KR100690640B1 - 유기전계 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
유기전계 발광 소자 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (18)
- 유기전계 발광 구조물 상부에 형성된 보상층과;상기 보상층 상부에 형성된 보호막을 구비하며,여기서, 상기 보상층의 끝부분 형성 각도는 45도 이하인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 보상층은 상기 유기전계 발광 구조물의 상부 전면과 상기 유기전계 발광 구조물이 형성된 기판의 일부 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 보상층은 Silicon oxide(SiOx), Silicon oxynitride(SiOxNy), Silicon nitride(SixNy), SiOxCyNz 중 하나 이상의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 보상층의 두께는 500~4000[nm]인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 유기전계 발광 구조물은 능동 매트릭스형 유기전계 발광 구조물인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 유기전계 발광 구조물은 수동 매트릭스형 유기전계 발광 구조물인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
- 유기전계 발광 구조물 상부에 형성된 제1보호막과;상기 제1보호막 상부에 형성된 보상층과;상기 보상층 상부에 형성된 제2보호막을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
- 제8항에 있어서, 상기 보상층은 상기 유기전계 발광 구조물의 상부 전면과 상기 유기전계 발광 구조물이 형성된 기판의 일부 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
- 제8항에 있어서, 상기 보상층의 끝부분 형성 각도는 45도 이하인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
- 유기전계 발광 구조물을 형성하는 단계와;상기 유기전계 발광 구조물 상부에 보상층을 형성하는 단계와;상기 보상층 상부에 보호막을 형성하는 단계를 포함하며,여기서, 상기 형성된 보상층은 끝부분이 45도 이하가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 보상층은 상기 유기전계 발광 구조물 상부 전면과 상기 유기전계 발광 구조물이 형성된 기판의 일부 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조 방법.
- 삭제
- 유기전계 발광 구조물을 형성하는 단계와;상기 유기전계 발광 구조물 상부에 제1보호막을 형성하는 단계와;상기 제1보호막 상부에 제1보상층을 형성하는 단계와;상기 제1보상층 상부에 제2보호막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제1보상층은 끝부분이 45도 이하가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제1보상층은 유기물 혹은 무기물로 이루어진 것을 특 징으로 하는 유기전계 발광소자 제조 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제2보호막 상부에 제2보상층이 형성되고, 그 상부에 제3보호막이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 제3보호막 상부에 상기 제1, 제2보상층과 제1, 제2, 제3보호막이 기 결정된 순서대로 기 결정된 회수만큼 교번하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조 방법.
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KR1020060016964A KR100690640B1 (ko) | 2006-02-21 | 2006-02-21 | 유기전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
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KR1020060016964A KR100690640B1 (ko) | 2006-02-21 | 2006-02-21 | 유기전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
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KR1020060016964A KR100690640B1 (ko) | 2006-02-21 | 2006-02-21 | 유기전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
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JPH10275680A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機el素子 |
KR20020082038A (ko) * | 2001-04-23 | 2002-10-30 | 주식회사 마이크로아이 | 유기 발광소자의 패키지 및 그 제조방법 |
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KR20060011886A (ko) * | 2003-05-30 | 2006-02-03 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 유기 전자 디바이스 |
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2006
- 2006-02-21 KR KR1020060016964A patent/KR100690640B1/ko active IP Right Grant
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