KR100552587B1 - 반도체 공정에서의 오버레이 패턴 측정 방법 - Google Patents
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Abstract
기판상에 순차적으로 형성하는 막들의 정렬을 확인하기 위한 오버레이 패턴 측정 방법이 개시되어 있다. 기판상에 순차적으로 형성하는 막들의 정렬을 위한 n개 영역에 형성하는 오버레이 패턴들 중에서 제1 영역 오버레이 패턴내의 측정부들을 전부 측정하여 상기 정렬을 확인하고, 상기 제1 영역 오버레이 패턴내의 측정부들을 측정한 다음 제2 영역 오버레이 패턴내의 측정부들을 전부 측정하여 상기 정렬을 확인한다. 계속해서, n번째 영역의 오버레이 패턴내의 측정부들을 전부 측정하여 상기 정렬을 확인한다. 따라서 오버레이 패턴을 측정할 때 기판이 라운딩되는 횟수를 최소화할 수 있다. 때문에 반도체 장치의 제조에 따른 생산성을 향상시킬 수 있다.
Description
도 1은 반도체 공정에서의 오버레이 패턴을 측정하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정에서의 오버레이 패턴을 측정하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 공정에서의 오버레이 패턴을 측정하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 반도체 공정에서의 오버레이 패턴을 나타내는 평면도이다.
도 5는 반도체 공정에서의 오버레이 패턴을 나타내는 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100, 200, 300 : 중심 영역 110, 210, 310 : 좌측 영역
120, 220, 320 : 우측 영역 130, 230, 330 : 상측 영역
140, 240, 340 : 플렛죤 영역 160a, 260a : 중심 측정부
160b, 260b : 모서리 측정부 190, 290, 390, 400 : 기판
410 : 하부 오버레이 패턴 415 : 상부막
420 : 상부 오버레이 패턴
본 발명은 오버레이 패턴 측정 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판상에 순차적으로 형성하는 막들의 정렬을 확인하기 위한 반도체 공정에서의 오버레이 패턴 측정 방법에 관한 것이다.
근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 이에 따라 상기 반도체 장치의 집적도 향상을 위한 주요한 기술로서 사진 식각(photolithograpy) 기술과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구도 엄격해지고 있다.
상기 사진 식각 기술은 잘 알려져 있는 바와 같이, 유기적인 포토레지스트를 사용하여 포토레지스트막을 형성한 후, 상기 포토레지스트막을 포토레지스트 패턴으로 형성하는 기술이다. 구체적으로는 먼저, 절연막 또는 도전막을 포함하는 반도체 기판상에 자외선이나 X선과 같은 광을 조사하면 알칼리성 용액에 대해 용해도 변화가 일어나게 되는 유기층인 포토레지스트막을 형성한다. 그리고 상기 포토레지스트막의 상부에 소정 부분만을 선택적으로 노광할 수 있도록 패터닝된 패턴 마스크를 개재하여 상기 포토레지스트막에 선택적으로 광을 조사한 다음, 현상하여 용 해도가 큰 부분(포지티브형 포토레지스트의 경우, 노광된 부분)은 제거하고 용해도가 작은 부분은 남겨 포토레지스트 패턴을 형성한다.
상기 사진 식각에서는 상기 사진 식각에 의해 형성되고, 하부막 패턴상에 형성되어 있는 상부막을 상부막 패턴으로 형성하기 위한 포토레지스트 패턴이 상기 하부막 패턴과 대비하여 정확하게 정렬된 위치에 형성되는 가를 측정한다. 이는 상기 기판상에 순차적으로 형성하는 막들이(하부막 패턴과 상기 하부막 패턴상에 형성되는 상부막 패턴) 올바른 위치에 형성되는 가를 확인하고, 상기 위치를 올바르게 보정하기 위함이다.
이때 상기 측정은 상기 포토레지스트 패턴을 형성할 때 함께 형성하는 오버레이 패턴 및 상기 하부막 패턴에 포함되는 오버레이 패턴을 사용하여 측정한다. 그리고 상기 오버레이 패턴들을 사용하는 정렬에 대한 확인은 주로 KLA 시리즈(제품명)와 같은 검사 장치를 사용한다.
상기 KLA 시리즈를 사용한 오버레이 패턴들을 사용하는 정렬에 대한 확인은 헤네세이(Hennessey et al.)에게 허여된 미합중국 특허 제5,696,835호에 개시되어 있다. 이외에도 상기 오버레이 패턴을 측정하는 방법이 타카나(Takana)에게 허여된 미합중국 특허 제5,468,580호에 개시되어 있다.
특히, 상기 미합중국 특허 제5,468,580호에 의하면, 상기 오버레이 패턴들이 형성되는 영역 및 상기 오버레이 패턴을 측정하는 영역들이 개시되어 있다.
도 1은 반도체 공정에서의 오버레이 패턴을 측정하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 1은 기판(190)상에 오버레이 패턴을 측정하기 위한 영역들을 나타낸다. 상기 오버레이 패턴들은 상기 기판(190)의 중심 영역(100), 상기 중심 영역(100)을 기준으로 수평한 좌측 주연 영역(110), 우측 주연 영역(120), 수직한 상측 주연 영역(130) 및 플렛죤 영역(140)에 형성되고, 상기 영역들 각각에 5군데를 측정한다. 상기 5군데는 상기 오버레이 패턴내의 중심 측정부(160a) 및 모서리 측정부(160b)들 이다.
상기 오버레이 패턴의 측정은 단일층에 대한 오버레이 패턴의 측정에 대한 예를 나타내는 것으로서, 각 측정부를 2회 측정한다. 이에 따라 단일층의 기판에 대한 오버레이 패턴의 측정은 50회가 이루어지는데, 표시된 숫자와 같은 순서에 의한다. 즉, 상기 오버레이 패턴들내의 중심 측정부(160a)들을 측정한 다음 각각에 해당하는 모서리 측정부(160b)들을 순차적으로 측정하는 것으로서, 상기 상측 영역(130)의 오버레이 패턴의 중심 측정부(160a)를 2회 측정한 다음 상기 우측 영역(120)의 중심 측정부(160a)를 2회 측정하고, 계속해서 플렛죤 영역(140), 좌측 영역(110) 및 중심 영역(100) 오버레이 패턴내의 중심 측정부(160a)를 2회 측정한다. 그리고 좌측 상부의 모서리 측정부(160b), 우측 상부의 모서리 측정부(160b), 우측 하부의 모서리 측정부(160b), 좌측 하부의 모서리 측정부(160b)를 계속해서 측정한다. 때문에 상기 측정을 위한 기판(190)은 5회 라운딩이 이루어진다.
따라서 상기 오버레이 패턴을 측정할 때 상기 기판을 5회 라운딩하기 때문에 상기 측정에 소요되는 시간이 연장된다. 때문에 반도체 장치의 제조에 있어 생산성이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 오버레이 패턴을 측정할 때 기판이 라운딩되는 횟수를 최소화하기 위한 반도체 공정에서의 오버레이 패턴 측정 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 공정에서의 오버레이 패턴 측정 방법은, 기판상에 순차적으로 형성하는 막들의 정렬을 위한 n개 영역에 형성하는 오버레이 패턴들 중에서 제1 영역 오버레이 패턴내의 측정부들을 전부 측정하여 상기 정렬을 확인하는 단계와, 상기 제1 영역 오버레이 패턴내의 측정부들을 측정한 다음 제2 영역 오버레이 패턴내의 측정부들을 전부 측정하여 상기 정렬을 확인하는 단계와, 상기 제2 영역 오버레이 패턴내의 측정부들을 측정한 다음 계속해서 n번째 영역의 오버레이 패턴내의 측정부들을 전부 측정하여 상기 정렬을 확인하는 단계를 포함한다.
상기 n개 영역의 오버레이 패턴들은 바람직하게 상기 기판의 중심 영역, 상기 중심 영역의 수평한 우측 주연 영역, 상기 중심 영역의 수평한 좌측 주연 영역, 상기 중심 영역의 수직한 상측 주연 영역 및 상기 중심 영역의 수직한 플렛죤 영역을 포함하는 5군데로 한정할 수 있다.
따라서 상기 오버레이 패턴들을 측정할 때 상기 기판의 라운딩은 1회 또는 2회가 이루어진다. 상기 5군데로 한정하는 오버레이 패턴들의 측정을 기준할 때 상기 측정은 50회가 이루어지지만, 제1 영역의 오버레이 패턴내의 중심 측정부 및 모서리 측정부들을 측정하고, 다음 영역의 오버레이 패턴들을 측정하기 때문이다. 이 에 따라 상기 기판을 라운딩하는 횟수를 최소화함으로서 상기 측정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정에서의 오버레이 패턴을 측정하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 기판(290)상에 오버레이 패턴들을 측정하기 위한 측정 영역들을 나타낸다. 상기 오버레이 패턴들은 상기 기판(290)의 중심 영역(200), 상기 중심 영역(200)을 기준으로 수평한 좌측 주연 영역(210), 우측 주연 영역(220), 수직한 상측 주연 영역(230) 및 플렛죤 영역(240)을 포함하는 5군데에 형성된다. 그리고 상기 오버레이 패턴들의 측정은 상기 각 영역의 오버레이 패턴내의 5군데를 2회씩 측정하는데, 상기 오버레이 패턴들은 중공의 박스 형태로 형성되고, 상기 박스 형태의 중심 부근의 중심 측정부(260a) 및 각 모서리 부근의 모서리 측정부(260b)들을 측정한다. 따라서 단위 기판에 대한 오버레이 패턴의 측정은 50회로 이루어진다.
상기 50회의 측정은 도 2에 표시된 숫자의 순서대로 이루어지는 것으로서, 먼저 상측 영역(230)의 오버레이 패턴내의 중심 측정부(260a) 및 좌측 상부의 모서리 측정부(260b), 우측 상부의 모서리 측정부(260b), 우측 하부의 모서리 측정부(260b), 좌측 하부의 모서리 측정부(260b)를 각 2회씩 측정한다. 그리고 우측 영역(220)의 오버레이 패턴내의 중심 측정부(260a) 및 좌측 상부의 모서리 측정 부(260b), 우측 상부의 모서리 측정부(260b), 우측 하부의 모서리 측정부(260b), 좌측 하부의 모서리 측정부(260b)를 각 2회씩 측정하고, 플렛죤 영역(240)의 오버레이 패턴내의 중심 측정부(260a) 및 좌측 상부의 모서리 측정부(260b), 우측 상부의 모서리 측정부(260b), 우측 하부의 모서리 측정부(260b), 좌측 하부의 모서리 측정부(260b)를 각 2회씩 측정한다. 계속해서 좌측 영역(210)의 오버레이 패턴내의 중심 측정부(260a) 및 좌측 상부의 모서리 측정부(260b), 우측 상부의 모서리 측정부(260b), 우측 하부의 모서리 측정부(260b), 좌측 하부의 모서리 측정부(260b)를 각 2회씩 측정한 다음 중심 영역(200)의 오버레이 패턴내의 중심 측정부(260a) 및 좌측 상부의 모서리 측정부(260b), 우측 상부의 모서리 측정부(260b), 우측 하부의 모서리 측정부(260b), 좌측 하부의 모서리 측정부(260b)를 각 2회씩 측정한다.
따라서 상기 오버레이 패턴들의 측정에서 상기 기판(290)은 1회 라운딩이 이루어진다. 때문에 상기 측정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 공정에서의 오버레이 패턴을 측정하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 기판(390)상에 오버레이 패턴들을 측정하기 위한 측정 영역들을 나타낸다. 상기 오버레이 패턴들은 상기 기판(390)의 중심 영역(300), 상기 중심 영역(300)을 기준으로 수평한 좌측 주연 영역(310), 우측 주연 영역(320), 수직한 상측 주연 영역(330) 및 플렛죤 영역(340)을 포함하는 5군데에 형성된다. 그리고 상기 오버레이 패턴들의 측정은 상기 각 영역의 오버레이 패턴내의 5군데를 2회씩 측정하는데, 상기 오버레이 패턴들은 중공의 박스 형태로 형성되고, 상기 박스 형 태의 중심 부근의 중심 측정부(360a) 및 각 모서리 부근의 모서리 측정부(360b)들을 측정한다. 따라서 단위 기판에 대한 오버레이 패턴의 측정은 50회로 이루어진다.
상기 50회의 측정은 도 3에 표시된 숫자의 순서대로 이루어지는 것으로서, 먼저 상측 영역(330)의 오버레이 패턴내의 중심 측정부(360a) 및 좌측 상부의 모서리 측정부(360b), 우측 상부의 모서리 측정부(360b), 우측 하부의 모서리 측정부(360b), 좌측 하부의 모서리 측정부(360b)를 1회 측정한다. 그리고, 상기 우측 영역(320), 플렛죤 영역(340), 좌측 영역(310), 중심 영역(300)의 오버레이 패턴내의 각기 측정부(360a, 360b)들을 1회 측정한다. 이어서 상기 상측 영역(330), 우측 영역(320), 플렛죤 영역(340), 좌측 영역(310), 중심 영역(300)의 오버레이 패턴내의 각기 측정부(360a, 360b)들을 1회 더 측정한다.
따라서 상기 오버레이 패턴들의 측정에서 상기 기판(390)은 2회 라운딩이 이루어진다. 때문에 상기 측정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.
상기 오버레이 패턴은 포커스 디스턴스(focus distance)를 사용하는 프로버(prober) 및 상기 프로버를 사용하여 측정한 측정치를 제어하고, 모니터링(monitoring)할 수 있는 컴퓨터 시스템 등과 같은 부재들을 포함하는 KLA 시리즈와 같은 검사 장치를 사용하여 측정하는데, 상기 검사 장치는 상기 측정 방법에 의하여 기판의 라운딩되도록 세팅할 수 있다.
따라서 상기 검사 장치를 사용하여 로트 단위마다 1매 이상의 기판에 대하여 상기 오버레이 패턴을 측정하고, 상기 측정한 결과를 통하여 노광에서의 상기 정렬 에 대하여 보정한다.
상기 검사 장치를 사용하여 상기 오버레이 패턴을 측정하는 일 예는 다음과 같다.
도 4는 반도체 공정에서의 오버레이 패턴을 나타내는 평면도이고, 도 5는 반도체 공정에서의 오버레이 패턴을 나타내는 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 하부 오버레이 패턴(410) 및 상부 오버레이 패턴(420)이 구비되어 있다. 상기 상부 오버레이 패턴(410)은 하부막 패턴에 해당되는 패턴으로서, 하부막 패턴을 형성할 때 함께 형성하는데, 중공(中空)의 아우트 박스(outer box) 형태로 형성한다. 이에 상기 하부 오버레이 패턴(410)은 중공의 홀(hole)을 약 20㎛로, 일측면을 약 30 내지 40㎛ 정도의 길이를 갖도록 형성한다. 상기 상부 오버레이 패턴(420)은 하부막상에 형성하는 상부막(415)을 상부막 패턴으로 형성하기 위한 패턴 마스크인 포토레지스트 패턴에 해당되는 패턴으로써, 상기 포토레지스트 패턴을 형성할 때 함께 형성하는데, 상기 하부 오버레이 패턴(410)보다 작은 면적을 갖도록 일측면을 약 10㎛ 정도의 길이로 형성한다.
상기 상부 오버레이 패턴(420)은 상기 정렬을 위한 측정 타겟(target)으로써, 상기 하부 오버레이 패턴(410)내에 상기 상부 오버레이 패턴(420)이 형성되었는 가를 측정한다. 이때 상기 상부 오버레이 패턴(420)이 상기 하부 오버레이 패턴(410)내에 허용 오차 범위를 만족하면서 형성될 때 정렬이 올바르게 이루어지는 것으로 판단한다.
이와 같이 상기 정렬을 위한 오버레이 패턴을 측정할 때 기판이 라운딩되는 횟수를 1회 또는 2회로 단축할 수 있다.
또한 상기 검사 장치를 상기 노광을 위한 노광 부재를 분석할 수 있도록 구성할 수 있다. 이에 따라 상기 검사 장치를 사용한 분석 데이터를 상기 노광 부재에 입력하여 이에 따른 보정을 실시간으로 수행할 수 있다. 때문에 상기 노광 부재의 그리드 및 렌즈 등의 성분을 파악하고, 변화 가능한 조건들에 대한 최적의 조건을 구현할 수 있다. 때문에 상기 검사 장치를 활용함으로서 제조 라인의 무인화를 구축하는 환경을 제공할 수 있다.
따라서 본 발명에 의하면, 상기 기판의 라운딩 횟수를 단축함으로서 상기 오버레이 패턴의 측정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다. 때문에 상기 측정 시간의 단축을 통하여 반도체 장치의 제조에 따른 생산성이 향상되는 효과를 기대할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (3)
- 기판상에 순차적으로 형성하는 막들의 정렬을 위한 n개 영역에 형성하는 오버레이 패턴들 중에서 제1 영역 오버레이 패턴내의 측정부들을 전부 측정하여 상기 정렬을 확인하는 단계;상기 제1 영역 오버레이 패턴내의 측정부들을 측정한 다음 제2 영역 오버레이 패턴내의 측정부들을 전부 측정하여 상기 정렬을 확인하는 단계; 및상기 제2 영역 오버레이 패턴내의 측정부들을 측정한 다음 계속해서 n번째 영역의 오버레이 패턴내의 측정부들을 전부 측정하여 상기 정렬을 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 패턴 측정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 n개 영역의 오버레이 패턴들은 5개 영역의 오버레이 패턴으로 한정하고, 상기 5개 영역의 오버레이 패턴들은 상기 기판의 중심 영역, 상기 중심 영역의 수평한 우측 주연 영역, 상기 중심 영역의 수평한 좌측 주연 영역, 상기 중심 영역의 수직한 상측 주연 영역 및 상기 중심 영역의 수직한 플렛죤 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 오버레이 패턴 측정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 오버레이 패턴은 중공의 박스 형태로 형성되고, 상기 오버레이 패턴내의 측정부들은 상기 박스 형태의 각 모서리 부근의 모서리 측정부 및 중심 부근의 중심 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 패턴 측정 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000029179A KR100552587B1 (ko) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 반도체 공정에서의 오버레이 패턴 측정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000029179A KR100552587B1 (ko) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 반도체 공정에서의 오버레이 패턴 측정 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010109553A KR20010109553A (ko) | 2001-12-12 |
| KR100552587B1 true KR100552587B1 (ko) | 2006-02-15 |
Family
ID=41742131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000029179A KR100552587B1 (ko) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 반도체 공정에서의 오버레이 패턴 측정 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100552587B1 (ko) |
-
2000
- 2000-05-30 KR KR1020000029179A patent/KR100552587B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010109553A (ko) | 2001-12-12 |
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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