KR100515564B1 - 능동 유기 전계 발광소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 비발광 부분에 BM겸용 전극을 형성하여 이를 전기적으로 캐소드 전극과 접속하여 인접 화소간의 크로스토크 효과를 줄일 수 있는 능동 유기 전계 발광 소자 그 제조방법을 제공한다. 이를 통해, 발광된 빛의 칼라 크로스 토크를 억제하고 콘트라스트를 증가시킴으로써, 고정세, 고효율, 고휘도를 구현할 수 있다.
Description
본 발명은 능동 유기 전계 발광 소자(Active Matrix Organic Electro luminescent Display) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 비발광 부분에 BM겸용 음극 전극을 형성하여 인접 화소간의 크로스토크 효과를 줄일 수 있는 능동 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 전계 발광(electroluminescence;EL)은 재료에 전장을 가했을 경우, 빛이 발생하는 현상을 지칭하며 사용하는 재료에 따라 무기 EL과 유기 EL로 나누어진다.
무기 EL의 경우 기본적으로 형광체 층을 중심으로 상, 하부 절연 층으로 구성된 박막형 구조나 절연 재료를 포함하고 있는 반사층과 형광체를 포함하고 있는 절연 바인더로 구성된 후막형 구조가 있다.
그러나, 무기 EL을 이용한 전계 발광 소자는 기본적으로 저 휘도 및 저 효율을 가져 고 휘도와 고 효율이 필요한 디스플레이 응용에는 적합하지 않다는 것으로 여겨지고 있으며, 디바이스 특성의 개선이 절실히 요구되는 실정이다.
유기물질에 의한 전계발광 (EL: Electroluminescence) 현상은 1965년에 단결정 안트라센( anthracene)에서 최초로 발견되었지만 제한된 크기, 단결정 성장의 어려움 및 매우 높은 구동전압 때문에 20여년간 제한적인 발전에 그쳐왔다. 그러던 것이 1987년 탱(Tang)에 의해 진공증착에 의한 높은 양자효율을 가진 다층 박막구조의 유기EL 소자의 개발에 성공함으로써 새로운 전기를 맞게 되었다. 이 소자는 전체 박막두께가 1000Å에 불과하고 10V 정도의 낮은 전압에서 구동될 수 있는 매우 효율적인 특성을 가지고 있다. 이때부터 전세계적으로 단분자의 증착방식을 이용한 소위 OLED(Organic Light Emitting Diode)의 개발에 광범위한 노력을 기울인 결과 최근에는 모노 및 컬러 OLED 디스플레이가 상업화의 길로 접어들었다. OLED는 TN/STN/TFT LCD와 같은 현재의 전통적인 평판 디스플레이보다 저 전압 구동과 저 소비전력, 자체발광(고휘도), 빠른 응답속도(수㎲), 광시야각, 경량, 박형, 저생산비용 등의 장점을 배경으로 급속히 기술이 발전하고 있다.
유기 EL 소자는 전자 주입전극과 정공 주입전극으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜 주입된 전자와 정공이 결합한 여기자가 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.
이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 종래 기술에 의해 제조된 능동 유기 박막형 전계 발광 소자를 설명한다. 도 1은 종래 기술에 의한 유기전계 발광소자의 평면도이고, 도 2는 도 1의 유기전계 발광소자를 Ⅰ-Ⅰ'의 단면으로 자른 단면도이다.능동 매트릭스형 유기 발광소자는 수동 매트릭스형 유기전계발광소자의 구성과는 달리 다수의 화소영역 마다 박막트랜지스터를 구성하여 상기 각 화소를 독립적으로 구동할 수 있도록 한다.
따라서, 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(1) 상에 정의된 화소영역에 구동소자인 박막트랜지스터(10)가 구성된다. 박막트랜지스터(10)는 활성층, 게이트 전극, 소오스 전극, 드레인 전극으로 구성되며, 소스 전극과 드레인 전극사이에 활성층이 구비된다.
화소영역은 드레인 전극과 접촉하고 유기막에 정공을 주입하는 제 1 전극(2)과 제 1 전극(2) 상부에 구성되는 다층 또는 단층의 유기박막(5), 유기박막(5) 상에 형성되는 전자를 주입하는 제 2 전극(6)으로 구성된다. 다음으로 소자의 안정화를 위해서, 상기 구조 상에 유리캔 시일(glass can sealing)(8)을 증착하고 시일의 내부 공간(7)은 N2 또는 Ar의 기체가 주입된다. 그리고, 바륨옥사이드 또는 칼슘옥사이드 등으로 이루어진 테이퍼 또는 파우더 타입의 흡습제(deccicant)(9)가 유리캔 시일(8) 내부에 도 2와 같이 부가되어 있다. 다층 유기박막(5)은 전자수송층 (ETL:Electron Transport Layer), 정공수송층 (HTL:Hole Transport Layer)와 발광층 (EML:Emitting Layer)으로 구성되어 있으며, 별도의 전자주입층(EIL: Electron Injecting Layer)과 정공주입층(HIL:Hole Injecting Layer) 또는 정공방지층(HBL: Hole Blocking Layer)을 소자특성의 개선을 위해 추가로 삽입할 수 있다.
일반적으로 능동 유기전계소자는 양극(ITO)/다중 유기박막/음극(금속)의 구조를 가지고 있는데, 양극으로 사용되는 ITO막은 주로 스퍼터링(sputtering)에 의하여 형성되며, 현재 사용되는 LCD용 ITO 코팅 유리에 비해 균일한 표면 거칠기, 저저항, 고투과도 등의 조건을 만족해야 한다. OLED는 캐리어(전하와 정공) 주입방식에 의한 발광소자이므로 유기물의 경계면으로 침투하는 캐리어의 주입 효율이 소자의 특성에 큰 영향을 준다.
ITO 기판의 상태에 기인하지만, ITO 표면 일함수(약 4.67eV)와 정공 수송층(HTL)의 이온에너지(약 5.2eV)와의 접합 계면에는 표면 전위차가 발생한다. ITO 기판의 전처리 기술은 ITO막의 표면전위를 정공수송층의 표면전위에 가능한한 최대한 근접한 값을 갖게 함으로써 양극으로 사용되는 ITO막으로부터 정공이 보다 원활하게 발광층까지 이동할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다고 하겠다. 이를 위해 ITO기판의 전 처리를하는데 이는 ITO 박막으로부터 산소의 이탈을 방지하고, 그 표면으로부터 수분이나 유기물 형성을 제거하고 표면을 산화시켜, ITO층과 HIL층과의 접촉 계면의 베리어를 없애기 위함이다. 통상적으로 ITO 패턴닝후 음전극 및 유기물의 자동 분리를 위해 능동형 유기 전계소자의 경우 캐소드 분리기(cathode separator)를 형성하게 되며 일반적으로 3-5㎛의 높이를 가진 역 테이퍼각이 있는 구조로 만들어 진다.
이처럼 유기 전계소자의 제조공정은 디바이스가 수분 및 산소에 취약하므로 ITO 및 음극 분리막 형성 후 시일까지 일괄 공정으로 끝나야 하는 공정상의 제한을 가지고 있다. 이로 인해 파생되는 문제점을 보면 새도우 마스크(shadow mask)를 사용하여 진공 브레이크 없이 유기증착 및 음극 전극(cathod)형성 등이 일괄로 끝나야 하기때문에 화소가 작은 고정세 디바이스 제작의 경우 유기층의 sub-픽셀간 연결에 의한 인접 화소간의 컬러 크로스토크(color cross talk) 및 컨트라스트(contrast) 등이 문제 된다.
또한, 도 2에 도시하고 있는 바와 같이 유기박막(5)이 픽셀의 비발광 부위에도 적층되어 유기물의 재결정 등에 의한 서브픽셀 간에 크로스토크가 발생하는 문제점이 발생할 수 있다.
본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 보완, 해결하기 위해 제안된 것으로서, 고정세 및 고효율을 가지는 능동 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 다른 목적은 유기층의 서브-픽셀간 연결에 의한 인접 화소간의 컬러 크로스토크(color cross talk) 및 컨터라스트(contrast) 등을 개선하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면은 다수의 화소가 정의된 기판과, 각 화소마다 게이트 전극, 활성층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 구동소자와, 드레인과 접촉하고 상기 각 화소마다 독립적으로 구성되는 제 1 전극와, 제 1 전극상의 비발광 영역 소정 부위에 형성된 절연층과, 절연층 상에 구성된 BM겸용 전극과, BM겸용 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 전극과, 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하고 이들 전극 사이에 발생한 전계에 의해 빛을 발광하는 유기 박막을 포함하는 능동 메트릭스형 유기전계 발광소자를 제공한다.
본 발명의 다른 일측면은 유기 전계 발광 소자의 제조 방법은 다수의 화소가 정의된 기판을 제공하는 단계와, 각 화소마다 게이트 전극, 활성층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 구동소자를 제조하는 단계와, 드레인과 접촉하고 상기 각 화소마다 독립적으로 제 1 전극을 형성하는 단계와, 제 1 전극상의 비발광 영역 소정 부위에 절연층을 형성하는 단계와, 절연층 상에 BM겸용 전극을 형성하는 단계와, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 위치하고 이들 전극 사이에 발생한 전계에 의해 빛을 발광하는 유기 박막을 형성하는 단계와, BM겸용 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 능동 메트릭스형 유기전계 발광소자의 제조방법을 제공한다.
절연층은 ALD(atomic layer deposition) 또는 CVD(chemical vapor deposition) 박막 형성법을 사용하여 형성된 SiNx, SiO2 또는 SiON일 수 있으며, BM겸용 전극은 Mo, Ta, W, MoO 또는 CrO일 수 있다.
기판은 유리기판, 다결정 기판, 플라스틱 기판 또는 플렉서블 기판 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다.
(제 1 실시예)
이하, 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 제 1 실시예를 상세히 설명한다.도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 유기전계 발광소자의 평면도이고, 도 4는 도 3의 유기전계 발광소자를 Ⅱ-Ⅱ'의 단면으로 자른 단면도이다. 제 1 실시예에 의한 유기발광소자는 탑에미션 방식으로 빛을 방출한다 (후술할 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 하부기판으로 빛을 방출하는 방식이다).
도 4를 참조하면, 기판(1) 상에 정의된 화소영역에 구동소자인 박막트랜지스터(10)가 구성된다. 박막트랜지스터(10)는 활성층, 게이트 전극, 소오스 전극, 드레인 전극으로 구성되며, 소스 전극과 드레인 전극사이에 활성층이 구비된다.
탑에미션 방식으로 빛을 방출하는 구조이므로 기판(1)은 유리기판, 플라스틱 기판 등의 투명기판에 한정되지 않고 불투명기판도 사용가능하다. 불투명기판으로는 다결정 기판, 실리콘 기판 등이 있다. 기판(1) 상에는 상술한 박막트랜지스터(10)가 형성된다. 이러한 박막트랜지스터(10)의 형성은 통상의 공지된 기술로 가능하고, 주로 폴리실리콘 트랜지스터가 이용가능하다.
다음으로, 박막트랜지스터(10)가 형성된 상기 기판(1) 상에 제 1 전극(애노드 전극)(2)이 형성되고, 상기 제 1 전극(2) 상에 이웃하는 픽셀과 가까운 쪽에 위치하는 발광영역 외부로 소정 높이로 절연층(3)이 형성된다. 이때, 상기 제 1 전극(2)은 알루미늄, 칼슘, 마그네슘 등과 같이 일함수가 낮은 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 패터닝하고 각 화소마다 독립적으로 형성한다. 다른 예로 ITO 투명전극으로 형성할 수도 있다. 절연층(3)은 두께가 얇으면서 절연 특성을 좋게 하기 위해 ALD(atomic layer deposition) 및 통상적인 CVD(chemical vapor deposition) 박막 형성법을 사용하여 SiNx, SiO2, SiON 등이 일 수 있다. 절연층(3)의 커버 범위는 픽셀의 비발광부 만을 포함하여 디바이스의 컨트라스트를 높이며 전도성이 있는 BM 겸용 전극(4)과 직접 접촉된다.
다음으로, 유기물을 형성하기 전, 절연층(3)상에 BM겸용 전극(4)을 도 3에서 도시하고 있는 바와 같이 적층한다. 이에 따라, 이웃하는 픽셀간에 소정 높이를 갖고 절연층(3)/BM 겸용 전극(4)이 형성되어 있음으로 해서 해당 픽셀에서 발광하는 빛이 이웃하는 픽셀로 번지는 것을 차단시키는 효과를 가지게 된다.이때, 상기 BM겸용 전극(4)은 해당 픽셀에서 발광하는 빛이 이웃하는 픽셀로 번지는 것을 보다 효과적으로 차단시키기 위해 불투명한 금속을 이용한다. 그리고 상기 BM겸용 전극(4)은 스텝 커버리지(step coverage)를 고려하여 통상의 열증착 진공 박막장비를 이용하여 제조하며, 예를 들어 스퍼터링 증착 방법을 사용해서 재료가 refractory metals(Mo, Ta, W, ..) 및 MoO, CrO등을 사용하여 BM역할을 할 수 있을 정도로 불투명하게 증착한다. 한편, 이 경우 절연층(3)의 두께는 예를 들어 50-100nm, BM겸용 전극(4)의 두께는 100-200nm로 형성할 수 있다.
다음으로, 유기박막(5)를 단층 또는 다층으로 적층한다. 이때, 상기 유기박막(5)을 적층할 때, 미리 소정 높이를 갖는 절연층(3)/BM 겸용 전극(4)이 이웃하는 픽셀과 가까운 쪽에 위치하는 발광영역 외부로 소정 높이로 절연층(3)/BM 겸용 전극(4)이 형성됨으로 해서 유기 박막이 픽셀의 비발광부위에 적층되는 것을 방지할 수 있게 된다. 다층 유기박막(5)은 전자수송층 (ETL:Electron Transport Layer), 정공수송층 (HTL:Hole Transport Layer)와 발광층 (EML:Emitting Layer)으로 구성되어 있으며, 별도의 전자주입층(EIL: Electron Injecting Layer)과 정공주입층(HIL:Hole Injecting Layer) 또는 정공방지층(HBL: Hole Blocking Layer)을 소자특성의 개선을 위해 추가로 삽입할 수 있다. 한편, 이러한 유기박막(5)의 패터닝은 새도우마스크를 이용하여 실시된다.
유기 박막(5)은 고진공(<10-6torr) 상태에서 진공증착 방식을 이용하여 기판의 표면에 순차적으로 형성된다. 유기박막은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), RGB 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 등의 다층박막으로 구성되어 있으며 통상 음극 라인으로 연결된 구조를 가지고 있다. 사용되는 대부분의 유기재료는 무기재료에 비해 증기압이 높고, 증발 온도범위가 광범위하고(100∼500°C) 증발온도가 제각기 달라서 물질 마다의 정교한 온도제어가 필수적이다.
다음으로, 제 2 전극(캐소드 전극)(6)을 형성한다. 이 전극은 유기박막(5)에 이어 증착하게 되는데 상대적으로 고온의 증착 과정 동안에 발생되는 복사열에 의해 온도에 민감한 유기 박막이 변질되지 않도록 주의해야 한다. 음극전극에 사용되는 금속재료는 대부분 일함수가 낮은 활성금속으로 성막시 잔류 불순물에 의한 오염을 최소화 하기 위해 고진공의 배기 시스템내에서 공정을 진행하며, 진공 챔버의 개폐를 필요로 하는 재료공급의 빈도를 줄이기 위해 고안된 물질 자동공급장치를 사용하여 금속 전극박막을 형성한다. 제 2 전극(6)은 고주파 마그네트론 스퍼터링(radio frequency magnetron sputtering) 또는 직류 마그네트론 스퍼터링(direct current magnetron sputtering)법으로 제조할 수 있다.
일반적으로 Mg/Ag, Mg/Ag-Al, Li-Al, LiF-Al 등이 사용되는데 금속재료는 고온(450∼1200°C)에서 증착되므로 유기물이 성막된 기판의 온도를 낮게 관리하는 것이 중요하다. 수분과 산소에 취약한 OLED소자는 dry N2 분위기에서 금속캔과 UV 경화 수지를 이용해 봉지되는 것이 일반적이다. 봉지가 정상적으로 되지 못할 경우 수분이나 산소와 반응하여 특성이 저하된 유기물질에 의해 소자의 밝기가 저하되고 다크스폿 등이 생기는 결함이 발생한다.
이와 같이 소자의 안정화를 위해서, 상기 구조 상에 유리캔 시일(glass can sealing)(8)을 증착하고 시일의 내부 공간(7)은 N2 또는 Ar의 기체가 주입된다. 그리고, 금속캔(또는 유리)을 사용하는 봉지 공정은, 여러 개의 금속캔을 장착한 트레이를 로딩한 후 UV를 이용하여 금속캔 세정을 하고, 각각의 캔에 BaO, CaO 등과 같은 흡습제(9)를 일정부분 바른 후 투습지로 테이핑한다. 그리고 나서 접착제를 캔 주위에 균일하게 펴 바른후 UV 큐어링(curing)을 통해 봉지를 완료한다. 이와 같이, 이웃하는 픽셀간에 소정 높이를 갖는 절연층(3)/BM 겸용 전극(4)이 형성됨으로 해서 유기 박막이 픽셀의 비발광부위에 적층되는 것을 방지할 뿐만 아니라, 상기 이웃하는 픽셀간에 소정 높이를 갖고 형성된 절연층(3)/BM 겸용 전극(4)에 의해 해당 픽셀에서 발광하는 빛이 이웃하는 픽셀로 번지는 것을 차단시게 된다.또한, 상기 BM겸용 전극(4)이 BM(Black Matrix)역할을 할 수 있을 정도로 불투명하게 증착함으로서, 해당 픽셀에서 발광하는 빛이 이웃하는 픽셀로 번지는 것을 더욱 효과적으로 차단시킬 수 있게 된다.
(제 2 실시예)
이하, 도 5를 참조하여 본 발명의 제 2 실시예를 상세히 설명한다. 제 2 실시예에 의한 유기발광소자는 기판으로 빛을 방출하는 방식이다 (전술한 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 탑에미션 방식이다). 제 2 실시예에 의한 설명은 설명의 편의를 위해서 제 1 실시예와의 차이점을 기준으로 설명한다.
먼저, 기판(1)의 종류가 제 1 실시예의 경우보다 제한된다. 기판을 통해서 빛을 방출하는 구조이므로 불투명한 기판을 사용할 수 없기 때문이다. 따라서, 기판(1)은 유리기판, 플라스틱 기판, 플렉서블 기판 등이 가능하다.
또한, 제 1 전극(2)은 하부 기판(1)으로 빛을 방출하는 구조의 제 2 실시예에서는 ITO 투명전극으로, 상기 구조 상에 시일(12)은 불투명 스테인레스 스틸로 각각 제조가능하다. 바륨옥사이드 또는 칼슘옥사이드 등으로 이루어진 테이퍼 또는 파우더 타입의 데시칸트(deccicant)(9)가 시일(12) 상부 등에 부착가능하다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 전 음극 형성을 기초로 하는 유기 전계 발광 디스플레이를 제조할 경우 소자의 비발광 부분에서의 열화에 의한 인접 화소간의 크로스토크(cross talk) 효과를 상당히 줄일 수 있으며, 따라서 고정세의 AM OLED 디스플레이에의 적용에 상당한 효과가 있을 것이다.
도 1은 도 1은 종래 기술에 의한 유기전계 발광소자의 평면도이다.
도 2는 도 1의 유기전계 발광소자를 Ⅰ-Ⅰ'의 단면으로 자른 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 유기전계 발광소자의 평면도이다.
도 4는 도 3의 유기전계 발광소자를 Ⅱ-Ⅱ'의 단면으로 자른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 유기전계 발광소자의 평면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 애노드 전극
3 : 절연층 4 : BM겸용 전극(투명 또는 불투명)
5 : 유기박막 6 : 캐소드 전극
7 : 시일 내부공간 8 : 유리캔층 또는 금속캔층
9 : 흡습제 10: 박막트랜지스터
Claims (6)
- 다수의 화소가 정의된 기판;상기 각 화소마다 게이트 전극, 활성층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 구동소자;상기 드레인과 접촉하고 상기 각 화소마다 독립적으로 구성되는 제 1 전극;상기 제 1 전극상의 비발광 영역 소정 부위에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 구성된 BM겸용 전극;상기 BM겸용 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 전극; 및상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하고 이들 전극 사이에 발생한 전계에 의해 빛을 발광하는 유기 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 능동 메트릭스형 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연층은 ALD(atomic layer deposition) 또는 CVD(chemical vapor deposition) 박막 형성법을 사용하여 형성된 SiNx, SiO2 또는 SiON인 것을 특징으로 하는 능동 메트릭스형 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 BM겸용 전극은 Mo, Ta, W, MoO 또는 CrO 인 것을 특징으로 하는 능동 메트릭스형 유기전계 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판은 유리기판, 다결정 기판, 플라스틱 기판 또는 플렉서블 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 능동 메트릭스형 유기전계 발광소자.
- 다수의 화소가 정의된 기판을 제공하는 단계;상기 각 화소마다 게이트 전극, 활성층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 구동소자를 제조하는 단계;상기 드레인과 접촉하고 상기 각 화소마다 독립적으로 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극상의 비발광 영역 소정 부위에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 BM겸용 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 위치하고 이들 전극 사이에 발생한 전계에 의해 빛을 발광하는 유기 박막을 형성하는 단계; 및상기 BM겸용 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 능동 메트릭스형 유기전계 발광소자의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 BM겸용 전극 형성단계는 Mo, Ta, W, MoO 또는 CrO를 이용하여 스퍼터링 증착 방법을 통해 증착된 것을 특징으로 하는 능동 메트릭스형 유기전계 발광소자의 제조방법.
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