KR100510595B1 - 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 자동 보정방법 - Google Patents

반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 자동 보정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100510595B1
KR100510595B1 KR10-2003-0006858A KR20030006858A KR100510595B1 KR 100510595 B1 KR100510595 B1 KR 100510595B1 KR 20030006858 A KR20030006858 A KR 20030006858A KR 100510595 B1 KR100510595 B1 KR 100510595B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
stepper
area
focus
edge
wafer
Prior art date
Application number
KR10-2003-0006858A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040070679A (ko
Inventor
지명성
Original Assignee
동부아남반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부아남반도체 주식회사 filed Critical 동부아남반도체 주식회사
Priority to KR10-2003-0006858A priority Critical patent/KR100510595B1/ko
Publication of KR20040070679A publication Critical patent/KR20040070679A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100510595B1 publication Critical patent/KR100510595B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641—Focus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706835—Metrology information management or control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706843—Metrology apparatus
    • G03F7/706845—Calibration, e.g. tool-to-tool calibration, beam alignment, spot position or focus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 스텝퍼 기능에서 센서가 웨이퍼 면을 선 스캔해서 매 샷 마다 적정 포커스로 노광하기 전에 첫 번째 웨이퍼에서 웨이퍼 에지 평탄함을 체크해서 단차가 발생되는 영역을 계산하여 포커스 익스쿠션 영역으로 보정하기 위한 것으로, 이를 위한 작용은 스텝퍼 머신을 통해 잡 파일을 로딩시켜 스텝퍼 노광을 시작하는 단계와, 스텝퍼 노광이 시작된 후, 웨이퍼의 에지 영역을 선 평탄함 정도를 체크하여 단차가 발생되는 평탄함 정도를 통해 웨이퍼 에지 영역의 포커스 디스에이블 영역을 계산하는 단계와, 계산된 포커스 디스 에이블 영역을 스텝퍼의 포커스 익스쿠션 영역으로 보정하고, 보정된 값을 스텝퍼 잡 파일에 저장시켜 기본 옵션 항목으로 두면서 노광을 종료하는 단계를 포함한다. 따라서, 웨이퍼 에지 다이(wafer edge die)에서 발생될 수 있는 디포커스를 최소화할 수 있으며, 에지 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 자동 보정방법{AUTOMATIC COMPENSATION METHOD EDGE FOCUS EXCLUSION AREA IN SEMICONDUCTOR}
본 발명은 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 자동 보정방법에 관한 것으로, 스텝퍼 기능에 있어서, 센서가 웨이퍼 면을 선 스캔해서 매 샷 마다 적정 포커스로 노광하기 전에 첫 번째 웨이퍼에서 웨이퍼 에지 평탄함을 체크해서 단차가 발생되는 영역을 계산하여 포커스 익스쿠션 영역으로 피드백시켜 보정할 수 있도록 하는 방법에 관한 것이다.
통상적으로, 반도체 공정에서 후미 단계로 갈수록 웨어퍼의 에지와 센터와의 단차가 심화된다.
Sanner의 경우, 센서가 웨이퍼 면을 선 스캔해서 매 샷 마다 적정 포커스로 노광한다.
이때, 웨이퍼 센터의 경우, 비교적 양호한 평탄함을 가지고 있지만, 웨이퍼 에지의 경우, 센터에 비해 단차가 심하게 나타난다.
이를 해결하기 위한 도면으로, 도 1은 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 보정방법을 위한 시퀀스 도면이다.
즉, 스텝퍼 머신에서 잡 로딩(10)으로서 일괄적으로 익스쿠션 영역을 지정하고, 스텝퍼 잡 파일에서 디바이스/레이어별로 메뉴얼로 익스쿠션 영역을 지정한다. 이후, 스텝퍼 노광(20)을 진행하는데, 이 노광(20)과는 별도로 평탄함 체크(15-1) 후에 잡 파일을 수정(15-2)하는 기능을 별도로 추가시켜야만 가능한 것이다.
이로 인하여, 센서가 적절한 초점을 검출하지 못하면서 샷을 노광하게 되며, 이와 같이 노광하게 될 경우, 웨이퍼 에지 샷이 디포커스되어 웨이퍼 수율이 나빠지게 되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 그 목적은 스텝퍼 기능에서 센서가 웨이퍼 면을 선 스캔해서 매 샷 마다 적정 포커스로 노광하기 전에 첫 번째 웨이퍼에서 웨이퍼 에지 평탄함을 체크해서 단차가 발생되는 영역을 계산하여 포커스 익스쿠션 영역으로 보정할 수 있도록 하는 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 자동 보정방법을 제공함에 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에서 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 자동 보정방법은 스텝퍼 머신을 통해 잡 파일을 로딩시켜 스텝퍼 노광을 시작하는 단계와, 스텝퍼 노광이 시작된 후, 웨이퍼의 에지 영역을 선 평탄함 정도를 체크하여 단차가 발생되는 평탄함 정도를 통해 웨이퍼 에지 영역의 포커스 디스에이블 영역을 계산하는 단계와, 계산된 포커스 디스 에이블 영역을 스텝퍼의 포커스 익스쿠션 영역으로 보정하고, 보정된 값을 스텝퍼 잡 파일에 저장시켜 기본 옵션 항목으로 두면서 노광을 종료하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 동작에 대하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 자동 보정방법을 위한 시퀀스 도면이다.
즉, 스텝퍼 머신(stepper machine)을 통해 잡 파일을 로딩(loading)하여(단계 200), 스텝퍼 노광(stepper expose)을 시작(start)한다(단계 201).
스텝퍼 노광이 시작된 후, 웨이퍼의 에지 영역을 선 평탄함(pre-flatness) 정도를 체크한 후(단계 202), 체크된 단차가 발생된 평탄함 정도를 통해 웨이퍼 에지 영역의 포커스 디스에이블(focus disable) 영역을 계산(calculation)하며(단계 203), 계산된 포커스 디스 에이블 영역을 스텝퍼의 포커스 익스쿠션 영역으로 보정(compensation)하고(단계 204), 보정된 값을 스텝퍼 잡 파일에 저장시켜 기본 옵션 항목으로 두면서 노광을 종료한다(단계 205).
이와 같이, 스텝퍼의 포커스 익스쿠션 영역으로 보정된 값을 저장하게 되면, 스텝퍼 잡 파일은 동일한 잡 파일을 실행하게 되며, 그 값이 변하지 않고 계속적으로 유지됨에 따라 새로운 시스템을 추가 옵션(option) 항목으로 두어 동일 디바이스/레이어(device/layer) 진행 시 불필요한 반복 작업을 피할 수 있다.
한편, 시스템 설정시 유의 사항으로, 특정 디바이스/레이어의 경우, 웨이퍼 에지 단차는 같은 공정을 거치기 때문에 어느 정도 재현성이 있고, 이 때문에 동일한 디바이스/레이어를 계속적으로 진행할 경우, 시스템을 반복할 필요가 없어 이 시스템을 옵션 항목으로 사용하면 된다.
상기와 같이 설명한 본 발명은 스텝퍼(stepper) 기능에서 센서(sensor)가 웨이퍼 면을 선 스캔(pre-scan)해서 매 샷(shot) 마다 적정 포커스(focus)로 노광(expose)하기 전에 첫 번째 웨이퍼에서 웨이퍼 에지 평탄함(faltness)을 체크해서 단차가 발생되는 영역을 계산하여 포커스 익스쿠션 영역으로 피드백시켜 보정함으로써, 웨이퍼 에지 다이(wafer edge die)에서 발생될 수 있는 디포커스를 최소화할 수 있으며, 에지 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 보정방법을 위한 시퀀스 도면이며,
도 2는 본 발명에 따른 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 자동 보정방법을 위한 시퀀스 도면이다.

Claims (3)

  1. 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 보정방법에 있어서,
    스텝퍼 머신을 통해 잡 파일을 로딩시켜 스텝퍼 노광을 시작하는 단계와,
    상기 스텝퍼 노광이 시작된 후, 웨이퍼의 에지 영역을 선 평탄함 정도를 체크하여 단차가 발생되는 평탄함 정도를 통해 웨이퍼 에지 영역의 포커스 디스에이블 영역을 계산하는 단계와,
    상기 계산된 포커스 디스 에이블 영역을 스텝퍼의 포커스 익스쿠션 영역으로 보정하고, 상기 보정된 값을 스텝퍼 잡 파일에 저장시켜 기본 옵션 항목으로 두면서 노광을 종료하는 단계
    를 포함하는 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 자동 보정방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스텝퍼 잡 파일은, 저장된 값이 변하지 않으면서 유지됨에 따라 새로운 시스템을 추가 옵션 항목으로 두어 동일 디바이스/레이어 진행 시 불필요한 반복 작업을 피할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 자동 보정방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 동일 디바이스/레이어 진행 시의 웨이퍼 에지 단차는, 시스템의 기본 옵션 항목으로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 자동 보정방법.
KR10-2003-0006858A 2003-02-04 2003-02-04 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 자동 보정방법 KR100510595B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0006858A KR100510595B1 (ko) 2003-02-04 2003-02-04 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 자동 보정방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0006858A KR100510595B1 (ko) 2003-02-04 2003-02-04 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 자동 보정방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040070679A KR20040070679A (ko) 2004-08-11
KR100510595B1 true KR100510595B1 (ko) 2005-08-30

Family

ID=37358907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0006858A KR100510595B1 (ko) 2003-02-04 2003-02-04 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 자동 보정방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100510595B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100689841B1 (ko) 2006-02-13 2007-03-08 삼성전자주식회사 반도체 제조장치용 레벨링 알고리듬 및 관련된 장치
KR100871746B1 (ko) * 2006-12-27 2008-12-05 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼 에지의 디포커스를 방지하는 노광방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040070679A (ko) 2004-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3754870B2 (ja) 画像読取装置、シェーディング補正方法、及び記憶媒体
KR100510595B1 (ko) 반도체의 에지 포커스 익스쿠션 영역 자동 보정방법
EP3445143A1 (en) Mounting apparatus and mounting method
US9160868B2 (en) Document reading apparatus, document reading method and storage medium
CN111162035A (zh) 定位方法、装置、组装方法、定位结构及芯片
US7634183B2 (en) Focus adjustable method of optical image
JPH10116778A (ja) スキャン露光装置
US20070058213A1 (en) Image scanner and method for compensating image data
US20060133668A1 (en) Method of detecting the base concentration of a photographic film
KR20190057292A (ko) 화상 합성 장치, 화상 합성 방법, 화상 합성 프로그램 및 기억 매체
JP2004311569A (ja) 半導体製造装置
KR100585108B1 (ko) 스캔 방식의 노광 장치를 이용한 웨이퍼 노광 방법
KR100595331B1 (ko) 웨이퍼의 노광 방법
JP7051635B2 (ja) 加工対象物の加工方法及び固定装置
JPH11127350A (ja) 画像読取り装置及びその制御方法並びに記録媒体
KR100871746B1 (ko) 웨이퍼 에지의 디포커스를 방지하는 노광방법
JP4001218B2 (ja) 画像読み取り装置、画像処理装置、画像信号処理特性の調整方法
JP2003219127A (ja) 画像読取装置
JP2003257818A (ja) 露光装置および露光方法
JP4326064B2 (ja) 電子部品認識装置及び方法、並びに電子部品認識装置を備えた電子部品実装機
TWI353173B (en) Image pick-up device and method for picking-up ima
JP3344400B2 (ja) スキャン型露光装置およびスキャン式露光方法
JP6610017B2 (ja) 画像読取装置、画像形成装置及び原稿サイズ検出方法
KR0136359B1 (ko) 웨이퍼 노광방법
JP2009070889A (ja) 部品搭載装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090722

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee