KR100560765B1 - 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 장치의 로드락 챔버 - Google Patents
반도체 제조 장치 및 반도체 제조 장치의 로드락 챔버 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100560765B1 KR100560765B1 KR1020030057250A KR20030057250A KR100560765B1 KR 100560765 B1 KR100560765 B1 KR 100560765B1 KR 1020030057250 A KR1020030057250 A KR 1020030057250A KR 20030057250 A KR20030057250 A KR 20030057250A KR 100560765 B1 KR100560765 B1 KR 100560765B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chamber
- gas
- load lock
- carrier
- flow control
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 발명은 질소가스 등의 압력조절가스에 의해서 내부압력이 조절되는 로드락 챔버를 구비한 반도체 제조장치에 관한 것이다. 본 발명의 로드락 챔버는 챔버 내부에 설치되는 그리고 캐리어가 위치되는 캐리어 스테이지, 챔버 내부로 압력조절용 가스를 공급하기 위한 공급부, 공급부를 통해 챔버 내부로 공급되는 압력조절용 가스가 캐리어 주변으로 흐르도록 안내하는 안내부를 갖는다.
Description
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 구성도;
도 2는 도 1에 도시된 로드락 챔버의 일부를 절개한 사시도;
도 3은 도 2에 도시된 안내부를 설명하기 위한 도면;
도 4는 도 2에 도시된 로드락 챔버 내에서의 질소가스 흐름을 보여주는 측단면도;
도 5는 도 4에 표시된 a-a 선 단면도;
도 6은 도 3에 도시된 흐름조절판의 변형예를 보여주는 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
110 : 공정 챔버
120 : 로드락 챔버
130 : 공급부
132 : 하우징
134 : 베플
136 : 디퓨저 플레이트
140 : 안내부
142 : 흐름조절판
144 : 서포터
146 : 차단판
본 발명은 로드락 챔버를 구비한 반도체 제조장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 질소가스 등의 압력조절가스에 의해서 내부압력이 조절되는 로드락 챔버를 구비한 반도체 제조장치에 관한 것이다.
통상, 반도체는 미세한 파티클(Particle)에 의해서도 공정불량이 발생함으로써 반도체 제조 장치는 고도로 청정한 클린룸(Clean room) 내부에 설치된다.
그리고, 반도체 제조장치의 공정 챔버는 고진공펌프의 가동에 의해서 고진공상태를 유지함으로써 파티클에 의한 공정 영향성을 배제시키고 있다. 또한, 상기 공정 챔버가 고진공상태를 유지함으로써 공정 챔버로의 기판 투입/방출시 공정 챔버의 고진공상태가 급격히 불량해지는 것을 방지하기 위하여 공정챔버와 인접하여 저진공상태의 로드락 챔버를 구비시키고 있다.
이와 같은 종래의 로드락 챔버는 외부로부터 가공을 위한 기판을 반입하고, 공정이 완료된 기판을 외부로 반출할 때 대기압 상태를 유지한다. 상기 로드락 챔버의 대기압은 압력조절용 질소가스가 공급됨으로써 이루어진다.
그러나, 상기 로드락 챔버의 내부공간으로 공급되는 고압의 질소 가스는 캐리어와 기판상으로 직/간접적으로 플로우되기 때문에 파티클 문제를 유발시키고 있다.
만약, 질소가스의 공급압력을 높일 경우 파티클 오염도 함께 증가된다. 이처럼, 종래 로드락 챔버에서는 질소가스가 캐리어와 기판상에 직접 분사되는 구조적인 문제를 갖고 있다. 이러한 문제 때문에, 상기 질소가스의 공급압력을 높여 대기압 상태로 전화되는 시간을 줄이는 것이 매우 어려웠다.
또한 기판 상으로 분사되는 질소가스에 의해 챔버 내부에서 발생하는 기판 산화작용(oxidation)의 진전 속도를 높이는 영향을 주게 된다.
이와 같이, 질소가스의 공급은 흐름제어를 받지 않고 단순하게 챔버 내부로 플로우 되기 때문에 질소 압력 증가시 파티클도 급격히 증가하여 공정 불량의 원인이 된다.
본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 압력조절용 가스가 기판 또는 캐리어에 직접 닿지 않도록 압력조절용 가스의 공급형태를 조절할 수 있는 새로운 형태의 반도체 제조 장치 및 그 장치의 로드락 챔버를 제공하는데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 로드락 챔버는 챔버와; 상기 챔버 내부에 설치되는 그리고 캐리어가 위치되는 캐리어 스테이지; 상기 챔버 내부로 압 력조절용 가스를 공급하기 위한 공급부; 상기 공급부를 통해 상기 챔버 내부로 공급되는 압력조절용 가스가 상기 캐리어 주변으로 흐르도록 안내하는 안내부를 갖는다.
본 발명의 실시예에서 상기 공급부는 내부 공간과, 상기 내부 공간으로 가스가 유입되는 유입포트를 갖는 그리고 상기 챔버의 상부에 설치되는 하우징; 상기 하우징에 설치되는 그리고 상기 내부 공간으로 유입된 가스가 상기 챔버로 살포되는 복수의 홀들을 갖는 디퓨저 플레이트 그리고 상기 하우징 내부에 설치되는 베플(baffle)을 갖는다.
본 발명의 실시예에서 상기 안내부는 상기 압력조절용 가스를 상기 챔버의 가장자리로 비산시켜주는 원뿔형의 흐름조절판과; 상기 흐름조절판이 고정되는 그리고 상기 챔버 상부에 고정되는 서포터 그리고 상기 흐름조절판의 높낮이 조절을 위한 높이조절부를 갖는다.
본 발명의 실시예에서 상기 안내부는 상기 서포터에 설치되는 그리고 상기 흐름조절판을 따라 흐르는 가스가 특정 방향으로 흐르는 것을 차단하는 차단판을 더 갖는다.
예컨대, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
이하, 첨부된 도면 도 1 내지 도 6을 참조하면서 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 상기 도면들에 있어서 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조 번호가 병기되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 제조 장치(100)는 고진공 상태에서 화학기상증착공정, 건식식각공정 등의 반도체 제조 공정이 진행되는 공정 챔버(110)를 구비한다. 이 공정 챔버(110)에는 공정 챔버의 내부 압력을 조절하기 위한 진공펌프(112)가 연결된다.
상기 공정 챔버(110)에는 로드락 챔버(120)가 인접하여 설치된다. 기판은 상기 로드락 챔버(120)와 상기 공정 챔버(110) 사이에 형성된 기판 출입구(122)를 통해 반입/반출된다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 로드락 챔버(120)는 롯(lot) 단위의 기판들이 적재된 캐리어(200)를 투입/반출하기 위한 출입구(124)를 갖으며, 그 내부에는 상기 캐리어가 놓여지는 캐리어 스테이지(126)를 갖는다.
상기 공정 챔버(110)와 상기 로드락 챔버(120) 간의 기판 이송은 상기 로드락 챔버(120)가 진공 상태로 유진된 상태에서 상기 기판 출입구(122)를 통해 이루어진다. 상기 로드락 챔버(120)의 진공은 진공 펌프(128)에 의해 이루어진다.
한편, 상기 로드락 챔버(120)는 외부로부터 가공을 위한 기판을 반입하고, 공정이 완료된 기판을 외부로 반출할 때 대기압 상태를 유지한다. 상기 로드락 챔버(120)의 내부 압력은 압력 조절용 가스인 질소가스가 공급됨으로써 저진공상태에서 대기압 상태를 전환된다. 상기 질소 가스는 공급라인(160)과 연결된 공급부(130)를 통해 상기 로드락 챔버(120) 내부로 공급된다.
도 4를 참조하면, 상기 공급부(130)는 상기 로드락 챔버(120)의 상부면에 설치된다. 이 공급부(130)는 하우징(132)과, 베플(134) 그리고 디퓨저 플레이트(136)를 구비한다. 상기 하우징(132)은 내부 공간을 갖으며, 공급라인(160)과 연결되는 유입포트(132a)를 갖는다.
상기 베플(134)은 상기 내부 공간에 설치된다. 이 베플(134)은 상기 유입포트(132a)를 통해 유입되는 질소 가스의 흐름을 조절하기 위한 것이다. 가스는 상기 베플(134)에 의해 상기 디퓨저 플레이트(136)의 중심보다 가장자리로 많이 흐르게 된다. 상기 디퓨저 플레이트(136)는 상기 질소 가스가 살포되는 복수의 홀(136a)들을 갖는다.
상기 공급부(130)의 아래에는 안내부(140)가 설치된다. 이 안내부(140)는 상기 디퓨저 플레이트(136)를 통해 공급되는 질소 가스를 상기 캐리어(200) 주변(로드락 챔버의 가장자리부분)으로만 흐르도록 안내하는 역할을 한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 안내부(140)는 흐름조절판(142), 서포터(144), 차단판(146)을 갖는다. 상기 흐름조절판(142)은 그 모양이 원뿔형으로 이루어진다. 상기 흐름조절판(142)은 상기 서포터(144)에 설치된다. 상기 서포터 (144)는 상기 공급부(130)의 저면에 고정 설치된다. 상기 흐름조절판(142)은 상기 질소 가스가 상기 캐리어(200) 또는 기판(c)에 직접으로 분사되지 않도록 질소가스를 챔버의 가장자리로 비산시켜주는 기능을 수행한다. 상기 안내부(140)는 흐름조절판(142)이 상기 서포터(144)로부터 높낮이 조절이 가능하도록 높이조절부를 갖는다. 이 높이조절부는 상기 흐름조절판(142)에 설치되는 너트(148a)와 상기 서포터에 설치되는 볼트(148b)로 이루어진다.
상기 차단판(146)은 상기 서포터(144)의 가장자리에 서로 대응되게 설치된다. 이 차단판(146)은 상기 흐름조절판(142)의 상면을 따라 흐르는 질소가스가 특정방향(캐리어에 수납된 기판이 노출되는 방향)으로 흐르는 것을 차단하기 위한 것이다(도 5에 자세히 도시되어 있음).
도 6에는 흐름조절판의 변형된 예를 보여주는 도면이다. 도 6에서처럼, 상기 흐름조절판(142a)은 원뿔형으로 이루어지되, 그 평면 모양은 타원형으로 이루어졌음을 알 수 있다.
본 발명에 의한 로드락 챔버에서 대기압으로 전환되는 과정을 설명하면 다음과 같다.
우선, 공정을 마친 기판(c)들은 로드락 챔버(120)에서 대기중인 캐리어(200)에 적재된다. 기판 적재가 완료되면, 로드락 챔버(120)의 내부 압력은 저진공상태에서 대기압상태로 전환된다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 공급라인(160)을 통해 공급되어지는 질소 가스는 상기 공급부(130)의 유입포트(132a)를 통해 상기 공급부(130)의 내부공간으로 제공된다. 질소 가스는 상기 베플(134)에 의해 내부공간의 가장자리로 넓게 퍼지게 된다. 그리고 질소 가스는 디퓨저 플레이트(136)의 홀(136a)들을 통해 로드락 챔버(120)의 내부 공간으로 공급된다. 상기 디퓨저 플레이트(136)로부터 분사되는 질소가스는 상기 흐름조절판(142)의 경사진 면을 따라 내부 공간의 가장자리로 자연스럽게 유도되어 흐르게 된다. 이때, 질소 가스는 상 기 차단판(146)에 의해 일부 방향으로 흐르는 것이 차단된다. 상기 차단판(146)은 상기 캐리어(200)에 적재된 기판(c)의 일부가 노출되어 있는 방향에 설치되어, 그 방향으로 질소 가스가 흐르는 것을 차단시킨다.
이와 같이, 본 발명은 압력조절을 위해 로드락 챔버(120)로 공급되는 질소가스의 흐름을 조절하여 파티클 발생을 최소화시킬 수 있다.
예컨대, 상기 안내부는 로드락 챔버의 구조, 그리고 기판의 크기에 맞게끔 설계되어 사용할 수 있다.
위에서 발명의 목적과 특징 등에서 강조하였듯이 본 발명의 특징은 다음과 같다. 먼저 로드락 챔버 내부로 공급되는 질소가스의 흐름을 조절한다는데 가장 큰 특징이 있다. 즉, 상기 로드락 챔버는 공급부 아래에 안내부를 설치하여 질소가스가 캐리어와 기판으로 직접 분사되지 않도록 함으로써, 파티클 발생을 최소화 할 수 있는 것이다.
이상에서, 본 발명에 따른 로드락 챔버의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.
이와 같은 본 발명품의 효과를 정리하여 보면, 로드락 챔버 내부공간으로 공급되는 질소가스가 안내부에 의해 캐리어와 기판으로 직접 분사되지 않도록 함으로써, 파티클 발생을 최대한 방지할 수 있다. 또한, 질소가스가 캐리어와 기판으로 직접 분사되지 않음으로써, 질소가스의 공급압력을 기존보다 높일 수 있고, 따라서 로드락 챔버가 저진공에서 대기압으로 전환되는 시간을 단축시킬 수 있는 것이다.
Claims (16)
- 반도체 제조 장치의 로드락 챔버에 있어서:챔버와;상기 챔버 내부에 설치되는 그리고 캐리어가 위치되는 캐리어 스테이지;상기 챔버 내부로 압력조절용 가스를 공급하기 위한 공급부;상기 공급부를 통해 상기 챔버 내부로 공급되는 압력조절용 가스가 상기 캐리어 주변으로 흐르도록 안내하는 안내부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 로드락 챔버.
- 제1항에 있어서,상기 공급부는내부 공간과, 상기 내부 공간으로 가스가 유입되는 유입포트를 갖는 그리고 상기 챔버의 상부에 설치되는 하우징; 및상기 하우징에 설치되는 그리고 상기 내부 공간으로 유입된 가스가 상기 챔버로 살포되는 복수의 홀들을 갖는 디퓨저 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 로드락 챔버.
- 제2항에 있어서,상기 공급부는 상기 하우징 내부에 설치되는 그리고 상기 유입포트를 통해 유입된 가스가 디퓨저 플레이트의 중앙보다 가장자리로 많이 흐르도록 하는 베플(baffle)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 로드락 챔버.
- 제1항에 있어서,상기 안내부는상기 공급부로부터 공급되는 압력조절용 가스가 캐리어와 기판으로 직접 분사되지 않도록 상기 압력조절용 가스를 상기 챔버의 가장자리로 비산시켜주는 흐름조절판을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 로드락 챔버.
- 제4항에 있어서,상기 흐름조절판은원뿔형으로 이루어지는 것을 특징으로 반도체 제조 장치의 로드락 챔버.
- 제4항에 있어서,상기 안내부는상기 흐름조절판이 고정되는 그리고 상기 흐름조절판이 상기 공급부 아래에 위치되도록 상기 챔버 상부에 고정되는 서포터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 로드락 챔버.
- 제6항에 있어서,상기 안내부는상기 서포터에서 상기 흐름조절판의 높낮이 조절을 위한 높이조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 로드락 챔버.
- 제6항에 있어서,상기 안내부는상기 서포터에 설치되는 그리고 상기 흐름조절판을 따라 흐르는 가스가 특정 방향으로 흐르는 것을 차단하는 차단판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 로드락 챔버.
- 제8항에 있어서,상기 특정 방향은 상기 캐리어에 수납된 기판이 노출되는 방향인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 로드락 챔버.
- 제1항에 있어서,상기 압력조절용 가스는 질소 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 로드락 챔버.
- 반도체 제조 장치에 있어서:공정 챔버와;상기 공정 챔버와 인접하여 설치되는 로드락 챔버를 포함하되;상기 로드락 챔버는캐리어가 위치되는 내부 공간을 갖는 챔버와;상기 챔버 내부로 압력조절용 가스를 공급하기 위한 공급부;상기 압력조절용 가스가 상기 챔버 내부에 안정적으로 공급될 수 있도록 상기 공급부로부터 공급되는 압력조절용 가스의 흐름을 안내하는 안내부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 11항에 있어서,상기 안내부는상기 공급부 아래에 설치되는 서포터와;상기 서포터에 장착되는 그리고 상기 압력조절용 가스가 상기 캐리어와 기판으로 직접 분사되지 않도록 상기 압력조절용 가스를 상기 챔버의 가장자리로 비산시켜주는 흐름조절판을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제12항에 있어서,상기 안내부는상기 서포터에 설치되는 그리고 상기 흐름조절판을 따라 흐르는 가스가 캐리어로부터 노출된 기판으로 흐르는 것을 차단하는 차단판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제12항에 있어서,상기 흐름조절판은원뿔형으로 이루어지는 것을 특징으로 반도체 제조 장치.
- 제12항에 있어서,상기 흐름조절판은상기 서포터에서 높낮이 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제11항에 있어서,상기 공급부는내부 공간과, 상기 내부 공간으로 가스가 유입되는 유입포트를 갖는 그리고 상기 챔버의 상부에 설치되는 하우징; 및상기 하우징에 설치되는 그리고 상기 내부 공간으로 유입된 가스가 상기 챔버로 살포되는 복수의 홀들을 갖는 디퓨저 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030057250A KR100560765B1 (ko) | 2003-08-19 | 2003-08-19 | 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 장치의 로드락 챔버 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030057250A KR100560765B1 (ko) | 2003-08-19 | 2003-08-19 | 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 장치의 로드락 챔버 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050019457A KR20050019457A (ko) | 2005-03-03 |
KR100560765B1 true KR100560765B1 (ko) | 2006-03-13 |
Family
ID=37228701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030057250A KR100560765B1 (ko) | 2003-08-19 | 2003-08-19 | 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 장치의 로드락 챔버 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100560765B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100974937B1 (ko) * | 2008-04-16 | 2010-08-10 | 세메스 주식회사 | 기판 이송 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 설비 |
KR101522675B1 (ko) * | 2013-12-20 | 2015-06-03 | 주식회사 에스에프에이 | 로드락 챔버 및 로드락 챔버의 벤팅 방법 |
-
2003
- 2003-08-19 KR KR1020030057250A patent/KR100560765B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050019457A (ko) | 2005-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8684015B2 (en) | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation | |
US6757989B2 (en) | Wafer drying apparatus | |
KR20040030943A (ko) | 질소퍼지에 있어서 상부 벤트를 갖춘 빠른 사이클 챔버 | |
JP2022036923A (ja) | 基板処理装置 | |
US20170162366A1 (en) | Film forming apparatus, recording medium, and film forming method | |
US6655042B2 (en) | System and method for drying semiconductor substrate | |
US8029874B2 (en) | Plasma processing apparatus and method for venting the same to atmosphere | |
KR20200031185A (ko) | 에어 커튼 유닛을 구비하는 lpm 및 lpp 시스템 | |
KR100560765B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 장치의 로드락 챔버 | |
CN113871280B (zh) | 等离子体处理装置及其边缘气体组件 | |
KR20220089562A (ko) | 기판 처리 장치 | |
TWI814533B (zh) | 基板處理設備 | |
KR20200045038A (ko) | 초임계 처리 장치 | |
KR20040013965A (ko) | 멀티 챔버형의 공정설비 | |
JPH04236425A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR100749546B1 (ko) | 반도체 기판의 이송 장치, 기판 처리 장치, 그리고 이를이용한 기판의 온도 제어 방법 | |
KR20220117155A (ko) | 흐름 제어 링을 갖는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20020095362A (ko) | 반도체 제조 영역에 설치되는 기류 형성 장치 | |
KR102523143B1 (ko) | 이에프이엠 | |
JP7570516B2 (ja) | プロセスチャンバにガスを供給するための装置およびシステム | |
KR102671424B1 (ko) | Efem의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치 | |
KR102528195B1 (ko) | 에어커튼 장치 | |
JP2023549224A (ja) | プロセスチャンバにガスを供給するための装置およびシステム | |
KR20080011902A (ko) | 반도체 기판의 이송 장치, 기판 처리 장치, 그리고 이를이용한 기판의 냉각 방법 | |
KR20200012551A (ko) | 배출 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130228 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140228 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |