KR100536610B1 - 프로브 스테이션 교정 도구 - Google Patents

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Abstract

프로브 스테이션 교정 도구를 제공한다. 이 장치는 평평한 하부면을 갖는 원반, 상기 원반에 삽입되는 복수개의 온도 센서들 및 상기 원반 상에 배치되는 수준기들을 구비한다. 또한, 상기 원반에는 외부 장치의 높이 또는 경사를 측정하기 위한 확장 수준 장치 및 카메라 교정 기구가 더 배치될 수 있다.

Description

프로브 스테이션 교정 도구{Apparatus For Calibrating Probe Station}
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 특히 프로브 스테이션을 유지/보수하기 위해 사용되는 교정 도구에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 상에는 복수개의 칩들이 규칙적으로 배열된다. 상기 칩 각각에는, 수많은 전자 소자들(예를 들면, 트랜지스터들, 커패시터들, 저항체들 및 이들을 연결하는 배선들) 및 상기 전자 소자들과 전기적으로 접속하기 위한 복수개의 본딩 패드들(bonding pads)이 다양한 공정 단계들을 통해 형성된다. 이때, 상기 전자 소자들은 상기 칩의 용도에 따른 고유한 기능을 수행할 수 있도록, 물리적 구조 및 전기적 연결을 형성한다.
한편, 다양한 환경에서 각 칩들의 정상적인 동작을 위해서, 상기 전자 소자들은 설계된 바에 따라 제조되어야 한다. 하지만, 반도체 제조 과정의 각 단계는 잘못된 공정 조건, 장비의 불량 또는 작업자의 실수 등과 같은 다양한 제품 불량의 원인들을 수반한다. 이에 따라, 많은 단계들을 통해 제조된 결과물인 상기 칩들은 의도되지 않은 품질 불량을 내포(imply)할 수 있다. 불량한 품질의 칩들이 상품화되어 판매되는 것을 예방하기 위해, 상기 칩들을 패키지하기 전에, 즉 웨이퍼 단계(wafer level)에서 상기 칩들을 전기적으로 테스트하는 단계가 필요하다. 이러한 테스트는 패키지된 칩을 테스트하는 '패키지 테스트(package test)'와 구별하여 '웨이퍼 테스트(wafer test)'라고 한다. 상기 웨이퍼 테스트는 상기 칩들을 생산하는 동안 발생한 불량의 원인을 분석하여, 반도체 제품의 제조 공정을 피드백시키는 용도로도 사용된다.
상기 웨이퍼 테스트을 위해 사용되는 장비에는 테스터(tester) 및 프로브 스테이션(probe station)이 포함된다. 상기 테스터는 상기 칩들이 입력되는 전기적 신호(electrical input signal)에 대해 정상적으로 기능하는지를 알아보기 위한 장치로서, 소정의 테스트 프로그램이 내장된 컴퓨터, 전기적 신호 발생 장치(electrical signal source units) 및 전기적 신호 센싱 장치들(electrical signal measurement units)을 구비한다. 한편, 상기 프로브 스테이션은 상기 칩들이 전기적으로 테스트될 수 있도록, 복수개의 탐침 바늘들(probing needles)을 갖는 프로브 카드(probe card)를 상기 칩들에 정확히 정렬/접촉시키는 장치이다. 이를 위해, 상기 프로브 스테이션은 상기 프로브 카드, 상기 웨이퍼가 로딩되는 웨이퍼 척(wafer chuck) 및 상기 웨이퍼 척의 위치를 3차원적으로 변경시킬 수 있는 웨이퍼 척 이동 장치들을 구비한다.
빠르면서, 정확한 웨이퍼 테스트를 위해서는 상기 프로브 스테이션, 특히 상기 웨이퍼 척을 정기적으로 점검/보수하는 과정이 필요하다. 한편, 상기 웨이퍼 척과 관련되어, 점검해야하는 항목들에는 1) 웨이퍼 척의 수평도, 2) 웨이퍼 척의 온도, 3) 웨이퍼 척의 진공 압력, 4) 웨이퍼 척에 대한 침연반(needle cleaning unit)의 경사 5) 카메라 성능, 및 6) 프로브 스테이션의 수평도 등이 있다. 한편, 종래 기술에 따르면, 상술한 항목들을 각각 별도의 도구들(tools)을 사용하여, 별도의 단계에서 점검한다. 이러한 종래 기술에 따르면, 각 항목을 위한 도구를 준비/관리하기 어렵고, 불필요한 점검 시간이 소요된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 효율적인 프로브 스테이션의 점검 및 보수를 가능하게 하는 교정 장치를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 프로브 스테이션의 여러 점검 항목들을 한번에 확인할 수 있는 교정 장치를 제공한다. 이 장치는 평평한 하부면을 갖는 원반, 상기 원반에 삽입되는 복수개의 온도 센서들(thermo-sensors) 및 상기 원반 상에 배치되는 수준기(level)을 구비한다.
이때, 상기 원반는 금속성 물질들, 절연성 물질들 및 실리콘 원자를 포함하는 화합물들 중에서 선택된 적어도 한가지 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 수준기는 기포관 수준기(spirit level) 또는 전자 수준기(digital level) 중의 한가지이고, 상기 온도 센서는 열전대(thermocouple), 써미스터, 백금저항 온도계, 유리 온도계, IC 온도 센서, 바이 메탈, 감온페라이트, 수정 온도계 및 NQR 온도계 중에서 선택된 한가지인 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 원반의 일측에는 상기 온도 센서들과 전기적으로 연결되는 연결기(connector)가 더 배치된다. 또한, 상기 원반의 소정 영역에는 열전도도가 낮은 물질로 이루어진 손잡이를 더 배치될 수 있다.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 상기 원반의 상부면 일측에는, 상기 원반의 외부에 배치되는 소정의 장치의 높이를 측정하기 위한 확장 수준 장치가 더 배치될 수 있다. 이때, 상기 확장 수준 장치는 기포관 수준기 또는 전자 수준기 중의 한가지이다. 바람직하게는, 상기 원반는 상기 확장 수준 장치가 상하로 움직일 수 있도록, 소정 깊이의 홈을 구비한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 원반의 일측에는 카메라 교정 기구(camera calibration tool)가 더 배치될 수 있다. 이때, 상기 카메라 교정 기구는 카메라의 이미지를 보정하기 위해 사용되는, 소정의 무늬들이 새겨진 유리판을 구비하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
도 1은 웨이퍼 척을 갖는 일반적인 프로브 스테이션의 주요 부분들을 보여주는 사시도이다.
도 1을 참조하면, 상기 프로브 스테이션(100)은 x-축 미세 운동 장치(x-axis micro-scale movement mechanism, 10), y-축 미세 운동 장치(y-axis micro-scale movement mechanism, 12), 상승/하강 장치(ascending/descending mechanism, 14), 회전 장치(rotation mechanism, 16) 및 웨이퍼 척(wafer chuck, 20)을 구비한다.
상기 x-축 미세 운동 장치(10) 및 y-축 미세 운동 장치(12)는 각각 소정의 가이드들(guides)과 소정의 구동 장치들(11, 13)을 구비한다. 또한, 상기 웨이퍼 척(20)에는 복수개의 진공 홀들(vacuum holes, 54)이 형성되고, 상기 진공 홀들(54)은 소정의 배관(pipe, 52)을 통해 진공 펌프(미도시)에 연결된다. 상기 진공 펌프와 상기 웨이퍼 척(20) 사이에는 상기 배관(52)에 의해 연결되는 진공 압력계(vacuum gauge, 56)가 부착된다. 이에 더하여, 상기 웨이퍼 척(20)의 주변에는 침연반(needle cleaning unit, 30) 및 카메라(camera, 40)가 배치된다.
종래 기술에서 언급한 것처럼, 상기 웨이퍼 척(20)과 관련하여 점검해야하는 항목들에는 1) 웨이퍼 척의 수평도(gradient), 2) 웨이퍼 척의 온도, 3) 웨이퍼 척의 진공 압력, 4) 웨이퍼 척에 대한 침연반(needle cleaning unit)의 경사(angle) 5) 카메라 성능, 및 6) 프로브 스테이션의 수평도 등이 있다.
상기 '웨이퍼 척의 수평도'는 프로브 카드(60)의 탐침들(62)이 웨이퍼의 모든 위치에서 같은 깊이로 접촉되기 위해, 점검해야 하는 항목이다. 즉, 상기 '웨이퍼 척의 수평도'가 정확하게 조절되지 않을 경우, 상기 프로브 카드의 탐침들은 상기 웨이퍼의 소정 위치에서 적절한 접촉 깊이를 가질지라도 다른 위치에서는 접촉되지 않거나 과도하게 접촉될 수 있다.
한편, 상기 웨이퍼 척(20)은 상기 x-축 미세 운동 장치(10) 및 y-축 미세 운동 장치(12) 상에서 움직인다. 따라서, 상기 '웨이퍼 척의 수평도'가 올바른 값을 갖기 위해서는, 상기 웨이퍼 척(20)의 상부면은 상기 x 및 y-축 미세 운동 장치(10, 12)의 이동 방향과 평행해야 한다. 통상적으로, 상기 x-축 미세 운동 장치(10) 및 y-축 미세 운동 장치(12)의 이동 방향은 물의 상부면(즉, 물체의 자유 낙하 방향에 수직한 평면)에 평행하도록 조절된다. 이에 따라, 상기 웨이퍼 척(20)의 수평도를 맞추기 위해서는, 상기 웨이퍼 척(20)의 상부면을 물의 상부면에 평행하도록 조절한다. 통상적으로, 수준기(level)가 상기 웨이퍼 척(20)의 수평도를 교정하기 위해 사용된다.
또한, 상술한 것처럼 상기 x 및 y-축 미세 운동 장치(10, 12) 역시 물의 상부면에 평행한 이동 방향을 갖는 것이 필요하다. 이러한 필요성에 따라 점검하는 항목이 상술한 '프로브 스테이션의 수평도'이다. 상기 프로브 스테이션의 수평도를 정확히 조절하기 위해서는, 상기 x 및 y-축 미세 운동 장치(10, 12)가 모두 물의 상부면에 평행하게 운동하는 것이 필요하다. 이 항목은 x-축 미세 운동 장치(10) 및 y-축 미세 운동 장치(12) 각각에 대해, 상술한 수준기를 사용함으로써 교정될 수 있다.
한편, 상기 웨이퍼 척(20)의 평면적 운동은 기계적 방법이 아니라 전자기적 방법을 통해 달성될 수도 있다(도 2 참조). 즉, 상기 웨이퍼 척(20)은 소정의 지지판(70) 상에 배치되고, 상기 지지판(70) 아래에는 (상기 웨이퍼 척(20)의 평면적 운동을 가능하게 하는) 전자기적 이송 장치가 배치된다. 이때, 상기 웨이퍼 척(20)을 포함하는 소정의 기계 장치들은 전자기적 힘에 의해 상기 지지판(70)으로 부터 소정 간격만큼 부상될 수 있다. 이러한 방식의 프로브 스테이션(100)에서, 상기 '프로브 스테이션의 수평도'는 상기 지지판(70) 상부면의 수평도를 의미한다. 따라서, 상기 프로브 스테이션의 수평도를 확인하기 위해서는, 바람직하게는, 상술한 수준기를 사용하여 상기 지지판(70)의 상부면의 수평도를 측정하는 과정이 요구된다.
상기 웨이퍼 테스트는 상온에서 뿐만이 아니라 대략 85℃의 고온에서도 실시될 수 있다. 상기 웨이퍼 테스트를 의도된 정확한 온도에서 실시하기 위해, 상기 웨이퍼 척(20)의 가열된 온도를 점검하는 항목이 상기 '웨이퍼 척의 온도'이다. 상기 웨이퍼 척(20)은 위치에 따라 다른 온도로 가열될 수도 있으므로, 복수의 위치들에서 상기 웨이퍼 척(20)의 온도를 측정하는 것이 바람직하다. 통상적으로, 상기 웨이퍼 척(20)의 온도는 중심(center), 위(top), 아래(bottom), 좌(left) 및 우(right)의 5곳에서 측정된다.
상술한 것처럼, 상기 웨이퍼 척(20)은 그 상부에 로딩된 웨이퍼를 평면적으로 이동시키는 장치로서, 상기 웨이퍼는 상기 웨이퍼 척(20)에 고정된다. 상기 진공 홀들(54), 상기 진공 펌프, 상기 배관(52) 및 상기 진공 압력계(56) 등은 상기 웨이퍼 척(20)에 상기 웨이퍼를 고정시키기 위해 사용되는 장치들이다. 하지만, 진공 압력이 낮을 경우, 상기 웨이퍼 척(20)이 이동하는 동안 상기 웨이퍼가 미끄러지는 현상이 발생될 수 있다. 상기 웨이퍼 척의 진공 압력 항목은 이러한 미끄러짐 현상을 예방하기 위해 실시된다.
상기 탐침들(62)은 상기 웨이퍼 상에 형성된 본딩 패드에 기계적으로 접촉한다. 이때, 상기 탐침들(62)은 통상적으로 상기 본딩 패드에 비해 경도(hardness)가 큰 금속성 물질이다. 이에 따라, 상술한 기계적 접촉을 반복할 경우, 상기 탐침(62)의 끝 부분이 지저분해질 수 있으며, 상기 침연반(40)은 이처럼 지저분해진 탐침들(62)을 청소하기 위한 장치이다. 이러한 탐침들(62)의 청소 과정은 상기 웨이퍼 테스트 전 또는 후에 상기 침연반(40)의 상부면에 상기 프로브 카드(60)의 탐침들(62)을 접촉시키는 단계를 포함한다. 상기 탐침들(62)의 청소를 위해, 상기 침연반(40)은 상기 웨이퍼 척(20)의 상부면과 평행한 것이 바람직하다. 이에 더하여, 상기 침연반(40)의 높이는 상기 로딩된 웨이퍼의 상부면과 유사한 높이인 것이 바람직하다. 상기 '웨이퍼 척에 대한 침연반의 경사' 항목은 상기 침연반(40)과 상기 웨이퍼 척(20)의 상부면들 사이의 수평도 차이 및 높이의 차이를 점검하기 위해 실시된다.
상기 카메라(30)는 상기 웨이퍼 척(20)의 일 측에 배치되어, 상기 프로브 카드 탐침들(62)의 이미지를 제공한다. (상술한 것처럼, 본딩 패드와의 기계적 접촉에 따른) 상기 탐침들(62)의 오염 및 배열 상태 등을 모니터링하기 위해, 상기 카메라(30)가 사용된다. 상기 '카메라 성능'은 상기 탐침들(62)에 대한 최상의 이미지를 얻기 위해 점검되며, 초점 거리, 밝기 및 명암 등의 성능들이 조절될 수 있다. 이러한 성능의 조절을 위해, 소정의 광학적 표시를 갖는 교정 장치가 사용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로브 스테이션 교정 장치를 보여주는 사시도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 프로브 스테이션 교정 장치(200)는 평평한 하부면을 갖는 원반(disk, 210)을 포함한다. 상기 원반(210)은 다양한 크기로 제작될 수 있으며, 바람직하게는 200㎜ 또는 300㎜의 직경을 갖는다. 상기 원반(210)의 평평한 하부면때문에, 본 발명의 프로브 스테이션 교정 장치(200)는 상기 '웨이퍼 척의 진공 압력'을 측정하는 단계에서 사용될 수 있다. 즉, 상기 교정 장치(200)는 실제 웨이퍼를 대신하여 상기 웨이퍼 척(20)의 상부에 밀착하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 교정 장치(200)를 상기 웨이퍼 척(20) 상에 배치한 후, 상기 진공 압력계(56)의 수치를 확인하는 과정을 통해 용이하게 진공 압력을 확인할 수 있다.
상기 원반(210)은 금속성 물질들, 절연성 물질들 및 실리콘 원자를 포함하는 화합물들 중에서 선택된 적어도 한가지 물질로 형성된다. 또한, 상기 원반(210)은 다층 구조일 수 있으며, 바람직하게는 하부층(212)과 상부층(214)을 포함하는 이중 구조이다. 상기 하부층(212)은 열전도도가 높은 금속성 물질이며, 바람직하게는 알루미늄으로 형성된다. 상기 상부층(214)은 열전도도가 낮은 절연성 물질일 수 있다.
상기 원반(210)의 상부면에는 적어도 2개의 수준기들(220)이 배치된다. 상기 수준기들(220)은 서로 다른 방향의 경사를 측정하도록 배치되며, 바람직하게는 서로 직각으로 배치되는 것이 바람직하다. 상기 수준기(220)로는 기포관 수준기(spirit level) 또는 전자 수준기(digital level)가 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 교정 장치(200)는 두개의 기포관 수준기들 및 두개의 전자 수준기들을 포함한다.
상기 원반(210)의 일측에는 확장 수준 장치(230)가 배치된다. 상기 확장 수준 장치(230)는 상기 웨이퍼 척(20)의 상부면을 기준으로 임의의 외부 장치의 높이 및 상부면 경사를 측정하는 용도로 사용된다. 상기 외부 장치는 통상적으로 상기 웨이퍼 척(20)의 외부에 인접하여 배치되는 장치이며, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 상기 침연반(40)에 해당한다. 높이 및 경사를 측정을 위해, 상기 확장 수준 장치(230)는 상기 원반(210)에 연결되는 소정의 축(235)을 중심으로 회전할 수 있는 막대(232)를 포함한다(도 5를 참조). 상기 막대(232)의 상부에는, 상기 막대(232)의 경사도를 나타내는 수준기(234)가 배치된다. 이때, 상기 수준기(234)는 경사도를 쉽게 판독하는 것이 가능한 전자 수준기인 것이 바람직하다.
또한, 상기 막대(232)가 상기 축(235)을 중심으로 아래 방향으로 기울어지는 것이 가능하도록, 상기 원반(210)의 상부면에는 소정 깊이의 홈(238)이 형성된다(도 5를 참조). 또한, 상기 막대(232)에는 상기 원반(210)으로부터 상기 외부 장치까지의 거리를 표시하는 눈금이 그려질 수 있다. 상기 외부 장치와 상기 웨이퍼 척(20)의 상부면들 사이의 높이 차이는 측정된 거리 및 경사각 그리고 삼각함수를 사용하여 계산할 수 있다. 또한, 상기 홈(238)은 상기 원반(210)보다 낮은 상부면을 갖는 외부 장치의 높이 또는 경사를 측정할 수 있도록, 상기 원반(210)의 하부면에 대해 기울어질 수도 있다. 즉, 상기 홈(238)은 상기 축(235)이 결합되는 영역에서의 깊이(h1)보다 상기 원반(210)의 테두리에서의 깊이(h2)가 더 깊도록 형성된다.
상기 원반(210)의 또다른 일측에는 상기 카메라(30)의 성능을 점검하기 위한 카메라 교정 기구(240)가 배치된다. 상기 카메라 교정 기구(240)는 상기 원반(210) 내로 삽입될 수 있다. 상기 카메라 교정 기구(240)에는 소정의 광학적 무늬가 그려진 유리판(242)이 배치된다. 상기 유리판(242)에 그려진 상기 광학적 무늬는 상기 탐침들(62)을 대신하여 상기 카메라(40)의 성능을 평가하기 위한 용도로 사용된다.
이에 더하여, 상기 원반(210)에는 상기 웨이퍼 척(20)의 온도를 측정하기 위한 온도 센서들(250)이 배치된다. 상기 온도 센서들(250)은 열전대(thermocouple), 써미스터(Thermistor), 백금저항 온도계(Platinum resistance thermometer), 유리 온도계, IC 온도 센서, 바이 메탈(bimetal), 감온 페라이트(ferrite), 수정 온도계 및 NQR 온도계 중의 한가지일 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 온도 센서들(250)은 상술한 것처럼, 상기 웨이퍼 척(20)의 중심(center), 한(top), 아래(bottom), 좌(left) 및 우(right)의 5곳에서 온도를 측정하도록 배치된다.
한편, 상기 온도 센서들(250)은 측정된 결과를 전자적으로 표시(display)하는 것이 가능한 종류일 수 있다. 이러한 경우, 도 4에 도시한 것처럼, 각각의 온도 센서(250)는 배선(253)을 통해 상기 원반(210)의 소정 영역에 배치되는 연결기(255)에 전기적으로 연결되는 것이 바람직하다. 이처럼 상기 연결기(255)를 구비하는 경우, 측정된 온도를 확인하기 위해, 상기 온도 센서들(250) 각각에 전선을 연결해야하는 작업을 간략화할 수 있다. 도시하지는 않았지만, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 척(20)의 경사를 조정하기 위해 원격 제어 컴퓨터를 사용할 수 있다. 이러한 경우, 상기 연결기(255)는 상기 원반(210)에 배치된 수준기들(220)과 전기적으로 연결되어 상기 원격 제어 컴퓨터에 상기 웨이퍼 척(20)의 경사에 대한 정보를 전송할 수도 있다.
또한, 상기 프로브 스테이션 교정 도구(200)를 상기 웨이퍼 척(20)의 상부면으로부터 용이하게 회수하기 위한 손잡이(260)가 상기 원반(210)의 소정영역에 더 배치될 수도 있다. 상술한 것처럼, 빠르고 정확한 웨이퍼 척의 온도 측정을 위해, 상기 하부층(212)은 열전도도가 높은 물질로 형성한다. 이 경우, 상기 웨이퍼 척(20)의 온도를 측정한 후, 가열된 상기 교정 도구(200)를 회수하기 위해서는 소정의 시간동안 상기 교정 도구(200)를 냉각시키는 것이 필요하다. 상기 손잡이(260)는 이러한 냉각 시간을 불필요하게 만든다.
상술한 것처럼, 본 발명에 따른 교정 장치(200)는 1) 웨이퍼 척의 수평도, 2) 웨이퍼 척의 온도, 3) 웨이퍼 척의 진공 압력, 4) 웨이퍼 척에 대한 침연반의 경사 및 5) 카메라 성능을 한번에 측정할 수 있다. 또한, 이 교정 장치(200)는 웨이퍼 척(20)의 수평도에 영향을 주는 프로브 스테이션의 수평도를 점검/보수하는 용도로도 사용될 수 있다. 이에 따라, 프로브 스테이션의 점검/보수 과정을 효율적으로 진행할 수 있다.
본 발명에 따르면, 프로브 스테이션의 여러가지 점검 항목들을 한번에 측정할 수 있는 교정 장치를 제공한다. 이에 따라, 프로브 스테이션의 점검/보수 과정을 효율적으로 진행할 수 있어, 반도체 장치의 제조 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 프로브 스테이션 교정 장치는 설치, 회수, 보관 및 휴대가 간편하여, 작업자가 편리한 사용이 가능하다.
도 1은 웨이퍼 척을 갖는 일반적인 프로브 스테이션의 주요 부분들을 보여주는 사시도이다.
도 2는 웨이퍼 척을 갖는 또다른 일반적인 프로브 스테이션의 주요 부분들을 보여주는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로브 스테이션 교정 장치를 보여주는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로브 스테이션 교정 장치에서, 온도 센서들과 연결기 사이의 배선 연결을 보여주는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로브 스테이션 교정 장치에서, 확장 수준 장치와 원반의 결합 구조를 보여주는 부분 사시도이다.

Claims (11)

  1. 평평한 하부면을 갖는 원반;
    상기 원반에 삽입되는 복수개의 온도 센서들(thermosensors); 및
    상기 원반 상에 배치되는 수준기(level)을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척 교정 도구.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 원반는 금속성 물질들, 절연성 물질들 및 실리콘 원자를 포함하는 화합물들 중에서 선택된 적어도 한가지 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척 교정 도구.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 수준기는 기포관 수준기(spirit level) 또는 전자 수준기(digital level) 중의 한가지인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척 교정 도구.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 온도 센서는 열전대(thermocouple), 써미스터, 백금저항 온도계, 유리 온도계, IC 온도 센서, 바이 메탈, 감온페라이트, 수정 온도계 및 NQR 온도계 중에서 선택된 한가지인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척 교정 도구.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 원반의 일측에 배치되는 연결기(connector)를 더 구비하되, 상기 연결기는 상기 온도 센서들과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척 교정 도구.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 원반의 상부면 일측에 부착되어, 상기 원반의 외부에 배치되는 소정의 장치의 높이를 측정하기 위한 확장 수준 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척 교정 도구.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 확장 수준 장치는 기포관 수준기 또는 전자 수준기 중의 한가지를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척 교정 도구.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 원반는 상기 확장 수준 장치가 상하로 움직일 수 있도록, 소정 깊이의 홈을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척 교정 도구.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 원반의 일측에 배치되는 카메라 교정 기구(camera calibration tool)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척 교정 도구.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 카메라 교정 기구는 카메라의 이미지를 보정하기 위해 사용되는, 소정의 무늬들이 새겨진 유리판을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 척 교정 도구.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 원반의 소정 영역에 배치되되, 열전도도가 낮은 물질로 이루어진 손잡이를 더 구비하는 웨이퍼 척 교정 도구.
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