 없기 때문에 전류가 흐르지 못하게 된다. 그러나 도 6b에서와 같이 빛이 조사되었을 때는 생성된 정공이 가전자대(Ev)의 장벽에 축적되어 부분적으로 바이어스를 인가하는 현상을 주게 되므로 나노 채널에서의 에너지갭의 크기를 줄여 광전류를 흐를 수 있게 한다. 즉, 도 3a에서 도시한 네 개의 나노 채널이 형성된 포토 트랜지스터의 경우 도 6b에 나타낸 바와 같이 광여기에 의해 생성된 전자가 "2차원-1차원-2차원-1차원-2차원-1차원-2차원-1차원-2차원"으로 복수 차원 변조(Multi-Dimension Mudulation)하여 전류가 흐르게 되므로 노이즈와 같은 일시적인 광신호를 차단할 수 있다. 또한 전도대에 축적되어 있던 전자가 소수의 정공이 가전자대(Ev)에 축적되어도 국소적인 바이어스 효과에 의해 다수의 전자를 통과시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예로서, 활성영역에 형성되는 적어도 두 개 이상의 1차원의 나노 채널의 폭을 5㎚, 8㎚, 10㎚ 등과 같이 각각 다르게 형성시킬 경우(미도시), 전기적 문턱전압이 달라져서 비선형적 광전 변환특성을 가지게 된다. 이것은 입사되는 빛의 세기에 따른 광전류변화가 이산되는 특성을 갖게 하므로 거리감(3D)을 높일 수 있다.
다음, 도 7a 내지 도 7f는 상기와 같은 본 발명에 의한 포토 트랜지스터의 제조방법을 나타낸 공정도이다.
본 발명에서는 SOI(Silion On Insulator)에 나노 사이즈의 채널을 형성하는데, 먼저 도 7a에서와 같이 Si 기판(1)상에 매몰산화층(Buried Oxide, BOX)(2)을 형성하고, 상기 매몰산화층 상부에 단결정 실리콘층(9)을 형성한 다음 상기 단결정 실리콘층 상부에 SiO2 산화막층(10)을 형성하고, 마지막으로 Si3N4를 포함하는 질화막층(11)을 상기 SiO2 산화막층(10) 상부에 형성시켜 하드 마스크의 역할을 하도록 한다. 이 때 각 층들은 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition) 또는 열증착법(Thermal evaporation) 에 의해 증착되며, 바람직하게는 상기 매몰산화층(2)은 2000±200Å, 단결정 실리콘층(9)은 2050±200Å, SiO2 산화막층(10)은 500±50Å, Si3N4질화막층(11)은 1600±100Å의 두께가 되도록 형성한다.
다음, 도 7b와 같이 병목 형태로 패턴된 마스크를 사용하여 상기 질화막층(11)에서부터 단결정 실리콘층(9)까지 리소그라피함으로써 활성 영역을 결 정한다. 이 때 사용되는 마스크는 형성시킬 나노 사이즈의 신호전달 채널의 개수에 따라 병목 형태의 패턴을 달리한다. 즉, 단일 채널을 형성할 경우에는 하나의 병목 패턴이 된 마스크를 사용하고, 도 5a와 같은 실시예에 의한 나노 사이즈의 채널을 형성할 경우에는 4개의 병목 패턴이 된 마스크를 사용하여 리소그라피 한다.
그 다음 나노 채널을 형성하기 위하여 습식산화 또는 건식산화에 의해 나노 사이즈의 채널을 형성하는데, 이러한 산화에 의한 나노 채널의 형성에 의하면 고가의 전자빔 리소 장비를 이용하지 않고도 열 산화 공정 내지 산화막 증착 공정의 조건을 조절하여 원하는 폭과 두께의 채널을 얻을 수가 있다. 예를 들면 SOI의 건식 산화법의 경우 Cl2를 포함하는 기체를 사용하는데, 산화에 의해 초당 약 60Å로 침식해 가므로 이를 이용하여 원하는 폭과 두께를 가지는 나노 채널을 형성할 수 있다. 본 발명에서는 형성되는 나노 채널의 폭은 10 내지 50㎚가 되도록 하는 것이 바람직하다.
상기와 같이 산화공정에 의해 형성된 나노 채널만 최상부층에 남기기 위하여 상기 질화막층과 습식산화에 의해 생성된 산화물을 포함하는 SiO2 산화막층을 제거하면 나노 사이즈의 채널이 형성된 단결정 실리콘층이 최상부에 위치하게 된다(도 7c). 이 때 질화막층은 마스크를 이용한 리소그라피 공정으로, SiO2 산화막층은 습식 식각으로 제거될 수 있다.
그 다음, 도 7d와 같이 상기 단결정 실리콘층 상부에 게이트 절연막(7)을 형성하고, 도 7e와 같이 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어진 게이트(8)를 형성 시킨다.
마지막으로 도 7f와 같이 상기 게이트와 단결정 실리콘층에 As 또는 B를 포함하는 3가원소 또는 4가 원소 이온주입을 통해 N+ 또는 P+ 도핑함으로써 소오스와 드레인 영역을 형성하여 나노 사이즈의 채널이 형성된 포토 트랜지스터를 완성한다.
상세히 설명된 본 발명에 의하여 본 발명의 특징부를 포함하는 변화들 및 변형들이 당해 기술 분야에서 숙련된 보통의 사람들에게 명백히 쉬워질 것임이 자명하다. 본 발명의 그러한 변형들의 범위는 본 발명의 특징부를 포함하는 당해 기술 분야에 숙련된 통상의 지식을 가진 자들의 범위 내에 있으며, 그러한 변형들은 본 발명의 청구항의 범위 내에 있는 것으로 간주된다.
따라서, 본 발명의 단일 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서 및 그 제조방법은 SOI 웨이퍼의 실리콘 활성영역에 나노 사이즈의 신호 전하 전달 채널을 국소적으로 형성함으로써 전하의 구속상태를 국소적으로 달리하여 차원 변조를 시킴으로써 전하의 비선형적인 상태밀도 분포를 인위적으로 만들어 광여기된 전하들에 의해 선형적으로 광신호가 발생, 전달될 수 있도록 한다. 따라서, 기존의 PN 접합에 의한 포토 다이오드를 대체할 수 있어 PN 접합부가 차지하던 수광부 면적을 현저하게 줄일 수 있다.
또한 본 발명에 의한 이미지 센서의 광검출 동작은 암전류가 흐르지 않을 정 도의 전계를 미리 가하여 나노 사이즈의 채널이 형성된 1차원 부분에서 발생된 전위장벽에 전자를 축적하여 둠으로써 적은 양의 빛이 조사되어도 큰 광전류가 흐를 수 있도록 하는 이미지 센서를 제공한다.
Claims (7)
- 이미지 센서에 있어서,Si 기판 상부에 형성된 매몰산화층을 포함하는 SOI 기판;상기 SOI 기판 상부에 형성되는 단결정 실리콘층;상기 단결정 실리콘층에 형성되는 소오스와 드레인;상기 소오스와 드레인 사이의 활성영역;상기 활성영역에 형성되는 10㎚ 내지 50㎚ 폭을 갖는 적어도 하나 이상의 나노 사이즈의 채널; 및상기 나노 사이즈의 채널 상부에 절연막을 게재하여 형성되는 게이트를 포함하는 단위화소로 이루어짐을 특징으로 하는 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 게이트는 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어짐을 특징으로 하는 신 호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서.
- 이미지 센서의 단위화소 제조방법에 있어서,Si 기판상에 매몰산화층을 형성하는 제 1단계;상기 매몰산화층 상부에 단결정 실리콘층을 형성하는 제 2단계;상기 단결정 실리콘층 상부에 SiO2 산화막층을 형성하는 제 3단계;상기 SiO2 산화막층 상부에 질화막을 형성하는 제 4단계;상기 질화막 위에 적어도 하나 이상의 병목 형태의 패턴이 된 마스크를 정렬하여 단결정 실리콘층까지 리소그라피하는 제 5단계;습식산화에 의해 10㎚ 내지 50㎚ 폭을 갖는 나노 사이즈의 채널을 형성하는 제 6단계;상기 질화막과 SiO2 산화막층 및 상기 6단계의 습식산화에 의해 생성된 산화물을 제거하여 나노 사이즈의 채널이 형성된 단결정 실리콘층이 최상부에 위치하도록 하는 제 7단계;상기 단결정 실리콘층 위에 게이트 절연막을 형성하는 제 8단계;상기 게이트 산화막 상부에 게이트를 형성시키는 제 9단계; 및상기 게이트와 단결정 실리콘층을 이온주입 공정을 통해 도핑하는 제 10단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서의 제조방법.
- 제 4항에 있어서,상기 제 4단계에서 형성되는 질화막은 Si3N4를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서의 제조방법.
- 제 4항에 있어서,상기 제 10단계에서는 게이트가 N+ 또는 P+로 도핑됨을 특징으로 하는 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서의 제조방법.
- 제 4항에 있어서,상기 제 10단계는 단결정 실리콘층이 N+ 또는 P+ 도핑되어 소오스와 드레인이 형성됨을 특징으로 하는 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서의 제조방법.
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