KR200141179Y1 - A coater for semiconductor process - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 제조용 도포장치에 관한 것으로, 종래의 도포장치가 도포컵 내부에 형성되는 배기흐름이 도포컵의 상부에서 하부로 이루어져 웨이퍼 가장자리의 도포막 제거가 원활하지 않고 와류발생에 의한 도포액 되튐 현상이 발생되는 문제점이 있어 이를 해결하기 위한 것이다. 이와 같은 본 고안은 도포컵(20)의 내측부를 둘러 배기레인(23)이 형성되고, 상기 배기레인(23)의 일측에 배기관(24)이 형성되어 도포컵(20) 내부의 배기흐름이 도포컵(20)의 상부에서 내측부의 배기레인(23)쪽으로 흐르도록 구성된다. 이와 같은 본 고안에 의하면 도포컵(20) 내부의 배기흐름이 도포컵(20)의 상부에서 내측부로 형성되어 종래 장치에 발생되던 문제점을 배제할 수 있는 이점이 있다.The present invention relates to a coating apparatus for manufacturing a semiconductor, the exhaust flow is formed inside the coating cup of the conventional coating device is formed from the upper portion to the lower portion of the coating cup is not smooth removal of the coating film on the wafer edge and the coating liquid is returned by the vortex generation There is a problem that occurs to solve this problem. The present invention is such that the exhaust lane 23 is formed around the inner side of the coating cup 20, the exhaust pipe 24 is formed on one side of the exhaust lane 23 to apply the exhaust flow inside the coating cup 20 It is configured to flow from the upper part of the cup 20 toward the exhaust lane 23 of the inner part. According to the present invention as described above, the exhaust flow in the coating cup 20 is formed from the upper portion of the coating cup 20 to the inner side, which has the advantage of eliminating the problems caused in the conventional apparatus.
Description
제1도는 종래 기술에 의한 도포장치의 구성을 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a coating apparatus according to the prior art.
제2도는 종래 기술에 의한 도포장치의 문제점을 설명하기 위한 도면으로,2 is a view for explaining the problem of the coating apparatus according to the prior art,
(a)는 세정액을 흐름을 도시한 상태도.(a) is a state figure which shows the flow of a washing | cleaning liquid.
(b)는 도포컵 내부의 배기흐름을 도시한 배기흐름상태도.(b) is an exhaust flow diagram showing the exhaust flow inside the coating cup.
제3도는 본 고안에 의한 반도체 제조용 도포장치의 구성을 도시한 단면도.3 is a cross-sectional view showing the configuration of a coating apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention.
제4도는 본 고안에 의한 반도체 제조용 도포장치의 작용효과를 설명하기 위한 단면도.4 is a cross-sectional view for explaining the effect of the coating device for manufacturing a semiconductor according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
20 : 도포컵 21 : 척20: application cup 21: chuck
22 : 구동모터 23 : 배기레인22: drive motor 23: exhaust lane
24 : 배기관 25 : 도포컵 내상측면24: exhaust pipe 25: the inner surface of the application cup
26 : 도포컵 하면 27 : 세정액노즐26: application cup bottom 27: cleaning liquid nozzle
28 : 웨이퍼 29 : 폐액배출관28: wafer 29: waste liquid discharge tube
본 고안은 반도체 제조용 도포장치에 관한 것으로, 특히 도포컵 내부의 배기흐름을 개선하기 위해 배기관을 도포컵 내벽 측면에 형성하여 웨이퍼 제조수율을 향상시킨 반도체 제조용 도포장치에 관한 것이다.The present invention relates to a coating apparatus for manufacturing a semiconductor, and more particularly to a coating apparatus for manufacturing a semiconductor to improve the wafer production yield by forming an exhaust pipe on the inner wall side of the coating cup to improve the exhaust flow inside the coating cup.
제1도는 종래 기술에 의한 도포장치의 구성을 도시한 단면도이고, 제2도는 종래 기술에 의한 도포장치의 문제점을 설명하기 위한 도면으로, (a)는 세정액의 흐름을 도시한 상태도, (b)는 도포컵 내부의 배기흐름을 도시한 배기흐름 상태도이다.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a coating apparatus according to the prior art, and FIG. 2 is a view for explaining the problems of the coating apparatus according to the prior art, (a) is a state diagram showing the flow of the cleaning liquid, (b) ) Is an exhaust flow diagram showing the exhaust flow inside the application cup.
상기 도면들에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 의한 도포장치는 도포컵(1)과, 상기 도포컵(1)의 상부측에 구비되어 도포액을 분사하는 도포헤드(미도시)와, 상기 도포컵(1)의 내부에 회전가능하게 설치되어 진공으로 웨이퍼(4)를 파지한 채 구동모터(2)에 의해 회전되는 척(3)으로 구성된다.As shown in the drawings, the coating apparatus according to the prior art is a coating cup (1), a coating head (not shown) provided on the upper side of the coating cup (1) for spraying the coating liquid, and the coating It is composed of a chuck 3 which is rotatably installed in the cup 1 and rotated by the drive motor 2 while holding the wafer 4 in a vacuum.
상기 도포컵(1)의 내부에 구비된 척(3)의 하부에는 웨이퍼(4)의 배면과 전면 가장 자라의 세정을 위한 세정액이 공급되는 배면세정노즐(6)이 구비된 상부판(5)이 설치되고, 상기 상부판(5)의 하부에는 도포컵(1) 내부의 솔벤트분위기를 배출하기 위한 배기홀(7)이 다수개 구비되어 있다. 그리고 도포컵(1)의 저면에 일측에는 작업과정에서 발생되는 폐액이 배출되는 폐액배출관(8)이 형성되어 있고, 도포컵(1)의 상부내역 일측에는 도포컵(1)의 내벽을 세정하기 위한 세정액을 공급하는 내벽세정액 공급관(9)이, 하부 일측에는 도포컵(1)의 하부를 세정하기 위한 세정액을 공급하는 하부세정액 공급관(10)이 구비되어 있다.An upper plate 5 provided with a rear cleaning nozzle 6 supplied with a cleaning liquid for cleaning the rear and front surfaces of the wafer 4 at the lower portion of the chuck 3 provided in the coating cup 1. Is installed, the lower portion of the upper plate 5 is provided with a plurality of exhaust holes (7) for discharging the solvent atmosphere in the coating cup (1). And on one side of the bottom surface of the coating cup (1) is formed a waste liquid discharge pipe (8) for discharging the waste liquid generated in the working process, one side of the top of the coating cup (1) to clean the inner wall of the coating cup (1) The inner wall cleaning liquid supply pipe 9 for supplying the cleaning liquid for the lower side is provided with a lower cleaning liquid supply pipe 10 for supplying the cleaning liquid for cleaning the lower portion of the coating cup 1.
도면중 미설명 부호 11은 배기관이고, 12는 도포막, L은 웨이퍼(4)의 배면에서 전면 가장자리로 이동되는 세정액이다.In the figure, reference numeral 11 denotes an exhaust pipe, 12 denotes a coating film, and L denotes a cleaning liquid that is moved from the rear surface of the wafer 4 to the front edge.
상기한 바와 같은 종래 기술에 의한 반도체 제조용 도포장치의 작동은 다음과 같다.Operation of the coating apparatus for manufacturing a semiconductor according to the prior art as described above is as follows.
상기 척(3)에 웨이퍼(4)를 장착하고 진공으로 웨이퍼(4)를 파지한 상태로 소정의 회전수로 웨이퍼(4)를 회전시키면서 작업을 진행하게 된다. 즉, 소정의 회전수로 회전하는 웨이퍼(4)의 전면에 상기 도포헤드(미도시)에서 도포액을 적하시켜 웨이퍼(4)의 전면에 일정한 두께로 도포막(12)을 형성하게 된다. 이와 같은 과정에서 도포컵(1)의 내부에는 솔벤트분위기가 형성되는데, 솔벤트분위기는 상기 상부판(5)의 하부측에 구비되어 있는 배기홀(7)을 통해 배기된다.The wafer 4 is mounted on the chuck 3 and the work is carried out while the wafer 4 is rotated at a predetermined rotation speed while the wafer 4 is held in vacuum. In other words, the coating liquid is dropped on the entire surface of the wafer 4 rotating at a predetermined rotational speed from the coating head (not shown) to form the coating film 12 on the entire surface of the wafer 4. In this process, a solvent atmosphere is formed inside the coating cup 1, and the solvent atmosphere is exhausted through an exhaust hole 7 provided in the lower side of the upper plate 5.
그리고 상기 상부판(5)에 구비되어 있는 배면세정노즐(6)에서는 세정액이 웨이퍼(4)의 배면으로 분사되어 웨이퍼(4) 배면의 이물을 제거하고 웨이퍼전면 가장자리로 까지 전달되어 웨이퍼(4) 가장자리이 막(12)을 제거하게 된다. 이와 같이 웨이퍼(4) 가장자리의 막(12)을 제거하여 주는 이유는 웨이퍼(4) 전면에 도포된 막(SOG막)(12)과 배면에 형성된 막(TEOS막)의 스트레스차이에 의해 웨이퍼(4)전면에 형성된 막(12)에 크랙이 발생되는 것이 방지하는 것이다.In the back cleaning nozzle 6 provided in the upper plate 5, the cleaning liquid is sprayed onto the back surface of the wafer 4 to remove foreign substances on the back surface of the wafer 4, and then transferred to the front edge of the wafer, thereby transferring the wafer 4. The edges will remove the membrane 12. The reason why the film 12 at the edge of the wafer 4 is removed is because of the difference in stress between the film (SOG film) 12 coated on the entire surface of the wafer 4 and the film (TEOS film) formed on the back surface (the SOOS film). 4) Cracks are prevented from occurring in the film 12 formed on the front surface.
한편, 웨이퍼(4)의 배면에 도포된 세정액이 웨이퍼(4) 전면 가장자리까지의 이동은 세정액 자체의 표면장력과 웨이퍼(4) 전면에 형성된 도포막(12)과의 반응력에 의해서 이루어진다.On the other hand, the cleaning liquid applied to the back surface of the wafer 4 moves to the front edge of the wafer 4 by the surface tension of the cleaning liquid itself and the reaction force between the coating film 12 formed on the entire surface of the wafer 4.
그리고, 상기 웨이퍼(4)의 전면에 도포되어 막을 형성하고 남은 도포액과 웨이퍼(4)의 배면을 세정한 세정액과 제거되는 이물등은 도포컵(1)의 하부로 전달되어 폐액배출관(8)을 통해 도포컵(1)의 외부로 배출된다.Then, the coating liquid remaining on the front surface of the wafer 4 to form a film, the cleaning liquid for cleaning the back surface of the wafer 4, and the foreign matter removed are transferred to the lower portion of the coating cup 1, and the waste liquid discharge pipe 8 Through the discharged to the outside of the application cup (1).
그러나, 상기와 같은 종래 기술에 의한 도포장치에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the above-described conventional coating apparatus has the following problems.
먼저, 제2도의 (a)에 도시되어 있는 바와 같이, 도포컵(1)내부의 솔벤트분위기의 배기흐름이, 제2도의 (b)에 도시된 화살표(A)방향으로 웨이퍼(4)의 가장자리에서 웨이퍼(4)에 대해 수직하게, 즉 도포컵(1)의 하부로 이루어지므로 웨이퍼(4)의 배면에 도포된 세정액이 웨이퍼(4)의 전면 가장자리로 이동되는 것을 방해하게 된다. 따라서, 웨이퍼(4) 가장자리의 도포막(12) 제거가 잘 이루어지지 않아, 웨이퍼(4)에 형성되는 도포막(12)에 크랙이 발생하는 문제점이 있다.First, as shown in (a) of FIG. 2, the exhaust flow of the solvent atmosphere inside the coating cup 1 is the edge of the wafer 4 in the direction of arrow A shown in (b) of FIG. In the vertical direction with respect to the wafer 4, i.e., the lower portion of the coating cup 1, the cleaning liquid applied to the back surface of the wafer 4 is prevented from moving to the front edge of the wafer 4. Therefore, the removal of the coating film 12 at the edge of the wafer 4 is difficult, and there is a problem that a crack occurs in the coating film 12 formed on the wafer 4.
그리고, 상기한 바와 같이 배기흐름이 도포컵(1)의 상부에서 하부로 형성됨으로 인해 상기 웨이퍼(4)의 가장자리가 배기흐름에 방해요소로 작용하여 웨이퍼(4) 가장자리에서, 제2도의 (b)에 도시된 바와 같이, 와류가 형성된다. 이와 같이 웨이퍼(4) 가장자리에 와류가 형성되면 웨이퍼(4) 전면에 도포되어 웨이퍼(4)이 회전에 의한 원심력으로 웨이퍼(4)에서 이탈되어던 도포액이 도로 웨이퍼(4)의 전면으로 되튀는 현상이 발생된다.As described above, since the exhaust flow is formed from the top to the bottom of the coating cup 1, the edge of the wafer 4 acts as an obstacle to the exhaust flow, and at the edge of the wafer 4, FIG. As shown at), a vortex is formed. In this way, when the vortex is formed at the edge of the wafer 4, it is applied to the entire surface of the wafer 4 so that the coating liquid that has been separated from the wafer 4 by the centrifugal force due to the rotation is brought to the front of the road wafer 4. Splashing phenomenon occurs.
따라서, 본 고안의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 도포컵 내부의 배기흐름을 개선하여 웨이퍼 가장자리에 세정이 용이하게 되고 웨이퍼 가장자리 근처에서 와류가 발생되는 것을 방지함과 아울러 폐액의 배출이 원활하게 이루어지도록 하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the problems of the prior art as described above, by improving the exhaust flow inside the coating cup to facilitate the cleaning of the wafer edge and to prevent the generation of vortex near the wafer edge It is to facilitate the discharge of the waste liquid.
상기한 바와 같은 본 고안의 목적은 도포컵의 내측부를 둘러 배기레인이 형성되고, 상기 배기레인의 일측에 배기관이 형성되며, 상기 도포컵의 내상측면은 유선형 곡면으로 형성되고, 척이 구비되는 도포컵의 중앙에서 외주부로 연결되는 도포컵의 하면은 외주부측으로 하향경사진 곡면으로 형성되어 도포컵 내부의 배기흐름이 도포컵의 상부에서 내측부의 배기레인쪽으로 흐르도록 구성됨과 아울러 상기 도포컵의 하면 가장자리와 배기관의 사이에 폐액배출관이 형성됨을 특징으로 반도체 제조용 도포장치에 의하여 달성된다.An object of the present invention as described above is the exhaust lane is formed around the inner side of the coating cup, the exhaust pipe is formed on one side of the exhaust lane, the inner upper surface of the coating cup is formed in a streamlined curved surface, the coating is provided with a chuck The lower surface of the application cup connected to the outer peripheral part at the center of the cup is formed as a curved surface inclined downward toward the outer peripheral part so that the exhaust flow inside the application cup flows from the upper part of the application cup to the exhaust lane of the inner part, and the lower edge of the application cup. And a waste liquid discharge pipe is formed between the exhaust pipe and the exhaust pipe.
상기한 바와 같은 본 고안에 의한 반도체 제조용 도포장치이 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 상세히 설명하면 다음과 같다.If described in detail with reference to the accompanying drawings, the coating device for manufacturing a semiconductor according to the present invention as described above are as follows.
제3도는 본 고안에 의한 반도체 제조용 도포장치의 구성을 도시한 단면도이고, 제4도는 본 고안에 의한 반도체 제조용 도포장치의 작용효과를 설명하기 위한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing the configuration of the coating apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the effect of the coating apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention.
이에 도시된 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 제조용 도포장치는 도포컵(20)의 내측부를 둘러 배기레인(23)이 형성되고, 상기 배기레인(23)의 일측에 배기관(24)이 형성되어 도포컵(20) 내부에 배기흐름이 도포컵(20)의 상부에서 내측부의 배기레인(23)쪽으로 흐르도록 구성된다.As shown in the drawing, in the coating apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention, an exhaust lane 23 is formed around an inner portion of the coating cup 20, and an exhaust pipe 24 is formed on one side of the exhaust lane 23 to apply the coating device. An exhaust flow inside the cup 20 is configured to flow from the top of the application cup 20 toward the exhaust lane 23 on the inner side.
상기 도포컵(20)의 내상측면(25)은 유선형 곡면으로 형성되고, 도포컵(20)의 중앙에서 외주부로 연결되는 하면(26)은 외주부측으로 하향경사진 곡면으로 형성된다.The inner upper side surface 25 of the coating cup 20 is formed in a streamlined curved surface, the lower surface 26 is connected to the outer peripheral portion from the center of the coating cup 20 is formed as a curved surface inclined downward toward the outer peripheral portion.
한편, 상기 도포컵(20)의 상부에는 도포액의 도포를 위한 분사헤드(미도시)가 구비되고, 상기 도포컵(20)의 내부 중앙에는 웨이퍼(28)를 진공으로 흡착한 상태로 소정의 회전수로 회전시켜 주는 척(21)이 구비되어 있다. 상기 척(21)은 구동모터(22)에 의해 구동된다.On the other hand, the upper portion of the coating cup 20 is provided with a spray head (not shown) for the application of the coating liquid, the inside of the coating cup 20 is a predetermined state in which the wafer 28 is sucked by a vacuum The chuck 21 which rotates by the rotation speed is provided. The chuck 21 is driven by the drive motor 22.
그리고, 상기 웨이퍼(28)의 배면과 가장자리를 세정하기 위한 세정액이 분사되는 노즐(27)이 도포컵(20)의 상기 하면(26)에 구비되고, 작업과정에서 발생되는 폐액을 배출하기 위한 폐액배출관(29)이 도포컵(20)의 저면 일측에 형성되어 있다.In addition, a nozzle 27 is formed on the lower surface 26 of the coating cup 20 to spray the cleaning liquid for cleaning the back and the edge of the wafer 28, and the waste liquid for discharging the waste liquid generated during the working process. Discharge pipe 29 is formed on one side of the bottom surface of the coating cup (20).
상기와 같이 구성된 본 고안에 의한 도포장치의 작용효과는 다음과 같다.Effects of the coating apparatus according to the present invention configured as described above are as follows.
먼저, 본 고안의 도포장치에서 도포막이 형성되는 과정은 상기 척(21)에 웨이퍼(28)가 진공으로 흡착되어 소정의 회전수로 회전함과 동시에 도포헤드(미도시)에서 도포액이 적하되어 웨이퍼(28)의 회전에 의한 원심력으로 웨이퍼(28)의 전면에 균일하게 도포막을 형성하게 된다.First, in the process of forming a coating film in the coating apparatus of the present invention, the wafer 28 is vacuum-adsorbed to the chuck 21 and rotates at a predetermined rotational speed, and at the same time, the coating liquid is dropped in the coating head (not shown). The coating film is uniformly formed on the entire surface of the wafer 28 by the centrifugal force by the rotation of the wafer 28.
이때, 도포컵(20)의 내부에는 솔벤트분위기가 형성되며 이와 같은 솔벤트분위기의 배기흐름은 도포컵(20)의 상부로 부터 도포컵(20)의 내측부를 향하게 형성된다. 즉, 제4도에 화살표로 도시되어 있는 바와 같이, 상기 도포컵(20)의 내측부에 구비되어 있는 배기레인(23)을 향해 웨이퍼(28)의 상면에 대해 평행하게 배기흐름이 형성된다,At this time, a solvent atmosphere is formed in the coating cup 20, and the exhaust flow of the solvent atmosphere is formed toward the inner side of the coating cup 20 from the top of the coating cup 20. That is, as shown by the arrow in FIG. 4, the exhaust flow is formed in parallel to the upper surface of the wafer 28 toward the exhaust lane 23 provided in the inner side of the coating cup 20.
그리고, 솔벤트분위기의 배기는 상기 배기레인(23)의 일측에 구비되어 있는 배기관(24)을 통해 이루어진다. 이와 같은 배기흐름은 유선형 곡면으로 이루어진 상기 내상측면(25)에 의해서 안내되고, 곡면으로 형성된 도포컵(20)이 하면(26)에 의해서도 안내된다.And, the exhaust of the solvent atmosphere is made through the exhaust pipe 24 provided on one side of the exhaust lane (23). The exhaust flow is guided by the inner upper side surface 25 formed of a streamlined curved surface, and the application cup 20 formed in the curved surface is also guided by the lower surface 26.
한편, 상기 도포컵(20)의 하면(26)에 구비된 노즐(27)을 통해서는 세정액이 분사되어 웨이퍼(28) 배면의 이물제거 및 전면 가장자리에 도포된 막을 제거하여 주게된다.On the other hand, the cleaning liquid is injected through the nozzle 27 provided on the lower surface 26 of the coating cup 20 to remove foreign substances on the back surface of the wafer 28 and to remove the film applied to the front edge.
상기와 같이 도포컵(20) 내부의 배기흐름이 도포컵(20)의 상부에서 도포컵(20)의 내측부에 구비된 배기레인(23)측으로 이루어지게 되면 웨이퍼(28)의 배면에 도포되어 웨이퍼(28) 전면 가장자리로 이동되는 세정액이 흐름이 방해받지 않게 되어 웨이퍼(28) 가장자리의 도포막제거가 확실하게 이루어진다. 그리고, 웨이퍼(28) 가장자리가 배기흐름에 대해 평행하게 놓여지므로 종래와 같이 웨이퍼(28) 가장자리가 배기흐름의 방해요소가 작용하지 않아 배기흐름에 와류가 발생되지 않게 된다.As described above, when the exhaust flow in the coating cup 20 is made from the upper side of the coating cup 20 to the exhaust lane 23 provided on the inner side of the coating cup 20, the wafer 28 is applied to the back surface of the wafer 28 and the wafer. (28) The cleaning liquid moved to the front edge is not interrupted in flow, so that the coating film is removed at the edge of the wafer 28. In addition, since the edge of the wafer 28 is placed parallel to the exhaust flow, the edge of the wafer 28 does not act on the edge of the wafer 28 as in the prior art, so that no vortex is generated in the exhaust flow.
또한 이러한 작업과정에서 발생된 폐액은 배기레인(23)이나 배기관(24)과는 무관하게 도포컵(20)의 하면(26) 가장자리에 형성된 폐액배출관(29)을 통하여 배출되므로 폐액의 배출이 원활함과 아울러 폐액의 배출과 배기가 서로 간섭을 일으키는 일이 없게 되는 것이다.In addition, since the waste liquid generated during the operation is discharged through the waste liquid discharge pipe 29 formed at the edge of the lower surface 26 of the coating cup 20 regardless of the exhaust lane 23 or the exhaust pipe 24, the waste liquid is smoothly discharged. In addition, the discharge and exhaust of the waste liquid do not interfere with each other.
위에서 상세히 설명한 바와 같이 본 고안에 의한 반도체 제조용 도포장치는 도포컵 내부의 배기흐름이 도포컵의 상부에서 내측부로 형성되도록 구성되어 있다. 따라서, 웨이퍼의 배면에 도포된 세정액이 웨이퍼전면 가장자리로 이동하는 흐름이 원활하게 이루어져 웨이퍼 가장자리의 도포막제거가 확실하게 되어 전면과 배면에 다른 종류의 막이 형성됨에 의한 스트레스가 발생되지 않아 도포막에 크랙이 발생되지 않게 되는 효과가 있다.As described above in detail, the coating apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention is configured such that the exhaust flow inside the coating cup is formed from the top of the coating cup to the inner side. Therefore, the flow of the cleaning liquid applied to the back surface of the wafer moves smoothly to the front edge of the wafer so that the coating film is removed from the edge of the wafer, and the stress caused by the formation of a different kind of film on the front and back is not generated. There is an effect that the crack does not occur.
그리고, 웨이퍼 가장자리 부근에 배기흐름에 의한 와류가 발생되지 않아 웨이퍼의 전면에 원심력에 의해 이탈된 도포액이 다시 웨이퍼의 전면으로 되튀는 현상이 발생하지 않아 되어 웨이퍼 전면에 이물이 발생되는 것을 방지하여 웨이퍼 제조수율이 향상되는 효과가 있다. 또한 배기레인 및 배기관과는 별도로 도포컵 하면의 가장자리와 배기관의 사이에 폐액배출관을 형성하는 것에 의하여 배기와 함께 폐액의 배출이 원활하게 이루어지게 되는 효과가 있다.In addition, the vortices due to the exhaust flow do not occur near the edge of the wafer so that the coating liquid separated by the centrifugal force on the front of the wafer does not bounce back to the front of the wafer, thereby preventing foreign matters from occurring on the front of the wafer The wafer manufacturing yield is improved. In addition, by forming the waste liquid discharge pipe between the edge of the lower surface of the coating cup and the exhaust pipe separately from the exhaust lane and the exhaust pipe, the waste liquid is smoothly discharged together with the exhaust.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019950041933U KR200141179Y1 (en) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | A coater for semiconductor process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019950041933U KR200141179Y1 (en) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | A coater for semiconductor process |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970046719U KR970046719U (en) | 1997-07-31 |
| KR200141179Y1 true KR200141179Y1 (en) | 1999-04-15 |
Family
ID=19434496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019950041933U KR200141179Y1 (en) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | A coater for semiconductor process |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200141179Y1 (en) |
-
1995
- 1995-12-15 KR KR2019950041933U patent/KR200141179Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970046719U (en) | 1997-07-31 |
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