KR100520744B1 - 덮개층 형성과정에 온도의 변화를 주는 방법을 이용한자발형성 양자점의 수직 적층방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 양자점 구조 형성에 관한 것으로서 양자점 층을 수직으로 적층하는 것에 관한 기술이다. 양자점을 형성하기 위한 여러 가지 방법 중에서 격자상수의 차이(격자 불일치)를 이용한 자발 형성방법(self assembled growth mode)에 의해 성장된 단층 양자점을 수직으로 적층하기 위하여는 양자점층 위에 형성되는 덮개층의 표면의 균일도가 매우 중요하다. 수직으로 적층되는 양자점 각 층의 표면 형상을 각 층별로 일정하게 유지하기 위한 방법으로 양자점을 성장시킨 후 덮개층을 성장시키는 도중에 온도를 고온으로 상승시켜서, 즉 덮개층을 일정한 두께로 성장시킨 후 덮개층 성장온도를 높혀서 나머지 덮개층을 성장시키면 덮개층의 표면 균일도가 향상되며, 이 덮개층 위에 형성되는 양자점층 또한 균일도를 향상시킬 수 있다.

Description

덮개층 형성과정에 온도의 변화를 주는 방법을 이용한 자발형성 양자점의 수직 적층방법 {THE METHOD OF VERTICAL STACKING OF SELF ASSEMBLED QUANTUM DOTS USING TEMPERATURE ALTERNATING IN SPACER LAYER GROWTH STEP}

본 발명은 반도체 양자점 구조 형성에 관한 것으로서, 구체적으로는 반도체 기판 위에 자발형성방식에 따라 양자점층을 형성하고 형성된 양자점층을 수직으로 적층하는 것에 관한 기술이다.

반도체 기판위에 성장되는 박막(Thin film)은 그 성장 방식에 따라 2차원적으로 평탄하게 증착되는 레이어 바이 레이어(layer by layer) 성장모드와 3차원적으로 증착되는 아일런드(island) 성장모드, 그리고 초기에 레이어 바이 레이어 방식으로 성장되다가 일정두께 이상으로 성장하면 3D로 전이하는 S-K 성장모드 등이 있다. S-K 성장모드는 구체적으로는, 박막을 성장시킬 때 초기에는 기판과 박막간의 결합력이 강하여 레이어 바이 레이어로 성장되다 두께가 증가하면서 격자상수 차이에 의해 박막에 형성된 응력(stress)이 증가하면서, 응력에너지를 이완시키기 위해 임계두께 이상에서 기존의 2차원 박막층 위에 (이를 wetting layer라 함) 3차원적인 형태의 아일런드(island)로 성장되는 방식을 말한다. 이러한 박막 성장 모드를 이용하여 양자점을 형성하는 경우, 양자점 형성층은, 기판과 박막 물질에 따라 달라지기는 하지만 통상적으로 2 - 5 원자층 (ML; mono layer) 정도인 임계 두께 근처로 성장되면, 아일랜딩(islanding)을 통해 박막내부에 인가된 응력을 이완하려는 경향이 나타난다. 이와 같이 표면형상이 변환되는 상태를 2차원-3차원 전이(2D-3D transition)라 하며, 일반적으로 박막 물질을 임계두께 이상으로 증착시켜 자발적으로 레이어 바이 레이어 모드에서 아일런드(island) 모드로 전환되게 하는 방식으로 양자점을 형성하는 방법을 자발형성(self-assembling)이라 하고, 이렇게 하여 형성된 양자점을 자발형성 양자점(self assembled quantum dots)이라 한다. 이와 같은 자발형성(self assembling) 양자점 구조는 반도체 기판과 그 상부의 결정층 사이의 격자부정합에 의하여 결정층의 표면형상이 입체적인 박막 형태를 가지고 있게 된다.

최근에 이러한 방식으로 형성된 자발형성 양자점 기술이 양자점 레이저, 양자점 수광 소자, 증폭기, 광스위칭 등의 광소자에 응용하려는 연구가 꾸준히 이루어지고 있다. 다만, 이러한 양자점 기술을 광소자에 적용하는 경우에 광소자의 활성영역(active region)에서 양자점의 밀도가 커야 하는 문제가 있는데, 이러한 밀도문제를 해결하고자 고안된 아이디어가 양자점층의 수직적층 기술이다. 즉, 양자점층을 수직으로 적층하여 양자점의 밀도를 높히는 기술이 양자점 기술의 응용에 중요한 문제로 대두되게 되었다.

반도체 기판위에 양자점층을 적층하는 것은 반도체 기판위의 버퍼층 상부에 형성되는 양자점층에 인가되는 응력을 극복하고 윗층으로 갈 수록 변해가는 핵 생성, 임계두께 상황들을 적극적으로 극복해 나가야 하는 어려움이 있다. 한편 일반적인 화합물 반도체 양자점 구조 성장방법에 있어서 기판을 반응기에 로딩한 후 버퍼층을 고온에서 성장한 후 온도를 저온영역으로 낮추어 양자점을 성장하기 때문에 성장되는 양자점층과 후속되는 모든 에피층들은 저온에서 성장되게 된다. 이 경우 상부 양자점층의 표면품질이 현격하게 열화되므로 표면의 품질을 첫 번째 양자점이 형성될 때의 반도체 기판위의 버퍼층의 표면품질과 같은 정도로 유지시키는 것이 필요하다.

격자 불일치를 이용하여 양자점을 성장시키는 경우 양자점층인 반도체 에피층에 걸리는 응력(stress)은 10000기압 정도가 되고, 이는 일반적인 반도체소자 형성과정에서 박막의 성장시에 걸리는 10 기압정도의 응력(stress)에 비하여 매우 큰 값이다. 따라서 양자점층의 적층을 반복함에 따라 적층되는 양자점층의 형성 환경은 아래층의 형성환경과 현격히 달라지게 된다. 이를 극복하기 위하여 기존에 사용된 방법으로는 다음의 방법이 있다. 우선, 양자점 층 사이에 응력(stress)을 완화시키기 위한 층을 삽입하는 방법(응력보완층삽입법)이 있다. 다음으로는 양자점층 위에 덮개층을 형성할 때 성장정지단계를 두어 두 번(two step)에 걸쳐서 덮개층을 성장시키는 방법 (In-flush 법)이 시도된 바 있다.

반도체 기판에 양자점층을 성장시키고 형성된 양자점층 위에 덮개층을 형성시키는 경우, 양자점 층은 기판 물질에 비하여 격자상수가 큰 물질을 성장시키므로 양자점층에는 압축응력이 걸리고, 그 위의 덮개층에는 인장응력이 걸리게 된다. 이러한 응력을 완화시키는 방법으로 사용된 위의 응력 보완층 삽입법은 양자점 층과 양자점 층 사이에 기판보다 격자상수가 작은 물질을 삽입함으로써 에피층 전체에 걸리는 응력을 낮추는 방법이다. 다른 방법으로, 덮개층 성장시 두 번에 걸쳐서 형성하는 방법은 양자점 성장 후 덮개층을 반만 성장시킨 후에 일정시간동안 성장 정지 단계를 두어 상대적으로 큰 양자점들이 분해되면서 전체적인 크기 균일도를 향상시킨 후, 다시 덮개층을 성장시키는 방법이며, 이렇게 함으로써 계속되는 적층구조 성장이 양호하게 하는 방법이다.

그러나, 위의 첫 번째 방법은 에피층에 걸리는 응력을 이완시키기 위한 방법이므로 근본적인 해결방법이긴 하지만, 공정이 상대적으로 복잡하고, 결함 등이 생성될 여지가 많다. 더군다나 양자점 형성온도가 일반적인 화합물 반도체 성장을 위한 최적 온동에 비해 상대적으로 저온영역이므로 응력이완층 성장시에 응력 이완 을 위한 정확한 조성을 조절하기도 힘들다는 문제점이 있으며,

두 번째 방법은 원래 양자점의 적층보다는 형성된 양자점의 크기 균일도 향상을 위한 방법으로, 양자점층의 적층시에도 어느정도 효과가 있지만, 적용할 수 있는 물질 시스템에 제한이 있다는 단점이 있다. 예를 들어 InAs/GaAs 물질 시스템의 경우에는 어느 정도 효과가 있지만, InAs/InP와 같이 서로 다른 V족 원소를 사용하는 경우에는 이러한 성장 중지 단계 동안 복잡한 계면 반응 등으로 인해 오히려 전체 에피층의 품질이 열화될 가능성이 있다.

따라서, 반도체 기판위에 자발형성방식에 따라 양자점 층을 형성하고 형성된 양자점층을 효율적으로 수직으로 적층하는 방법을 제공하고자 함에 있어, 좀 더 조절이 용이한 공정변수만을 변화시켜서 양자점 적층구조의 물성을 향상시키고 효과적으로 적층을 반복할 수 있고, 복잡한 구조를 삽입하지 않고 덮개층에 화학적으로 조성이 다른 에피층이 첨가되면서 유발되는 결정결함 등을 우려하지 않아도 되는 기술을 제공하는 것이 필요하다.

위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여,

본 발명의 목적은 반도체 양자점 구조 형성에 관한 것으로서, 구체적으로는 반도체 기판위에 자발형성방식에 따라 양자점 층을 형성하고 형성된 양자점층을 효율적으로 수직으로 적층하는 방법을 제공하고자 함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 양자점을 형성하기 위한 여러 가지 방법 중에서 격자상수의 차이(격자 불일치)를 이용한 자발 형성방법(self assembled growth mode)에 의해 성장된 단층 양자점을 수직으로 적층하기 위하여 각 층의 표면 형상을 각 층별로 일정하게 유지하는 방법을 제공하고자 함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 양자점을 형성하기 위한 여러 가지 방법 중에서 격자상수의 차이(격자 불일치)를 이용한 자발 형성방법(self assembled growth mode)에 의해 성장된 단층 양자점을 수직으로 적층하기 위하여 양자점 층의 성장시에 언제나 맨 아래층과 같은 표면을 유지함으로써 표면의 거칠음으로 인해 유발되는 핵생성 환경의 변화를 막는 방법을 제공하고자 함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 양자점을 형성하기 위한 여러 가지 방법 중에서 격자상수의 차이(격자 불일치)를 이용한 자발 형성방법(self assembled growth mode)에 의해 성장된 단층 양자점을 수직으로 적층하기 위하여는 각 층의 표면 형상을 각 층별로 일정하게 유지하는 것이 필요한데, 이러한 목적을 달성하기 위하여양자점층 위에 형성되는 덮개층의 표면 균일도를 덮개층의 형성온도를 조절하여 달성하는 방법을 제공하고자 함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 양자점층 위에 형성되는 덮개층의 결정의 완결성을 유지하여 양자점층의 전기적 특성의 향상을 제공할 수 있는 방법을 제공함에 있다.

위와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 양자점을 형성하기 위한 여러 가지 방법 중에서 격자상수의 차이(격자 불일치)를 이용한 자발 형성방법(self assembled growth mode)에 의해 성장된 단층 양자점을 수직으로 적층하기 위하여는 각 층의 표면 형상을 각 층별로 일정하게 유지하기 위하여 양자점층 위에 형성되는 덮개층의 표면 균일도를 덮개층의 형성온도를 조절하여 달성하고자 한다. 구체적으로는, 반도체 기판위에 형성된 버퍼층 상부에 양자점을 성장시킨 후, 그 상부에 덮개층을 양자점이 충분히 덮일 만큼 성장시키고 나머지 부분은 온도를 서서히 올리면서 성장시킨다. 이때 온도는 버퍼 층이 성장된 온도와 같은 온도를 사용한다. 이렇게 형성된 덮개층위에 두 번째 양자점층을 성장시키기 위해서는 다시 저온으로 온도를 낮춘 후 양자점층을 성장시키고, 그 위에 다시 덮개층을 위와 같은 방법으로 형성시켜 같은 과정을 반복하면서 적층을 계속한다.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 반도체 기판위에 에피택셜(epitaxial)방법에 의해 에피층을 성장시킬 때, 에피층 성장 온도에 따른 에피층 표면 형상의 변화를 나타내는 도면이다. 화합물 반도체의 표면 형상은 그 성장 온도와 매우 밀접한 관계가 있다. 이는 온도가 올라감에 따라서 표면 원자들의 이동도가 지수함수적으로 증가하기 때문이다. 고온에서는 원자들의 이동도가 매우 빠르기 때문에 원자들이 충분히 표면을 이동해 다니다가 스텝(step) 영역으로부터 차례차례 자리를 잡아가는 스텝 플로우(step-flow) 방식으로 성장이 일어나며, 온도가 낮아짐에 따라 이동도의 저하가 현저해져서, 저온 영역에서는 표면에 흡착된 원자들이 채 안정된 위치를 찾기 전에 핵 생성이 일어나고 이곳으로부터 성장이 일어나는 핵생성 및 성장(nucleation and growth) 방식으로 성장이 진행된다. 따라서 고온에서 성장한 에페층의 RMS(root mean square) 거칠기는 0.1 nm 정도이지만 저온으로 갈수록 이 수치는 늘어나게 되고, 이는 곧 위에 성장하게 되는 다른 박막의 품질에도 영향을 미친다. 대략 고온일 수록 에피막의 구조적, 전기적 특성이 우수해지고, 저온으로 갈수록 이러한 물성이 열화되는 특성을 나타낸다. 온도가 높아질수록 표면의 원자들의 이동도가 높아지므로 스텝 플로우(step-flow) 방식으로 성장되는 것을 나타낸다. 이를 유츄하면, 양자점층 형성온도가 높을수록 양자점층 표면의 RMS(Root Mean Square) 거칠기가 우수하고 저온으로 갈 수록 RMS 거칠기가 열화되는 것을 알 수 있다.

기판과의 격자 불일치를 이용한 양자점 성장시에는 표면의 이동도와 양자점 물질의 유량, 증착량 등의 공정 변수를 조절하여 적절한 양자점의 크기와 밀도를 얻게 되며, 그에 적당한 온도는 벌크(bulk) 에피층의 성장이 일어나는 온도에 비해 대략 100℃ 정도 아래가 된다. 따라서 양자점을 성장시키기 위하여 어느 정도의 전기적 특성의 열화를 감수하고 성장을 진행하는 셈이 된다.

도 2는 양자점의 성장 및 적층 과정을 나타내는 도면 및 적층면의 원자현미경(AFM:Atomic Force Microscope, 원자간력 현미경) 사진이다. 도 2 을 보면 반도체 기판에 양자점을 형성하기 전부터 양자점을 형성한 후, 그리고 양자점 형성후 그 상부에 덮개층을 성장하는 과정이 도시된 것을 알 수 있다. 또한 도 2는 각 단계별로 AFM (atomic force microscopy) 사진을 보여주고 있다. 본 실험에서 양자점 형성을 위해 사용된 방법은 반응기 압력 76 Torr인 저압 유기 금속 화학 기상증착법{MOCVD (metalorganic chemical vapor deposition)}이었다. 반도체 기판은 epiready (001) InP 이며 반도체 기판위에 620℃에서 InP 버퍼층을 성장하였으며, 다음에 온도를 530℃ 로 낮추어 InAs 양자점을 성장시켰다.

고온에서 성장한 버퍼층의 RMS(root mean square) 거칠기는 0.1 nm 정도이지만 그 위에 양자점을 성장하고 저온에서 덮개층을 성장시키면 그 표면의 품질은 현저하게 열화되고, 또한 박막의 성장 메커니즘 자체가 스텝 플로우(step flow) 방식[도 1, 620℃ 성장]이 아니라 핵생성 및 성장방식[도 1, 530℃ 성장]을 따르기 때문에 후속하여 양자점을 성장하게 되면 성장 환경이 매우 다르게 될 것이다. 따라서 본 발명에서는 먼저 양자점층 위에 10 nm 가량의 InP 덮개층을 저온에서 성장시킨 후에 나머지 부분을 고온으로 서서히 온도를 올리면서 성장시킴으로써 표면의 품질을 회복하고자 하였다. 사용된 기판은 epiready (001) InP 이며 별도의 세정이나 에칭 과정 없이 바로 반응기에 장착하여 실험이 진행되었다. 원료가스로는 트리메틸라인디움(trimethyleindium), 아르신(Arsine), 포스핀(Phosphine) 등이 사용되었다. 먼저 기판 온도를 620℃까지 상승시켜 기판 표면에 존재할 수도 있는 산화물(oxide)들을 탈착시킨 후 200 nm 두께의 InP 버퍼층을 성장시키고 온도를 500 ~ 530℃로 낮추어 InAs 양자점을 5초간 성장시켰다. 그리고 나서 양자점이 충분히 형성될 만한 30 초의 성장 중지단계를 거친 후에 덮개층을 성장하였다. 이 덮개층의 성장은 덮개층 조성물질이 벌크(bulk) 성장하는 경우의 최적 온도에 비해서 수십에서 100℃가량 낮은 온도에서 이루어지게 되므로 성장 양상이 스텝 플로우(step-flow) 방식이 아닌 핵생성 및 성장 방식을 따르게 되고 표면 형상이 다소 거칠게 된다. 따라서 후속하여 그 덮개층 성장 후에 양자점을 다시 성장하게 된다면 첫 번째 층과는 다른 형상의 양자점층이 형성되게 되는 문제점이 있다.

이러한 표면 형상의 변화에 따른 효과는 양자점층의 적층에 따라 증가하는 에피층 내의 응력 증가와 더불어 양자점 형성 환경을 심하게 변화시킨다. 즉 3D 전이를 위한 임계두께나 양자점의 핵생성을 위한 활성화에너지값을 낮추는 효과가 예상된다. 따라서 본 기술에서는 덮개층 성장시의 온도를 이원화함으로써 양자점이 형성되는 표면을 언제나 같은 상태로 유지하려고 하였다.

즉, 도 2는 반도체 기판에 양자점을 형성하기 전부터 형성한 후, 그리고 덮개층을 성장하는 과정을 AFM (atomic force microscopy) 사진과 함께 도시한 것으로, O 단계는 620℃에서 고온 버퍼층을 성장한 표면 형상이고, 1단계는 버퍼층형성 온도보다 낮은 저온에서 양자점을 성장한 모습, 2단계부터 4단계까지는 저온 덮개층을 점차적으로 성장시키는 모습이다. 덮개층의 두께가 증가함에 따라서 표면의 거칠기는 점차 감소하여 50 nm의 덮개층을 성장한 후에는 0.2 nm 정도까지 회복이 된다. 하지만 표면의 형상을 보면 0 단계의 고온 버퍼층과는 전혀 다른 양상임을 확인할 수 있다.

도 3은 본 발명에 따라 덮개층의 처음 10 nm 정도는 저온(500℃)에서 성장시키고, 그 후부터는 서서히 온도를 올리면서(620℃까지) 덮개층을 성장시킨 경우의 덮개층의 표면거칠기를 나타내는 것도면 및 사진이다. 이에 따르면, 양자점층 위에 10 nm 가량의 InP 덮개층을 저온에서 성장시킨 후에 나머지 부분의 덮개층은 고온으로 서서히 온도를 올리면서 성장시킴으로써 덮개층 표면의 품질이 회복되는 것을 나타내고 있다.

도 4는 본 발명에 의한 방법과 기존의 방법에 따라 성장된 수직적층 양자점층 중에서 세 번째 양자점 층의 표면 형상을 나타내는 사진으로, 3층을 적층한 양자 점수직적층의 세번째 InAs/InP 양자점 층의 표면을 AFM 으로 관측한 것이다. 그 결과 기존의 방법에 비해 향상된 표면 양상을 관찰할 수 있었다.

도 5는 본 발명에 의한 방법(점선)과 기존의 방법(실선)에 따라 성장된 양자점층의 포토루미네슨스(Photoluminescence) 결과이다. 이 결과를 보면, 일정한 두께의 덮개층 형성후에 나머지 덮개층 형성시 온도를 고온으로 올림에 따라 우려되던 양자점 층의 열화는 일어나지 않음을 포토루미네슨스(Photoluminescence) 측정을 통해 확인할 수 있었다. 즉 피크의 위치나 반가폭이 거의 일정함을 확인할 수 있었고, 따라서 고온으로 온도가 상승함에 따르는 양자점 물질의 아웃 확산(outdiffusion) 등은 일어나지 않음을 알 수 있었다.

지금까지의 본 발명에 대한 설명은, 본 발명을 구현하기 위한 실험이 수행된 InP 기판 위의 InAs 양자점 시스템에 관한 것이나, 이러한 발명의 내용은 이 뿐만 아니라 GaAs 기판위에 성장된 각종 양자점이나 Si 기판위에 성장된 SiGe 양자점 시스템에도 폭넓게 적용될 수 있다. 왜냐하면 온도의 증가에 따르는 반도체 표면의 원자 이동도의 증가는 어떤 물질 시스템에도 적용되는 일반적인 현상이기 때문이다.

또한 본 발명에서는 MOCVD 방법을 사용하였으나, 분자 빔 에피탁시(MBE; molecular beam epitaxy)법에도 본 발명은 적용될 수 있다.

한편, 본 발명의 상세한 설명에서 바람직한 실시예 등을 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도내에서 여러 가지 변형이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.

본 발명은 반도체 양자점 구조 형성에 관한 것으로서 양자점 층을 수직으로 적층하는 것에 관한 기술이다. 양자점을 형성하기 위한 여러 가지 방법 중에서 격자상수의 차이(격자 불일치)를 이용한 자발 형성방법(self assembled growth mode)에 의해 성장된 단층 양자점을 수직으로 적층하기 위하여는 양자점층위에 형성되는 덮개층의 표면의 균일도가 매우 중요하다. 수직으로 적층되는 양자점 각 층의 표면 형상을 각 층별로 언제나 일정하게 유지하기 위한 방법으로 양자점을 성장시킨 후 덮개층을 성장시키는 도중에 온도를 고온으로 상승시켜서, 즉 덮개층을 일정하게 성장시킨후 덮개층 성장온도를 높혀서 나머지 덮개층을 성장시키면 덮개층의 표면 균일도가 향상되며, 이 덮개층위에 형성되는 양자점층 또한 균일도를 향상시킬 수 있다.

도 1은 반도체 기판 위에 에피층을 성장시킬 때 성장 온도에 따른 표면 형상의 변화를 나타내는 도면

도 2는 양자점의 성장 및 적층 과정을 나타내는 도면 및 적층면의 원자현미경(AFM:Atomic Force Microscope, 원자간력 현미경) 사진

도 3은 본 발명에 따라 덮개층의 처음 10 nm 정도는 저온(500℃)에서 성장시키고, 그 후부터는 서서히 온도를 올리면서(620℃까지) 덮개층을 성장시킨 경우의 덮개층의 표면거칠기를 나타내는 도면 및 사진

도 4는 본 발명에 의한 방법과 기존의 방법에 따라 성장된 세 번째 양자점 층의 표면 형상을 나타내는 사진

도 5는 본 발명에 의한 방법(점선)과 기존의 방법(실선)에 따라 성장된 양자점층의 포토루미네슨스(Photoluminescence) 결과.

Claims (5)

1. 반도체 기판에 자발형성 양자점의 수직적층을 이루는 양자점층 형성방법에 있어서,

   상기 반도체 기판에 에피택셜방법으로 성장시킨 버퍼층을 형성하는 단계,

   상기 버퍼층 상부에 자발형성방법에 의하여 제1 양자점층을 형성하는 단계,

   상기 제1 양자점층 상부에 제1 덮개층을 일정온도에서 일정 두께로 형성하는 단계,

   상기 일정두께로 형성된 제1 덮개층 상부에 상기 일정온도보다 높은 온도에서 제2 덮개층을 형성하는 단계,

   상기 제2 덮개층 상부에 제2 양자점층을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 양자점 수직적층방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 제1 양자점층의 형성 온도는 500-550℃이고, 제2덮개층의 형성 온도는 600 ℃ 이상임을 특징으로 하는 양자점 수직적층방법.
3. 제1항에 있어서,

   상기 제1 양자점층은 InAs 층이고 고, 제1 및 제2 덮개층은 InP 층임을 특징으로 하는 양자점 수직적층방법.
4. 제1항에 있어서,

   상기 제1 덮개층은 10nm의 두께로 형성됨을 특징으로 하는 양자점 수직적층방법.
5. 제1항에 있어서,

   상기 제2 덮개층 상부에 형성되는 제2 양자점층의 형성온도는 상기 제2 덮개층 형성온도보다 낮음을 특징으로 하는 양자점 수직적층방법.