KR100541151B1 - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100541151B1
KR100541151B1 KR1020030049468A KR20030049468A KR100541151B1 KR 100541151 B1 KR100541151 B1 KR 100541151B1 KR 1020030049468 A KR1020030049468 A KR 1020030049468A KR 20030049468 A KR20030049468 A KR 20030049468A KR 100541151 B1 KR100541151 B1 KR 100541151B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
copper
film
metal wiring
coating film
Prior art date
Application number
KR1020030049468A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050009653A (ko
Inventor
조일현
Original Assignee
매그나칩 반도체 유한회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 매그나칩 반도체 유한회사 filed Critical 매그나칩 반도체 유한회사
Priority to KR1020030049468A priority Critical patent/KR100541151B1/ko
Publication of KR20050009653A publication Critical patent/KR20050009653A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100541151B1 publication Critical patent/KR100541151B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • H01L21/76883—Post-treatment or after-treatment of the conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76807—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76829—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
    • H01L21/76849—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric the layer being positioned on top of the main fill metal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 본 발명의 사상은 비아홀 및 금속배선 트렌치를 형성하는 단계, 상기 비아홀 및 금속배선 트렌치의 측벽에 베리어 메탈막을 형성하는 단계, 상기 결과물 상에 구리막을 형성한 후 평탄화공정을 수행하여 비아 및 금속배선을 형성하는 단계 및 상기 비아 및 금속배선을 매립하고 있는 구리막 상부에만 구리- 코팅막을 형성하는 단계를 포함한다. 따라서 비아 및 금속배선을 매립한 구리배선 상부에 구리-코팅막을 형성함으로써, 구리배선과 베리어 메탈막간의 반응을 방지하고, 이로써 구리배선 전체저항이 증가되는 것을 방지한다.
듀얼다마신공정

Description

반도체소자의 금속배선 형성방법{Method of forming metal line in semiconductor device}
도 1 내지 도 3은 본 발명의 제1 실시예인 반도체소자의 금속배선 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 제2 실시예인 반도체소자의 금속배선 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10:제1 층간절연막 12: 구리금속배선
14: 제1 식각정지막 16:제2 층간절연막
18: 제2 식각정지막 20: 제3 층간절연막
22: 베리어 메탈막 24a: 제1 구리막
24b: 제2 구리막 26: 코팅막
28: 구리- 코팅막 30: 캡핑막
본 발명은 반도체소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체소자의 형성에 있어서 듀얼 다마신공정을 통한 금속배선 형성방법에 관한 것이다.
일반적으로 듀얼 다마신 공정을 통해 형성하는 금속배선에는 알루미늄을 주로 사용하였는데, 소자가 점차적으로 고집적화 및 고밀도화됨에 따라 알루미늄에서 저항이 작은 구리로 전환되고 있다.
종래기술에 따라 비아 및 금속배선을 형성하는 듀얼다마신 공정을 설명하면 우선, 공지된 기술에 따라 형성된 비아홀 및 금속배선 트렌치에 구리물질을 매립하여 비아 및 금속배선의 형성을 완료한다.
이 형성된 비아 및 금속배선 상부에는 캡핑막을 형성하게 되는 데, 이때 캡핑막은 상기 비아 및 금속배선에 매립된 구리물질이 층간절연막으로 확산되는 것을 방지하기 위해 형성하는 막질이다. 이 막질과 구리물질이 반응하게 되면 구리배선과 캡핑막 간의 전자이동도의 속도가 증가하게 되고 이로써, 구리배선 전체저항이 증가하게 되므로 구리물질과 캡핑막이 반응하지 않도록 해야 한다.
따라서 캡핑막과 구리물질의 반응을 방지하여 구리물질 전체저항이 증가되는 것을 방지할 수 있도록 하는 기술이 요구되고 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 듀얼다마신공정을 수행함에 있어서, 금속배선 및 비아를 매립하는 구리배선과, 상부에 형성되는 캡핑막 간의 반응을 방지할 수 있도록 하여 구리배선 전체저항이 증가되는 것을 방지할 수 있는 반도체소자의 금속배선 형성방법을 제공함에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 사상은 비아홀 및 금속배선 트렌치를 형성하는 단계, 상기 결과물 상에 구리막을 형성한 후 평탄화 공정을 수행하여 비아 및 금속배선을 형성하는 단계, 상기 비아 및 금속배선을 매립하고 있는 구리막 상부에만 구리- 코팅막을 형성하는 단계 및 상기 결과물 상에 캡핑막을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 구리- 코팅막은 상기 구리막 상부에 코팅막 형성이온을 증착하여 코팅막을 형성한 후 열처리공정을 수행하여 형성하는 것이 바람직하다.
상기 코팅막 형성이온은 Pd, Ti , Ru, Ta, W, Co, Ni, Cu, Mg, Pt 또는 WP 중 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 열처리공정은 N2 , H2 또는 Ar 기체를 이용하여 200~ 600℃ 정도의 온도에서 0.5~ 3정도의 시간동안 수행하는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 사상은 비아홀 및 금속배선 트렌치를 형성하는 단계, 상기 비아홀 및 금속배선 트렌치의 측벽에 베리어 메탈층을 형성하는 단계, 상기 결과물 상에 구리층을 형성한 후 제1 평탄화 공정을 수행하여 비아 및 금속배선을 형 성하는 단계, 상기 결과물 상에 코팅막 형성이온을 증착하여 코팅막을 형성하는 단계, 상기 결과물에 열처리공정을 수행하여 상기 코팅막을 형성하는 이온이 상기 베리어 메탈층 및 상기 구리층 내부로 이동 반응하여 상기 베리어 메탈층과 상기 코팅막 사이 및 상기 구리층 상부에 구리- 코팅막을 형성하는 단계 및 상기 코팅막, 구리- 코팅막 및 베리어 메탈층을 제1 습식식각공정과 제2 평탄화공정을 순차적으로 진행하여 제거하여, 상기 비아 및 금속배선을 매립하는 구리층 상부에만 구리- 코팅막을 형성하는 단계 및 상기 결과물 상에 캡핑막을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 열처리공정은 N2 , H2 또는 Ar 기체를 이용하여 200~ 600℃ 정도의 온도에서 0.5~ 3정도의 시간동안 수행하는 것이 바람직하다.
상기 코팅막 형성이온은 Pd, Ti , Ru, Ta, W, Co, Ni, Cu, Mg, Pt 또는 WP 중 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 제1 습식식각공정은 NH4OH/H2O2/H2O, HCl/H2O 2/H2O 또는 H2SO4/H2O2/O3/DI수용액 중 어느 하나를 사용하고, -5~ 140℃ 정도의 온도에서 10~ 30분 정도 진행하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있지만 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 막의 두께 등은 보 다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 또한 어떤 막이 다른 막 또는 반도체 기판의 '상'에 있다 또는 접촉하고 있다 라고 기재되는 경우에, 상기 어떤 막은 상기 다른 막 또는 반도체 기판에 직접 접촉하여 존재할 수 있고, 또는 그 사이에 제 3의 막이 개재되어질 수도 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 제1 실시예인 반도체소자의 금속배선 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 구리금속배선(12)이 매몰된 제1 층간 절연막(10)상에 제1 식각 정지막(14), 제2 층간 절연막(16), 제2 식각 정지막(18) 및 제3 층간 절연막(20)을 순차적으로 형성한다. 제3 층간 절연막(20)의 소정영역에 제1 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성한 후 이를 식각마스크로 제1 식각 정지막(14)까지 식각공정을 수행하여 비아홀(미도시)을 형성하고, 제1 포토레지스트 패턴(미도시)을 제거한 후 제3 층간 절연막(20)의 또 다른 소정영역에 제2 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성한 후 이를 식각마스크로 제2 식각 정지막(18)까지 식각공정을 수행하여 금속배선 트렌치(미도시)를 형성한다. 이와 같이 형성된 비아홀과 금속배선 트렌치의 측벽에 이후 형성될 구리확산 방지막으로써의 라이너(Liner)인 베리어 메탈막(barrier metal layer: 22)을 형성한다. 베리어 메탈막(22)을 구비한 비아홀과 금속배선 트렌치에 구리시드막(Cu seed layer)을 형성하고, 전기도금법으로 제1 구리막(24a)을 형성한다. 이와 같이 형성된 제1 구리막(24a)에 베리어 메탈막(22)이 노출될 때까지 H2O2와 같은 슬러리를 이용한 CMP 공정의 제1 평탄화 공정을 수행하여 구리물질로 매립된 비아(V)와 금속배선(ML)을 형성한다. 이 CMP공정의 제1 평탄화 공정에서는 제3 층간절연막(20) 상부에 증착된 제1 구리막(24a)만 제거한다.
도 2를 참조하면, 비아(V)와 금속배선(ML)이 형성된 결과물에 코팅막 형성이온을 PVD(Pressure vapor deposition) 스퍼터링(sputtering)방법에 의해 증착하여 구리막(24a)의 표면에 코팅막(26)을 형성한다. 이 코팅막 형성이온으로는 Pd이온을 주로 사용하는데, 이외에 Ti , Ru, Ta, W, Co, Ni, Cu, Mg, Pt, WP와 같은 이온을 사용할 수 있다. 이때, 코팅막(26)은 5~ 30nm정도의 두께로 형성한다. 코팅막(26)이 형성된 결과물에 열처리공정을 수행하면, 코팅막(26)을 형성한 코팅막 형성이온들이 베리어 메탈막(22) 및 구리막(24a)내부로 이동 반응하여 구리-코팅막(28)을 형성한다. 한편, 열처리공정은 N2 , H2 또는 Ar 기체를 이용하여 200~ 600℃ 정도의 온도에서 0.5~ 3정도의 시간동안 수행하는 것이 바람직하다. 이때, 베리어 메탈막(22), 구리-코팅막(28) 및 코팅막(26)이 순차적으로 적층된 구조를 가진다.
도 3을 참조하면, 구리- 코팅막(28)이 형성된 결과물에 베리어 메탈막(22)이 노출될 때까지 습식공정을 진행한다. 이 습식식각공정은 NH4OH/H2O2/H2 O, HCl/H2O2/H2O 또는 H2SO4/H2O2/O3/DI수용액을 사용하고, 이 수용액의 온도가 -5~ 140℃정도의 온도에서 10~ 30분 정도 진행하는 것이 바람직하다. 이어서 베리어 메탈막(22)에 대한 선택비가 있는 슬러리(Slurry)를 사용한 CMP공정의 제2 평탄화 공정을 제3 층간절연막(20)이 노출될 때까지 진행한다. 이 제2 평탄화공정을 통해, 금속배선(ML) 및 비아(V)에 매립된 제1 구리막(24a)의 상부에만 구리- 코팅막(28)이 남겨지도록 하고, 금속배선(ML) 및 비아(V)가 형성되지 않은 영역에는 구리- 코팅막(28) 및 베리어 메탈막(22)을 모두 제거할 수 있도록 하여, 제3 층간절연막(20)이 노출되도록 한다. 이어서 결과물 상에 SiN, SiC 또는 SiCN 등의 막으로 캡핑막(30)을 형성하여 본 공정을 완료한다.
본 발명에 의하면, 상기 비아 및 금속배선을 매립한 구리배선 상부에 구리-코팅막을 형성함으로써, 구리배선과 캡핑막 간의 전자이동도가 감소하게 된다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 제2 실시예인 반도체소자의 금속배선 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4를 참조하면, 상기 제1 실시 예에서의 구리막 형성공정과 동일하게 진행하는 데, 이때, 베리어 메탈막(22)이 노출될 때까지 CMP 공정을 진행한 제1 실시예와는 달리, 제3 층간절연막(20) 상부에 소정높이가 남겨지도록 CMP 공정과 같은 제1 평탄화 공정을 수행한다. 따라서 비아홀과 금속배선트렌치의 형성이 완료되지 않은 상태이고, 베리어 메탈막(22) 상부에 소정높이가 남겨진 구리막(24b)을 구비한다.
도 5를 참조하면, 비아홀과 금속배선트렌치를 매립한 구리막(24b)이 구비된 결과물에 코팅막 형성이온을 PVD 스퍼터링방법에 의해 증착하여 구리막(24b)의 표면에 코팅막(26)을 형성한다. 이때, 코팅막(26)은 5~ 30nm정도의 두께로 형성한다. 코팅막(26)이 형성된 결과물에 열처리공정을 수행하면, 코팅막(26)을 형성한 코팅막 형성이온들이 베리어 메탈막(22) 및 구리막(24b)내부로 이동 반응하여 구리-코 팅막(28)을 형성한다. 한편, 열처리공정은 N2 , H2 또는 Ar 기체를 이용하여 200~ 600℃ 정도의 온도에서 0.5~ 3정도의 시간동안 수행하는 것이 바람직하다. 이때, 베리어 메탈막(22), 구리-코팅막(28) 및 코팅막(26)이 순차적으로 적층된 구조를 가진다.
도 6을 참조하면, 구리- 코팅막(28)이 형성된 결과물에 습식공정을 베리어 메탈막(22)이 노출될 때까지 진행한다. 이 습식식각공정은 NH4OH/H2O2/H 2O, HCl/H2O2/H2O 또는 H2SO4/H2O2/O3/DI수용액을 사용하고, 이 수용액의 온도가 -5~ 140℃정도의 온도에서 10~ 30분 정도 진행하는 것이 바람직하다. 이어서 이 노출된 베리어 메탈막(22)에 대한 선택비가 있는 슬러리(Slurry)를 사용한 CMP공정의 제2 평탄화공정을 제3 층간절연막(20)이 노출될 때까지 진행하여 구리- 코팅막(28)이 상부에 위치한 구리물질로 매립된 비아(V)와 금속배선(ML)을 형성한다. 이 제2 평탄화 공정을 통해, 금속배선(ML) 및 비아(V)를 매립하는 제2 구리막(24b)의 상부에만 구리- 코팅막(28)이 남겨지도록 하고, 금속배선 및 비아가 형성되지 않은 영역에는 구리- 코팅막(28) 및 베리어 메탈막(22)을 모두 제거할 수 있도록 하여, 제3 층간절연막(20)이 노출되도록 한다. 이어서 결과물 상에 SiN, SiC 또는 SiCN 등의 막으로 캡핑막(30)을 형성하여 본 공정을 완료한다.
본 발명에 의하면, 상기 비아 및 금속배선을 매립한 구리배선 상부에 구리-코팅막을 형성함으로써, 구리배선과 캡핑막 간의 전자이동도가 감소하게 된다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 상기 비아 및 금속배선을 매립한 구리배선 상부에 구리-코팅막을 형성함으로써, 구리배선과 캡핑막 간의 전자이동도가 감소하게 되어, 구리배선과 캡핑막간의 반응을 방지하여 구리배선 전체저항이 증가되는 것을 방지하는 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 실시 예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다.

Claims (8)

  1. 하부금속배선이 형성된 반도체 기판상에 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막을 패터닝하여 상기 하부금속배선을 노출하는 비아홀 및 금속배선 트렌치를 형성하는 단계;
    상기 비아홀 및 금속배선 트렌치가 형성된 결과물 상에 구리막을 형성한 후 평탄화 공정을 수행하여 비아 및 금속배선을 형성하는 단계;
    상기 비아 및 금속배선이 형성된 결과물 상부에 코팅막 형성이온을 증착하여 코팅막을 형성한 후 열처리공정을 수행하여 상기 구리막 상부에만 구리- 코팅막을 형성하는 단계; 및
    상기 구리-코팅막이 형성된 결과물 상에 캡핑막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
  2. 삭제
  3. 제2 항에 있어서, 상기 코팅막 형성이온은
    Pd, Ti , Ru, Ta, W, Co, Ni, Cu, Mg, Pt 또는 WP 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
  4. 제2 항에 있어서, 상기 열처리공정은
    N2 , H2 또는 Ar 기체를 이용하여 200~ 600℃ 정도의 온도에서 0.5~ 3정도의 시간동안 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
  5. 하부금속배선이 형성된 반도체 기판상에 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막을 패터닝하여 상기 하부금속배선을 노출하는 비아홀 및 금속배선 트렌치를 형성하는 단계;
    상기 비아홀 및 금속배선 트렌치의 측벽에 베리어 메탈층을 형성하는 단계;
    상기 베리어 메탈층이 형성된 결과물 상에 구리층을 형성한 후 제1 평탄화 공정을 수행하여 비아 및 금속배선을 형성하는 단계;
    상기 비아 및 금속배선이 형성된 결과물 상에 코팅막 형성이온을 증착하여 코팅막을 형성하는 단계;
    상기 코팅막이 형성된 결과물에 열처리공정을 수행하여 상기 코팅막을 형성하는 이온이 상기 베리어 메탈층 및 상기 구리층 내부로 이동 반응하여 상기 베리어 메탈층과 상기 코팅막 사이 및 상기 구리층 상부에 구리- 코팅막을 형성하는 단계; 및
    상기 코팅막, 구리- 코팅막 및 베리어 메탈층을 제1 습식식각공정과 제2 평탄화공정을 순차적으로 진행하여 제거하여, 상기 비아 및 금속배선을 매립하는 구리층 상부에만 구리- 코팅막을 형성하는 단계; 및
    상기 구리-코팅막이 형성된 결과물 상에 캡핑막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 열처리공정은
    N2 , H2 또는 Ar 기체를 이용하여 200~ 600℃ 정도의 온도에서 0.5~ 3정도의 시간동안 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
  7. 제5 항에 있어서, 상기 코팅막 형성이온은
    Pd, Ti , Ru, Ta, W, Co, Ni, Cu, Mg, Pt 또는 WP 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
  8. 제5 항에 있어서, 상기 제1 습식식각공정은
    NH4OH/H2O2/H2O, HCl/H2O2/H2O 또는 H2SO4/H2O2/O3/DI수용액 중 어느 하나를 사용하고, -5~ 140℃ 정도의 온도에서 10~ 30분 정도 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
KR1020030049468A 2003-07-18 2003-07-18 반도체 소자의 금속배선 형성방법 KR100541151B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030049468A KR100541151B1 (ko) 2003-07-18 2003-07-18 반도체 소자의 금속배선 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030049468A KR100541151B1 (ko) 2003-07-18 2003-07-18 반도체 소자의 금속배선 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050009653A KR20050009653A (ko) 2005-01-25
KR100541151B1 true KR100541151B1 (ko) 2006-01-11

Family

ID=37222354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030049468A KR100541151B1 (ko) 2003-07-18 2003-07-18 반도체 소자의 금속배선 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100541151B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100744247B1 (ko) * 2005-12-28 2007-07-30 동부일렉트로닉스 주식회사 구리 배선 형성 방법
KR101006522B1 (ko) * 2008-08-08 2011-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속배선 및 그의 형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050009653A (ko) 2005-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9287213B2 (en) Integrated circuits with improved contact structures
US7335590B2 (en) Method of fabricating semiconductor device by forming diffusion barrier layer selectively and semiconductor device fabricated thereby
US7553756B2 (en) Process for producing semiconductor integrated circuit device
KR100599434B1 (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
US6503830B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device
US8377820B2 (en) Method of forming a metallization system of a semiconductor device by using a hard mask for defining the via size
US7589021B2 (en) Copper metal interconnection with a local barrier metal layer
US20120129338A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device
KR100519169B1 (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
US7955971B2 (en) Hybrid metallic wire and methods of fabricating same
KR101141214B1 (ko) 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법
US7732326B2 (en) Semiconductor device having a second level of metallization formed over a first level with minimal damage to the first level and method
KR100541151B1 (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR20080114056A (ko) 반도체 소자의 배선 및 그의 형성방법
KR20070005870A (ko) 반도체 소자의 구리 금속배선 형성방법
KR101107229B1 (ko) 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법
US20060226549A1 (en) Semiconductor device and fabricating method thereof
US20060172528A1 (en) Methods of manufacturing semiconductor devices
KR100945503B1 (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
US20050184288A1 (en) Semiconductor device having a second level of metallization formed over a first level with minimal damage to the first level and method
US20090026624A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing metal line thereof
KR100774642B1 (ko) 반도체 소자의 구리배선 형성방법
US20230378255A1 (en) Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same
KR101098920B1 (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR100571386B1 (ko) 반도체 소자의 구리 배선 및 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121121

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131118

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141119

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151118

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161118

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171117

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181120

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191119

Year of fee payment: 15