KR100558479B1 - Spin coater used to manufacturing semiconductor, having rinse drain unit - Google Patents

Spin coater used to manufacturing semiconductor, having rinse drain unit Download PDF

Info

Publication number
KR100558479B1
KR100558479B1 KR1020030034152A KR20030034152A KR100558479B1 KR 100558479 B1 KR100558479 B1 KR 100558479B1 KR 1020030034152 A KR1020030034152 A KR 1020030034152A KR 20030034152 A KR20030034152 A KR 20030034152A KR 100558479 B1 KR100558479 B1 KR 100558479B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
photoresist
rinse liquid
unit
rinse
Prior art date
Application number
KR1020030034152A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20040102630A (en
Inventor
서범석
하상록
송효준
이상훈
김이권
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030034152A priority Critical patent/KR100558479B1/en
Publication of KR20040102630A publication Critical patent/KR20040102630A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100558479B1 publication Critical patent/KR100558479B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

반도체 제조용 스핀 코터를 제공한다. 이 반도체 제조용 스핀 코터는 웨이퍼가 안착되며 웨이퍼를 흡착고정하는 웨이퍼 척과, 웨이퍼 척에 고정된 웨이퍼를 회전시키는 구동유닛과, 웨이퍼 상에 포토레지스트를 공급해주는 포토레지스트 공급유닛과, 웨이퍼에 소정 린스액을 분사하여 웨이퍼의 가장자리면과 웨이퍼의 뒷면을 세척해주는 웨이퍼 린스유닛과, 회전되는 웨이퍼의 원심력에 의해 포토레지스트와 린스액이 외부로 비산하는 것을 방지해주도록 웨이퍼의 가장자리부를 에워싸게 설치되는 외측바울과, 웨이퍼의 하부를 커버하도록 설치되며 외측바울에 부딪친 다음 하측으로 흐르는 포토레지스트와 린스액을 모아주는 내측바울과, 내측바울에 연통되도록 설치되며 내측바울에 모인 포토레지스트와 린스액 및 내측바울 주변에서 부유되는 분진을 외부로 배출시켜주는 배출유닛 및, 웨이퍼의 일측면에 설치되며 웨이퍼 상에서 원심력에 의해 비산되어지는 포토레지스트와 린스액을 강제흡입하여 외부로 배출시켜주는 린스 드레인유닛을 포함한다. Provided is a spin coater for semiconductor manufacturing. The spin coater for semiconductor manufacturing includes a wafer chuck on which a wafer is seated and attracts and fixes a wafer, a drive unit for rotating a wafer fixed to the wafer chuck, a photoresist supply unit for supplying photoresist on the wafer, and a predetermined rinse liquid to the wafer. Wafer rinse unit that cleans the edge of the wafer and the back side of the wafer by spraying the wafer, and the outer bowl that surrounds the edge of the wafer to prevent the photoresist and rinse liquid from scattering to the outside by the centrifugal force of the rotating wafer. And an inner bowl which covers the lower portion of the wafer and collects the photoresist and the rinse liquid flowing downward after hitting the outer bowl, and is installed so as to communicate with the inner bowl and around the photoresist, the rinse liquid and the inner bowl collected on the inner bowl. Discharge unit for discharging dust suspended in Mounted to one side of the wafer comprises a rinsing drain unit, which by the suction force which is the non-photo resist and rinse liquid by a centrifugal force on the wafer discharged to the outside.

스핀 코터Spin coater

Description

린스 드레인유닛을 구비한 반도체 제조용 스핀 코터{Spin coater used to manufacturing semiconductor, having rinse drain unit}Spin coater used to manufacturing semiconductor, having rinse drain unit

도 1은 종래 반도체 제조용 스핀 코터의 일예를 개략적으로 도시한 구성도. 1 is a configuration diagram schematically showing an example of a conventional spin coater for semiconductor manufacturing.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조용 스핀 코터의 일실시예를 개략적으로 도시한 구성도. Figure 2 is a schematic diagram showing an embodiment of a spin coater for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

100, 200 : 스핀 코터 110, 210 : 외측바울100, 200: spin coater 110, 210: outer bowl

120, 200 : 웨이퍼 척 130, 230 : 모터120, 200: wafer chuck 130, 230: motor

140, 240 : 회전축 280 : 린스 드레인유닛140, 240: rotating shaft 280: rinse drain unit

190, 290 : 내측바울190, 290: inner bowl

본 발명은 반도체 제조용 스핀 코터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 가장자리면과 뒷면을 세척할 경우 사용되는 린스(Rinse)액 및 이 린스액에 의해 세척되는 포토레지스트 등을 모두 외부로 강제 배출시킬 수 있도록 별도의 린스 드레인유닛을 구비한 반도체 제조용 스핀 코터에 관한 것이다. The present invention relates to a spin coater for manufacturing a semiconductor. More specifically, a rinse liquid and a photoresist washed by the rinse liquid can be forced out to the outside. The present invention relates to a spin coater for manufacturing a semiconductor having a separate rinse drain unit.

일반적으로 하나의 반도체 소자를 제작하기 위해서는 순수 실리콘 웨이퍼(Silicon wafer)의 상면에 일정 회로패턴(Pattern)을 갖는 반도체 박막을 복층으로 적층하는 과정을 반복해야만 한다. In general, in order to manufacture a single semiconductor device, a process of stacking a semiconductor thin film having a predetermined circuit pattern on a top surface of a pure silicon wafer in multiple layers must be repeated.

여기에서, 이러한 반도체 박막을 형성하기 위해서는 웨이퍼의 상면에 포토레지스트를 도포하고 현상하는 등 다수의 후속 박막공정을 필요로 하게 된다. Here, in order to form such a semiconductor thin film, many subsequent thin film processes, such as applying and developing a photoresist on the upper surface of the wafer, are required.

이때, 이러한 다수의 후속 박막공정 중 포토레지스트 도포공정은 소정 빛을 받으면 변하는 물질인 포토레지스트를 웨이퍼 상에 얇고 균일하게 도포하는 공정으로, 대부분 스핀 코터에 의해 수행된다. 즉, 스핀 코터는 웨이퍼에 원심력을 준 상태에서 액상의 포토레지스트를 웨이퍼의 중심에 공급함으로써 웨이퍼 상에 포토레지스트 박막을 형성시키는 설비이다.At this time, the photoresist coating process of the plurality of subsequent thin film processes is a process for thinly and uniformly applying a photoresist, which is a material that changes when received a predetermined light, on the wafer, mostly by a spin coater. That is, the spin coater is a facility for forming a photoresist thin film on a wafer by supplying a liquid photoresist to the center of the wafer in a state where a centrifugal force is applied to the wafer.

이하, 도 1을 참조하여 종래 스핀 코터(100)의 일예를 구체적으로 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, an example of the conventional spin coater 100 will be described in detail with reference to FIG. 1.

도 1에 도시된 바와 같이 종래 스핀 코터(100)는 웨이퍼(90)를 흡착하여 고정하는 웨이퍼 척(Chuck,120)과, 웨이퍼 척(120)에 고정된 웨이퍼(90)를 회전시키는 구동유닛과, 회전하는 웨이퍼(90) 상에 포토레지스트(Photoresist)를 공급해주는 포토레지스트 공급유닛(미도시)과, 회전하는 웨이퍼(90)에 린스액을 분사하여 웨이퍼(90)의 가장자리면과 뒷면을 세척해주는 웨이퍼 린스유닛과, 회전하는 웨이퍼(90)의 원심력에 의해 포토레지스트와 린스액이 외부로 비산되는 것을 방지해주고 이들을 한꺼번에 모아주는 바울유닛(Bowl unit)과, 바울유닛에 모인 포토레지스트와 린스액 그리고 바울유닛 내부에서 부유되는 분진(미도시) 등을 모두 외부로 배출시켜주는 배출유닛 및, 스핀 코터(100)를 전반적으로 제어해주는 중앙제어유닛(미도시)으로 구성된다. As shown in FIG. 1, the conventional spin coater 100 includes a wafer chuck 120 that sucks and fixes the wafer 90, and a driving unit that rotates the wafer 90 fixed to the wafer chuck 120. In addition, a photoresist supply unit (not shown) for supplying a photoresist on the rotating wafer 90 and a rinse liquid are sprayed onto the rotating wafer 90 to clean the edge and the rear surface of the wafer 90. Wafer rinsing unit, the photoresist and rinse liquid to prevent the scattering of the photoresist and rinse liquid to the outside by the centrifugal force of the rotating wafer 90 and collect them all together, the photoresist and rinse liquid collected in the Paul unit And it is composed of a discharge unit for discharging all the dust (not shown) and the like suspended in the Paul unit to the outside, and a central control unit (not shown) for controlling the spin coater 100 as a whole.

이때, 웨이퍼 척(120)에는 배큠라인(vacuum line, 미도시)이 연결되어 웨이퍼(90)를 배큠으로 흡착하게 된다. 그리고, 구동유닛은 웨이퍼 척(120)의 하부에 설치되며 소정 회전력을 발생시키는 모터(Motor,130)와 이 모터(130)의 회전력을 웨이퍼 척(120)으로 전달해주는 회전축(140)으로 구성된다. At this time, a vacuum line (not shown) is connected to the wafer chuck 120 to suck the wafer 90 by vacuum. In addition, the driving unit includes a motor 130 installed below the wafer chuck 120 to generate a predetermined rotational force and a rotational shaft 140 transmitting the rotational force of the motor 130 to the wafer chuck 120. .

또한, 웨이퍼 린스유닛은 웨이퍼(90)의 가장자리면과 뒷면을 모두 세척해주는 바, 웨이퍼(90)의 상부에 위치되어 웨이퍼(90)의 가장자리면을 향해 소정 린스액을 분사해주는 제1분사노즐(Nozzle,171)과, 웨이퍼(90)의 일측 하부에 위치되어 웨이퍼(90)의 일방향 밑면을 향해 소정 린스액을 분사해주는 제2분사노즐(172)과, 웨이퍼(90)의 타측 하부에 위치되어 웨이퍼(90)의 타방향 밑면을 향해 소정 린스액을 분사해주는 제3분사노즐(173) 및, 각 분사노즐(171,172,173)로 소정 린스액을 공급해주는 린스액 펌핑수단(미도시)으로 구성된다. In addition, the wafer rinse unit cleans both the edge surface and the back surface of the wafer 90, and is located on the top of the wafer 90 so as to spray a predetermined rinse liquid toward the edge surface of the wafer 90 ( A nozzle 171, a second injection nozzle 172 positioned below one side of the wafer 90, and spraying a predetermined rinse liquid toward one bottom surface of the wafer 90, and positioned below the other side of the wafer 90. And a third spray nozzle 173 for spraying a predetermined rinse liquid toward the other bottom surface of the wafer 90, and a rinse liquid pumping means (not shown) for supplying a predetermined rinse liquid to the respective spray nozzles 171, 172, 173.

한편, 바울유닛은 회전하는 웨이퍼(90)의 원심력에 의해 포토레지스트와 린스액이 외부로 비산되는 것을 방지해주고 이들을 한꺼번에 모아주는 역할을 수행하는 바, 웨이퍼(90)의 가장자리부를 에워싸도록 설치되어 포토레지스트와 린스액이 각 측면으로 비산되는 것을 방지해주는 외측바울(110)과, 웨이퍼(90)의 하부를 커버하도록 설치되어 포토레지스트와 린스액 등을 모아주는 내측바울(190)로 구성된다. On the other hand, the Paul unit prevents the photoresist and the rinse liquid from scattering to the outside by the centrifugal force of the rotating wafer 90 and collects them all at once, and is installed to surround the edge of the wafer 90. The outer resist 110 prevents the photoresist and the rinse liquid from scattering on each side, and is provided to cover the lower portion of the wafer 90 to collect the photoresist and the rinse liquid.

또한, 배출유닛은 내측바울(190)의 중앙부분에 설치되어 바울유닛 내부에서 부유되는 분진 등을 모두 흡입하여 외부로 강제 배출시켜주는 이그조스트 라인(Exhaust line, 160)과, 내측바울(190)의 가장자리 부분에 설치되어 내측바울(190)에 모인 포토레지스트와 린스액 등을 외부로 배출시켜주는 드레인 라인(Drain line, 150) 및, 이그조스트 라인(160)이 분진 등을 강제 흡입할 수 있도록 이그조스트 라인(160)에 소정 배큠을 인가해주는 배큠발생수단(미도시)으로 구성된다.In addition, the discharge unit is installed in the central portion of the inner bowl 190, the exhaust line (Exhaust line, 160) and the inner bowl (190) for forcibly discharging to the outside by sucking all the dust floating in the inside of the Paul unit, etc. Drain line (150) installed at the edge portion of the inner side to discharge the photoresist and rinse liquid collected in the inner bowl 190 to the outside, and the exhaust line 160 to force the dust and the like It is composed of a distribution generating means (not shown) for applying a predetermined distribution to the excost line 160 to be able to.

따라서, 이와 같이 구성된 종래 스핀 코터(100)는 다음과 같이 작동된다. Therefore, the conventional spin coater 100 configured as described above operates as follows.

즉, 외부로부터 포토레지스트 박막이 코팅(Coating)될 웨이퍼(90)가 웨이퍼 척(120)에 안착되면, 구동유닛은 웨이퍼(90)를 소정 알피엠(Revolutions Per Minute)으로 회전시키게 되고, 포토레지스트 공급유닛은 이 회전되고 있는 웨이퍼(90) 상에 포토레지스트를 공급하게 된다. 이에, 웨이퍼(90) 상면에는 소정 두께의 포토레지스트 박막이 형성되어지게 된다.That is, when the wafer 90 on which the photoresist thin film is to be coated is seated on the wafer chuck 120, the driving unit rotates the wafer 90 to a predetermined revolution per minute and supplies the photoresist. The unit will then supply the photoresist onto the rotating wafer 90. As a result, a photoresist thin film having a predetermined thickness is formed on the upper surface of the wafer 90.

이후, 웨이퍼 린스유닛은 웨이퍼(90)의 가장자리면과 웨이퍼(90)의 뒷면을 향해 소정 린스액을 분사해주어 웨이퍼(90)의 가장자리면과 웨이퍼(90)의 뒷면을 세척해주게 된다. 이에, 웨이퍼(90)의 가장자리면과 웨이퍼(90)의 뒷면을 향해 분사되는 린스액은 각각 웨이퍼(90)의 가장자리면과 웨이퍼(90)의 뒷면을 세척한 다음 외측바울(110)에 부딪치게 되고, 외측바울(110)에 부딪친 다음에는 내측바울(190)로 모두 모이게 된다. 따라서, 배출유닛은 이와 같이 모이는 포토레지스트와 린스액 그리고 바울유닛 내부의 부유되는 분진까지 모두 외부로 배출시키게 되며, 포토레지스트 박막증착공정은 완료되어진다. Thereafter, the wafer rinse unit sprays a predetermined rinse liquid toward the edge surface of the wafer 90 and the back surface of the wafer 90 to clean the edge surface of the wafer 90 and the back surface of the wafer 90. Therefore, the rinse liquid injected toward the edge surface of the wafer 90 and the back surface of the wafer 90 washes the edge surface of the wafer 90 and the back surface of the wafer 90, and then hits the outer bowl 110. After hitting the outer bowl 110, all are gathered into the inner bowl 190. Therefore, the discharge unit discharges all the collected photoresist and rinse liquid and the floating dust inside the Paul unit to the outside, and the photoresist thin film deposition process is completed.

그러나, 이와 같은 종래 스핀 코터(100) 중 각 분사노즐에서 분사된 린스액은 웨이퍼(90)의 가장자리면과 뒷면에서 각각 세척역할을 수행한 다음 외측바울(110)에 부딪쳐 내측바울(190)의 상면으로 모이게 되고, 이 모인 후에는 배출유닛에 의해 외부로 배출되어져야 하는데, 종종 이상과 같이 외측바울(110)에 부딪친 린스액 중 일부는 외측바울(110)에 부딪친 다음 다시 리바운드되어 웨이퍼(90) 상면으로 침투하게 되는 문제점이 발생된다. However, the rinse liquid sprayed from each jet nozzle in the conventional spin coater 100 performs a cleaning role on the edge and back surfaces of the wafer 90, and then hits the outer bowl 110 so as to hit the inner bowl 190. After gathering, it should be discharged to the outside by the discharge unit. Often, as described above, some of the rinse liquid that has hit the outer bowl 110 hits the outer bowl 110 and then rebounds to form a wafer 90. ) Is a problem to penetrate the upper surface.

따라서, 이상과 같이 침투된 린스액 등은 추후 후속공정에 의해 진행될 회로패턴에 심각한 악영향을 미치게 되어 수율저하 등의 문제를 유발하게 된다. Therefore, the rinse liquid or the like penetrated as described above seriously affects the circuit pattern to be performed by a subsequent process, thereby causing problems such as yield decrease.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 분사노즐에서 분사된 린스액이 웨이퍼의 가장자리면과 뒷면에서 각각 세척역할을 수행한 다음 모두 외부로 배출될 수 있도록 별도의 린스 드레인유닛을 더 구비한 반도체 제조용 스핀 코터를 제공하는데 있다. Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a separate rinse so that the rinse liquid sprayed from the spray nozzle can be discharged to the outside after performing a cleaning role on the edge and back surfaces of the wafer, respectively. It is to provide a spin coater for manufacturing a semiconductor further comprising a drain unit.

이와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명 반도체 제조용 스핀 코터는 웨이퍼가 안착되며 웨이퍼를 흡착고정하는 웨이퍼 척과, 웨이퍼 척에 고정된 웨이퍼를 회전시키는 구동유닛과, 웨이퍼 상에 포토레지스트를 공급해주는 포토레지스트 공급유닛과, 웨이퍼에 소정 린스액을 분사하여 웨이퍼의 가장자리면과 웨이퍼의 뒷면을 세척해주는 웨이퍼 린스유닛과, 회전되는 웨이퍼의 원심력에 의해 포토레지스트와 린스액이 외부로 비산하는 것을 방지해주도록 웨이퍼의 가장자리부를 에워싸게 설 치되는 외측바울과, 웨이퍼의 하부를 커버하도록 설치되며 외측바울에 부딪친 다음 하측으로 흐르는 포토레지스트와 린스액을 모아주는 내측바울과, 내측바울에 연통되도록 설치되며 내측바울에 모인 포토레지스트와 린스액 및 내측바울 주변에서 부유되는 분진을 외부로 배출시켜주는 배출유닛 및, 웨이퍼의 일측면에 설치되며 웨이퍼 상에서 원심력에 의해 비산되어지는 포토레지스트와 린스액을 강제흡입하여 외부로 배출시켜주는 린스 드레인유닛을 포함함에 있다. The spin coater for semiconductor manufacturing according to the present invention for achieving the above object is a wafer chuck on which the wafer is seated and attracts and fixes the wafer, a drive unit for rotating the wafer fixed to the wafer chuck, and a photoresist supply for supplying photoresist on the wafer. Unit, a wafer rinse unit that sprays a predetermined rinse liquid onto the wafer to clean the edges of the wafer and the back side of the wafer, and the wafer to prevent the photoresist and the rinse liquid from scattering to the outside by the centrifugal force of the rotating wafer. It is installed to cover the lower part of the edge, the inner bowl which covers the lower part of the wafer, and the inner bowl which collects the photoresist and rinse liquid flowing downward after hitting the outer bowl, and is installed to communicate with the inner bowl, Floating around the photoresist and rinse Jean has as a discharge unit to discharge to the outside and mounted to one side of the wafer comprises a rinsing unit to drain to the suction force which is the non-photo resist and rinse liquid by a centrifugal force on the wafer discharged to the outside.

이때, 상기 린스 드레인 유닛은 웨이퍼에서 비산되는 포토레지스트와 린스액이 모두 유입될 수 있도록 끝단부에 가이드부가 형성되며 웨이퍼에서 비산되는 포토레지스트와 린스액을 외부로 배출시켜주는 배큠배관과, 배큠배관으로 포토레지스트와 린스액이 강제흡입될 수 있도록 배큠배관에 소정크기의 배큠을 인가해주는 배큠펌프로 구성됨이 바람직하다. At this time, the rinsing drain unit has a guide portion formed at an end portion so that both the photoresist and rinse liquid scattered from the wafer can flow therein, and a drain pipe and a drain pipe for discharging the photoresist and rinse liquid scattered from the wafer to the outside. As a result, it is preferable that the photoresist and the rinse liquid are configured as a vacuum pump for applying a predetermined size of discharge to the distribution pipe so that the suction can be forced.

이하, 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 반도체 제조용 스핀 코터(200)의 일실시예를 구체적으로 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, an embodiment of the spin coater 200 for manufacturing a semiconductor according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예인 반도체 제조용 스핀 코터(200)는 웨이퍼(90)를 흡착하여 고정하는 웨이퍼 척(220)과, 웨이퍼 척(220)에 고정된 웨이퍼(90)를 회전시키는 구동유닛과, 회전하는 웨이퍼(90) 상에 포토레지스트를 공급해주는 포토레지스트 공급유닛과, 회전하는 웨이퍼(90)에 린스액을 분사하여 웨이퍼(90)의 가장자리면과 뒷면을 세척해주는 웨이퍼 린스유닛과, 회전하는 웨이퍼(90)의 원심력에 의해 포토레지스트와 린스액이 외부로 비산되는 것을 방지해주고 이들을 한꺼번에 모아주는 바울유닛과, 바울유닛에 모인 포토레지스트와 린스액 그리고 바울유닛 내부에서 부유되는 분진 등을 모두 외부로 배출시켜주는 배출유닛과, 회전하는 웨이퍼(90)의 일측면에 설치되어 웨이퍼(90) 상에서 원심력에 의해 비산되어지는 포토레지스트와 린스액 등을 강제 흡입하고 이를 배출시켜주는 린스 드레인 유닛(280) 및, 스핀 코터(200)를 전반적으로 제어해주는 중앙제어유닛으로 구성된다. As shown in the figure, the spin coater 200 for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention includes a wafer chuck 220 for adsorbing and fixing the wafer 90 and a wafer 90 fixed to the wafer chuck 220. A driving unit for rotating, a photoresist supplying unit for supplying photoresist on the rotating wafer 90, and a wafer for cleaning the edge and back of the wafer 90 by spraying a rinse liquid onto the rotating wafer 90 The rinse unit, the Paul unit which prevents the photoresist and the rinse liquid from scattering to the outside by the centrifugal force of the rotating wafer 90 and collects them all together, and the photoresist and the rinse liquid collected in the Paul unit, and the floating inside the Paul unit. The discharge unit for discharging all the dust and the like to the outside, and the photoresist is installed on one side of the rotating wafer 90 is scattered by the centrifugal force on the wafer 90 And it consists of a rinse liquid, such as a central control unit that the suction force, and a high level of control over the rinse drain unit 280 and the spin coater 200 which by discharging it.

보다 구체적으로 설명하면, 웨이퍼 척(220)에는 소정 배큠라인이 연결되어지게 되는 바, 웨이퍼 척(220)은 이 배큠에 의해 웨이퍼(90)를 강제 흡착시키게 된다. In more detail, the predetermined chuck line is connected to the wafer chuck 220, and the wafer chuck 220 forces the wafer 90 by the vacuum chuck.

그리고, 구동유닛은 웨이퍼 척(220)에 고정된 웨이퍼(90)를 회전시키는 역할을 하는 바, 웨이퍼 척(220)의 하부에 설치되며 소정 회전력을 발생시키는 모터(230)와, 이 모터(230)의 회전력을 웨이퍼 척(220)으로 전달해주는 회전축(240)으로 구성된다. In addition, the driving unit serves to rotate the wafer 90 fixed to the wafer chuck 220. The motor unit 230 is installed below the wafer chuck 220 and generates a predetermined rotational force, and the motor 230. It consists of a rotating shaft 240 for transmitting the rotational force of the wafer to the wafer chuck 220.

또한, 포토레지스트 공급유닛은 회전하는 웨이퍼(90) 상에 포토레지스트를 공급해주는 역할을 하게 되는데, 웨이퍼(90)의 상부에만 계속적으로 고정되어 있는 것이 아니라 웨이퍼(90)가 웨이퍼 척(220)에 안착되고 회전될 경우에만 선택적으로 웨이퍼(90)의 상부로 이동되어 웨이퍼(90) 상에 포토레지스트를 공급해줄 수 있도록 구성된다. 즉, 포토레지스트 공급유닛은 일정거리 유동가능하게 설치된다. In addition, the photoresist supply unit serves to supply the photoresist on the rotating wafer 90. The wafer 90 is not fixed to only the upper portion of the wafer 90, but the wafer 90 is attached to the wafer chuck 220. Only when seated and rotated is selectively moved to the top of the wafer 90 is configured to supply a photoresist on the wafer (90). That is, the photoresist supply unit is installed to be able to flow at a constant distance.

한편, 웨이퍼 린스유닛은 웨이퍼(90)의 가장자리면과 뒷면을 모두 세척해주는 바, 웨이퍼(90)의 상부에 위치되어 웨이퍼(90)의 가장자리면을 향해 소정 린스액을 분사해주는 제1분사노즐(271)과, 웨이퍼(90)의 일측 하부에 위치되어 웨이퍼(90)의 일방향 밑면을 향해 소정 린스액을 분사해주는 제2분사노즐(272)과, 웨이퍼(90)의 타측 하부에 위치되어 웨이퍼(90)의 타방향 밑면을 향해 소정 린스액을 분사해주는 제3분사노즐(273) 및, 이 제1ㆍ제2ㆍ제3분사노즐(271,272,273)로 공정에 따라 소정 린스액을 계속 공급해주는 린스액 펌핑수단으로 구성된다. 이때, 각 분사노즐에서 분사되는 소정 린스액은 신너임이 바람직하다. On the other hand, the wafer rinse unit cleans both the edge and the back of the wafer 90, the first injection nozzle (located on the top of the wafer 90 to spray a predetermined rinse liquid toward the edge of the wafer 90 ( 271, a second injection nozzle 272 positioned below one side of the wafer 90 and spraying a predetermined rinse liquid toward one bottom surface of the wafer 90, and positioned below the other side of the wafer 90. The rinse liquid for continuously supplying the rinse liquid to the third spray nozzle 273 for spraying the predetermined rinse liquid toward the other direction bottom of the 90 and the first, second and third spray nozzles 271, 272, 273 according to the process. It consists of pumping means. At this time, the predetermined rinse liquid injected from each injection nozzle is preferably thinner.

그리고, 바울유닛은 회전하는 웨이퍼(90)의 원심력에 의해 포토레지스트와 린스액이 외부로 비산되는 것을 방지해주고 이들을 한꺼번에 모아주는 역할을 수행하는 바, 웨이퍼(90)의 가장자리부를 에워싸도록 설치되어 포토레지스트와 린스액이 각 측면으로 비산되는 것을 방지해주는 외측바울(210)과, 웨이퍼(90)의 하부를 커버하도록 설치되어 포토레지스트와 린스액 등을 모두 모아주는 내측바울(290)로 구성된다. In addition, the Paul unit prevents the photoresist and the rinse liquid from scattering to the outside by the centrifugal force of the rotating wafer 90 and collects them all at once, and is installed to surround the edge of the wafer 90. It consists of an outer bowl 210 to prevent the photoresist and the rinse liquid from scattering on each side, and an inner bowl 290 installed to cover the lower portion of the wafer 90 to collect all the photoresist and the rinse liquid. .

이때, 내측바울(290) 같은 경우 가장자리 부분과 중앙부분이 소정 높이의 단턱 등에 의해 구분되도록 형성되는데, 이상과 같이 형성되는 이유는 외측바울(210)에 부딪쳐 하측으로 흐르는 포토레지스트와 린스액 등이 이 내측바울(290) 중 가장자리 부분으로만 모이도록 유도하기 위함이다. At this time, in the case of the inner bowl 290, the edge portion and the center portion are formed to be distinguished by a step of a predetermined height, etc. The reason for forming the above is that the photoresist and the rinse liquid flowing down to the outside bowl 210 This is to induce them to gather only at the edge of the inner bowl 290.

또한, 배출유닛은 바울유닛 내부에서 부유되는 분진 등을 모두 흡입하여 외부로 강제 배출시켜주는 이그조스트 라인(260)과, 내측바울(290)에 모인 포토레지스트와 린스액 등을 외부로 배출시켜주는 드레인 라인(250) 및, 이 이그조스트 라인(260)이 분진 등을 강제 흡입할 수 있도록 이그조스트 라인(260)에 소정 배큠을 인가해주는 배큠발생수단으로 구성되는데, 이그조스트 라인(260)은 내측바울(290) 중 중앙부분으로 연통되도록 설치되며, 드레인 라인(250)은 내측바울(290) 중 가장자리 부분에 연통되도록 설치된다. 이에, 외측바울(210)에 부딪쳐 하측으로 흐르는 포토레지스트와 린스액 등은 이 내측바울(290)의 가장자리 부분에 연통되도록 설치된 드레인 라인(250)을 통해 외부로 배출되어지게 되는 것이다. In addition, the discharge unit discharges the photoresist and rinse liquid, etc. collected in the inner joule 260 and the outer jog line 260 to suck out all the dust suspended in the Paul unit forcibly discharged to the outside. The main body is composed of a drain line 250 and a discharge generating means for applying a predetermined amount of discharge to the exhaust line 260 to force suction of the dust and the like. 260 is installed to communicate with the center of the inner bowl 290, the drain line 250 is installed to communicate with the edge of the inner bowl (290). Accordingly, the photoresist, the rinse liquid, and the like, which collide with the outer bowl 210 and flow downward, are discharged to the outside through the drain line 250 installed to communicate with the edge portion of the inner bowl 290.

한편, 린스 드레인 유닛(280)은 회전하는 웨이퍼(90)의 일측면에 설치되어 웨이퍼(90) 상에서 원심력에 의해 비산되어지는 포토레지스트와 린스액 등을 강제 흡입하고 이를 배출시켜주게 되는 바, 소정 가이드부가 형성된 배큠배관(282)과, 이 배큠배관(282)으로 소정 배큠을 인가해주는 배큠펌프(285)로 구성된다.On the other hand, the rinse drain unit 280 is installed on one side of the rotating wafer 90 to forcibly suck and discharge the photoresist and rinse liquid scattered by the centrifugal force on the wafer 90, the predetermined bar, It is composed of a vacuum pipe 282 formed with a guide portion, and a vacuum pump 285 for applying a predetermined vacuum to the vacuum pipe 282.

구체적으로 설명하면, 배큠배관(282)의 상단부는 회전되는 웨이퍼(90)의 일측면에 위치되록 설치되되, 제1분사노즐(271)과 제2분사노즐(272)이 설치되는 웨이퍼(90)의 일측면에 위치되도록 설치되어지는데, 이 상단부가 바로 가이드부(284)이다. 이때, 이 가이드부(284)는 제1분사노즐(271)과 제2분사노즐(272)이 각각 웨이퍼(90)의 가장자리 부분과 웨이퍼(90)의 뒷면을 향해 소정 린스액을 분사할 경우 이 린스액이 각각 웨이퍼(90)의 가장자리 부분과 웨이퍼(90)의 뒷면에 리바운드된 다음 이 배큠배관(282)으로 모두 들어갈 수 있도록 가이드해주는 역할을 하며, 소정 간격으로 벌어진 '깔대기' 형태로 구현된다. 이에, 제1분사노즐(271)과 제2분사노즐(272)에서 각각 웨이퍼(90)의 가장자리 부분과 웨이퍼(90)의 뒷면을 향해 분사되는 소정 린스액은 웨이퍼(90)의 가장자리 부분에 위치한 포토레지스트와 웨이퍼(90)의 뒷면에 위치한 포토레지스트 등과 함께 이 가이드를 통하여 배큠배관(282)으로 유입되어지며, 이 유입된 다음에는 외부로 배출되어지게 되는 것이다. Specifically, the upper end of the exhaust pipe 282 is installed to be positioned on one side of the wafer 90 is rotated, the wafer 90, the first spray nozzle 271 and the second spray nozzle 272 is installed It is installed to be located on one side of the upper end is the guide portion 284. At this time, the guide portion 284 is provided when the first spray nozzle 271 and the second spray nozzle 272 respectively spray a predetermined rinse liquid toward the edge portion of the wafer 90 and the back surface of the wafer 90. The rinse liquid is rebounded to the edge of the wafer 90 and the back surface of the wafer 90, respectively, and serves to guide the rinse into the tubing pipe 282. The rinse liquid is formed in a 'funnel' form at a predetermined interval. . Accordingly, the predetermined rinse liquid injected from the first injection nozzle 271 and the second injection nozzle 272 toward the edge portion of the wafer 90 and the back surface of the wafer 90 is located at the edge portion of the wafer 90. The photoresist and the photoresist located on the back of the wafer 90 and the like are introduced into the pipe 282 through this guide, and after the inflow, they are discharged to the outside.

한편, 배큠펌프(285)는 이러한 배큠배관(282)으로 강한 배큠을 인가하주게 되는데, 이와 같이 배큠펌프(285)가 배큠배관(282)으로 강한 배큠을 인가해주기 때문에 이러한 배큠배관(282)의 가이드부(284)에는 강한 흡입력이 발생되어지고, 제1분사노즐(271)과 제2분사노즐(272)로 분사된 다음 웨이퍼(90)에 리바운드된 소정 린스액 및 이 린스액에 의해 세척되는 포토레지스트 등은 종래와 같이 웨이퍼(90) 내부로 리바운드되지 못하고 모두 이러한 가이드부(284) 내부로 유입되어지게 되는 것이다. On the other hand, the backing pump 285 is applied to the strong piping to the distribution pipe 282, in this way, because the distribution pump 285 applies a strong distribution to the distribution pipe 282 of such a distribution pipe 282 A strong suction force is generated in the guide portion 284, is injected into the first spray nozzle 271 and the second spray nozzle 272, and then washed by the predetermined rinse liquid and the rinse liquid rebounded to the wafer 90. The photoresist and the like are not rebounded into the wafer 90 as in the prior art, and all of them are introduced into the guide portion 284.

이하, 이상과 같이 구성된 본 발명 반도체 제조용 스핀 코터(200)의 작용 및 효과를 구체적으로 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the operation and effects of the spin coater 200 for manufacturing a semiconductor of the present invention configured as described above will be described in detail.

먼저, 외부로부터 포토레지스트 박막이 코팅될 웨이퍼(90)가 웨이퍼 척(220)에 안착되면, 구동유닛은 웨이퍼(90)를 소정 알피엠으로 회전시키게 되고, 포토레지스트 공급유닛은 이 회전되고 있는 웨이퍼(90) 상에 포토레지스트를 공급하게 된다. 이에, 웨이퍼(90) 상면에는 소정 두께의 포토레지스트 박막이 형성되어지게 된다.First, when the wafer 90 to be coated with the photoresist thin film from the outside is seated on the wafer chuck 220, the driving unit rotates the wafer 90 to a predetermined alpha, and the photoresist supply unit is rotated to the wafer ( Photoresist on 90). As a result, a photoresist thin film having a predetermined thickness is formed on the upper surface of the wafer 90.

이후, 웨이퍼 린스유닛은 웨이퍼(90)의 가장자리면과 웨이퍼(90)의 뒷면을 향해 소정 린스액을 분사해주어 웨이퍼(90)의 가장자리면과 웨이퍼(90)의 뒷면을 세척해주게 되는데, 제1분사노즐(271)과 제2분사노즐(272)이 분사하는 소정 린스액은 이 린스액에 의해 세척되는 포토레지스트와 함께 강한 흡입력이 작용하는 배큠배관(282)으로 유입되어 외부로 배출되어지게 되고, 제3분사노즐(273)이 분사하는 소정 린스액은 이 린스액에 의해 세척되는 포토레지스트와 함께 외측바울(210)에 부딪친 다음 내측바울(290)로 모이게 된다. Thereafter, the wafer rinse unit sprays a predetermined rinse liquid toward the edge surface of the wafer 90 and the back surface of the wafer 90 to clean the edge surface of the wafer 90 and the back surface of the wafer 90. The predetermined rinse liquid sprayed by the nozzle 271 and the second spray nozzle 272 flows into the exhaust pipe 282 with a strong suction force along with the photoresist washed by the rinse liquid, and is discharged to the outside. The predetermined rinse liquid sprayed by the third spray nozzle 273 collides with the outer bowl 210 together with the photoresist washed by the rinse liquid and then collects into the inner bowl 290.

이후, 내측바울(290)에 모인 소정 린스액과 이 린스액에 의해 세척되는 포토레지스트 등은 배출유닛에 의해 외부로 배출되어지게 되는 것이다.Thereafter, the predetermined rinse liquid collected in the inner bowl 290 and the photoresist washed by the rinse liquid are discharged to the outside by the discharge unit.

이상과 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조용 스핀 코터(200)에는 웨이퍼(90) 상에서 원심력에 의해 비산되어지는 포토레지스트와 린스액 등을 강제 흡입하고 이를 배출시켜주는 린스 드레인 유닛(280)이 더 구비되기 때문에 제1분사노즐(271)과 제2분사노즐(272)로 분사된 다음 웨이퍼(90)에 리바운드된 소정 린스액 및 이 린스액에 의해 세척되는 포토레지스트 등은 종래와 같이 웨이퍼(90) 내부로 리바운드되지 못하고 모두 이러한 가이드부 내부로 유입되어져 외부로 배출되어지게 된다. As described above, the spin coater 200 for manufacturing a semiconductor according to the present invention further includes a rinse drain unit 280 for forcibly sucking and discharging the photoresist, the rinse liquid, etc. scattered by the centrifugal force on the wafer 90. Therefore, the predetermined rinse liquid injected into the first spray nozzle 271 and the second spray nozzle 272 and then rebound to the wafer 90, and the photoresist washed by the rinse liquid, may be used as the wafer 90. It is not rebounded to the inside and all are introduced into these guides and are discharged to the outside.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조용 스핀 코터에는 웨이퍼 상에서 원심력에 의해 비산되어지는 포토레지스트와 린스액 등을 강제 흡입하고 이를 배출시켜주는 린스 드레인유닛이 더 구비되기 때문에 제1분사노즐과 제2분사노즐로 분사된 다음 웨이퍼에 리바운드된 소정 린스액 및 이 린스액에 의해 세척되는 포토레지스트 등은 종래와 같이 웨이퍼 내부로 리바운드되지 못하고 모두 이러한 가이드부 내부로 유입되어져 외부로 배출되어지게 되는 효과가 있다.As described above, since the spin coater for semiconductor manufacturing according to the present invention further includes a rinse drain unit for forcibly sucking and discharging the photoresist, the rinse liquid, etc. scattered by the centrifugal force on the wafer, the first spray nozzle and The predetermined rinse liquid sprayed into the second spray nozzle and then rebound to the wafer and the photoresist washed by the rinse liquid are not rebounded into the wafer as in the related art, but are all introduced into the guide part and discharged to the outside. It works.

Claims (2)

웨이퍼가 안착되며, 상기 웨이퍼를 흡착고정하는 웨이퍼 척;A wafer chuck on which a wafer is seated and which fixes and holds the wafer; 상기 웨이퍼 척에 고정된 상기 웨이퍼를 회전시키는 구동유닛;A drive unit for rotating the wafer fixed to the wafer chuck; 상기 웨이퍼 상에 포토레지스트를 공급해주는 포토레지스트 공급유닛;A photoresist supply unit for supplying a photoresist on the wafer; 상기 웨이퍼에 소정 린스액을 분사하여 상기 웨이퍼의 가장자리면과 상기 웨이퍼의 뒷면을 세척해주는 웨이퍼 린스유닛;A wafer rinse unit which sprays a predetermined rinse liquid onto the wafer to clean the edge of the wafer and the back of the wafer; 상기 회전되는 웨이퍼의 원심력에 의해 포토레지스트와 린스액이 외부로 비산하는 것을 방지해주도록 상기 웨이퍼의 가장자리부를 에워싸게 설치되는 외측바울;An outer bowl installed around the edge of the wafer to prevent the photoresist and the rinse liquid from scattering to the outside by the centrifugal force of the rotated wafer; 상기 웨이퍼의 하부를 커버하도록 설치되며 상기 외측바울에 부딪친 다음 하측으로 흐르는 포토레지스트와 린스액을 모아주는 내측바울;An inner bowl installed to cover the lower portion of the wafer and collecting the photoresist and the rinse liquid flowing downward after hitting the outer bowl; 상기 내측바울에 연통되도록 설치되며 상기 내측바울에 모인 포토레지스트와 린스액 및 상기 내측바울 주변에서 부유되는 분진을 외부로 배출시켜주는 배출유닛 및;A discharge unit installed to communicate with the inner bowl and discharging the photoresist and rinse liquid collected in the inner bowl and dust suspended around the inner bowl to the outside; 상기 웨이퍼 상에서 원심력에 의해 비산되어지는 포토레지스트와 린스액을 강제흡입하여 외부로 배출시켜주는 린스 드레인유닛을 포함하며, It includes a rinse drain unit for forcibly sucking the photoresist and rinse liquid scattered by the centrifugal force on the wafer to discharge to the outside, 상기 린스 드레인유닛은 상기 웨이퍼의 일측면에 설치되고 상기 웨이퍼에서 비산되는 포토레지스트와 린스액이 모두 유입될 수 있도록 끝단부에 소정간격으로 벌어진 가이드부가 형성되되 상기 가이드부를 통해 유입된 포토레지스트와 린스액을 외부로 배출시켜주는 배큠배관과, 상기 배큠배관으로 포토레지스트와 린스액이 강제흡입될 수 있도록 상기 배큠배관에 소정크기의 배큠을 인가해주는 배큠펌프를 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 스핀 코터.The rinse drain unit is installed on one side of the wafer, and a guide portion having a predetermined interval is formed at an end portion so that both photoresist and rinse liquid scattered from the wafer can flow therein, and the photoresist and rinse introduced through the guide portion are formed. And a backing pump for discharging the liquid to the outside, and a backing pump for applying a predetermined size to the backing pipe so that the photoresist and the rinse liquid can be forced into the backing pipe. 삭제delete
KR1020030034152A 2003-05-28 2003-05-28 Spin coater used to manufacturing semiconductor, having rinse drain unit KR100558479B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030034152A KR100558479B1 (en) 2003-05-28 2003-05-28 Spin coater used to manufacturing semiconductor, having rinse drain unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030034152A KR100558479B1 (en) 2003-05-28 2003-05-28 Spin coater used to manufacturing semiconductor, having rinse drain unit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040102630A KR20040102630A (en) 2004-12-08
KR100558479B1 true KR100558479B1 (en) 2006-03-07

Family

ID=37378854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030034152A KR100558479B1 (en) 2003-05-28 2003-05-28 Spin coater used to manufacturing semiconductor, having rinse drain unit

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100558479B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105093835A (en) * 2014-05-06 2015-11-25 沈阳芯源微电子设备有限公司 Photoresist collecting cup structure for preventing front and back of wafer from being polluted

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100644051B1 (en) * 2005-11-03 2006-11-10 동부일렉트로닉스 주식회사 Coater for photo resist coating on wafer and the removing method for the photoresist remnant by using it
KR200469194Y1 (en) * 2011-03-28 2013-10-01 스파킹 파워 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 Element Cleaning Machine
CN110444466A (en) * 2018-05-06 2019-11-12 长鑫存储技术有限公司 Method for cleaning wafer and device in photoresist coating process
CN113823550B (en) * 2020-06-19 2024-05-03 中国科学院微电子研究所 Spin-coatable hard mask removal method on wafer edge

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105093835A (en) * 2014-05-06 2015-11-25 沈阳芯源微电子设备有限公司 Photoresist collecting cup structure for preventing front and back of wafer from being polluted
CN105093835B (en) * 2014-05-06 2019-07-05 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 Prevent the photoresist of wafer frontside and back pollution from collecting cup structure

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040102630A (en) 2004-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0167572B1 (en) Apparatus of coating wafer
US6220771B1 (en) Wafer backside protection apparatus
US6494220B1 (en) Apparatus for cleaning a substrate such as a semiconductor wafer
CN108028191B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR100249272B1 (en) Substrate spin treating apparatus
KR100558479B1 (en) Spin coater used to manufacturing semiconductor, having rinse drain unit
JP4033709B2 (en) Substrate cleaning method and apparatus
KR20200027161A (en) Cleaning jig for a bowl of a spin coater and apparatus for cleaning a bowl of a spin coater including the same
CN106997154A (en) Photoresist process instrument and its cup-shaped of cleaning cleaning disk and method
JPH05160017A (en) Coating device
JP2004207407A (en) Spin cleaner
JP3067398B2 (en) Jet type wet etching equipment
TW200532749A (en) Rinse nozzle and method
TWI747060B (en) Processing cup unit and substrate processing apparatus
TWI747062B (en) Processing cup unit and substrate processing apparatus
KR101387927B1 (en) Rinsing and drying device of chemical mechanical polishing system
KR100830394B1 (en) Spin coating apparatus
KR100389510B1 (en) Cleaning apparatus for coater cup
JPH11186123A (en) Development of photosensitive film formed on wafer
JPH09270410A (en) Liquid ejecting nozzle and cleaning device provided with this nozzle
KR0177350B1 (en) Bowl of coating apparatus for pollution control
KR101724451B1 (en) Apparatus for removing fume generated in resin coating apparatus and System for forming protection film including the same
JP2023026818A (en) Cleaning method of cover
KR200141179Y1 (en) A coater for semiconductor process
JPH10202502A (en) Polishing pad dressing device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100216

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee