KR100524955B1 - 디스크 드라이브를 위한 보이스 코일 액츄에이터에서의채널 칩으로부터 헤드 슬라이더까지의 단일 부품 인터커넥트 - Google Patents

디스크 드라이브를 위한 보이스 코일 액츄에이터에서의채널 칩으로부터 헤드 슬라이더까지의 단일 부품 인터커넥트 Download PDF

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KR100524955B1 KR10-2003-0017065A KR20030017065A KR100524955B1 KR 100524955 B1 KR100524955 B1 KR 100524955B1 KR 20030017065 A KR20030017065 A KR 20030017065A KR 100524955 B1 KR100524955 B1 KR 100524955B1
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Abstract

단일 플렉스 인터커넥션 회로는 커넥터, 적어도 프리앰프를 포함하는 전자공학적인 구성요소들, 및 적어도 하나의 MR 읽기-쓰기 헤드를 본딩한다. 플렉스 인터커넥션 회로는 수반된 라인들 각각에 대한 최소의 본드 수를 제공한다. 최소의 본드 수는 이들 라인상에서 최소화된 기생 캐패시턴스 및 인턱덕스를 제공한다. 플렉스 인터커넥션 회로를 만드는 방법은 최소의 본딩 단계 수, 제조 비용 최소화를 요구한다. 본 발명은 플렉스 인터커넥션 기판, 기판에 조립된 플렉스 인터커넥션 회로, 액츄에이터 및 플렉스 인터커넥션 회로에 의거하여 조립된 디스크를 포함한다.

Description

디스크 드라이브를 위한 보이스 코일 액츄에이터에서의 채널 칩으로부터 헤드 슬라이더까지의 단일 부품 인터커넥트{One piece interconnect from channel chip to head slider in a voice coil actuator for a disk drive}
본 발명은 디스크 드라이브에서 사용되는 보이스 코일 액츄에이터에서의 채널 칩에 헤드 슬라이더에서의 읽기-쓰기 헤드를 인터커넥션(interconnection) 하는 것에 관한 것이다.
디스크 드라이브는 몇몇 중대한 구성요소에 바탕을 두고 있는 중요한 데이터 저장 기술이다. 이들 구성요소는 데이터 저장매체를 내포하고 있는 디스크 면과 실제적으로 통신하는 읽기/쓰기 헤드와 디스크 드라이브의 읽기/쓰기 인터페이스 사이의 인터커넥션을 포함한다. 디스크 드라이브에서 큰 진전이 있었지만, 여전히 풀어야할 문제들이 있다.
도 1a는 보이스 코일(32)을 가지는 액츄에이터 아암(30), 액츄에이터 축(40), 디스크들 사이에 위치된 슬라이더/헤드 유니트(60)를 가지는 서스펜션 또는 헤드 아암(50-58)을 포함하는 통상적인 종래의 고용량 디스크 드라이브(10)를 보여준다.
도 1b는 보이스 코일(32)을 가지는 액츄에이터 아암(30), 액츄에이터 축(40), 헤드 아암(50-56) 및 디스크가 제거된 상태에서의 슬라이더/헤드 유니트(60-66)를 포함하는 액츄에이터(20)를 가지는 통상적인 종래의 고용량 디스크 드라이브(10)를 보여준다.
1980년대 이래로, 고용량 디스크 드라이브(10)는 그 읽기-쓰기 헤드들을 특정 트랙 상에 위치시키기 위해 보이스 코일 액츄에이터(20-66)를 사용해왔다. 상기 헤드들은 작동시 디스크 드라이브 표면에서 약간 떨어져 표류하는 헤드 슬라이더(60-66) 상에 설치된다. 흔히, 주어진 디스크 드라이브 표면에 대해 헤드 슬라이더 당 하나의 헤드가 있다. 단일 디스크 드라이브 내에는 보통 다수의 헤드가 있는 반면에, 경제적인 이유로, 보통 단지 하나의 보이스 코일 액츄에이터가 있다.
보이스 코일 액츄에이터는 액츄에이터 축(40)을 거쳐 지레(lever) 작용을 제공하기 위해 보이스 코일(32)에 의해 유도된 전자기장의 시간에 따른 변화와 상호 작용하는 고정된 자석 액츄에이터(20)를 더 구비한다. 지레 작용은 헤드 슬라이더 유니트(60-66)가 놀랄만큼 신속하고 정확하게 특정 트랙상에 위치하도록 헤드 아암(50-56)을 움직여주는 작용을 한다. 액츄에이터 아암(30)은 흔히 보이스 코일(32), 액츄에이터 축(40), 헤드 아암(50-56) 및 헤드 슬라이더(60-66)를 포함하는 것으로 여겨진다. 액츄에이터 아암(30)은 소수의 단일 헤드 아암(50)을 가질 수도 있다. 또한 단일 헤드 아암(52)은 두 헤드 슬라이더(62)(64)에 연결될 수도 있다.
디스크 드라이브의 발전은 컴퓨터 순환을 자극했다. 최신의 액츄에이터 설계는 현재까지의 발전에 필수적이지만, 거기에는 최신의 보이스 액츄에이터와 함께 조립된 디스크 드라이브의 신뢰성 및 성능을 한정하는 문제들이 남아 있다. 하나의 문제는 헤드 인터페이스 일렉트로닉스에 헤드를 전기적으로 서로 연결하는 방법과 함께 한다.
도 2는 액츄에이터 PCB(220) 뿐만 아니라 커넥터(226), 플렉스(flex) 회로(224)(210-216)를 사용하는, 종래의 MR 읽기/쓰기 헤드들(200-206)을 컨트롤하는 채널 인터페이스(1140)와 함께 디스크 드라이브 컨트롤러 PCB(Printed Circuit Board)(1000)의 간략화된 회로도를 보여준다.
디스크 드라이브 컨트롤러 PCB(1000)는 채널 인터페이스(1140)와 상호작용하는 컴퓨터(1100)를 포함한다. 채널 인터페이스(1140)는 분리된 읽기 차동 신호쌍(r+ 및 r-) 및 쓰기 차동 신호 쌍(w+ 및 w-)을 사용하여 MR 읽기/쓰기 헤드(200-206)와 통신하는 읽기-쓰기 프리앰프(preamplifier:222)를 컨트롤한다.
커넥터(226)는 읽기-쓰기 프리앰프(222)를 통하여 채널 인터페이스(1140)를 MR 읽기-쓰기 헤드(200)에 전기적으로 연결하기 위해 커넥터(230)와 기계적으로 연결된다(1150).
또한, 다른 종래의 디스크 드라이브는 단지 하나의 MR 읽기-쓰기 헤드(200) 또는 하나 이상의 MR 읽기-쓰기 헤드(202-206)를 가질 수도 있다.
MR 읽기-쓰기 헤드(200), 프리 앰프(222) 및 커넥션(226) 사이의 인터커넥션은 헤드 슬라이더(60)에서 시작하며 이들 인터커넥션을 제공하도록 함께 납땜되어야할 몇몇 별개의 회로를 수반한다. 오늘날, 액츄에이터 PCB(220)는 각각이 MR 읽기-쓰기 헤드(200-206)에 연결되는 분리된 플렉스 회로(210-216) 뿐만 아니라, 커넥터(226)에 연결되는 분리된 플렉스 회로에 연결된다.
파묻힌 디스크 컨트롤러 PCB(1000) 내의 컴퓨터(1100)는 연결된(1152-230-1150-226-224) 채널 인터페이스(1140)를 포함하는 아날로그 읽기/쓰기 인터페이스로부터 읽기-쓰기 프리앰프(220)로의 스핀 밸브(spin valve) 전압(V_rd)을 읽어 수신한다. 또한, 컴퓨터(1100)는 쓰기 차동 신호 쌍 (w+ 및 w-)을 위한 쓰기 전류(Iw_set) 뿐만 아니라, 읽기 차동 신호 쌍(r+ 및 r-)을 위한 읽기 전류(Ir_set)를 컨트롤한다.
연결(1152)은 보통 커넥터(230) 까지의 PCB 트레이스(traces)를 수반한다. 연결(1150)은 커넥터(226)에의 커넥터(230)의 기계적인 연결을 나타낸다. 커넥터(226)는 액츄에이터 PCB(220)에 의해 플렉스 회로(224)를 경유하여 읽기-쓰기 프리앰프(222)와 연결된다.
읽기-쓰기 프리앰프(222)는 액츄에이터 PCB(220)에 의해 플렉스 회로(210)를 경유하여 MR 읽기-쓰기 헤드(200)에 연결된다. 읽기-쓰기 프리앰프(220)는 액츄에이터 PCB(220)에 의해 플렉스 회로(212)를 경유하여 MR 읽기-쓰기 헤드(202)에 연결된다. 읽기-쓰기 프리앰프(220)는 액츄에이터 PCB(220)에 의해 플렉스 회로(214)를 경유하여 MR 읽기-쓰기 헤드(204)에 연결된다. 읽기-쓰기 프리앰프(220)는 액츄에이터 PCB(220)에 의해 플렉스 회로(216)를 경유하여 MR 읽기-쓰기 헤드(206)에 연결된다.
MR 읽기/쓰기 헤드(200)를 사용하여 데이터 저장 면을 읽는 프로세스는 다음을 포함한다. 컴퓨터(1100)는 메모리(1120)를 액세스한다(1122). 메모리(1120)는 프로그램 시스템(1128)을 포함한다. 메모리(1120)는 통상적으로 비휘발성(non-volatile) 메모리 구성 요소를 포함한다. 이러한 비휘발성 메모리 구성요소는 보통 프로그램 시스템(1128)을 저장하기 위해 사용된다.
도 3a, 3b, 3C 및 3D는 각각 종래의 액츄에이터 아암의 평면도, 상세 부분 평면도, 측면도 및 정면도를 보여준다.
도 3a는 도 3b에 보여진 상세 영역(70)과 함께 도 1의 헤드 아암(50), 액츄에이터 축(40) 및 헤드 슬라이더(60)를 보이는 종래의 액츄에이터 아암(30)의 평면도를 보여준다.
도 3b는 도 3a의 상세 영역(70)의 평면도를 보여준다.
도 3c는 종래 기술에서 발견되는 것처럼 다양한 헤드 슬라이더를 경유하는 인터커넥션(74-80)을 나타내는 도 3b의 상세 영역(70) 부분의 측면도를 보여준다. 이들 라벨이 붙은 인터커넥션 각각은 두개의 차동 신호 쌍을 포함한다. 하나의 차동 신호 쌍은 읽기 헤드를 디스크 드라이브의 읽기 인터페이스에 서로 연결시킨다. 다른 차동 신호 쌍은 쓰기 헤드를 디스크 드라이브 쓰기 인터페이스에 서로 연결시킨다.
도 3d는 도 3c를 다른 시각으로 보여주는 것으로, 이들 신호 인터커넥션들(74-80)이 플렉스 및 리본 케이블을 포함하는 다양한 케이블 형태로 헤드 아암에 연결되도록 구현될 수 있다는 것을 보여준다.
도 3e는 본질적으로 헤드 아암(50)에 평행하게 헤드 아암(50)을 따라 가로지르는 인터커넥션(74-80)에 대한 대안이 되는 종래의 전기적인 인터커넥션 구성(scheme)을 보여준다.
도 3e는 헤드 슬라이더와 디스크 읽기/쓰기 인터페이스를 서로 연결시키기 위한 플렉스 회로의 종래 기술 사용의 전형이다. 4개의 개별 트레이스(traces)는 읽기 차동 신호 쌍(R+, R-) 및 쓰기 차동 신호 쌍(W+, W-)을 위해 사용된다.
종래 기술은 헤드 슬라이더(60)에서의 읽기-쓰기 헤드(200)와 채널 인터페이스(1140) 연결(226) 사이의 인터커넥션 회로(224)(220)(210)의 여러 부분(multiple pieces)을 서로 연결시키는 것을 알려준다. 이들 다수의 플렉스 회로로 이들 인터커넥션 회로를 어셀블링하는 것은 보통 이들 플렉스 회로의 리플로우 본딩(reflow bonding) 및/또는 초음파 본딩(ultra-sonic bonding)을 포함한다.
도 4는 읽기-쓰기 헤드(200)로부터 파묻힌(embedded) 디스크 컨트롤러 PCB 커넥터(226)까지의 인터커넥션 회로를 만드는 종래의 방법(1500)을 보여준다.
화살표(1510)는 시작 오퍼레이션(1500)으로부터 오퍼레이션(1512)까지의 실행 흐름(flow of execution)을 지시한다. 오퍼레이션(1512)은 플렉스 회로(210)에 읽기-쓰기 헤드(200) 본딩을 수행한다. 화살표(1514)는 오퍼레이션(1512)으로부터 오퍼레이션(1516)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(1516)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
화살표(1520)는 시작 오퍼레이션(1500)으로부터 오퍼레이션(1522)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(1522)은 액츄에이터 PCB(220)에 플럭스 회로(210) 본딩을 수행한다. 화살표(1524)는 오퍼레이션(1522)으로부터 오퍼레이션(1516)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(1516)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
화살표(1530)는 시작 오퍼레이션(1500)으로부터 오퍼레이션(1532)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(1532)은 액츄에이터 PCB(220)에 적어도 읽기-쓰기 프리앰프(222)를 포함하는 전자공학적인 구성요소 본딩을 수행한다. 화살표(1534)는 오퍼레이션(1532)으로부터 오퍼레이션(1516)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(1516)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
화살표(1540)는 시작 오퍼레이션(1500)으로부터 오퍼레이션(1542)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(1542)은 액츄에이터 PCB(220)에 플렉스 회로(224) 본딩을 수행한다. 화살표(1544)는 오퍼레이션(1542)으로부터 오퍼레이션(1516)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(1516)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
화살표(1550)는 시작 오퍼레이션(1500)으로부터 오퍼레이션(1552)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(1552)은 커넥터(226)에 플렉스 회로(224) 본딩을 수행한다. 화살표(1554)는 오퍼레이션(1552)으로부터 오퍼레이션(1516)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(1516)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
종래 기술은 두 인터커넥션 회로의 일부 예시뿐만 아니라, 위에서 논의된 바와 같은 세 개의 인터커넥션 회로를 포함하는 몇몇 인터커넥션 회로 변형(variations)을 알려준다. 상기 세 개의 인터커넥션 회로 구성 내용(scheme contents)은 메인 플렉스(액츄에이터 PCB(220)), 브리지(bridge) 플렉스 회로(224) 및 서스펜션 플렉서(suspension flexure:210-216)로서 말해진다. 두 개의 인터커넥션 회로는 두 가지 변형에서 발견된다. 첫 번째 변형은 메인 플렉스 회로(224 플러스 220) 및 서스펜션 플렉서(210-216)를 내포하고 있다. 두 번째 변형은 메인 플렉스 회로(220)와 서스펜션 플렉서와 결합된 브리지 플렉스 회로(224 플러스 210-216)를 내포하고 있다.
종래 기술의 접근법 일부에서, 다수의 인터커넥션 회로들은 통상적으로 커넥터(226), 읽기-쓰기 프리앰프(222) 및 하나 이상의 MR 읽기-쓰기 헤드(200-206) 사이의 인터커넥션 회로를 만들기 위한 초음파 본딩 프로세스나 리플로우 본딩 프로세스 중 어느 하나를 사용하여 전기적인 연결을 만들기위해 함께 본딩된다.
이 인터커넥션 방법은 디스크 드라이브 제조에 있어서 널리 보급된 제품 사용을 성취하도록 하는 반면에, 채용된 본딩 프로세스에 기인하여 몇몇 문제점을 가진다.
리플로우 본딩 프로세스는 땜납 접합을 형성하기 위해 땜납 페이스트(paste) 또는 땜납 솔리드(solid)에 열을 적용한다. 페이스트 또는 솔리드는 녹여지며, 그리고 나서 땜납 접합이 생기도록 냉각되는 것이 허용된다. 초음파 본딩 프로세스는, 본질적으로 상온(room temperature)에서 땜납 접합을 형성하기 위해 초음파 에너지를 사용한다. 이러한 각 본드(bonds)는 본딩된 라인 상에서의 기생 인덕턴스(parasitic inductance)를 증가시킬 뿐만 아니라, 기생 캐패시턴스(parasitic capacitance)를 증가시킨다. 각 본딩 단계는 인터커넥션 회로에 대한 제조비용 및 그 결과로서 보이스 코일 액츄에이터의 제조비용 및 궁극적으로 이들 인터커넥션 회로를 내포하고 있는 디스크 드라이브를 위한 제조 비용을 증가시킨다.
필요로 하는 것은 각 라인 상에서 와이어 본드의 수를 최소화하는 인터커넥션 회로이다. 더 필요로 하는 것은 MR 읽기-쓰기 헤드, 프리앰프 및 커넥터 사이의 인터커넥션을 만들기 위해 요구되는 본딩 스텝의 수를 최소화하는 인터커넥션 회로를 만드는 방법이다.
본 발명은 적어도 종래 기술에서 논의된 모든 요구(needs)를 해결한다. 본 발명은 각 라인 상에서 와이어 본드 수를 최소화하는 인터커넥션 회로를 포함한다. 본 발명은 MR 읽기-쓰기 헤드, 프리앰프 및 커넥터 사이의 인터커넥션을 만들기 위해 요구되는 본딩 스텝 수를 최소화하기 위한 인터커넥션 회로를 만드는 방법을 더 포함한다.
본 발명에 따른 인터커넥션 회로를 만드는 방법은, 프리앰프를 내포하고 있는 전자공학적인 구성 요소 콜렉션에 커넥터를 연결하고, 더 나아가 적어도 하나의 MR 읽기-쓰기 헤드에 프리앰프를 연결하기 위한 것으로, 상기 커넥터를 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩하는 단계; 상기 전자공학적인 구성 요소 콜렉션을 상기 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩하는 단계; 및 상기 MR 읽기-쓰기 헤드를 상기 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩하는 단계;를 본질적으로 포함하며, 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션에 상기 커넥터 연결은 상기 커넥터를 본딩하는 상기 단계 및 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션을 본딩하는 상기 단계에 의해 주어지며; 상기 MR 읽기-쓰기 헤드에 상기 프리앰프 연결은 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션을 본딩하는 상기 단계 및 상기 MR 읽기-쓰기 헤드를 본딩하는 상기 단계에 의해 주어지는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션을 본딩하는 상기 단계는 상기 프리앰프를 상기 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩하는 단계;를 더 구비할 수 있다.
이때, 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션은 저항 및 캐패시터를 구비하는 적어도 하나의 콜렉션 부재를 더 포함하며; 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션을 본딩하는 단계는, 상기 저항을 상기 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩하는 단계; 및 상기 캐패시터를 상기 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩하는 단계 중 적어도 하나를 더 구비하는 것이 바람직하다.
상기 MR 읽기-쓰기 헤드를 본딩하는 단계는, 제2MR 읽기-쓰기 헤드를 상기 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩하는 단계;를 더 구비하며, 상기 제2MR 읽기-쓰기 헤드에 상기 프리앰프 연결은 상기 전자공학 구성요소 콜렉션을 본딩하는 상기 단계와 상기 제2MR 읽기-쓰기 헤드를 본딩하는 상기 단계에 의해 주어지는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 인터커넥션 회로를 만드는 방법은, 프리앰프를 내포하고 있는 전자공학적인 구성 요소 콜렉션에 커넥터를 연결하고, 더 나아가 적어도 두 개의 MR 읽기-쓰기 헤드에 상기 프리앰프를 연결하기 위한 것으로, 프리앰프를 내포하고 있는 전자공학적인 구성 요소 콜렉션에 커넥터를 연결하고, 더 나아가 제1MR 읽기-쓰기 헤드에 상기 프리앰프를 연결하는 상기 인터커넥션 회로를 만들기 위해 청구항 1항의 방법을 적용하는 단계; 및 상기 제1MR 읽기-쓰기 헤드를 제외한 상기 적어도 2개의 MR 읽기-쓰기 헤드 각각에 대해, 상기 MR 읽기-쓰기 헤드를 상기 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩하는 단계;를 본질적으로 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 상기한 인터커넥션 회로를 만드는 방법의 산출물로서 상기 커넥터, 상기 전자공학 구성요소 콜렉션 및 상기 MR 읽기-쓰기 헤드를 연결하는 플렉스 인터커넥션 회로를 제공한다.
본 발명에 따른 상기 플렉스 인터커넥션 회로를 사용하여 액츄에이터를 만드는 방법은, 상기 액츄에이터에서의 헤드 아암을 만들기 위해 상기 읽기-쓰기 헤드를 상기 헤드 슬라이더에 부착하는 단계; 상기 프리앰프 주위에서 상기 플렉스 인터커넥션 회로를 상기 액츄에이터에 고정시키는 단계; 및 상기 프리앰프와 상기 MR 읽기-쓰기 헤드 사이에서 적어도 한번 상기 헤드 아암에 상기 플렉스 인터커넥션 회로를 바인딩하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 상기한 액츄에이터를 만드는 방법 프로세스의 산출물로서의 액츄에이터를 제공한다.
본 발명에 따른 디스크 드라이브를 만드는 방법은, 상기한 액츄에이터를 만드는 프로세스의 산출물인 액츄에이터를 사용하는 단계; 및 상기 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩된 상기 커넥터를 디스크 드라이브 컨트롤러 PCB에 기계적으로 연결하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 상기한 디스크 드라이브를 만드는 방법 프로세스의 산출물로서의 디스크 드라이브를 제공한다.
본 발명에 따른 플렉스 인터커넥션 회로 기판은, 전자공학적인 구성요소 콜렉션 본딩 사이트에 연결된 커넥터 본딩 사이트; 및 적어도 하나의 MR 읽기-쓰기 헤드 본딩 사이트에 연결된 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션 본딩 사이트;를 구비하며, 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션은 적어도 하나의 프리앰프를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션은 저항 및 캐패시터를 구비하는 적어도 하나의 콜렉션 부재를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 플렉스 인터커넥션 회로는, 상기한 플렉스 인터커넥션 회로 기판; 상기 커넥터 본딩 사이트에 본딩된 커넥터; 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션 본딩 사이트에 본딩된 적어도 상기 프리앰프를 구비하는 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션; 및 상기 MR 읽기-쓰기 헤드 본딩 사이트에 본딩된 적어도 하나의 MR 읽기-쓰기 헤드;를 구비하며, 상기 플렉스 인터커넥션 회로는 상기 커넥터 및 상기 프리앰프를 연결하며; 상기 플렉스 인터커넥션 회로는 상기 프리앰프 및 상기 MR 읽기-쓰기 헤드를 연결하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 MR 읽기-쓰기 헤드 본딩 사이트에 본딩된 제2MR 읽기-쓰기 헤드;를 더 구비하며, 상기 플렉스 인터커넥션 회로는 상기 프리앰프 및 상기 제2MR 읽기-쓰기 헤드를 연결하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 액츄에이터는, 상기한 플렉스 인터커넥션 회로의 상기 MR 읽기-쓰기 헤드와 부착된 헤드 슬라이더; 상기 프리앰프 주위에서 상기 액츄에이터에 고정된 상기 플렉스 인터커넥션 회로; 및 상기 프리앰프 및 상기 MR 읽기-쓰기 헤드 사이에서 상기 플렉스 인터커넥션 회로의 적어도 하나의 바인딩;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 커넥터에 의해 디스크 드라이브 컨트롤러 PCB에 연결된 상기한 액츄에이터를 포함하는 디스크 드라이브를 제공한다.
이하에서는 도 5 내지 도 8을 참조하면서 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.
단일 플렉스 인터커넥션 회로(2000)는 커넥터(226), 적어도 프리앰프(222)를 포함하는 전자공학적인 구성요소 및 적어도 하나의 MR 읽기-쓰기 헤드(200)(도 5를 보라)에 본딩된다. 플렉스 인터커넥션 회로(2000)는 수반된 라인들 각각에 대한 최소의 본드 수를 제공한다. 본 발명은 커넥터(226), 전자공학적인 구성요소 및 MR 읽기-쓰기 헤드를 위한 본딩 사이트(site)를 가지는 플렉스 인터커넥션 기판을 포함한다.
플렉스 인터커넥션 회로(2000)를 만드는 상기 방법(3000)(도 6a를 보라)은 커넥터(226), 프리앰프(222)를 포함하는 전자공학적인 구성요소 및 적어도 하나의 MR 읽기-쓰기 헤드(200) 사이의 인터커넥션을 제공하기 위해 필요한 최소의 본딩 단계 수를 포함한다. 본딩된 전자공학적인 구성요소는 하나 이상의 캐패시터뿐만 아니라 하나 이상의 저항을 포함할 수 있다. 하나 이상의 MR 읽기-쓰기 헤드(200-206)가 도 6a의 한 오퍼레이션(3032)에서 플렉스 인터커넥션 회로(2000)에 본딩될 수 있다.
대안으로, 커넥터(226), 프리앰프(222) 및 몇몇 MR 읽기-쓰기 헤드(200-206)를 연결하는 방법(3300)(도 7)은 제1MR 읽기-쓰기 헤드(200)를 서로 연결시키기 위해 도 6a의 방법(3000)을 적용할 수도 있으며, 그리고 나서 잇따라서 도 7의 오퍼레이션(3322, 3332, 및 3342)에서의 다른 MR 읽기-쓰기 헤드를 본딩할 수도 있다.
본 발명은 플렉스 인터커넥션 회로(2000)를 사용하는 액츄에이터를 어셈블링하는 방법(3500)(도 8)을 포함한다. 본 발명은 플렉스 인터커넥션 회로(2000)로부터 그들을 만드는 프로세스의 산출물(product)로서 액츄에이터를 더 포함할 수 있다. 본 발명은 본 발명의 액츄에이터를 디스크 드라이브로 어셈블링하는 프로세스로부터 만들어진 디스크 드라이브를 포함한다.
액츄에이터 및 디스크 드라이브 둘 다 플렉스 인터커넥션 회로(2000)에서의 라인 당 최소화된 본드 수로 인하여 개선된 신뢰성 및 노이즈 억제 특성을 보여준다. 플렉스 인터커넥션 회로(2000)의 제조 비용 저감 때문에, 액츄에이터 및 디스크 드라이브 둘 다 제조 비용이 덜 든다.
본 발명의 이들 및 다른 이점들은 다음의 상세한 설명을 읽고 다양한 도면을 검토하면 명백해질 것이다.
본 발명은 각 라인 상에서 와이어 본드수를 최소화하는 인터커넥션 회로를 포함한다. 본 발명은 MR 읽기-쓰기 헤드, 프리앰프 및 커넥터 사이에 인터커넥션을 만들기 위해 요구되는 본딩 스텝의 수를 최소화하는 인터커넥션 회로를 만드는 방법을 더 포함한다.
도 5는 프리앰프(222)를 경유하여 커넥터(226)와 MR 읽기-쓰기 헤드(200) 사이에 인터커넥션을 제공하는 단일 플렉스 인터커넥트 회로(2000)를 보여준다.
또한, 도 5는 커넥터(226), 프리앰프(222) 및 MR 읽기-쓰기 헤드(200)를 위한 본딩 사이트를 가지는 플렉스 인터커넥션 기판(2000)의 대안이 되는 개략도를 보여준다.
단일 플렉스 인터커넥션 회로(2000)는 커넥터(226), 적어도 프리앰프(222)를 포함하는 전자공학적인 구성요소 및 적어도 하나의 MR 읽기-쓰기 헤드(200)에 본딩된다. 플렉스 인터커넥션 회로(2000)는 수반된 라인 각각에 대한 최소의 본드 수를 제공한다.
본 발명은 커넥터(226), 전자공학적인 구성요소 및 MR 읽기-쓰기 헤드를 위한 본딩 사이트를 가지는 플렉스 인터커넥션 기판을 포함한다. 전자공학적인 구성요소는 적어도 프리앰프(222)를 포함한다.
전자공학 구성요소 콜렉션은 적어도 하나의 캐패시터를 더 포함할 수 있다. 또한, 전자공학 구성요소 콜렉션은 적어도 하나의 저항을 더 포함할 수 있다.
플렉스 인터커넥션 회로(2000)는 기판에 다음 본딩을 가지는 플렉스 인터커넥션 기판을 포함한다: 커넥터(226), 적어도 프리앰프(222)를 포함하는 전자공학 구성요소 콜렉션 및 적어도 하나의 MR 읽기-쓰기 헤드. 이들 각 본딩은 특정 본딩 사이트에서 행해진다. 본 기술분야의 당업자에게는 명백하게 될 것처럼, 다수의 MR 읽기-쓰기 헤드가 본딩될 때, 거기에는 유사하다 할지라도, MR 읽기-쓰기 헤드 각각에 대한 본딩 사이트가 분리되어 있다.
도 3f는 커넥터(226)를 위한 바람직한 본딩 사이트를 개략적으로 보여준다. 도 3g는 저항(R1) 뿐만 아니라, 프리앰프(222), 두 캐패시터(C1 및 C2)를 포함하는 전자공학적인 구성요소 콜렉션을 위한 바람직한 본딩 사이트를 개략적으로 보여준다. 도 3h는 MR 읽기-쓰기 헤드(200)를 위한 바람직한 본딩 사이트를 개략적으로 보여준다.
플렉스 인터커넥션 회로(2000)는 플렉스 인터커넥션 기판에서 커넥터(226)와 프리앰프(222)의 본딩을 통하여 커넥터(226)를 프리앰프(222)와 연결한다.
프리앰프(222)는, 프리 앰프(222)에 연결을 제공하는 커넥터(226)를 위한 바람직한 핀-아웃(pin-out)을 보여주는 표 1에서, 맨 윗열의 왼쪽에서 오른쪽으로 커넥터(226)를 위한 본딩 사이트를 도 3f의 해석으로부터의 다음 핀-아웃에 바탕을 두고 커넥터(226)를 경유하여 연결된 통신을 지지하는 것이 바람직하다.
VC+ VC-
GND GND
GND VSS(-5V)
FLT/DBHY/TEMP VDD(+5V)
GND WDY
MRB/FAST WDX
SCLK SDATA
R/W SDEN
No Connect RDY
WSRV/ABHV RDX
프리앰프(222)는 바람직하게는 Marvell Semiconductor에 의해 제조된 81G5014 IC(integrated circuit)가 될 수 있다. C1 및 C2의 캐패시턴스는, 받아들일 수 있는 허용 오차 이내이도록 0.01 μF(micro Farads)인 것이 바람직하다. 상기 저항(R1)은 받아들일 수 있는 허용 오차 이내이도록 12.4kΩ(ohms)인 것이 바람직하다. 이들 전자공학 구성요소 콜렉션 부재 각각은 면 마운트 호환 패키지에 패키지화되는 것이 바람직하다.
플렉스 인터커넥션 회로(2000)는 플렉스 인터커넥션 기판에 프리앰프(222)와 MR 읽기-쓰기 헤드(200)의 본딩을 통하여 프리앰프(222)를 MR 읽기-쓰기 헤드(200)와 연결한다. 도 3h는 MR 읽기-쓰기 헤드(200)를 위한 바람직한 본딩 사이트를 보여준다.
도 3i는 MR 읽기-쓰기 헤드 본딩 사이트를 프리앰프 본딩 사이트와 연결하는 플렉스 인터커넥션 기판의 읽기 차동 신호 쌍(r- 및 r+)과 쓰기 차동 신호 쌍(w+ 및 w-)의 바람직한 단면도를 보여준다.
5 내지 33 μm 의 상기 신호 쌍 위의 바람직한 오버레이(overlay)와 함께, 이들 신호 쌍 아래의 바람직한 베이스 두께는, 15 내지 25 μm이다. 40 내지 75μm의 읽기 차동 신호 사이의 바람직한 이격(spacing)과 함께, 바람직한 읽기 트레이스 폭은 100 내지 125μm이다. 읽기 및 쓰기 차동 신호 쌍 사이의 바람직한 이격은 100 내지 170μm이다. 바람직한 쓰기 신호 폭은 100 내지 125μm이다. 쓰기 차동 신호 사이의 바람직한 이격은 40 내지 75μm이다.
읽기 및 쓰기 차동 신호 트레이스가 구리, 알루미늄, 은 및 금을 포함하는 몇몇 금속으로 만들어질 수 있는데, MR 읽기-쓰기 헤드의 본딩 사이트에서의 금 트레이스와 함께, 바람직한 구성(composition)은 구리이다.
도 6a는 커넥터(226)를 프리앰프(222)를 통하여 MR 읽기-쓰기 헤드(200)와 연결하는 플렉스 인터커넥션 회로(2000)를 만드는 방법(3000)을 보여준다.
화살표(3010)는 시작 오퍼레이션(3000)으로부터 오퍼레이션(3012)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3012)은 플렉스 인터커넥션 회로(2000)에 커넥터(226) 본딩을 수행한다. 화살표(3014)는 오퍼레이션(3012)으로부터 오퍼레이션(3016)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3016)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
화살표(3020)는 시작 오퍼레이션(3000)으로부터 오퍼레이션(3022)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3022)은 플렉스 인터커넥션 회로(2000)에 적어도 읽기-쓰기 프리앰프(222)를 포함하는 전자공학적인 구성 요소 본딩을 수행한다. 화살표(3024)는 오퍼레이션(3022)으로부터 오퍼레이션(3016)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3016)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
화살표(3030)는 시작 오퍼레이션(3000)으로부터 오퍼레이션(3032)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3032)은 플렉스 인터커넥션 회로(2000)에 적어도 하나의 MR 읽기-쓰기 헤드 본딩을 수행한다. 화살표(3034)는 오퍼레이션(3032)으로부터 오퍼레이션(3016)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3016)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
본 기술분야의 당업자에게 명백하게 될 것처럼, 하나 이상의 MR 읽기-쓰기 헤드가 수반될 때, 보통 오퍼레이션(3032)을 통하여 그들 모두를 동시에 플렉스 인터커넥션 기판에 본딩하는 것이 바람직하다.
도 6b는 플렉스 인터커넥션 회로(2000)에 전자공학적인 구성요소를 본딩하기 위한 도 6a의 오퍼레이션(3022)의 상세 플로우차트를 보여준다.
화살표(3060)는 시작 오퍼레이션(3022)으로부터 오퍼레이션(3062)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3062)은 플렉스 인터커넥션 회로(2000)에 읽기-쓰기 프리앰프(222) 본딩을 수행한다. 화살표(3064)는 오퍼레이션(3062)으로부터 오퍼레이션(3066)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3066)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
플렉스 인터커넥션 회로(2000)에 전자공학적인 구성요소 본딩은 도 6b의 다음 오퍼레이션의 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
화살표(3070)는 시작 오퍼레이션(3022)으로부터 오퍼레이션(3072)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3072)은 플렉스 인터커넥션 회로(2000)에 적어도 하나의 저항 본딩을 수행한다. 화살표(3074)는 오퍼레이션(3072)으로부터 오퍼레이션(3066)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3066)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
화살표(3080)는 시작 오퍼레이션(3022)으로부터 오퍼레이션(3082)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3082)은 플렉스 인터커넥션 회로(2000) 적어도 하나의 캐패시터 본딩을 수행한다. 화살표(3084)는 오퍼레이션(3082)으로부터 오퍼레이션(3066)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3066)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
도 7은 도 6a의 방법(3000)을 사용하여 커넥터(226)를 프리앰프(222)를 통하여 적어도 2개의 MR 읽기-쓰기 헤드와 연결하는 인터커넥션 회로를 만드는 방법(3300)을 보여준다.
화살표(3310)는 시작 오퍼레이션(3300)으로부터 오퍼레이션(3312)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3312)은 커넥터(226)를 프리앰프(222)를 통하여 제1MR 읽기-쓰기 헤드(200)와 연결하는 인터커넥션 회로를 만드는 방법(3300) 적용을 수행한다. 화살표(3314)는 오퍼레이션(3312)으로부터 오퍼레이션(3316)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3316)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
화살표(3320)는 시작 오퍼레이션(3300)으로부터 오퍼레이션(3322)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3322)은 제2 MR 읽기-쓰기 헤드(202)에 프리앰프(222)를 통한 커넥터(226)의 연결을 제공하기 위해, 플렉스 인터커넥션 회로(2000)에 제2MR 읽기-쓰기 헤드(202) 본딩을 수행한다. 화살표(3324)는 오퍼레이션(3322)으로부터 오퍼레이션(3316)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3316)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
상기 방법(3300)은 도 7의 다음 오퍼레이션을 더 포함할 수 있다.
화살표(3330)는 시작 오퍼레이션(3300)으로부터 오퍼레이션(3332)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3332)은 제3 MR 읽기-쓰기 헤드(204)에 프리앰프(222)를 통한 커넥터(226)의 연결을 제공하기 위해, 플렉스 인터커넥션 회로(2000)에 제3MR 읽기-쓰기 헤드(204) 본딩을 수행한다. 화살표(3334)는 오퍼레이션(3332)으로부터 오퍼레이션(3316)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3316)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
화살표(3340)는 시작 오퍼레이션(3300)으로부터 오퍼레이션(3342)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3342)은 제4 MR 읽기-쓰기 헤드(206)에 프리앰프(222)를 통한 커넥터(226)의 연결을 제공하기 위해, 플렉스 인터커넥션 회로(2000)에 제4MR 읽기-쓰기 헤드(206) 본딩을 수행한다. 화살표(3344)는 오퍼레이션(3342)으로부터 오퍼레이션(3316)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3316)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
도 8은 상기 방법(3000)의 산출물을 사용하여 보이스 코일 액츄에이터를 어셈블링하는 방법(3500)을 보여준다.
화살표(3510)는 시작 오퍼레이션(3500)으로부터 오퍼레이션(3512)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3512)은 액츄에이터(30)에서 헤드 아암(50)을 만들기 위해 상기 방법(3000)으로 만들어진 플렉스 인터커넥션 회로(2000)에 본딩된 MR 읽기-쓰기 헤드(200)를 헤드 슬라이더(60)에 부착하는 것을 수행한다. 화살표(3514)는 오퍼레이션(3512)으로부터 오퍼레이션(3516)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3516)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
화살표(3520)는 시작 오퍼레이션(3500)으로부터 오퍼레이션(3522)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3522)은 프리앰프(222) 주위에서 액츄에이터(30)에 플렉스 인터커넥션 회로(2000)를 고정하는 것을 수행한다. 화살표(3524)는 오퍼레이션(3522)으로부터 오퍼레이션(3516)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3516)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
화살표(3530)는 시작 오퍼레이션(3500)으로부터 오퍼레이션(3532)까지의 실행 흐름을 지시한다. 오퍼레이션(3532)은 프리앰프(222)와 MR 읽기-쓰기 헤드(200) 사이에서 헤드 아암(50)에 플렉스 인터커넥션 회로(2000)를 바인딩(binding)하는 것을 수행한다. 화살표(3534)는 오퍼레이션(3532)으로부터 오퍼레이션(3516)까지의 실행을 지시한다. 오퍼레이션(3516)은 이 플로우차트의 오퍼레이션을 끝낸다.
전술한 실시예들은 예로서 제시된 것이며, 다음 청구항들의 범위의 한정을 의미하지 않는다.
상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 각 라인 상에서 와이어 본드 수를 최소화한 인터커넥션 회로를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 MR 읽기-쓰기 헤드, 프리앰프 및 커넥터 사이의 인터커넥션을 만들기 위해 요구되는 본딩 스텝 수를 최소화할 수 있다.
따라서, 이러한 인터커넥션 회로를 구비하는 액츄에이터 및 디스크 드라이브 둘 다 플렉스 인터커넥션 회로에서의 라인 당 최소화된 본드 수로 인하여 개선된 신뢰성 및 노이즈 억제 특성을 나타낼 수 있다. 또한, 플렉스 인터커넥션 회로의 제조 비용 저감에 기인하여, 액츄에이터 및 디스크 드라이브 둘 다 제조 비용을 줄일 수 있다.
도 1a는 보이스 코일(32)을 가지는 액츄에이터 아암(30), 액츄에이터 축(40), 디스크들 사이에 위치된 슬라이더/헤드 유니트(60)를 가지는 서스펜션 또는 헤드 아암(50-58)을 포함하는 통상적인 종래의 고용량 디스크 드라이브(10)를 보여준다;
도 1b는 보이스 코일(32)을 가지는 액츄에이터 아암(30), 액츄에이터 축(40), 헤드 아암(50-56) 및 디스크가 제거된 상태에서의 슬라이더/헤드 유니트(60-66)를 포함하는 액츄에이터(20)를 가지는 통상적인 종래의 고용량 디스크 드라이브(10)를 보여준다;
도 2는 액츄에이터 PCB(220) 뿐만 아니라 커넥터(226), 플렉스(flex) 회로(224)(210-216)를 사용하는, 종래의 MR 읽기/쓰기 헤드들(200-206)을 컨트롤하는 채널 인터페이스(1140)와 함께 디스크 드라이브 컨트롤러 PCB(Printed Circuit Board)(1000)의 간략화된 회로도를 보여준다;
도 3a는 도 3b에 보여진 상세 영역(70)과 함께 도 1의 헤드 아암(50), 액츄에이터 축(40) 및 헤드 슬라이더(60)를 보이는 종래의 액츄에이터 아암(30)의 평면도를 보여준다;
도 3b는 도 3a의 상세 영역(70)의 평면도를 보여준다;
도 3c는 종래 기술에서 발견되는 것처럼 다양한 헤드 슬라이더를 경유하는 인터커넥션(74-80)을 나타내는 도 3b의 상세 영역(70) 부분의 측면도를 보여준다;
도 3d는 도 3c를 다른 시각으로 보여주는 것으로, 이들 신호 인터커넥션들(74-80)이 플렉스 및 리본 케이블을 포함하는 다양한 케이블 형태로 헤드 아암에 연결되도록 구현될 수 있다는 것을 보여준다;
도 3e는 본질적으로 헤드 아암(50)에 평행하게 헤드 아암(50)을 따라 가로지르는 인터커넥션(74-80)에 대한 대안이 되는 종래의 전기적인 인터커넥션 구성(scheme)을 보여준다;
도 3f는 커넥터(226)를 위한 바람직한 본딩 사이트를 개략적으로 보여준다;
도 3g는 저항(R1) 뿐만 아니라, 프리앰프(222), 두 캐패시터(C1 및 C2)를 포함하는 전자공학적인 구성요소 콜렉션을 위한 바람직한 본딩 사이트를 개략적으로 보여준다;
도 3h는 MR 읽기-쓰기 헤드(200)를 위한 바람직한 본딩 사이트를 개략적으로 보여준다;
도 3i는 MR 읽기-쓰기 헤드 본딩 사이트를 프리앰프 본딩 사이트와 연결하는 플렉스 인터커넥션 기판의 읽기 차동 신호 쌍(r- 및 r+)과 쓰기 차동 신호 쌍(w+ 및 w-)의 바람직한 단면도를 보여준다;
도 4는 읽기-쓰기 헤드(200)로부터 파묻힌 디스크 컨트롤러 PCB 커넥터(226)까지 인터커넥션 회로를 만드는 종래 기술 방법(1500)을 보여준다;
도 5는 프리앰프(222)를 경유하여 커넥터(226)와 MR 읽기-쓰기 헤드(200) 사이의 인터커넥션을 제공하는 단일 플렉스 인터커넥트 회로(2000)를 보여준다;
도 6a는 프리앰프(222)를 통하여 커넥터(226)를 MR 읽기-쓰기 헤드(200)와 연결하는 플렉스 인터커넥션 회로(2000)를 만드는 방법(3000)을 보여준다;
도 6b는 플렉스 인터커넥션 회로(2000)에 전자공학적인 구성요소를 본딩하기 위한 도 6a의 오퍼레이션(3022)의 상세 플로우차트를 보여준다;
도 7은 도 6a의 방법(3000)을 사용하여 커넥터(226)를 프리앰프(222)를 통하여 적어도 2개의 MR 읽기-쓰기 헤드와 연결하는 인터커넥션 회로를 만드는 방법(3300)을 보여준다; 및
도 8은 상기 방법(3000)의 산출물인 인터커넥션 회로를 사용하여 보이스 코일 액츄에이터를 어셈블링하는 방법(3500)을 보여준다.

Claims (15)

  1. 프리앰프를 내포하고 있는 전자공학적인 구성 요소 콜렉션에 커넥터를 연결하고, 더 나아가 적어도 하나의 MR 읽기-쓰기 헤드에 프리앰프를 연결하는 인터커넥션 회로를 만드는 방법에 있어서,
    상기 커넥터를 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩하는 단계;
    상기 전자공학적인 구성 요소 콜렉션을 상기 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩하는 단계; 및
    상기 MR 읽기-쓰기 헤드를 상기 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩하는 단계;를 본질적으로 포함하며,
    상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션에 상기 커넥터 연결은 상기 커넥터를 본딩하는 상기 단계 및 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션을 본딩하는 상기 단계에 의해 주어지며;
    상기 MR 읽기-쓰기 헤드에 상기 프리앰프 연결은 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션을 본딩하는 상기 단계 및 상기 MR 읽기-쓰기 헤드를 본딩하는 상기 단계에 의해 주어지는 것을 특징으로 하는 인터커넥션 회로를 만드는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션을 본딩하는 상기 단계는 상기 프리앰프를 상기 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩하는 단계;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 인터커넥션 회로를 만드는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션은 저항 및 캐패시터를 구비하는 적어도 하나의 콜렉션 부재를 더 포함하며;
    상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션을 본딩하는 단계는,
    상기 저항을 상기 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩하는 단계; 및
    상기 캐패시터를 상기 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩하는 단계 중 적어도 하나를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 인터커넥션 회로를 만드는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 MR 읽기-쓰기 헤드를 본딩하는 단계는,
    제2MR 읽기-쓰기 헤드를 상기 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩하는 단계;를 더 구비하며,
    상기 제2MR 읽기-쓰기 헤드에 상기 프리앰프 연결은 상기 전자공학 구성요소 콜렉션을 본딩하는 상기 단계와 상기 제2MR 읽기-쓰기 헤드를 본딩하는 상기 단계에 의해 주어지는 것을 특징으로 하는 인터커넥션 회로를 만드는 방법.
  5. 커넥터, 전자공학 구성요소 콜렉션 및 MR 읽기-쓰기 헤드를 연결하는 청구항 1항의 방법의 산출물인 플렉스 인터커넥션 회로.
  6. 청구항 5항의 플렉스 인터커넥션 회로를 사용하여 액츄에이터를 만드는 방법에 있어서,
    상기 액츄에이터에서의 헤드 아암을 만들기 위해 상기 읽기-쓰기 헤드를 상기 헤드 슬라이더에 부착하는 단계;
    상기 프리앰프 주위에서 상기 플렉스 인터커넥션 회로를 상기 액츄에이터에 고정시키는 단계; 및
    상기 프리앰프와 상기 MR 읽기-쓰기 헤드 사이에서 적어도 한번 상기 헤드 아암에 상기 플렉스 인터커넥션 회로를 바인딩하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 액츄에이터를 만드는 방법.
  7. 청구항 6항의 프로세스의 산출물인 액츄에이터.
  8. 청구항 7항의 액츄에이터를 사용하는 단계; 및
    상기 플렉스 인터커넥션 회로에 본딩된 상기 커넥터를 디스크 드라이브 컨트롤러 PCB에 기계적으로 연결하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 디스크 드라이브를 만드는 방법.
  9. 청구항 8항의 프로세스의 산출물인 디스크 드라이브.
  10. 전자공학적인 구성요소 콜렉션 본딩 사이트에 연결된 커넥터 본딩 사이트; 및 적어도 하나의 MR 읽기-쓰기 헤드 본딩 사이트에 연결된 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션 본딩 사이트;를 구비하며,
    상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션은 적어도 하나의 프리앰프를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉스 인터커넥션 회로 기판.
  11. 제10항에 있어서, 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션은 저항 및 캐패시터를 구비하는 적어도 하나의 콜렉션 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉스 인터커넥션 회로 기판.
  12. 청구항 10항의 상기 플렉스 인터커넥션 회로 기판;
    상기 커넥터 본딩 사이트에 본딩된 커넥터;
    상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션 본딩 사이트에 본딩된 적어도 상기 프리앰프를 구비하는 상기 전자공학적인 구성요소 콜렉션; 및
    상기 MR 읽기-쓰기 헤드 본딩 사이트에 본딩된 적어도 하나의 MR 읽기-쓰기 헤드;를 구비하며,
    상기 플렉스 인터커넥션 회로는 상기 커넥터 및 상기 프리앰프를 연결하며;
    상기 플렉스 인터커넥션 회로는 상기 프리앰프 및 상기 MR 읽기-쓰기 헤드를 연결하는 것을 특징으로 하는 플렉스 인터커넥션 회로.
  13. 제12항에 있어서, 상기 MR 읽기-쓰기 헤드 본딩 사이트에 본딩된 제2MR 읽기-쓰기 헤드;를 더 구비하며,
    상기 플렉스 인터커넥션 회로는 상기 프리앰프 및 상기 제2MR 읽기-쓰기 헤드를 연결하는 것을 특징으로 하는 플렉스 인터커넥션 회로.
  14. 청구항 12항의 상기 플렉스 인터커넥션 회로의 상기 MR 읽기-쓰기 헤드와 부착된 헤드 슬라이더;
    상기 프리앰프 주위에서 상기 액츄에이터에 고정된 상기 플렉스 인터커넥션 회로; 및
    상기 프리앰프 및 상기 MR 읽기-쓰기 헤드 사이에서 상기 플렉스 인터커넥션 회로의 적어도 하나의 바인딩;을 포함하는 것을 특징으로 하는 액츄에이터.
  15. 커넥터에 의해 디스크 드라이브 컨트롤러 PCB에 연결된 청구항 14항의 액츄에이터를 포함하는 디스크 드라이브.
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