KR100577161B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

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KR100577161B1
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엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 적색, 녹색 및 청색 각각에 대응하는 서브 셀 들을 포함하는 화소 셀을 구분하기 위한 메인 격벽과, 메인 격벽의 폭보다 좁은 폭으로 크기가 서로 다른 상기 서브 셀 들을 구분하는 서브 격벽을 포함한다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널에서는, 형광체 도포 면적과 방전공간이 극대화되어 방전효율과 휘도가 향상되고, 인접한 화소셀 간의 상호혼신이 방지된다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널{Plasma Display Panel}
도 1은 일반적인 교류 구동형 플라즈마 디스플레이 패널의 셀 구조를 개략적으로 도시하는 사시도.
도 2a 내지 도 2d는 포지티브 감광성 유리를 이용한 격벽 제조 방법을 단계적으로 도시하는 수직 단면도.
도 3은 종래의 스트라이프 형태의 격벽 구조를 도시하는 평면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 격벽 구조를 도시하는 사시도.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 실시예에 따른 포지티브 감광성 유리기판의 에칭법을 이용한 격벽 제조 방법 및 제조된 격벽의 수평 단면 구조를 도시하는 도면.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 네가티브 감광성 유리기판의 에칭법을 이용한 격벽 제조 방법 및 제조된 격벽의 수평 단면 구조를 도시하는 도면.
도 7은 서브셀의 크기가 서로 동일하며, 격벽폭이 모두 동일한 크기를 갖는 격벽 구조를 도시하는 도면.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
20 : 상부유리기판 22 : 하부유리기판
24 : 유전체후막 26 : 투명전극(ITO전극)
28 : 어드레스전극 30 : 버스전극
32,100 : 격벽 34 : 유전체층
36 : MgO 보호막 38 : 형광체
40 : 방전영역 60,140,180 : 감광성 유리기판
62,142,182 : 마스크패턴 64,144,184 : 노광부분
66,146,186 : 미노광부분 102,202 : 서브셀
104,204 : 화소셀 106,206 : 서브격벽
108,208 : 메인격벽
본 발명은 플라즈마 디스플레이에 관한 것으로, 특히 방전효율과 콘트라스트가 향상된 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이는 가스방전에 의해 발생되는 자외선이 형광체에 작용하여 형광체에서 가시광선이 발생되는 것을 이용한 표시장치이다. 이러한 플라즈마 디스플레이는 지금까지 표시장치 수단의 주종을 이루어왔던 음극선관(Cathode Ray Tube, CRT)에 비해 두께가 얇고 가벼우며, 고선명 대형화면의 구현이 용이하다는 점과 넓은 시야각을 갖는다는 점등의 장점이 있다. 플라즈마 디스플레이 패널은 매트릭스 형태로 배열된 화소셀들로 이루어지며, 그 구동 방법에 따라 크게 직류(Direct Current : DC) 구동 방식과 교류(Alternative Current : AC) 구동 방식으로 나뉘어진다.
도 1은 일반적인 교류 구동 방식의 플라즈마 디스플레이 패널의 셀구조를 나타내는 도면이다. 도 1을 참조하여 그 구조를 설명하면 먼저, 면방전을 이루기위한 버스전극(30)쌍 및 투명전극(ITO전극)(26)쌍이 상부유리기판(20)의 밑면에 나란히 배치된다. 어드레스 방전시 벽전하를 축적하기 위한 유전체층(34)은 버스전극(30)쌍 및 투명전극(26)쌍을 감싸며 상부유리기판(20)의 밑면 전영역에 도포된다. 유전체층(34) 상에 전면 도포되는 MgO 보호막(36)은 화소셀의 수명을 연장시키며 2차 전자의 방출효율을 높여준다. 하부유리기판(22) 상에는 어드레스 방전을 위한 어드레스전극(28)이 버스전극(30)과 상호 직각으로 교차되도록 배치된다. 유전체층(34)과 동일한 역할을 수행하는 유전체후막(24)은 어드레스전극(28)을 감싸며 하부유리기판(22) 상에 도포된다. 유전체후막(24) 상에는 격벽(32)이 형성되고, 격벽(32)표면과 유전체후막(24) 상에는 방전시 자외선에 의해 여기되어 가시광선을 방출하는 형광체(38)가 도포된다. 격벽(32)은 형광체(38)의 도포면을 마련함과 동시에, 상부 및 하부유리기판(20,22)과 함께 방전영역(40)을 형성한다. 방전영역(40)에는 He+Xe 또는 Ne+Xe의 혼합가스가 충전된다.
빛이 방출되는 과정을 간략히 설명하면, 버스전극(30)과 어드레스전극(28) 간의 어드레스방전에 의해 유전체층(34)에 벽전하가 축적된 상태에서, 방전영역(40)에서 버스전극(30) 간의 면방전이 일어나면서 자외선이 방출된다. 방출된 자외선은 형광체(38)를 여기시켜 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생시키게 된다.
격벽(32)은 글래스-세라믹스(Glass-Ceramics) 재료로 이루어지고 폭은 대략 100㎛, 높이는 200㎛ 내외로 설계된다. 격벽(32)은 만족할 만한 개구율을 얻기 위하여 큰 아스펙트 비(Aspect ratio : 높이 대 폭의 비)가 요구되고 있다. 특히, 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽이 큰 아스펙트비를 가지게 되면 그만큼 형광체 도포면적과 방전공간이 확대되므로 방전효율 및 휘도가 향상된다.
격벽의 제조방법으로는 스크린프린트법, 샌드브라스트법, 금형법 등이 제안되고 있지만 각각의 방법들에서 많은 문제점들이 지적되고 있다. 스크린프린트법에서는 인쇄와 건조의 공정을 수회 실시하여 필요한 높이의 구조물을 만든 다음 소성하여 격벽을 형성시킨다. 이 제조법은 공정의 반복으로 인하여 제조시간이 많이 소요될 뿐만 아니라, 반복작업 하에서 스크린과 기판의 위치가 어긋나 큰 아스펙트비를 갖는 고정세 격벽을 형성하기가 곤란하다는 단점이 있다. 샌드브라스트법에서는 원하는 두께로 격벽재를 형성한 다음 감광성 수지패턴을 위에 형성하여 불필요한 부위를 샌드브라스트의 방식에 의해 제거해내어 격벽을 형성시킨다. 이 제조법은 연마재(샌드입자)에 의해 제거되는 재료의 낭비와 제조비용이 클뿐만 아니라 연마재에 의해 유리기판에 물리적인 충격을 가하게 되므로 기판의 손상을 초래하는 문제점이 있다. 금형법에서는 격벽재를 형성한 다음 금형으로 찍어내어 격벽을 형 성시킨다. 금형법에서는 금형과 반고상화된 격벽재 필름 또는 격벽재 페이스트 사이의 압력제어가 어렵고 금형과 격벽의 분리가 어려우므로 고정세의 격벽 제조가 어렵다. 상기 언급한 격벽 제조 방식들은 모두 공정의 복잡성, 정밀한 공정제어 등의 문제를 지니고 있으므로 바람직한 양산공정으로는 확립되어 있지 않다. 이러한 방법들 외에도 큰 아스펙트 비를 가지는 격벽의 제조방법으로는 LIGA (Lithography + Electroplating + Molding)법, 실리콘의 이방성 에칭법, 감광성 유리 기판의 에칭법 등이 제안되고 있다. LIGA법은 가속기에서 발생되는 X선을 수지재료에 조사하여 X선이 조사된 부분의 성질을 변화시킨 후 식각하여 X선이 조사된 부분을 제거하는 방법이다. LIGA법은 X선을 발생시켜야 하므로 고가의 장비를 필요로하는 단점이 있다. 실리콘의 이방성 에칭법은 Si(110) 기판의 수직방향 우선 에칭성을 이용하여 구조물을 형성하는 방법이다. 이 방법은 대면적상에 고르게 격벽을 형성하기가 어렵고 고가의 실리콘 단결정을 이용하여야 하는 단점이 있다. 이에 반하여 감광성 유리기판의 에칭법은 저가의 공정으로 대면적상에서 큰 아스펙트비를 갖는 격벽을 비교적 손쉽게 제조할 수 있다는 장점이 있다.
감광성 유리기판의 에칭법은 포지티브 감광성 유리기판의 에칭법과 네가티브 감광성 유리기판의 에칭법으로 구분된다. 포지티브 감광성 유리기판의 에칭법을 살펴보면, 도 2a 내지 도 2d에서 나타난 바와 같이 마스크패턴의 형성, 노광, 열처리, 습식식각의 수순으로 격벽을 형성하게 된다. 먼저 도 2a에 보인 바와 같은 감광성 유리기판(60)은 그 주성분으로서 SiO2, Li2O, CeO2 및 Al2O 3와 감광성 금속으로서 Au, Ag, Cu 등이 소량 첨가된 조성에, 필요에 따라 기타 산화물을 첨가한 조성 에 의해 감광성을 지니게 된다. 이러한 감광성 유리기판(60) 상에는 도 2b에서와 같이 마스크패턴(62)이 형성된 후, 소정 파장의 자외선을 발생하는 광원에 의해 자외선이 조사되어 노광된다. 이때 1㎜ 두께의 감광성 유리기판(60)이 노광된다고 할 경우의 자외선(310㎚ 기준)의 에너지는 대략 2 J/㎠ 이다. 소정시간 동안 노광된 감광성 유리기판(60)의 노광부분(64)은 3가의 Ce이온이 4가의 Ce이온으로 변화하면서 전자가 감광성 유리기판(60) 내에서 방출된다. 노광후, 감광성 유리기판(60) 상의 마스크패턴(62)이 제거되고 감광성 유리기판(60)은 소정의 온도로 열처리된다. 도 2c에서 열처리시 감광성 유리기판(60)의 노광부분(64)에는 노광에 의해 방출된 전자들이 감광성 금속이온과 반응하여 금속원소를 석출시키게 된다. 이와 같은 금속원소가 석출된 상태에서 감광성 유리기판(60)은 도 2c의 열처리과정에서 더 높은 온도로 열처리된다. 그러면 감광성 유리기판(60)의 노광부분(64)은 금속을 핵으로 하여 금속 주위에 SiO2, Li2O 등과 같은 결정상이 형성된다. 마지막으로, 열처리된 감광성 유리기판(60)을 불산(HF)이 함유된 수용액에 소정 시간동안 침전시켜 습식에칭시키게 되면 결정상의 석출 정도에 따라 결정상이 석출된 노광부분(64)은 용해되어 제거된다. 이와 같이 포지티브 감광성 유리기판의 에칭법에서는 결정상이 석출된 노광부분(64)과 미노광부분(66)과의 에칭속도차를 이용하여 노광부분(64)을 우선적으로 제거하여 격벽을 형성시키게 된다.
네가티브 감광성 유리기판의 에칭법을 이용한 격벽의 제조는 포지티브 감광성 유리기판의 에칭법과 마찬가지로 마스크패턴의 형성, 노광, 열처리, 습식식각의 수순으로 이루어진다. 하지만 네가티브 감광성 유리기판의 에칭법에서는 포지티브 감광성 유리기판의 에칭법의 경우에 비해 열처리시의 열처리 온도가 더 높다. 또한 포지티브 감광성 유리기판의 에칭법과는 반대로 식각단계에서 미노광부분이 제거되고 노광부분이 남아 격벽을 형성하게 된다. 이러한 네가티브 감광성 유리기판의 에칭법은 포지티브 감광성 유리기판의 에칭법에 비해 큰 아스펙트비를 갖는 격벽을 정밀하게 형성시킬 수 있다는 장점이 있다.
플라즈마 디스플레이 패널에 이용되는 격벽은 현재 대부분이 도 3에서와 같이 스트라이프 형태의 격벽 구조를 이루고 있다. 도 3은 스트라이프 형태의 격벽 구조를 보여주는 평면도이다. 이러한 스트라이프 상에서는 동일선상의 인접한 화소셀(104) 또는 서브셀(102) 간의 구분을 확실히 해주는 격벽이 따로 존재하지 않는다. 그리하여 플라즈마에서 발생되는 자외선이 동일선상에 있는 다른 형광체에 영향을 미칠 수 있으며, 형광체에서 발생되는 빛도 원하지 않는 방향으로 나올 수 있다. 그 결과 인접한 화소셀(104) 또는 서브셀(102) 간의 상호혼신(Crosstalk)이 심각하며 콘트라스트가 저하된다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 상부유리기판상에 별도의 블랙매트리스층을 형성시키는데, 블랙매트리스층은 생성된 가시광선의 빛을 차단하게 되어 휘도를 저하시키는 역효과를 가져오기도 한다. 또한 형광체도 스트라이프 상의 격벽(100) 측면과 하판상에만 형성되므로 형광체의 도포 면적도 적어 방전효율 및 휘도가 저하되는 문제점을 지닌다.
한편 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 가시광선을 발생시키는 각각의 형광체는 자외선에 의한 가시광선의 발광효율이 각각 다르다. 도 3에 도시한 바와 같은 종래의 구조에서는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)중 한가지의 가시광선을 발생시키는 서 브셀(102)들 각각의 방전 공간이 모두 동일한 크기로 되어 있으므로 각각의 서브셀(102)에서 발생되는 빛의 양이 균일하도록 조절하는 것이 용이하지 않다는 문제점도 함께 지니게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 콘트라스트와 방전효율이 향상된 플라즈마 디스플레이 패널을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 적색, 녹색 및 청색 각각에 대응하는 서브셀들로부터 빛의 양이 균형적으로 발생되는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공함에 있다.
상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 적색, 녹색 및 청색 각각에 대응하는 서브 셀 들을 포함하는 화소 셀을 구분하기 위한 메인 격벽과, 메인 격벽의 폭보다 좁은 폭으로 크기가 서로 다른 서브 셀 들을 구분하는 서브 격벽을 포함한다.
상기 목적들 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 4 내지 도 6d를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 구조를 나타내는 사시도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 서브셀(102) 및 화소셀(104)들을 사방으로 둘러싸는 격자형태의 격벽(106,108)을 구비한다. 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 각각의 서브셀(102)들은 서브셀(102) 사이의 서브격벽(106)에 의해 구분된다. 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 서브셀(102)로 구성되는 하나의 화소셀(104)은 메인격벽(108)에 의해 인접한 화소셀(104)과 구분된다. 서브셀(102) 사이의 서브격벽(106) 폭은 화소셀(104) 사이의 메인격벽(108) 폭에 비해 비교적 좁다. 서브셀(102) 방전공간의 크기에 대해서는, 적색(R) 서브셀의 방전공간이 가장 크고, 청색(R) 서브셀의 방전공간이 그 다음으로 크고, 녹색(G) 서브셀의 방전공간이 가장 작다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 실시예에 따른 포지티브 감광성 유리기판의 에칭법을 이용한 격벽 제조 방법을 단계적으로 나타낸다. 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 감광성 유리기판(140) 상에 마스크패턴(142)이 형성되고 자외선에 노광된다. 노광후 마스크패턴(142)이 제거된 감광성 유리기판(140)은 도 5c의 과정에서 소정 온도로 열처리된다. 열처리과정에서 감광성 유리기판의 노광부분(144)에는 결정상이 석출된다. 마지막으로, 열처리된 감광성 유리기판을 습식식각시킴으로써 결정상이 석출된 노광부분(144)을 제거한다. 이렇게 제거된 노광부분(144)은 도 5d에 도시한 바와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 서브셀(102)의 방전영역을 형성하고, 식각되지 않은 도 5c의 미노광부분(146)은 도 5d의 격벽(106,108)을 형성하게 된다. 도 4에 보인 바와 같은 격벽 구조는 도 5b의 과정에서 동일한 수평 단면 구조의 마스크패턴(142)을 감광성 유리기판 상에 형성시킴으로써 용이하게 구현될 수 있다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 네가티브 감광성 유리기판의 에칭법을 이용한 격벽 제조 방법을 나타낸다. 도 6a를 참조하면, 먼저 SiO2, Li2O, CeO2 및 Al2O3와 감광성 금속으로서 Au, Ag, Cu 등이 소량 첨가된 감광성 유리기판(180)이 마련된다. 그 다음 도 6b에 도시한 바와 같이 마스크 패턴(182)이 형성된 후 소정 파장의 자외선이 조사됨으로써 노광된다. 이때, 1㎜ 두께의 감광성 유리기판이 노광된다고 할 경우, 자외선(310㎚ 기준)의 에너지는 포지티브 감광성 유리기판의 에칭법을 이용한 제조과정의 경우보다 낮은 대략 0.3 ~ 1 J/㎠ 이다. 노광된 감광성 유리기판(180)은 마스크 패턴(182)이 제거된 후 도 6c의 과정에서 열처리된다. 이 때의 열처리 온도는 포지티브 감광성 유리기판의 에칭법을 이용한 제조과정시의 경우보다 높은 600 ~ 650℃의 온도로 열처리된다. 이러한 열처리 과정에 의해 감광성 유리기판의 노광부분(184)과 미노광부분(186)은 조직적으로 서로 차이가 나게 된다. 도 6c의 열처리과정에서, 감광성 유리기판의 미노광부분(186)은 과다 결함이 존재하는 비정질 구조로 되며, 노광부분(184)은 금속을 핵으로하여 금속 주위에 SiO2, Li2O 등과 같은 결정상이 형성되면서 치밀한 조직구조를 가지게 된다. 이와 같은 부분별 조직적 차이를 나타내는 감광성 유리기판은 마지막 공정으로서 불산(HF)을 포함하는 수용액에 소정 시간동안 침전되어져 습식식각된다. 그러면 감광성 유리기판의 미노광부분(186)은 결함이 많은 비정질 구조를 가짐으로 인해 불산 수용액의 침투가 용이해지므로 쉽게 용해된다. 이에 따라 미노광부분(186)은 치밀한 조직구조를 갖는 노광부분(184)보다 빠르게 식각되어 제거된다. 결과적으로 포지티브 감광성 유리기판의 에칭법에서는 감광성 유리기판의 노광부분이 식각, 제거되지만, 반대로 네가티브 감광성 유리 기판의 에칭법에서는 결함이 많은 비정질 구조를 갖는 미노광부분이 식각, 제거되는 것이다. 이렇게 제거된 미노광부분(186)은 도 6d에 도시한 바와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 서브셀(102)의 방전영역을 형성하고, 식각되지 않은 도 6c의 노광부분(184)은 도 6d의 격벽(106,108)을 형성하게 된다. 도 4에 보인 바와 같은 격벽 구조는 도 6b의 과정에서 동일한 수평 단면 구조의 마스크패턴(182)을 감광성 유리기판 상에 형성시킴으로써 용이하게 구현될 수 있다.
상기 격벽 제조 과정에 있어서, 차후 접합공정시 발생할 수 있는 열팽창에 의해 유리가 파손되는 문제를 해결하기 위해, 필요한 경우 열처리에 의한 격벽의 결정화를 실시하여 격벽의 열팽창계수를 80X10-7/K 내지 90X10-7/K 사이의 값으로 하는 것이 바람직하다. 이를 위하여 포지티브 감광성 유리기판의 에칭법을 이용하는 경우에는 노광후 다시 열처리하여 결정화시키는 방법을 취할 수 있다. 또한 네가티브 감광성 유리기판의 에칭법을 이용하는 경우에는 형성된 격벽 자체에 결정화가 이루어져 있으므로 도 6c의 열처리과정에서 열처리시간의 변화등에 의해 열팽창계수를 조절하는 것이 가능하다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서는 콘트라스트를 향상시키기 위하여 종래의 블랙매트리스층을 이용하는 대신, 격벽을 흑화처리하는 방법을 이용한다. 격벽의 흑화처리란 모든 파장의 가시광을 흡수하는 물질이 격벽 내에 포함 되도록 하는 처리를 말한다. 포지티브 감광성 유리기판의 에칭법을 이용한 격벽 제조의 경우에는, 독일 schott사의 감광성 유리기판을 이용하여 도 5a 내지 도 5d의 공정에 의해 격벽을 제조한 다음, 구조물 전체를 자외선에 재노광하여 열처리하면, 열처리에 의해 형성되는 금속입자 및 결정립에 의해 격벽의 흑화가 가능하다. 이러한 경우 콘트라스트를 향상시키기 위한 별도의 블랙매트리스를 사용할 필요가 없다. 또한 네가티브 감광성 유리기판의 에칭법을 이용한 격벽 제조의 경우에는, 도 6a 내지 도 6d의 공정에 의해 반투명한 격벽이 형성된다. 이러한 경우에는 블랙매트리스 페이스트를 격벽의 표면층에 도포시켜(예를 들어 dipping) 소성하거나 격벽이 형성된 구조물을 블랙매트리스 용액에 침전시켜 격벽을 흑화시키는 방식이 가능하다. 이와 같이 흑화된 격벽을 하부유리기판상에 그라스페이스트를 이용하여 접합시키고, 하부유리기판상과 격벽 표면에 형광체를 도포한 다음, 상부유리기판을 접합하고 방전가스를 주입하면 플라즈마 디스플레이 패널이 완성된다.
도 4에 도시된 바와 같은 서브격벽(106)과 메인격벽(108)은 각각 서브셀(102) 및 화소셀(104) 간의 광학적 상호혼신을 방지하고, 각각의 서브셀(102)에 도포되어지는 형광체의 도포면적을 확장시킨다. 서브격벽(106)의 폭은 메인격벽(108)의 폭보다 좁게 되어있어 서브셀(102)들의 방전공간이 극대화된다. 서브격벽(106)보다 두꺼운 메인격벽(108)은 콘트라스트의 향상을 도모한다. 만약 도 7에 도시된 바와 같이, 서브격벽(206)의 폭을 메인격벽(208)의 폭과 동일한 두께로 두껍게 형성시킨다면, 서브셀(202)들의 방전공간이 줄어들어 방전효율이 저하되는 문제점을 갖게 된다. 한편 도 4에 도시된 바와 같이, 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 서브셀(102)들은 색깔별로 방전공간의 크기가 서로 달라 각각의 서브셀(102) 별로 균형적인 빛의 방출이 이루어진다. 즉 서브셀(102)의 도포면에 도포되어지는 적색, 녹색, 청색용의 형광체는 자외선에 의해 빛을 발생시키는 가시광선 발광효율이 각각 다른데, 가시광선의 발광효율이 가장 낮은 적색 형광체가 도포된 적색(R) 서브셀의 방전공간을 가장 넓게하고, 상대적으로 가시광선의 발광효율이 가장 높은 녹색 형광체가 도포된 녹색(G) 서브셀의 방전공간을 가장 좁게함으로써 각각의 서브셀(102)로부터 빛이 균형적으로 발생하도록 할 수 있게 된다. 도 7에 도시한 바와 같이 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 서브셀(202)들을 모두 동일한 크기로 할 경우에는, 적색, 녹색, 청색광의 균형적인 혼합이 이루어지지 않게 되므로 색상 구현에 있어서 문제를 야기할 수 있다.
교류 구동 방식의 플라즈마 디스플레이 패널에 도 4에 도시한 바와 같은 격벽 구조를 적용시키면, 격벽(106,108)의 높이가 100~500㎛인 경우 서브격벽(106)의 폭은 20~50㎛정도로 설정할 수 있으며, 이때 메인격벽(108)의 폭은 40인치 플라즈마 디스플레이 패널일 경우 70~200㎛정도로 설정할 수 있다. 격벽(106,108)의 높이를 더 높인 새로운 형태의 플라즈마 디스플레이 패널이 개발된다면 격벽(106,108)의 폭은 수정이 가능한데, 예를 들어 500~1000㎛ 사이의 격벽(106,108) 높이를 갖는다고 한다면 서브격벽(106)의 폭은 50~150㎛ 사이의 값으로 설정할 수 있다.
상술한 바와같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 서브셀 및 화 소셀을 구분하는 격자구조의 격벽을 구비함으로써 콘트라스트가 향상되고, 서브셀 및 화소셀 간의 상호혼신이 억제되어 디스플레이의 성능이 향상된다. 서브셀을 구분하는 서브격벽의 폭을 화소셀을 구분하는 메인격벽의 폭보다 좁게 함으로써 방전공간 및 형광체의 도포면적이 확대되어 방전효율 및 휘도를 향상시키는 효과를 얻을 수 있다. 흑화처리된 격벽을 사용하기 때문에 콘트라스트의 향상을 위한 별도의 블랙매트리스층을 형성할 필요가 없어지므로 블랙매트리스의 사용으로 인해 휘도가 저하되는 문제를 막을 수 있다. 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 빛을 방출하는 서브셀 각각의 방전공간은 각 형광체의 가시광선 발생효율에 따라 서로 다른 크기를 가짐으로써 각 서브셀로부터 균형적인 빛의 방출이 이루어지게 된다. 감광성 유리기판의 에칭법에 의해 격벽을 제조함으로써 큰 아스펙트비를 갖는 정밀한 격벽의 제조가 가능할 뿐만 아니라 제조공정도 간단하여 디스플레이의 경쟁력을 한층 강화시킬 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (8)

  1. 적색, 녹색 및 청색 각각에 대응하는 서브 셀 들을 포함하는 화소 셀을 구분하기 위한 메인 격벽과,
    상기 메인 격벽의 폭보다 좁은 폭으로 크기가 서로 다른 상기 서브 셀 들을 구분하는 서브 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 서브격벽 및 메인격벽의 높이가 100 ~ 500㎛ 인 경우, 상기 서브격벽의 폭이 20 ~ 50㎛ 사이이고, 상기 메인격벽의 폭이 70 ~ 200㎛ 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 서브격벽 및 메인격벽의 열팽창계수가 80X10-7/K ~ 90X10-7/K 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 서브셀들 내에 도포되어지는 형광체의 가시광선 발광효율에 역비례하여 상기 서브셀들의 크기가 결정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 메인격벽 및 서브격벽은 흑화처리된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 메인격벽 및 서브격벽은 결정화 방식에 의해 흑화처리된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 메인격벽 및 서브격벽은 블랙매트릭스를 상기 격벽들 상에 도포함으로써 흑화처리된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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