KR100499125B1 - 커패시턴스 변화를 이용하는 정보 재생 장치 및 방법 - Google Patents

커패시턴스 변화를 이용하는 정보 재생 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

커패시턴스 변화를 이용하는 정보 재생 장치 및 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 정보 재생 장치는 상기 기록 매체에 대한 상기 팁의 위치를 결정할 수 있도록 상기 캔틸레버를 이동시키는 위치결정부와, 정전력(electrostatic force)이 발생되도록 상기 기록 매체와 캔틸레버 사이에 전압을 인가하기 위하여 상기 기록 매체 및 캔틸레버에 연결되어 있는 전원과, 상기 기록 매체와 캔틸레버와의 사이에 발생되는 정전력을 측정하는 정전력 측정부와, 상기 정전력 측정부에서 측정한 정전력으로부터 상기 기록 매체의 국부 커패시턴스를 결정하는 제어부를 포함한다. 본 발명에서는 기록 매체로부터 정보를 재생하기 위하여 전도성 캔틸레버의 자유 단부에 지지되어 있는 팁을 기록 매체의 소정 위치에 접촉시킨다. 상기 팁 및 기록 매체가 접촉 상태로 유지되는 동안 상기 팁 및 기록 매체에 전압을 인가하여 정전력을 발생시킨다. 발생된 정전력을 측정하고, 이로부터 기록 매체의 소정 위치에서의 커패시턴스를 결정한다. 상기 결정된 커패시턴스의 크기에 의거하여 상기 기록 매체에 기록된 정보를 재생한다.

Description

커패시턴스 변화를 이용하는 정보 재생 장치 및 방법 {Apparatus and method for reproducing data using capacitance vatiation}
본 발명은 기록 매체로부터 정보를 재생하는 정보 재생 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 미세한 프로브 팁(probe tip)을 이용하여 고밀도 정보 저장용 기록 매체에 기록된 정보를 재생하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
오늘날 휴대용 통신 단말기, 전자 수첩 등 소형 제품에 대한 수요가 증가함에 따라 초소형 고집적 비휘발성 기록 매체의 필요성이 증가하고 있다. 기존의 하드 디스크는 소형화가 용이하지 않으며, 플래쉬 메모리(flash memory)는 고집적도를 달성하기 어려우므로 이에 대한 대안으로 주사 탐침(scanning probe)을 이용한 기록 매체가 연구되고 있다. 여기서, 주사 탐침이란 주사 관통 현미경(scanning transmission microscope: STM) 또는 원자간력 현미경(atomic force microscope: AFM)과 같은 주사 탐침 현미경(scanning probe microscope: SPM)에서 이용되는 미세 탐침을 말한다.
미세 탐침을 이용한 정보 저장 장치로 사용되는 기록 매체는 수 백 Gbit/in2의 저장 밀도를 가진다. 이는 기존의 하드 디스크 드라이브보다 월등히 높은 저장 밀도로서 HDD(hard disk drive)에 대한 대체 저장 장치 및 디지털 카메라, 이동 통신 분야, 휴대용 기기 등 메모리가 이용되는 장치에 널리 사용될 수 있다.
주사 탐침을 이용하여 정보를 재생하는 방법으로는 정전기력, 정자기력, 압전력 등이 탐침에 작용하는 힘을 감지하는 방법, 전기 전도도 또는 열전도도의 차이를 감지하는 방법 등이 있다. 특히, 탐침을 300℃ 이상의 높은 온도로 가열하고, 그 상태에서 캔틸레버와 기록 매체 사이의 거리를 조절함으로써 캔틸레버로부터 대기로의 열 방출량의 차이를 감지하는 방법이 개시된 바 있다 (IBM J. RES. DEVELOP. VOL. 44, NO. 3, MAY 2000). 이 방법에서는 캔틸레버로부터 대기로의 열 방출량 차이로부터 탐침이 비트(bit)에 들어갔는지의 여부를 판단하였기 때문에 미세한 온도 조절이 필요하고, 열 방출의 속도가 기존의 전자 감지 장치의 감응 속도에 비하여 늦다는 단점이 있다. 또한, 연속적으로 가열되는 레지스터의 온도 변화를 모니터하기 위하여 고가의 항온 조절 장치를 필요로 하였으므로, 장치의 제조 단가가 높을 뿐 만 아니라 전력 소모량이 많다는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 상기한 바와 같은 종래 기술에서의 문제점을 해결하고자 하는 것으로, 간단하고 저렴한 구성으로 고밀도 기록 매체로부터 정보를 재생할 수 있는 정보 재생 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 간단한 방법에 의하여 재생 속도를 현저히 향상시킬 수 있는 정보 재생 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 정보 재생 장치는 비트(bit)에 의해 정보가 기록된 기록 매체와 접촉하는 팁(tip)과, 상기 팁을 지지하는 자유 단부를 가지는 전도성 캔틸레버(cantilever)와, 상기 기록 매체에 대한 상기 팁의 위치를 결정할 수 있도록 상기 캔틸레버를 이동시키는 위치결정부와, 정전력(electrostatic force)이 발생되도록 상기 기록 매체와 캔틸레버 사이에 전압을 인가하기 위하여 상기 기록 매체 및 캔틸레버에 연결되어 있는 전원과, 상기 기록 매체와 캔틸레버와의 사이에 발생되는 정전력을 측정하는 정전력 측정부와, 상기 정전력 측정부에서 측정한 정전력으로부터 상기 기록 매체의 국부 커패시턴스를 결정하는 제어부를 포함한다.
상기 기록 매체는 전극층과, 상기 전극층 위에 형성된 고분자 박막을 포함한다.
상기 캔틸레버는 불순물이 고농도로 도핑된 실리콘으로 이루어지고, 상기 팁은 불순물이 저농도로 도핑된 실리콘으로 이루어진다. 또한, 상기 팁은 원뿔형, 피라미드형 또는 원통형으로 이루어지며, 50 nm 이하의 반경 사이즈를 가진다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 정보 재생 방법에서는 전도성 캔틸레버의 자유 단부에 지지되어 있는 팁을 기록 매체의 소정 위치에 접촉시킨다. 상기 팁 및 기록 매체가 접촉 상태로 유지되는 동안 상기 팁 및 기록 매체에 전압을 인가하여 정전력을 발생시킨다. 상기 팁 및 기록 매체에 인가된 전압에 의해 발생된 정전력을 측정한다. 상기 측정된 정전력으로부터 상기 기록 매체의 소정 위치에서의 커패시턴스를 결정한다. 상기 결정된 커패시턴스의 크기에 의거하여 상기 기록 매체에 기록된 정보를 재생한다.
상기 기록 매체는 전극층과, 상기 전극층 위에 형성된 고분자 박막과, 상기 고분자 박막의 표면으로부터 소정 깊이 만큼 파여진 비트(bit)에 의하여 기록된 정보를 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 정보 재생 방법에서는 상기 팁과 상기 기록 매체의 고분자 박막 표면이 접촉 상태로 유지되는 제1 위치에 상기 캔틸레버를 위치시킨다. 상기 제1 위치에서 발생된 정전력으로부터 제1 커패시턴스를 결정한다. 상기 팁과 상기 기록 매체의 비트 저면이 접촉 상태로 유지되는 제2 위치에 상기 캔틸레버를 위치시킨다. 상기 제2 위치에서 발생된 정전력으로부터 제2 커패시턴스를 결정한다. 상기 제1 커패시턴스 및 제2 커패시턴스를 비교하여 커패시턴스의 증감을 감지한다.
본 발명에 따른 정보 재생 장치는 항온 조절 장치 등과 같은 고가의 장비를 필요로 하지 않으므로 장치 구성이 간단하고, 단가를 낮출 수 있을 뿐 만 아니라, 전력 소모를 현저히 감소시킬 수 있다. 또한, 응답 특성이 빠르고 분해능이 우수하므로 재생 속도가 현저히 향상된 재생 방법을 구현할 수 있다.
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 정보 재생 장치의 요부 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 정보 재생 장치(100)는 기록 매체(20)로부터 정보를 재생하기 위하여 상기 기록 매체(20)에 접촉되는 팁(tip)(10)과, 상기 팁(10)을 지지하는 자유 단부를 가지는 전도성 캔틸레버(cantilever)(12)를 포함한다. 상기 캔틸레버(12)는 예를 들면 x, y, z 스캐너로 구성되는 위치 결정부(30)에 의해 연결되어 있는 캔틸레버 지지부(도시 생략)에 의해 지지되어 있다. 상기 위치 결정부(30)에 의하여 상기 기록 매체(20)에 대한 상기 팁(10)의 위치를 결정할 수 있다. 이와 같은 구성은 현재 널리 상용되고 있는 AFM (atomic force microscope)(50)을 채용하여 실현할 수 있다.
상기 팁(10)은 불순물이 저농도로 도핑된 실리콘으로 이루어지며, 약 50 nm 이하의 반경 사이즈를 가지는 원뿔형, 피라미드형 또는 원통형의 탐침으로 이루어진다.
상기 캔틸레버(12)는 전도성을 가지도록 불순물이 고농도로 도핑된 실리콘으로 이루어진다.
상기 기록 매체(20)는 실리콘으로 이루어지는 전극층(22)과, 상기 전극층(22) 위에 형성된 고분자 박막(24)을 포함하여 구성된다. 상기 고분자 박막(24)은 예를 들면 약 40 nm 두께를 가지는 PMMA (polymethylmethacrylate)로 이루어질 수 있다. 상기 고분자 박막(24)의 표면에 형성되는 비트 인덴테이션(bit indentation)(이하, "비트"라 함)에 의해 상기 기록 매체(20)에 정보가 기록되어 있다.
상기 캔틸레버(12) 및 기록 매체(20)에는 이들 사이에 연결되어 있는 전원(40)에 의하여 전압이 인가될 수 있다. 상기 팁(12)이 상기 기록 매체(20)의 소정 위치에 접촉된 상태에서 상기 전원(40)으로부터 상기 캔틸레버(12) 및 기록 매체(20)에 전압이 인가되면 이들 사이에 정전력(electrostatic force)이 발생된다. 이와 같이 발생된 정전력은 정전력 측정부(60)에서 측정된다. 제어부(70)에서는 상기 측정된 정전력으로부터 상기 기록 매체(20)의 소정 위치에서의 국부 커패시턴스(capacitance)를 결정한다.
보다 구체적으로 설명하면, 상기 전원(40)으로부터 상기 캔틸레버(12) 및 기록 매체(20)에 전압이 공급되면 상기 캔틸레버(12)와 기록 매체(20)는 평행판 커패시터(parallel plate capacitor)의 역할을 하게 된다. 즉, 상기 캔틸레버(12)는 커패시터를 구성하는 하나의 플레이트로서 작용하고, 상기 기록 매체(20)는 상기 커패시터를 구성하는 다른 플레이트로서 작용하게 된다. 상기 캔틸레버(12) 및 기록 매체(20) 사이에 인가되는 전압에 의하여 발생되는 정전력 Fe은 수학식 1과 같이 정의될 수 있다.
수학식 1에서, dC/dx는 상기 캔틸레버(12)와 기록 매체(20)와의 사이의 거리 x의 변화에 따른 상기 캔틸레버(12)와 상기 기록 매체(20) 사이의 커패시턴스 구배를 나타내고, V는 인가된 전압을 나타낸다.
수학식 1의 관계로부터, 상기 캔틸레버(12)와 기록 매체(20)와의 사이에서 발생되는 정전력으로부터 커패시턴스의 증감을 감지할 수 있다.
도 2 및 도 3은 각각 상기 캔틸레버(12) 및 기록 매체(20)의 상호 위치 관계에 따른 커패시턴스 변화를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2에서와 같이 상기 캔틸레버(12)의 자유 단부에 연결되어 있는 상기 팁(10)이 상기 기록 매체(20)에 형성된 비트(26)에 들어간 상태로 상기 기록 매체(20)와 접촉되어 있을 때에는 상기 캔틸레버(12)와 기록 매체(20)와의 거리(G1)가 상대적으로 작아진다. 반면, 도 3에서와 같이 상기 캔틸레버(12)의 자유 단부에 연결되어 있는 상기 팁(10)이 상기 기록 매체(20)중 비트(26)가 형성되지 않은 고분자 박막(24) 상면에 접촉되어 있을 때에는 상기 캔틸레버(12)와 기록 매체(20)와의 거리(G2)가 상대적으로 커진다.
즉, 상기 팁(10)이 상기 기록 매체(20)의 비트(26)에 들어갔을 때에는 상기 캔틸레버(12)와 기록 매체(20)간의 거리가 감소되고, 상기 비트(26)로부터 나왔을 때에는 상기 캔틸레버(12)와 기록 매체(20)간의 거리가 증가하기 때문에, 상기 캔틸레버(12)와 기록 매체(20) 사이의 커패시턴스는 상기 팁(10)이 상기 비트(26)에 들어갔는지의 여부에 따라 증감하게 되는 것을 알 수 있다. 이와 같은 커패시턴스의 변화를 측정함으로써 상기 팁(10)이 상기 비트(26)에 들어간 상태 ("1") 및 나온 상태 ("0")를 구분할 수 있다.
도 4a는 본 발명의 기본적 원리를 검증하기 위하여 시험용 기록 매체 샘플로 사용된 Si 격자의 SEM 사진이고, 도 4b는 도 4a의 기록 매체 샘플의 구조를 보여주는 개략도이다.
시험용으로 사용된 기록 매체로서 표면이 SiOx 박막으로 덮인 Si 격자를 사용하였으며, Si 격자의 단차 높이(Hs)가 각각 500 nm, 100 nm 및 50 nm인 패턴이 반복되는 선형 패턴을 가지는 3가지 샘플을 사용하였다. 도 4a에 나타낸 샘플은 단차 높이(Hs)가 100 nm인 것이다. 상기 패턴에 의하여 형성되는 단차의 피치(P)는 약 3 ㎛이었다.
도 5a 및 도 5b는 각각 단차 높이(Hs)가 500 nm인 기록 매체 샘플을 AFM을 사용하여 y축 스캔하면서 상기 관측한 토포그래피(topography) 및 EFM(electrostatic force microscopy) 이미지이다.
도 6a 및 도 6b는 각각 단차 높이(Hs)가 100nm인 기록 매체 샘플을 AFM을 사용하여 y축 스캔하면서 상기 관측한 토포그래피 및 EFM 이미지이다.
도 7a 및 도 7b는 각각 단차 높이(Hs)가 50 nm인 기록 매체 샘플을 AFM을 사용하여 y축 스캔하면서 상기 관측한 토포그래피 및 EFM 이미지이다.
도 5a 및 도 5b, 도 6a 및 도 6b, 그리고 도 7a 및 도 7b에서 알 수 있는 바와 같이, 팁이 기록 매체의 단차 부분을 형성하는 패턴 사이에 형성되는 피트(pit) 부분과 접촉할 때에는 커패시턴스의 증가로 인하여 EFM 이미지에서 밝은 명암을 보였고, 상기 패턴의 상면인 랜드(land) 부분과 접촉할 때에는 어두운 명암을 보였다.
도 8 및 도 9는 각각 단차 높이(Hs)가 500 nm인 기록 매체 샘플을 AFM을 사용하여 y축 스캔하면서 관측한 토포그래피 및 EFM 이미지를 정량적으로 나타낸 라인 프로파일(line profile)을 보여주는 그래프이다.
도 8 및 도 9에 나타낸 각 라인 프로파일은 토포그래피 및 EFM 이미지에서 화살표 x로 나타낸 방향에 따른 변화를 보여준다. 도 8 및 도 9의 결과에서, 토포그래피에서의 함몰 부분 및 돌출 부분이 각각 높고 낮은 커패시턴스에 해당하는 것을 확인할 수 있다.
다음에, 상기 설명한 바와 같이 검증된 본 발명의 기본 원리에 의거하여 고밀도 기록 매체로부터 정보를 재생하는 방법을 설명한다.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 정보 재생 방법을 설명하기 위한 플로차트이다.
도 1 및 도 10을 참조하면, 먼저 상기 전도성 캔틸레버(12)의 자유 단부에 지지되어 있는 팁(10)을 상기 기록 매체(20)의 소정 위치에 접촉시킨다 (단계 S10). 상기 팁(10) 및 기록 매체(20)가 접촉 상태로 유지되는 동안 상기 전원(40)으로부터 상기 팁(10) 및 기록 매체(20)에 전압을 인가하여 정전력을 발생시킨다 (단계 S20). 상기 팁(10) 및 기록 매체(20)에 인가된 전압에 의해 발생된 정전력은 상기 정전력 측정부(60)에서 측정된다 (단계 S30). 상기 제어부(70)에서는 상기 정전력 측정부(60)에서 측정된 정전력으로부터 상기 기록 매체(20)의 소정 위치에서의 커패시턴스를 결정한다 (단계 S40). 상기 결정된 커패시턴스의 크기에 의거하여 상기 기록 매체에 기록된 정보를 재생한다 (단계 S50).
상기 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 정보 재생 방법에 있어서, 비트에 의하여 기록 매체(20)에 기록된 정보를 재생하기 위하여, 상기 팁(10)과 상기 기록 매체(20)의 고분자 박막(24) 표면이 접촉 상태로 유지되는 제1 위치에 상기 캔틸레버를 위치시키고, 상기 제1 위치에서 발생된 정전력으로부터 제1 커패시턴스를 결정한다. 또한, 상기 팁(10)과 상기 기록 매체(20)의 비트(26) 저면이 접촉 상태로 유지되는 제2 위치에 상기 캔틸레버를 위치시키고, 상기 제2 위치에서 발생된 정전력으로부터 제2 커패시턴스를 결정한다. 상기 제1 커패시턴스 및 제2 커패시턴스를 비교하여 커패시턴스의 증감을 감지한다.
본 발명에 따른 정보 재생 방법에서는 고밀도 기록 매체에 형성된 비트를 감지하기 위하여 팁을 지지하는 캔틸레버와 기록 매체에 전압을 공급하고, 그로부터 발생되는 정전력으로부터 커패시턴스의 증감을 감지하는 방식으로 정보를 재생한다.
본 발명에 따른 정보 재생 장치는 열 재생 방식 또는 압력 재생 방식과 같은 종래의 재생 장치에 비하여 항온 조절 장치 등과 같은 고가의 장비를 필요로 하지 않으므로 장치 구성이 간단하고, 단가를 낮출 수 있을 뿐 만 아니라, 전력 소모를 현저히 감소시킬 수 있다. 또한, 응답 특성이 빠르고 분해능이 우수하므로 재생 속도를 현저히 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 정보 재생 방법에 의하면, 전도성 시료나 규칙적인 배열의 패턴의 경우, 원자력간 현미경의 탐침 변위 측정을 위해서 설치된 고가의 광학계를 사용하지 않고 시료 표면의 형상을 관측할 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 정보 재생 장치의 요부 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 정보 재생 장치의 캔틸레버와 기록 매체의 상호 위치 관계에 따른 커페시턴스 변화를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a는 본 발명의 기본적 원리를 검증하기 위하여 시험용 기록 매체 샘플로 사용된 Si 격자의 SEM 사진이다.
도 4b는 도 4a의 기록 매체 샘플의 구조를 보여주는 개략적인 일부 사시도이다.
도 5a 및 도 5b는 각각 단차 높이(Hs)가 500nm인 기록 매체 샘플을 AFM을 사용하여 y축 스캔하면서 상기 관측한 토포그래피(topography) 및 EFM(electrostatic force microscopy) 이미지이다.
도 6a 및 도 6b는 각각 단차 높이(Hs)가 100nm인 기록 매체 샘플을 AFM을 사용하여 y축 스캔하면서 상기 관측한 토포그래피 및 EFM 이미지이다.
도 7a 및 도 7b는 각각 단차 높이(Hs)가 50nm인 기록 매체 샘플을 AFM을 사용하여 y축 스캔하면서 상기 관측한 토포그래피 및 EFM 이미지이다.
도 8 및 도 9는 각각 단차 높이(Hs)가 500nm인 기록 매체 샘플을 AFM을 사용하여 y축 스캔하면서 관측한 토포그래피 및 EFM 이미지를 정량적으로 나타낸 라인 프로파일(line profile)을 보여주는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 정보 재생 방법을 설명하기 위한 플로차트이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 팁, 12: 캔틸레버, 20: 기록 매체, 22; 전극층, 24: 고분자 박막, 26: 비트, 30: 위치 결정부, 40: 전원, 50: AFM, 60: 정전력 측정부, 70: 제어부.

Claims (11)

  1. 비트(bit)에 의해 정보가 기록된 기록 매체와 접촉 가능한 팁(tip)과,
    상기 팁을 지지하는 자유 단부를 가지는 전도성 캔틸레버(cantilever)와,
    상기 기록 매체에 대한 상기 팁의 위치를 결정할 수 있도록 상기 캔틸레버를 이동시키는 위치결정부와,
    상기 기록 매체와 캔틸레버와의 사이에 정전력(electrostatic force)이 발생되도록 전압을 인가하기 위하여 상기 기록 매체 및 캔틸레버에 연결되어 있는 전원과,
    상기 기록 매체와 캔틸레버와의 사이에 발생되는 정전력을 측정하는 정전력 측정부와,
    상기 정전력 측정부에서 측정한 상기 기록 매체와 캔틸레버와의 사이의 정전력으로부터 상기 기록 매체의 국부 커패시턴스를 결정하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보 재생 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기록 매체는 전극층과, 상기 전극층 위에 형성된 고분자 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보 재생 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 캔틸레버는 불순물이 고농도로 도핑된 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정보 재생 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 팁은 불순물이 저농도로 도핑된 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정보 재생 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 팁은 원뿔형, 피라미드형 또는 원통형으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정보 재생 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 팁은 50nm 이하의 반경 사이즈를 가지는 것을 특징으로 하는 정보 재생 장치.
  7. 전도성 캔틸레버의 자유 단부에 지지되어 있는 팁을 기록 매체의 소정 위치에 접촉시키는 단계와,
    상기 팁 및 기록 매체가 접촉 상태로 유지되는 동안 상기 팁 및 기록 매체에 전압을 인가하여 상기 기록 매체와 캔틸레버와의 사이에 정전력을 발생시키는 단계와,
    상기 팁 및 기록 매체에 인가된 전압에 의해 상기 기록 매체와 캔틸레버와의 사이에서 발생된 정전력을 측정하는 단계와,
    상기 측정된 기록 매체와 캔틸레버와의 사이의 정전력으로부터 상기 기록 매체의 소정 위치에서의 커패시턴스를 결정하는 단계와,
    상기 결정된 커패시턴스의 크기에 의거하여 상기 기록 매체에 기록된 정보를 재생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보 재생 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기록 매체는 전극층과, 상기 전극층 위에 형성된 고분자 박막과, 상기 고분자 박막의 표면으로부터 소정 깊이 만큼 파여진 비트(bit)에 의하여 기록된 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보 재생 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 팁과 상기 기록 매체의 고분자 박막 표면이 접촉 상태로 유지되는 제1 위치에 상기 캔틸레버를 위치시키는 단계와,
    상기 제1 위치에서 상기 기록 매체와 캔틸레버와의 사이에 발생된 정전력으로부터 제1 커패시턴스를 결정하는 단계와,
    상기 팁과 상기 기록 매체의 비트 저면이 접촉 상태로 유지되는 제2 위치에 상기 캔틸레버를 위치시키는 단계와,
    상기 제2 위치에서 상기 기록 매체와 캔틸레버와의 사이에 발생된 정전력으로부터 제2 커패시턴스를 결정하는 단계와,
    상기 제1 커패시턴스 및 제2 커패시턴스를 비교하여 커패시턴스의 증감을 감지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정보 재생 방법.
  10. 제7항 또는 제9항에 있어서,
    상기 캔틸레버는 불순물이 고농도로 도핑된 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정보 재생 방법.
  11. 제7항 또는 제9항에 있어서,
    상기 팁은 불순물이 저농도로 도핑된 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정보 재생 방법.
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