KR100634552B1 - 분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브 및 그를 구비한정보 저장장치 - Google Patents

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Abstract

분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브 및 그를 구비한 정보 저장장치가 개시된다. 개시된 분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브는: 말단부에 돌출되게 형성된 도전성 팁과 상기 팁과 이격되게 형성된 돌출부를 구비하는 캔티레버; 상기 돌출부 상에 형성된 센싱영역; 상기 도전성 팁에 전기적으로 연결된 제1배선; 및 상기 센싱영역의 양측에 각각 전기적으로 연결된 제2배선 및 제3배선;을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브 및 그를 구비한 정보 저장장치{Electrical field sensing probe having separated sensor and information storing device having the same}
도 1은 국제출원공개공보 WO 03/096409호에 개시된 저항성 팁이 형성된 캔티레버의 일부 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브의 간략한 측면도이다.
도 3은 도 2의 저면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 프로브를 사용하여 기록매체에 정보를 기록하고, 읽는 방법을 설명하는 도면이다.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 제2 실시예에 따른 프로브의 제조단계를 설명하는 도면이다.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 제3 실시예에 따른 프로브의 제조단계를 설명하는 도면이다.
도 8은 마스크 크기에 따라 제조된 프로브의 감도 및 분해능을 비교하기 위해 시뮬레이션에 사용한 센서의 단면도이다.
도 9는 마스크 크기에 따라 제조된 프로브의 감도 및 분해능을 도시한 그래 프이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*
110: 캐티레버 120: 도전성 팁
122: 제1배선 130: 돌출부
140: 센싱영역 142: 제2배선
144: 제3배선 170: 메탈 전극
300,400: SOI 기판
310,320,330,340,410,420,430,440: 마스크
본 발명은 분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기록용 팁과 읽기용 센서가 분리된 전계감지 센서에 관한 것이다.
오늘날 휴대용 통신 단말기, 전자 수첩등 소형 제품에 대한 수요가 증가함에 따라 초소형 고집적 비휘발성 기록매체의 필요성이 증가하고 있다. 기존의 하드 디스크는 소형화가 용이하지 아니하며, 플래쉬 메모리(flash memory)는 고집적도를 달성하기 어려우므로 이에 대한 대안으로 주사 탐침(Scanning probe)을 이용한 정보 저장 장치가 연구되고 있다.
탐침은 여러 SPM(Scanning Probe Microscopy)기술에 이용된다. 예를 들어, 탐침과 시료 사이에 인가되는 전압차이에 따라 흐르는 전류를 검출하여 정보를 재 생하는 주사관통현미경(Scanning Tunneling Microscope; STM), 탐침과 시료 사이의 원자적 힘을 이용하는 원자간력 현미경(Atomic Force Microscope; AFM), 시료의 자기장과 자화된 탐침간의 힘을 이용하는 자기력 현미경(Magnetic Force Microscope; MFM), 가시광선의 파장에 의한 해상도 한계를 개선한 근접장 주사 광학 현미경(Scanning Near-Field Optical Microscope; SNOM), 시료와 탐침간의 정전력을 이용한 정전력 현미경(Electrostatic Force Microscope;EFM) 등에 이용된다.
이러한 SPM 기술을 이용하여 정보를 고속 고밀도로 기록 및 재생하기 위해서는 수십나노미터 직경의 작은 영역에 존재하는 표면전하를 검출할 수 있어야 하며, 기록 및 재생속도를 향상시키기 위해 캔티레버를 어레이 형태로 제작할 수 있어야 한다.
도 1은 국제출원공개공보 WO 03/096409호에 개시된 저항성 팁(50)이 형성된 캔티레버(70)의 단면도이다. 저항성 팁(50)은 캔티레버(70) 상에 수직으로 위치하며, 어레이형태의 제작이 가능하며, 또한, 수십나노미터의 직경의 저항영역(56)을 가지도록 제조할 수 있다.
도 1을 참조하면, 반도체 탐침의 팁(50)은, 제1불순물이 도핑된 팁(50)의 몸체부(58)와, 팁(50)의 첨두부에 위치하며 제2불순물이 저농도로 도핑되어 형성된 저항 영역(56)과, 저항 영역(56)을 사이에 두고 팁(50)의 경사면에 위치하며 상기 제2불순물이 고농도로 도핑된 제1 및 제2반도체 전극 영역(52, 54)을 구비한다.
그러나, 도 1의 반도체 탐침의 저항성 팁(50)은 식각과정에서 원하는 높이, 크기로 형성하기가 매우 어렵다. 또한, 팁의 도핑농도가 식각에 의한 팁의 형상에 영향을 받으므로 센서의 성능 편차가 커질 수 있다. 따라서, 멀티 프로브 어레이 제조시 프로브 사이의 성능 편차가 커질 수 있다.
본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 센서가 팁으로부터 분리되어 있고, 상기 센서의 센싱 영역이 평면 상에 형성되어 균일한 성능을 발휘하는 프로브를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 따른 분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브는:
말단부에 돌출되게 형성된 도전성 팁과 상기 팁과 이격되게 형성된 돌출부를 구비하는 캔티레버;
상기 돌출부 상에 형성된 센싱영역;
상기 도전성 팁에 전기적으로 연결된 제1배선; 및
상기 센싱영역의 양측에 각각 전기적으로 연결된 제2배선 및 제3배선;을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 캔티레버는 제1불순물로 도핑되어 있으며, 상기 도전성 팁은 상기 제1불순물과 극성이 다른 제2불순물이 고농도로 도핑되어 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 국면에 따르면, 상기 센싱영역은 상기 제2불순물이 저농도로 도핑되어 형성된다.
본 발명의 다른 국면에 따르면, 상기 센싱영역은 상기 제1불순물이 도핑된 영역이다.
상기 제1 내지 제3배선은 상기 제2불순물이 고농도로 도핑되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1불순물은 p형 불순물이며, 상기 제2불순물은 n형 불순물인 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브를 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브의 간략한 측면도이고, 도 3은 도 2의 저면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 캔티레버(110)의 말단부 상에는 도전성 팁(120)과 돌출부(130)가 형성되어 있다. 상기 팁(120) 및 돌출부(130)는 전기적으로 분리되어 있다.
상기 팁(120)은 캔티레버(110) 상에 수직으로 형성되어 있다. 캔티레버(110)는 제1불순물로 도핑될 수 있다. 상기 팁(120)은 제2불순물이 고농도로 도핑되어 있다. 상기 팁(120)은 제1배선(122)에 전기적으로 연결된다. 제1배선(122)은 상기 팁(120)과 같이 제2불순물이 고농도로 도핑되어서 도전체로 작용한다. 상기 제1불순물이 p형이며, 상기 제2불순물이 n형인 것이 바람직하다.
상기 돌출부(130) 상에는 상기 제1불순물이 저농도로 도핑된 센싱영역(140)과, 상기 센싱영역(140)의 양측에 전기적으로 연결된 제2배선(142) 및 제3배선 (144)이 형성되어 있다. 상기 제2배선(142) 및 제3배선(144)은 제2불순물이 고농도로 도핑되어서 도전체로 작용한다.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 프로브를 사용하여 기록매체에 정보를 기록하고 읽는 방법을 설명하는 도면이다.
도 4를 참조하면, 기록매체(200)의 하부전극(210)과 팁(120)에 전압을 인가하면, 고유전층(220)의 전하가 분극된다. 따라서, 원하는 영역의 표면전하의 극성를 변경하여 표면전하의 극성에 따른 정보 데이터를 저장할 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 센싱영역(140)은 기록매체(200)의 표면전하에 의한 전계에 의해 전류가 변하며, 따라서 이 전류를 측정함으로써 상기 표면전하의 극성을 검출할 수 있다. 상기 표면전하의 극성의 검출로부터 상기 표면전하에 저장된 정보가 읽혀진다.
한편, 검출하는 표면전하가 음전하인 경우, 센싱영역(140)인 저항영역의 내부에 공핍영역이 형성되어서 저항영역의 저항이 커지며, 이에 따른 전류변화를 용이하게 검출할 수 있다.
상기 실시예에서는 상기 센싱영역(140)이 제2불순물이 저농도로 도핑된 영역인 것을 나타냈으나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니다. 상기 센싱영역(140)이 캔티레버(110)와 동일한 불순물로 도핑되어도 표면전하에 의해서 센싱영역(140)에 전계가 생기므로 이에 따른 전하의 검출이 가능하며, 그 구조나 작용은 거의 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 제2 실시예에 따른 프로브의 제조단계를 설명 하는 도면이다. 상기 실시예에서의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 도면부호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 6a를 참조하면, p형 SOI 기판(300) 상에 n형 불순물을 저농도, 예컨대 1015 농도로 도핑한다.
도 6b를 참조하면, 마스크(310,320)을 사용하여 제2 및 제3 배선영역(142,144)에 n형 불순물을 고농도, 예컨대 1021 농도로 도핑한다.
도 6c를 참조하면, 마스크(310,320)를 제거하고, 팁(120) 영역과 볼록부(130) 영역에 해당하는 영역에 새로운 마스크(330,340)를 사용하여 마스크(330,340)로 커버되지 않은 영역을 식각하여 팁(120) 및 볼록부(130)를 형성한다.
도 6d를 참조하면, 마스크(330,340)를 제거하고 팁(120)과 제1배선(122), 제2배선(142) 및 제3배선(144) 영역에 n형 불순물을 대략 1021 농도로 도핑한다.
도 6e를 참조하면, 기판(300)의 저면을 식각하여 캔티레버(110)를 형성한다.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 제3 실시예에 따른 프로브의 제조단계를 설명하는 도면이다. 상기 실시예에서의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 도면부호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 7a를 참조하면, p형 SOI 기판(400) 상에 마스크(310,320)를 사용하여 저항영역인 센싱영역(140)과 연결되는 제2 및 제3 배선영역(142,144)의 일부에 n형 불순물을 고농도, 예컨대 1021 농도로 도핑한다.
도 7b를 참조하면, 마스크(310,320)를 제거하고, 팁(120) 영역과 볼록부(130) 영역에 해당하는 영역에 새로운 마스크(330,340)를 사용하여 마스크(330,340)로 커버되지 않은 영역을 식각하여 팁(120) 및 볼록부(130)를 형성한다.
도 7c를 참조하면, 기판(400)을 산소 분위기에서 가열하면, 팁(120) 형상의 표면에 실리콘 산화막이 형성되면서 팁(120)이 뾰족해진다. 이때 제2배선(142) 영역 및 제3배선(144) 영역 사이의 영역에 n형 불순물이 확산되면서 센싱영역(140)인 저항영역이 형성된다.
도 7d를 참조하면, 팁(120)과 제1배선(122)영역과 제2배선(142)영역에 n형 불순물을 대략 1021 농도로 도핑한다.
도 7e를 참조하면, 기판(400)의 저면을 식각하여 캔티레버(110)를 형성한다.
도 8은 마스크 크기에 따라 제조된 프로브의 감도 및 분해능을 비교하기 위해 시뮬레이션에 사용한 센서의 단면도이며, 도 9는 마스크 크기에 따라 제조된 프로브의 감도 및 분해능을 도시한 그래프이다. 상기 실시예에서의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 도면부호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 저항영역으로 형성된 센싱영역(140)의 양측에 제2배선(142) 및 제3배선(144)을 형성하였다. 센싱영역(140)으로부터 55 nm 이격된 위치에 플로팅 전압을 인가하는 메탈전극(170)을 형성하였다. 메탈전극(170)에는 +1 V 전압과 -1 V 전압을 번갈아서 인가하였다. 도 6b(도 7b)에서 저항영역(140) 양측의 제2배선(142) 및 제3배선(144)의 도핑을 위한 마스크(330,430)의 크기는 각각 30, 80, 100, 150 nm로 하였다. 플로팅 전압을 화살표 A 방향으로 이동시키면서 센싱영역에서의 전류를 측정하였다.
측정결과, 본 발명에 따른 센서의 분해능은 마스크(330,430) 크기에 따라 증가 되며, 100 nm 이하의 마스크(330,430)를 사용하여 제조한 센서의 분해능은 80 nm 이하로 나타났다.
또한, + 전압과 - 전압에 대한 감도가 구별되게 나타났다.
본 발명의 분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브에 따르면, 팁에 저항영역이 없이 n형 불순물이 고농도로 도핑되므로 팁의 제조가 용이하며, 팁 형성용으로 하나의 마스크를 사용하므로 일정한 형상의 팁을 제조할 수 있다. 또한, 볼록부의 평면 상에 센싱영역을 형성하므로 균일하고, 작은 센싱영역을 제조하기가 용이하다.
또한, 균일한 프로브의 제조가 용이하므로 수천개의 프로브가 형성된 멀티 프로브 어레이를 제조하여 정보저장장치로 사용할 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다.
예를 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상에 의해 다양한 형태의 탐침을 제조할 수 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.

Claims (12)

  1. 말단부에 돌출되게 형성된 도전성 팁과 상기 팁과 이격되게 형성된 돌출부를 구비하는 캔티레버;
    상기 돌출부 상에 형성된 센싱영역;
    상기 도전성 팁에 전기적으로 연결된 제1배선;
    상기 센싱영역의 양측에 각각 전기적으로 연결된 제2배선 및 제3배선;을 구비하는 것을 특징으로 하는 분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 캔티레버는 제1불순물로 도핑되어 있으며, 상기 도전성 팁은 상기 제1불순물과 극성이 다른 제2불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 센싱영역은 상기 제2불순물이 저농도로 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 센싱영역은 상기 제1불순물이 도핑된 영역인 것을 특징으로 하는 분리 된 센서를 구비한 전계감지 프로브.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3배선은 상기 제2불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1불순물은 p형 불순물이며, 상기 제2불순물은 n형 불순물인 것을 특징으로 하는 분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브.
  7. 하부전극과 상기 하부전극 상에 형성된 강유전체를 포함하는 기록매체; 및
    상기 기록매체에 정보를 기록 및 해독하는 분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브를 구비하며,
    상기 프로브는:
    말단부에 돌출되게 형성된 도전성 팁과 상기 팁과 이격되게 형성된 돌출부를 구비하는 캔티레버;
    상기 돌출부 상에 형성된 센싱영역;
    상기 도전성 팁에 전기적으로 연결된 제1배선; 및
    상기 센싱영역의 양측에 각각 전기적으로 연결된 제2배선 및 제3배선;을 구비하며,
    상기 제1배선은 상기 하부전극과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브를 구비한 정보 저장장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 캔티레버는 제1불순물로 도핑되어 있으며, 상기 도전성 팁은 상기 제1불순물과 극성이 다른 제2불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 정보저장장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 센싱영역은 상기 제2불순물이 저농도로 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 정보저장장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 센싱영역은 상기 제1불순물이 도핑된 영역인 것을 특징으로 하는 정보저장장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3배선은 상기 제2불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 정보저장장치.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1불순물은 p형 불순물이며, 상기 제2불순물은 n형 불순물인 것을 특징으로 하는 정보저장장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109437089A (zh) * 2018-10-24 2019-03-08 清华大学 悬臂梁结构的微型电场传感器的制备工艺流程

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11304837A (ja) 1998-04-27 1999-11-05 Yokogawa Electric Corp プローブ装置
JP2000346875A (ja) 1999-06-07 2000-12-15 Advantest Corp プローブカードおよびこれを用いたｉｃ試験装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11304837A (ja) 1998-04-27 1999-11-05 Yokogawa Electric Corp プローブ装置
JP2000346875A (ja) 1999-06-07 2000-12-15 Advantest Corp プローブカードおよびこれを用いたｉｃ試験装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109437089A (zh) * 2018-10-24 2019-03-08 清华大学 悬臂梁结构的微型电场传感器的制备工艺流程
CN109437089B (zh) * 2018-10-24 2021-12-14 清华大学 悬臂梁结构的微型电场传感器的制备工艺流程

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