KR100497594B1 - 저대전성복합폴리에스테르필름 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기재 필름 C, 그 한쪽 표면상의 피막층 A 및 다른 한쪽 표면상의 피막층 B 로 이루어진 복합 필름으로서,
(1) 상기 피막층 A 는 불활성입자를 함유하는 수용성 수지 또는 분산성 수지로 형성되고, 그 표면에서의 중심선 평균거침성 (Ra-A) 이 0.1 ∼ 2 ㎚ 인 막이고,
(2) 상기 피막층 B 는 불활성입자 1 ∼ 40 중량% 및 수용성 수지 또는 수분산성 수지 함유 조성물로 형성되고, 단 상기 수지 함유 조성물은 층 B 를 기준으로 실리콘 변성 폴리에스테르 수지를 5 ∼ 85 중량% 함유하거나 실리콘 또는 왁스를 1 ∼ 30 중량% 함유하고 있고,
(3) 상기 기재 필름 C 는 방향족 폴리에스테르로 이루어지는 필름인 것을 특징으로 하는 저대전성 복합 폴리에스테르 필름에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 저대전성, 내블로킹성, 내절삭성이 우수하면서 전자변환특성, 백 코트 접착성이 우수한 전자기록매체의 베이스 필름으로 유용한 복합 폴리에스테르 필름을 제공할 수 있다.

Description

저대전성 복합 폴리에스테르 필름{LOWLY ELECTRIFIABLE COMPOSITE POLYESTER FILM}
본 발명은 자기기록매체에 제공할 수 있는 폴리에스테르 필름에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 필름의 대전량이 적고, 필름 사이의 블로킹이 없으며 또한 블로킹에 의한 피막층의 반대면으로 물질전사(轉寫)가 적고 또한 자기기록매체에 사용한 경우, 전자변환특성, 드롭 아웃 특성, 백 코트의 접착성이 우수한 고밀도 자기기록매체용 기재로서 사용하는 데 적합한 저대전성 폴리에스테르 필름에 관한 것이다.
비디오 테이프, 오디오 테이프, 메모리 테이프, 자기 시트, 자기 디스크 등의 자기기록매체는 지지체와 지지체 표면상에 형성된 자기기록층으로 이루어진다. 또한, 자기기록층과 반대 표면은 윤활성을 증가시키기 위하여 용이 활성(滑性)의 백 코트층을 형성하는 경우가 많다. 자기기록매체의 지지체 (기재) 로서 폴리에스테르 필름이 주로 이용되는데, 중요한 특성으로서는 자기기록층과 폴리에스테르 필름의 밀착성 및 용이 활성의 백 코트층과 폴리에스테르 필름의 밀착성이다. 이들 밀착성이 불량하면 자기기록매체의 녹음 또는 녹화 혹은 재생과정에서 자기기록층 및 백 코트층이 벗겨져 자기특성이 심하게 손상된다.
발명이 해결하고자 하는 과제
접착성이 개량된 폴리에스테르 필름 기재로서 많은 종류의 것이 알려져 있다. 예컨대 필름 표면에 코로나 방전처리를 한 것 및 용이 접착성 수지를 도포한 것 등이 존재한다. 특히 현저한 용이 접착성 효과를 가져오기 위해서는 용이 접착성 수지를 표면에 도포하는 것이 바람직하다.
최근, 자기기록의 고밀도화에 수반되어 사용되는 기재로서의 폴리에스테르 필름의 표면거침성이 낮아져 평활화되어 있다. 이 경우, 종래의 용이 접착성 수지 도포처리를 실시한 것은 필름을 롤 상태로 감는 경우에 있어서, 필름간의 블로킹을 일으켜, 롤에서 자기매체 제조공정의 권출단계에서 필름이 끊기거나 파손되는 현상이 발생하기 쉽다.
특히 자기기록 박막층을 진공증착으로 기재 폴리에스테르 필름 표면에 형성시켜 이루어지는 증착 테이프, 예컨대 증착 비디오 테이프는 기재 폴리에스테르 필름의 표면거침성이 낮고, 자기기록층과 반대측에 백 코트층을 형성하여 테이프 주행면의 미끄러짐을 향상시킬 필요가 있다. 백 코트층의 폴리에스테르 필름에 대한 접착성을 향상시키기 위하여 백 코트층에 대한 필름 표면의 용이 접착화 도포처리를 종래기술로 행할 경우에는 기재 폴리에스테르 필름의 표면거침성이 매우 낮기 때문에 블로킹도 일으키기 쉽다.
상기 블로킹은 공기중의 수분이 필름 표면으로 침투하거나 표면 사이로 들어가 버려, 필름 사이의 압력에 의해 필름표면 사이가 접착상태와 같이 되기 때문에 발생하는 것으로 생각된다. 공장에서는 필름 제조후 또는 사용전의 롤 형태 제품 보존을 저습도하에 행하고 있으며, 보관관리조건을 엄격하게 관리함으로써 블로킹을 어느 정도 방지할 수는 있지만 본질적인 해결은 도모할 수 없다. 특히 증착 자기기록매체용 폴리에스테르 필름의 경우에는 습도관리만으로는 용이 접착화 필름의 블로킹 방지는 불가능하다.
블로킹한 롤 형태 필름은 권출시에 파단되거나 비록 파단되지 않더라도 국소적인 블로킹에 의해 피막층이나 폴리에스테르 필름 자체가 접하는 면에 물질전사하여 테이프하였을 때에 드롭·아웃이 발생하는 문제도 있다.
또한 블로킹되기 쉬운 폴리에스테르 필름이 동시에 대전을 띠기 쉬우며 대전이 높은 필름은 필름 제막시 및 테이프화시의 조작성이 현저하게 악화되거나 또한 대전에 의해 발생하는 불꽃은 테이프화시에 사용하는 유기용제에 인화될 위험성이 있으며, 나아가 공기중의 부유 먼지를 전기적으로 흡착하기 쉽고, 그와 같은 먼지는 고밀도 기록을 필요로 하는 증착 테이프로서는 특히 드롭 아웃의 원인이 되는 등의 문제도 있다.
본 발명의 목적은 상기 종래기술의 결점을 해소하여 필름의 대전량이 적고 필름간의 블로킹이 없으며 또한 블로킹에 의한 피막층의 반대면에 대한 물질전사가 적고 또한 자기기록매체로 사용할 때, 전자변환특성, 드롭 아웃 특성, 백 코트의 접착성이 우수한 고밀도 자기기록매체용 기재로 사용하는 데 적합한 저대전성 폴리에스테르 필름을 제공하는 것이다.
본 발명자들의 연구에 의하면, 상기 본 발명의 목적은 기재 필름 C, 그 한쪽 표면상의 피막층 A 및 다른 한쪽 표면상의 피막층 B 로 이루어진 복합 필름으로서, 하기 (1) ∼ (3) 의 특징을 갖는 저대전성 복합 폴리에스테르 필름에 의해 발명 되는 것이다.
(1) 상기 피막층 A 는 평균입경이 5 ∼ 100 ㎚ 인 불활성입자를 함유하는 수용성 수지 또는 수분산성 수지로 형성되고, 그 표면에서의 돌기밀도가 1 × 106 ∼ 1 × 108 개/㎟ 이면서 그 표면에서의 중심선 평균거침성 (Ra-A) 이 0.1 ∼ 2 ㎚ 인 막이고,
(2) 상기 피막층 B 는 평균입경이 20 ∼ 100 ㎚ 인 불활성입자 1 ∼ 40 중량% 및 수용성 수지 또는 수분산성 수지 함유 조성물 60 ∼ 99 중량% 로 형성되고, 단 상기 수지 함유 조성물은 층 B 를 기준으로 실리콘 변성 폴리에스테르 수지를 5 ∼ 85 중량% 함유하거나 실리콘 또는 왁스를 1 ∼ 30 중량% 함유하고 있고,
(3) 상기 기재 필름 C 는 불활성입자를 함유하지 않거나 또는 불활성입자를 함유하는 경우 그의 평균입경은 5 ∼ 2000 ㎚ 이며 또한 방향족 폴리에스테르를 0.001에서 5.0 중량% 함유하는 필름이다.
본 발명은 기재로서 폴리에스테르 필름 C 의 한쪽 표면에 피막층 A 를, 다른 표면에 피막층 B 를 형성하여 이루어지는 3 층 이상으로 이루어지는 복합 필름으로서, 피막층 A 및/또는 피막층 B 로서 정전기에 의한 대전을 억제하고, 또한 필름 상호의 블로킹도 억제하는 성질이 개량된 저대전성 복합 폴리에스테르 필름이다.
이하 본 발명의 저대전성 복합 폴리에스테르 필름에 대해 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 복합 필름의 중심층 C 를 구성하는 방향족 폴리에스테르로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌이소프탈레이트, 폴리테트라메틸렌테레프탈레이트, 폴리-1,4-시클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈렌디카르복실레이트 등을 예시할 수 있다. 이들 중, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리에틸렌-2,6-나프탈렌디카르복실레이트가 바람직하다.
상기 폴리에스테르는 호모폴리에스테르 또는 코폴리에스테르라도 무관하다. 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리에틸렌-2,6-나프탈렌디카르복실레이트인 경우의 공중합성분으로는 예컨대 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 폴리옥시에틸렌글리콜, p-자이렌글리콜, 1,4-시클로헥산디메탄올 등의 디올 성분 ; 아디핀산, 세바신산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산 (단 폴리에틸렌-2,6-나프탈렌디카르복실레이트의 경우), 2,6-나프탈렌디카르복실산 (단 폴리에틸렌테레프탈레이트의 경우), 5-나트륨술포이소프탈산 등의 다른 디카르복실산 성분 ; p-옥시에톡시 안식향산 등의 옥시카르복실산 성분 등을 들 수 있다. 그리고, 공중합 성분의 양은 전체 디카르복실산 성분에 대해 20 몰% 이하, 더욱 바람직하게는 10 몰% 이하이다.
또한 트리메리트산, 피로메리트산 등의 3 관능 이상의 다관능기 화합물을 공중합시킬 수도 있다. 이 경우 폴리머가 실질적으로 선상인 양, 예컨대 2 몰% 이하를 공중합시킬 수 있다.
본 발명에 있어서, 기재 C 의 폴리에스테르 필름은 불활성입자를 함유하지 않아도 되지만 불활성입자를 함유해도 된다. 불활성입자를 함유시키는 경우에는 유기입자 또는 무기입자라도 무관하다. 그리고, 하기와 같이 기재 필름 C 에 배합하는 불활성입자는 피막층 A 나 피막층 B 에 배합하는 불활성입자와 그 종류나 평균입경에 무관하다. 불활성입자의 구체예를 나타내면 유기입자로서 가교 폴리스티렌, 폴리스티렌-디비닐벤젠 공중합체, 폴리메틸메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트 공중합체, 메틸메타크릴레이트 공중합 가교체, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리아크릴로니트릴, 벤조구아나민 수지 및 이들 중합체를 성분으로 하는 그라프트 중합체로 이루어지는 코어쉘 구조의 입자를 들 수 있고, 또한 무기입자로서 실리카, 알루미나, 이산화티탄, 장석, 카올린, 탈크, 그라파이트, 탄산칼슘, 이황화몰리브덴, 카본블랙, 황산바륨의 입자를 들 수 있다. 이들 입자는 통상 폴리에스테르 제조시, 예컨대 에스테르 교환법에 의한 경우로서 에스테르 교환반응 혹은 중축합반응, 또는 직접중합법 중, 바람직하게는 글리콜중의 슬러리로서 반응계중에 첨가할 수 있다. 불활성입자의 평균입경은 5 ∼ 2000 ㎚, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 1800 ㎚ 이며, 또한 첨가량은 폴리에스테르에 대해 0.001 ∼ 5 중량%, 더욱 바람직하게는 0.001 ∼ 2 중량%, 특히 바람직하게는 0.01 ∼ 1.5 중량% 이다.
상기 기재 필름 C 는 1 ∼ 30 ㎛ 의 두께, 바람직하게는 3 ∼ 25 ㎛ 의 두께를 갖는다.
이어서, 상기 기재 필름 C 의 한쪽 표면상에 복합하여 형성되는 피막층 A 에 대해 설명한다.
본 발명의 피막층 A 를 구성하는 수용성 수지 또는 수분산성 수지는 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 아크릴-폴리에스테르 수지, 알키드 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 아미노 수지, 폴리우레탄 수지, 아세트산 비닐 수지, 염화 비닐-아세트산 비닐 공중합체 등을 예시할 수 있다. 기재 필름 C 의 방향족 폴리에스테르에 대한 밀착성, 돌기유지성, 용이 활성 등의 점에서, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 아크릴-폴리에스테르 수지가 바람직하다. 이들 수용성 수지 또는 수분산성 수지는 단일중합법이나 공중합법이라도 되며, 또한 혼합물이라도 무관하다.
상기 수용성 또는 수분산성 아크릴 수지로는 예컨대 아크릴산에스테르 (알코올 잔기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 2-에틸헥실기, 시클로헥실기, 페닐기, 벤질기, 페닐에틸기 등을 예시할 수 있다) ; 메타크릴산에스테르 (알코올 잔기는 상기와 동일) ; 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트 등과 같은 히드록시 함유 모노머 ; 아크릴아미드, 메타크릴아미드, N-메틸메타크릴아미드, N-메틸아크릴아미드, N-메틸올아크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, N,N-디메틸올아크릴아미드, N-메톡시메틸아크릴아미드, N-메톡시메틸메타크릴아미드, N-페닐아크릴아미드 등과 같은 아미드기 함유 모노머 ; N,N-디에틸아미노에틸아크릴레이트, N,N-디에틸아미노에틸메타크릴레이트 등과 같은 아미노 함유 모노머 ; 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 등과 같은 에폭시기 함유 모노머 ; 스티렌술폰산, 비닐술폰산 및 이들의 염 (예컨대 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염) 등과 같은 술폰산기 또는 그 염을 함유하는 모노머 ; 크로톤산, 이타콘산, 아크릴산, 말레인산, 푸말산 및 그들의 염 (예컨대 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염 등) 등과 같은 카르복실기 또는 그 염을 함유하는 모노머 ; 무수말레인산, 무수이타콘산 등의 산무수물기를 함유하는 모노머 ; 기타 비닐이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 스티렌, 비닐메틸에테르, 비닐에틸에테르, 비닐트리스알콕시실란, 알킬말레인산모노에스테르, 알킬푸말산모노에스테르, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 알킬이타콘산모노에스테르, 염화비닐리덴, 아세트산비닐, 염화비닐 등, 단량체 조합으로 만들어진 것으로, 아크릴산 유도체, 메타크릴산 유도체와 같은 (메타)아크릴 단량체의 성분이 50 몰% 이상 함유되어 있는 것이 바람직하고, 특히 메타크릴산메틸 성분을 함유하고 있는 것이 바람직하다.
수용성 또는 수분산성의 아크릴 수지는 분자내의 관능기로 분자내 가교할 수 있고 멜라민 수지나 에폭시 화합물 등의 가교제를 사용하여 가교할 수도 있다.
본 발명의 피막층 A 에 제공되는 수용성 또는 수분산성 폴리에스테르 수지를 구성하는 산성분으로는 예컨대 테레프탈산, 이소프탈산, 프탈산, 1,4-시클로헥산디카르복실산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 4,4'-디페닐디카르복실산, 아디핀산, 세바신산, 도데칸디카르복실산, 호박산, 5-나트륨술포이소프탈산, 2-칼륨술포테레프탈산, 트리메리트산, 트리메신산, 무수트리메리트산, 무수프탈산, p-히드록시안식향산, 트리메리트산 모노칼륨염 등의 다가카르복실산을 예시할 수 있다. 또한, 히드록시 화합물 성분으로는 예컨대 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,6-헥산디올, 네오펜틸글리콜, 1,4-시클로헥산디메탄올, p-자이리렌글리콜, 비스페놀 A 의 에틸렌옥시드 부가물, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌옥시드글리콜, 폴리테트라메틸렌옥시드글리콜, 디메틸올프로피온산, 글리세린, 트리메틸올프로판, 디메틸올에틸술폰산나트륨, 디메틸올프로판산칼륨 등의 다가히드록시 화합물을 예시할 수 있다. 이들 화합물로부터 통상법에 따라 폴리에스테르 수지를 만들 수 있다. 수성도료 제조에 있어서는 5-나트륨술포이소프탈산 성분 또는 카르복실산염기를 함유하는 수성 폴리에스테르 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 폴리에스테르 수지는 분자내에 관능기를 갖는 분자내 가교형으로 할 수 있고, 멜라민 수지, 에폭시 수지와 같은 경화제를 사용하여 가교할 수도 있다.
본 발명의 피막층 A 에 제공되는 수용성 또는 수분산성의 아크릴-폴리에스테르 수지는 아크릴 변성 폴리에스테르 수지와 폴리에스테르 변성 아크릴 수지를 포함하는 의미로 사용하고 있으며, 상기 아크릴 수지 성분과 폴리에스테르 수지 성분이 서로 결합된 것으로서, 예컨대 그라프트 타입, 블록 타입 등을 포함한다. 아크릴-폴리에스테르 수지는 예컨대 폴리에스테르 수지의 양단에 라디칼 개시제를 부가하여 아크릴 단량체의 중합을 수행시키거나, 폴리에스테르 수지의 측쇄에 라디칼 개시제를 부가하여 아크릴 단량체의 중합을 수행시키거나, 혹은 아크릴 수지의 측쇄에 수산기를 부가하여, 말단에 이소시아네이트기나 카르복실기를 갖는 폴리에스테르와 반응시켜 장형 폴리머로 하는 등으로 제조할 수 있다.
피막층 A 에는 불활성입자가 배합되는데, 이 불활성입자 (“불활성입자 A”라 함) 의 재질로서는 가교 폴리스티렌, 폴리스티렌-디비닐벤젠, 폴리메틸메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트 공중합체, 메틸메타크릴레이트 공중합 가교체, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리아크릴로니트릴, 벤조구아나민 수지 등과 같은 유기질, 실리카, 알루미나, 이산화티탄, 카올린, 탈크, 그라파이트, 탄산칼슘, 장석, 이황화몰리브덴, 카본블랙, 황산바륨 등과 같은 무기질 중 어떤 것을 사용하여도 된다. 또한, 내외부의 각각의 성질이 다른 물질로 구성되는 다층구조의 코어쉘형 입자를 사용하여도 된다.
불활성입자 A 의 평균입경은 5 ∼ 100 ㎚, 바람직하게는 10 ∼ 50 ㎚ 이고 불활성입자 A 는 입도분포가 균일한 것이 바람직하다. 평균입경이 5 ㎚ 를 밑돌면 윤활성, 내절삭성이 악화된다. 한편, 평균입경이 100 ㎚ 을 넘으면 입자의 탈락이 발생하고 내절삭성이 악화된다. 또한 자기헤드와의 간격이 커지기 때문에 고밀도의 자기기록매체로서 제공하기 어렵게 된다.
불활성입자 A 는 피막층 A 의 표면돌기밀도가 1 × 106 ∼ 1 × 108 개/㎟ 가 되도록 피막층 A 중에 함유된다. 이 표면돌기밀도를 1 × 106 개/㎟ 미만의 자기기록매체로 하였을 때, 주행 내구성이 부족하다. 한편, 1 × 108 개/㎟를 초과하면 전자변환특성에 악영향을 미친다. 바람직한 표면돌기밀도는 2 × 106 ∼ 5 × 107 개/㎟, 더욱 바람직하게는 3.0 × 106 ∼ 3.0 × 107 개/㎟ 이다.
피막층 A 의 두께는 1 ∼ 100 ㎚, 바람직하게는 3 ∼ 70 ㎚ 의 범위가 적합하다. 이 때 피막층 A 의 두께 (t㎚) 와 불활성입자 A 의 평균입경 (d㎚) 의 비 (t/d) 를 0.05 ∼ 0.8 의 범위, 바람직하게는 0.08 ∼ 0.6 의 범위, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 0.5 의 범위로 하는 것이 유리하다.
상기 비 (t/d) 가 0.8 을 초과하면 불활성입자 A 의 돌기형성작용이 감소하고, 자기기록매체로 하였을 때의 주행내구성이 부족하다. 한편, 0.05 보다 작아지면 제막공정에 있어서의 가이드 롤과의 접촉에 의해 적층 필름 표면의 입자가 깎여나가서 주행내구성이 부족하거나, 깎여나간 입자가 필름상에 부착 퇴적되어 드롭 아웃의 증가를 일으킨다.
본 발명에 있어서의 피막층 A 는 폴리에스테르 중심층의 적어도 한쪽면에 상술한 불활성입자 및 수용성 또는 수분성 수지를 함유하는 도액을 도포하고, 건조시킴으로써 형성된다. 이 도액의 고형분 농도는 바람직하게는 0.2 ∼ 10 중량%, 더욱 바람직하게는 0.5 ∼ 5 중량%, 특히 바람직하게는 0.7 ∼ 3 중량% 이다. 그리고, 이 도액에는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위라면 원하는 바에 따라 다른 성분, 예컨대 계면활성제, 안정제, 분산제, UV 흡수제, 증점제(增粘劑) 등을 첨가할 수 있다.
피막층 A 를 형성한 표면의 중심선 평균거침성 (Ra-A) 은 0.1 ∼ 2 ㎚, 더욱 바람직하게는 0.5 ∼ 1.5 ㎚ 이다. (Ra-A) 값이 2 ㎚ 을 초과하는 경우에는 특히 금속박막형 자기기록매체로 하였을 때에 전자변환특성이 악화된다. 한편, (Ra-A) 값이 0.1 ㎚ 미만인 경우에는 윤활성이 극도로 악화되어 주행내구성이 부족하거나, 자기헤드에 부착되어 테이프 음을 발생시켜 실제 사용할 수 없게 되기 쉽다.
본 발명의 복합 폴리에스테르 필름은 기재 필름 C 의 한쪽 표면에 상기 피막층 A 가 형성되고, 또한 그 기재 필름 C 의 다른 표면에 피막층 B 가 형성된 구조를 갖고 있다. 이어서, 상기 피막층 B 에 대해 상세하게 설명한다.
피막층 B 는 평균거침성이 20 ∼ 100 ㎚ 인 불활성입자 1 ∼ 40 중량% 및 수용성 수지 또는 수분산성 수지 함유 조성물 60 ∼ 99 중량% 로 형성되는데, 단 상기 수지 함유 조성물은 층 B 를 기준으로 실리콘 변성 폴리에스테르 수지를 5 ∼ 85 중량% 함유하거나 또는 실리콘 혹은 왁스를 1 ∼ 30 중량% 함유하고 있는 층이다.
피막층 B 는 그 중에 (ⅰ) 실리콘 변성 폴리에스테르 수지를 함유하는 상태 (이하 “피막층 B-1”이라 함) 와 (ⅱ) 실리콘 혹은 왁스를 함유하는 상태 (이하 “피막층 B-2”라 함) 를 포함하고 있다.
이하 이들 피막층 B-1 및 피막층 B-2 의 2 개의 피막층의 이해를 돕기 위하여 각각의 피막층에 대해 각각 설명한다. 먼저 피막층 B-1 에 대해 설명한다.
피막층 B-1 은 평균입경이 20 ∼ 100 ㎚ 인 불활성입자 1 ∼ 40 중량% 및 수용성 수지 또는 수분산성 수지 함유 조성물 60 ∼ 99 중량% 로 형성되지만, 단 상기 수지 함유 조성물은 층 B-1 를 기준으로 실리콘 변성 폴리에스테르 수지 5 ∼ 85 중량% 를 함유하고 있다.
상기 피막층 B-1 에 있어서, 실리콘 변성 폴리에스테르 수지는 수용성 또는 수분산성의 수지로서, 실리콘 성분과 폴리에스테르 수지 성분이 서로 결합한 화합물이다. 이 결합방식은 예컨대 그라프트 결합 타입 혹은 블록 결합 타입 중 어느 타입이라도 좋다. 구체적으로는 폴리에스테르 수지의 양말단에 라디칼 개시제를 부가하여 실리콘의 중합을 시키거나, 혹은 실리콘의 측쇄에 수산기를 부가하고, 말단에 이소시아네이트기나 카르복실기를 갖는 폴리에스테르와 반응시켜 장형 폴리머로 하는 등으로 제조할 수 있다.
중합에 사용되는 폴리에스테르 수지 성분으로는 피막층 A 에 사용하는 폴리에스테르 수지로 예시한 것과 동일한 수지를 예시할 수 있다.
화학식 1 은 실리콘 쇄상 성분 화합물로서, 말단에 에폭시기, 아미노기, 수산기, 기타 관능성 말단기를 갖는 것을 들 수 있다.
[단 R1 은 -CH3, -C6H5, 또는 수소원자를 나타내고, R2 는 -CH3, -C6H5, 수소원자 또는 관능성 기 (예컨대 에폭시기, 아미노기 또는 수산기) 를 나타내며, n 은 100 ∼ 7000 을 나타낸다]. 본 발명에 있어서 실리콘 화합물은 반드시 호모폴리머일 필요는 없고 공중합체 또는 수종의 호모폴리머의 혼합체라도 된다.
폴리에스테르 수지 성분과 실리콘 성분의 비율은 중량비로 98 : 2 ∼ 60 : 40, 바람직하게는 95 : 5 ∼ 80 : 20 이다. 피막층 B-1 중의 실리콘 변성 폴리에스테르 수지의 함유량은 5 ∼ 85 중량%, 바람직하게는 20 ∼ 80 중량% 이다. 5 중량% 미만이면 효과가 불충분하여 블로킹의 발생 및 대전의 증가를 일으키고, 85 중량% 를 초과하면 백 코트의 접착성을 악화시키거나, 롤 형태로 감았을 때에 접촉면으로 전사가 발생하거나, 필름 주행시 접촉 롤에 오염을 일으킨다.
피막층 B-1 에는 불활성입자와 수용성 및 수분산성 실리콘 변성 폴리에스테르 수지 이외에도 본 발명의 효과에 영향을 미치지 않는 범위내에서 상기 피막층 A 에서 설명한 다른 수용성 및 수분산성 수지나 계면활성제 등을 첨가해도 된다. 계면활성제로는 비이온계 계면활성제가 바람직하고, 특히 알킬알코올, 알킬페닐알코올 및 고급지방산에 폴리에틸렌옥사이드를 부가·결합시킨 것이 바람직하다. 계면활성제를 층 B-1 를 기준으로 20 중량% 이하, 바람직하게는 1 ∼ 15 중량% 첨가하면 도포공정시의 도포누락, 불균일을 방지할 수 있으므로 바람직하다.
또 피막층 B-1 중에는 층 B-1 를 기준으로 셀룰로오스 수지를 5 ∼ 40 중량%, 바람직하게는 10 ∼ 30 중량% 첨가하면 피막층 B-1 중에 다수의 연속 미세 주름을 형성시킬 수 있고, 따라서 필름의 권취성을 향상시킬 수 있다. 이 셀룰로오스 수지로는 에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 아세틸셀룰로오스, 아세토아세틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스, 셀룰로오스아세테이트부틸레이트 등을 예시할 수 있다.
한편, 피막층 B-2 에 대해 설명하면 피막층 B-2 는 평균입경 20 ∼ 100 ㎚ 의 불활성입자 1 ∼ 40 중량% 및 수용성 수지 또는 수분산성 수지 함유 조성물 60 ∼ 99 중량% 로 형성되는데, 단 수지 함유 조성물은 층 B-2 를 기준으로 실리콘 혹은 왁스를 1 ∼ 30 중량% 함유하고 있다.
피막층 B-2 중에 함유되는 화학식 1 은 실리콘 쇄상 성분 화합물로서, 말단에 에폭시기, 아미노기, 수산기, 기타 관능성 말단기를 갖는 것을 들 수 있다.
[화학식 1]
[단 R1 은 -CH3, -C6H5, 또는 수소원자를 나타내고, R2 는 -CH3, -C6H5, 수소원자 또는 관능성기 (예컨대 에폭시기, 아미노기 또는 수산기) 를 나타내고, n 은 100 ∼ 7000 을 나타낸다]. 본 발명에 있어서, 실리콘 화합물은 반드시 호모폴리머일 필요는 없고 공중합체 또는 수종의 호모폴리머의 혼합체라도 된다.
왁스로는 예컨대 석유계 왁스, 식물계 왁스, 광물계 왁스, 동물계 왁스, 저분자량 폴리올레핀류 등을 사용할 수 있으며 특별히 한정되는 것은 아니다. 석유계 왁스로는 파라핀왁스, 마이크로크리스타린왁스, 산화왁스 등을 들 수 있다. 또한 식물성 왁스로는 캔데릴라왁스, 카르나우바왁스, 목랍, 올리퀴리왁스, 사탕수수납, 로진 변성 왁스 등을 들 수 있다.
피막층 B-2 중의 실리콘 혹은 왁스의 함유량은 층 B-2 를 기준으로 1 ∼ 30 중량%, 바람직하게는 1 ∼ 15 중량% 이다. 1 중량% 미만이면 블로킹의 발생 및 대전의 증가를 발생시키고, 30 중량% 를 넘으면 백 코트의 접착성을 악화시키거나 롤 형태로 감았을 때에 접착면으로의 전사가 발생하거나 필름 주행시에 접촉롤의 오염을 일으킨다.
내막층 B-2 를 형성하는 수용성 및 수분산성 수지로서는 상기 피막층 A 에서 예시한 수용성 또는 수분산성의 수지와 마찬가지로 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 아크릴-폴리에스테르 수지, 알키드 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 아미노 수지, 폴리우레탄 수지, 아세트산 비닐 수지 및 염화비닐-아세트산 비닐 공중합체를 사용할 수 있다.
상기 수용성 또는 분산성의 수지중 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 아크릴-폴리에스테르 수지로서 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 수지가 바람직하고, 이들 수지는 셀룰로오스계 수지를 병용하는 것이 더욱 바람직하다. 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 아크릴-폴리에스테르 수지의 구체예로는 상기 피막층 A 로 예시된 것과 동일한 수지를 예시할 수 있다. 셀룰로오스 수지를 병용시킴으로써 피막층 B-2 에 다수의 연속 미세 주름을 형성할 수 있으며, 필름의 권취성을 향상시킬 수 있다. 셀룰로오스 수지로서 에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 아세틸셀룰로오스, 아세토아세틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스, 셀룰로오스아세테이트부틸레이트 등을 예시할 수 있다. 피막층 B-2 중의 셀룰로오스 함유량은 층 B-2 를 기준으로 5 ∼ 40 중량%, 바람직하게는 10 ∼ 30 중량% 이다.
상기 피막층 B-1 및 B-2 에는 모두 불활성입자가 함유된다. 이 함유되는 불활성입자 (“불활성입자 B”라 함) 의 평균입경은 20 ∼ 100 ㎚, 바람직하게는 20 ∼ 50 ㎚ 이고, 함유량은 1 ∼ 40 중량%, 바람직하게는 5 ∼ 30 중량% 이다. 입자의 평균입경이 20 ㎚ 미만, 또는 함유량이 1 중량% 미만이면 필름의 권취성, 제막공정에서의 반송성 등이 양호하지 못하다.
한편, 평균입경이 100 ㎚ 을 넘을 경우에는 입자가 도막(塗膜)에서 탈락하기 쉽게 된다. 또 피막층 B 중의 불활성입자 B 의 함유량이 40 중량% 를 넘을 경우에는 피막층 B 자체의 강도가 저하되어 깎이기 쉽게 된다.
피막층 B 에 함유되는 불활성입자 B 로는 상기 피막층 A 에 함유하는 입자와 같이, 가교 폴리스티렌, 폴리스티렌-디비닐벤젠, 폴리메틸메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트 공중합체, 메틸메타크릴레이트 공중합 가교제, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리아크릴로니트릴, 벤조구아나민 수지 등과 같은 유기질로 이루어지는 입자, 실리카, 알루미나, 이산화티탄, 카올린, 탈크, 그라파이트, 탄산칼슘, 장석, 이황화몰리브덴, 카본블랙, 황산바륨 등과 같은 무기질 함유 입자 중 어떤 것을 사용하여도 된다. 또 코어쉘 입자라도 좋다.
피막층 B 는 1 ∼ 100 ㎚ 의 두께, 바람직하게는 3 ∼ 70 ㎚ 의 두께가 적합하다.
또한 피막층 B 를 형성한 면의 중심선 평균거침성 (Ra-B) 은 1 ∼ 30 ㎚, 바람직하게는 2 ∼ 20 ㎚ 이다. 셀룰로오스의 함유량이 5 중량% 미만, 또는 (Ra-B) 값이 1 ㎚ 미만인 경우에는 필름의 권취성, 제막공정에서의 반송성이 부족하거나, 블로킹을 일으키기 쉽게 된다. 한편 (Ra-B) 값이 30 ㎚ 을 넘을 경우에는 피막층 B 가 깎이기 쉽게 되는 문제가 있다.
기재 필름 C 가 공압출 층으로 구성된 경우에는 필름의 권취성 및 제막공정에서의 반송성은 피막층 B 를 형성하는 측의 표층 (CB) 에 함유시키는 불활성입자의 종류에 따라 충분하게 부여할 수 있다. 기재 필름 C 가 단층으로 구성되는 경우와 달리 복층일 때에는 반드시 셀룰로오스계 수지를 함유할 필요가 없다. 물론, 셀룰로오스계 수지는 있어도 된다.
피막층 B 를 형성하는 측의 면의 표층 (CB) 의 기재 필름 C 에 함유되는 불활성입자는 단독입자 또는 크기가 다른 2 종 이상의 입자로 이루어진다. 단독입자 및 2 종 이상의 입자의 가장 큰 입자의 평균입경은 100 ∼ 1000 ㎚, 바람직하게는 100 ∼ 500 ㎚ 이다. 이 입자의 함유량은 0.001 ∼ 5.0 중량%, 바람직하게는 0.005 ∼ 1.0 중량% 이다. 평균입경이 100 ㎚ 미만, 또는 함유량이 0.001 중량% 미만이면 필름의 권취성, 제막공정에서의 반송성 등을 만족할 수 없고, 또한 블로킹을 일으키기 쉽게 된다. 평균입경이 1000 ㎚ 을 넘을 경우, 또는 함유량이 5 중량% 를 넘을 경우에는 피막층 A 측의 면으로의 쳐 올리는 효과가 현저해져서 전자변환특성의 악화가 일어난다.
본 발명의 기재 필름 C 는 그 자체로 종래부터 알려져 있는 방법으로 제조할 수 있다.
예컨대 2 축배향 폴리에스테르 필름으로 설명하면 기재 필름 C 가 단층인 경우, 먼저 상기 폴리에스테르 수지를 구금으로부터 융점 Tm℃ ∼ (Tm + 70) ℃ 의 온도로 필름형태로 압출한 후, 40 ∼ 90 ℃ 에서 급랭 고체화시켜 미신장 필름을 얻는다. 그런 후에 이 미신장 필름을 통상법에 따라 일축방향 (종방향 또는 횡방향) 으로 (Tg - 10) ∼ (Tg + 70) ℃ 의 온도 (단, Tg : 사용수지의 유리전이온도) 에서 2.5 ∼ 8.0 배의 배율, 바람직하게는 3.0 ∼ 7.5 배의 배율로 신장하고, 이어서 피막층 A 및 피막층 B 를 형성하는 도액을 필름 양면에 각각 도포하고, 그 후에 상기 방향과 직각방향으로 Tg ∼ (Tg + 70) ℃ 의 온도에서 2.5 ∼ 8.0 배의 배율, 바람직하게는 3.0 ∼ 7.5 배의 배율로 신장한다. 필요에 따라 종방향 및/또는 횡방향으로 다시 더 신장하여도 된다. 즉, 2 단, 3 단, 4 단 혹은 다단의 신장을 하여도 된다. 전 신장배율은 면적신장배율로서 통상 9 배 이상, 바람직하게는 12 ∼ 35 배, 더 바람직하게는 15 ∼ 32 배이다. 이어서, 2 축배향필름을 (Tg + 70) ∼ (Tm - 10) ℃ 의 온도, 예컨대 180 ∼ 250 ℃ 에서 열고정 결정화함으로써 우수한 치수안정성이 부여된다. 그리고, 열고정시간은 1 ∼ 60 초 사이가 바람직하다.
기재 필름 C 가 공압출법의 경우, 2 종의 폴리에스테르 수지를 압출구금내 또는 구금 이전 (일반적으로 전자는 멀티매니폴드 방식, 후자는 피드블록 방식이라 함) 에 용융상태에서 적층복합하고, 바람직한 두께 비를 이루어 공압출을 하고 2 층 적층의 미신장필름으로 하고, 그 후에는 상기 단층법과 동일하게 수행한다. 이 방법으로 층간 밀착성이 우수한 2 축배향복합 필름이 얻어진다.
그리고 복합필름의 제조시, 그 폴리에스테르 수지에 원하는 바에 따라 첨가제, 예컨대 안정제, 착색제, 용융폴리머의 고유저항 조정제 (제전제) 등을 첨가 함유시킬 수 있다.
본 발명의 복합 폴리에스테르 필름은 피막층 A 의 표면에 진공증착, 스퍼터링, 이온플레이팅 등의 방법으로 철, 코발트, 크롬 또는 이들을 주성분으로 하는 합금 혹은 산화물로 이루어지는 강자성 금속박막층을 형성하고, 또한 그 표면에 목적, 용도, 필요에 따라 다이아몬드 라이크 카본 (DLC) 등의 보호층, 불소함유 카르복실산계 윤활층을 순차 형성하고, 피막층 B 의 표면에 공지된 백 코트층을 더 형성함으로써, 특히 단파장영역의 출력 S/N, C/N 등의 전자변환특성이 우수하고 드롭 아웃, 에러가 적은 고밀도 기록용 증착형 자기기록매체로 할 수 있다. 이 증착형 전자기록매체는 아날로그 신호 기록용 Hi8, 디지털 신호 기록용 디지털 비디오 카세트 레코더 (DVC), 데이터 8 밀리, DDSIV 용 테이프 매체로 사용할 수 있으므로 매우 유용하다.
본 발명의 복합폴리에스테르 필름은 또한 피막층 A 의 표면에 철 또는 철을 주성분으로 하는 침상 미세 자성분을 폴리염화비닐, 염화비닐, 아세트산비닐 공중합체 등의 바인더에 균일하게 분산시키고, 자성층 두께가 1 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.1 ∼ 1 ㎛ 로 되도록 도포하고, 나아가 피막층 B 의 표면에 공지된 방법으로 백 코트층을 형성함으로써, 특히 단파장영역에서의 출력, S/N, C/N 등의 전자변환특성이 우수하고, 드롭 아웃, 에러가 적은 고밀도 기록용 메탈 도포형 자기기록매체로 할 수 있다. 또한, 필요에 따라 피막층 A 의 위에 메탈파우더 함유 자성층의 하지층으로서 미세한 산화티탄 입자 등을 함유하는 비자성층을 자성층과 동일한 유기 바인더중에 분산, 도포할 수도 있다. 이 메탈도포형 자기기록매체는 아날로그신호 기록용 8 밀리 비디오, Hi8, β캠 SP, W-VHS, 디지털 신호 기록용 디지털 비디오 카세트 레코더 (DVC), 데이터 8 밀리, DDSIV, 디지털 β캠, D2, D3, SX 등 용 테이프 매체로 매우 유용하다.
또한 본 발명의 복합 폴리에스테르 필름은 피막층 A 의 표면에 산화철 또는 산화크롬 등의 침상 미세 자성분, 또는 바륨페라이트 등의 판상 미세 자성분을 폴리염화비닐, 염화비닐·아세트산비닐 공중합체의 바인더에 균일하게 분산시켜 자성층 두께가 1 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.1 ∼ 1 ㎛ 이 되도록 도포하고, 피막층 B 의 표면상에 공지된 방법으로 백 코트층을 더 형성함으로써, 특히 단파장영역에서의 출력 S/N, C/N 등의 전자변환특성이 우수하고, 드롭 아웃, 에러가 적은 고밀도 기록용 도포형 자기기록매체로 할 수 있다. 또한, 필요에 따라 피막층 A 의 표면상에 이 메탈분 함유 자성층의 하지층으로서 미세한 산화티탄 입자 등을 함유하는 비자성층을 자성층과 동일한 유기 바인더중에 분산, 형성할 수도 있다. 이 산화물 도포형 자기기록매체는 디지털 신호 기록용 데이터 스트리머용 QIC 등의 고밀도 산화물 도포형 자기기록매체로 유용하다.
발명의 효과
본 발명의 복합 폴리에스테르 수지 필름은 전체 두께가 2.5 ∼ 20 ㎛ 정도이고, 자기기록매체의 베이스에 바람직하게 이용된다. 그리고 자기기록매체로는 금속박막형의 것에 유용하다. 또한, 본 발명의 복합 폴리에스테르 필름 기재는 자성층의 두께가 1 ㎛ 이하인 도포형 자기기록매체에 제공할 수 있는 이외에도 디지털 신호 기록형 자기기록매체에도 사용할 수 있다.
본 발명에 의하면 저대전성, 내블로킹성, 내절삭성이 우수하면서 전자변환특성, 백 코트의 접착성이 우수한 자기기록매체의 베이스 필름으로 유용한 복합 폴리에스테르 필름을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 보다 더 구체적으로 설명한다. 본 발명에 있어서 사용한 측정방법은 하기와 같다.
(1) 입자의 평균입경 (평균입경 : 0.06 ㎛ 이상)
시마즈세이사꾸쇼 제조 CP-50 형 센트리 퓨글 파티클 사이즈 애널라이저 (Centrifugal Particle Size Analyzer) 를 사용하여 측정한다. 얻어지는 원심침강곡선을 바탕으로 산출한 각 입경의 입자와 그 존재량의 적산곡선에서, 50 매스 퍼센트에 상당하는 입경「등가구직경」을 판독하여 이 값을 상기 평균입경으로 한다 (「입도측정기술」닛깐고오교신문 발행, 1975 년, 242 ∼ 247 페이지 참조).
(2) 초미세입자의 평균입경 (평균입경 : 0.06 ㎛ 미만)
소돌기를 형성하는 평균입경 0.06 ㎛ 미만의 입자는 광산란법을 사용하여 측정한다. 즉, 니콤·인스트러먼트 인코퍼레이션 (Nicomp Instruments Inc.) 사 제조의 NICOMP MODEL 270 SUBMICRON PARTICLE SIZER 에 의해 구해지는 전입자의 50 중량% 의 점에 있는 입자의 「등가구직경」을 가지고 표시한다.
(3) 필름의 표면거침성 (중심선 평균거침성 : Ra)
중심선 평균거침성 (Ra) 은 JIS-B601 에 준거하여 측정한다. 본 발명에서는 (주) 고사까겡뀨죠의 촉침식 표면거침성계 (SURFCORDER SE-30C) 를 사용하여 하기의 조건으로 측정하여 구한다.
(a) 촉침 선단 반경 : 2 ㎛
(b) 측정압력 : 30 ㎎
(c) 컷 오프 : 0.08 ㎜
(d) 측정길이 : 8.0 ㎜
(e) 데이터의 정리방법 : 동일시료에 대해 6 회 반복 측정하여, 가장 큰 값을 1 개 제외하고 남은 5 개의 데이터를 사용하여 평균값으로서 중심선 평균거침성 (Ra) 을 구한다.
(4) 입자 돌기의 개수
SEM (주사전자현미경, 닛뽕덴시 제조 T-300 형) 을 사용하여 적층 필름의 표면을 배율 3 만배, 각도 0 ℃ 로 20 장 사진촬영하여 입상돌기의 수를 카운트하고, 그 평균치를 면적환산에 의해 개/㎟ 당 돌기개수로 산출한다.
(5) 층두께
필름의 전체 두께는 마이크로 미터를 사용하여 임의로 10 점 측정하여 그 평균치를 사용한다. 층두께는 얇은 측의 층두께를 하기에 기술하는 방법으로 측정하고, 또한 두꺼운 측의 층두께는 전체 두께에서 얇은 측의 층두께를 빼서 구한다. 즉, 이차이온 질량분석장치 (SIMS) 를 사용하여 표층에서 깊이 5000 ㎚ 범위의 필름 입자중에서 가장 고농도의 입자에 기인하는 원소와 폴리에스테르의 탄소원소의 농도비 (M+/C+) 를 입자농도로 하고, 표면에서 깊이 5000 ㎚ 까지 두께방향의 분석을 한다. 표층에서는 당연히 입자농도는 낮고, 표면에서 멀어짐에 따라 입자농도는 높아진다. 본 발명의 경우, 입자농도는 일단 안정치 1 로 된 후, 상승 혹은 감소하여 안정치 2 로 되는 경우와 단조롭게 감소하는 경우가 있다. 이 분포곡선을 바탕으로 전자의 경우에는 (안정치 1 + 안정치 2) / 2 의 입자농도를 부여하는 깊이를 가지고, 또한 후자의 경우에는 입자농도가 안정치 1 의 1 / 2 이 되는 깊이 (이 깊이는 안정치 1 을 부여하는 깊이보다 깊다) 를 가지고 당해층의 층두께로 한다.
이차이온 질량분석장치 (SIMS) : PERKIN ELMER 사 제조 6300 의 측정조건은 하기와 같다.
일차이온종 : O2+
일차이온 가속전압 : 12 KV
일차이온 전류 : 200 mA
래스터 영역 : 400 ㎛□
분석영역 : 게이트 30 %
측정진공도 : 6.0 × 10-9Torr
E-GUNN : 0.5 KV-3.0A
그리고, 표층에서 5000 ㎚ 의 범위에 가장 많이 함유되는 입자가 실리콘 수지 이외의 유기고분자 입자인 경우에는 SIMS 로는 측정이 어려우므로, 표면에서 에칭하면서 FT-IR (푸리에 변환 적외분광법), 입자에 따라서는 XPS (X 선 고전자 분광법) 등으로 상기와 같이 농도분포곡선을 측정하여 층두께를 구한다.
이상은 공압출층의 경우에 유효한 측정방법이고, 도포층의 경우에는 필름의 소편의 에폭시 수지로 고정 형성하고, 미크로톰을 사용하여 약 60 ㎚ 두께의 초박절편 (필름의 흐름방향으로 평행하게 절단한다) 을 작성하고 이 시료를 투과형 전자현미경 (히타치세이사꾸쇼 제조 H-800 형) 으로 관찰하여 층의 경계면에서 층두께를 구한다.
(6) 전사 이물 빈도
장력 : 1.7 × 106 ㎏/㎡, 접압 1.5 × 107 ㎏/㎡ 의 조건에서 폭 300 ㎜ × 5000 m 의 사이즈의 슬릿을 통과한 필름 롤을 10-5 torr × 3 시간 조건의 진공하에서, 필름 사이의 공기를 빼고 필름을 밀착시킨 후, 롤을 절개하여 권심부의 폴리에스테르 필름을 샘플링하고, 폴리에스테르 필름의 피막층 A 의 표면에 진공증착법으로 경사각 45°의 각도에서 0.2 ㎛ 의 두께가 되도록 알루미늄 박막을 형성하고, 투과현미경을 사용하여 배율 4000 배로 1 ㎠ 을 주사관찰하여 돌기의 그림자에 의한 비증착부의 최대길이 (돌기 높이에 상당) 가 0.2 ㎜ 이상인 투과광의 개수를 카운트한다. (즉, 높이가 0.2 ㎜ / 400 = 0.5 ㎛ 이상의 조대한 전사 이물 빈도를 카운트).
그리고, 평가는 하기 기준으로 실시한다.
○ : 20 개/㎠ 미만
△ : 20 ∼ 50 개/㎠
× : 50 개 이상/㎠
(7) 대전성
폴리에스테르 필름 (10 ㎛ × 500 ㎜ × 3000 m) 을 23 ℃ 에서 75 % RH 의 분위기하에서 150 m/분 의 스피드로 다시 감고, 그 롤의 박리 대전량을 퓨글 일렉트로닉스 (주) 제조의 디지털식 시험 전기측정기 Model-203 을 사용하여 측정한다.
○ : 2.5 kv 미만
△ : 2.5 ∼ 5.0 kv
× : 5.0 kv 이상
(8) 블로킹
2 장의 필름의 처리면과 피처리면을 포개고, 이것에 150 ㎏/㎠ 의 압력을 60 ℃ 에서 80 % RH 의 분위기하 65 시간 가한 후 박리하고, 그 박리력으로 평가한다 (5 ㎝ 당 g 수).
그리고 평가는 박리력으로 하기 기준으로 한다.
○ : 0 ∼ 10 g/㎝ 미만
△ : 10 g/㎝ 이상 ∼ 15 g/㎝ 미만
× : 15 g/㎝ 이상 ∼ 파단
(9) 내절삭성
필름을 25 ∼ 30 ㎝ 길이, 폭 1/2 인치로 샘플링하고, 레이저날을 피막층 B 의 면에 대해 90°의 각도, 깊이 0.5 ㎜ 의 조건을 갖다 대고 하중 500 g/0.5 인치, 속도 6.7 ㎝/초 로 주행시켰을 때에 레이저날에 부착되는 깎인 가루의 깊이방향의 폭을 현미경 사진촬영 (× 160 배) 하여 구한다. 깎인 가루의 깊이방향의 폭이 3 ㎛ 이하를 (◎), 3 ∼ 5 ㎛ 을 (○), 5 ㎛ 이상을 (×) 로 한다. 깎인 가루의 깊이방향의 폭이 작을수록 깎임성이 우수하다.
(10) 자기 테이프의 제조 및 특성평가
적층 필름의 피막층 B 의 표면에 진공증착법으로 코발트 100 % 의 강자성박막을 0.02 ㎛ 의 두께가 되도록 2 층 (각 층두께 약 0.1 ㎛) 형성하고, 그 표면에 다이아몬드 라이크 카본 (DLC) 막, 또한 함불소 카르복실산계 윤활층을 순차 형성하고, 나아가 피막층 B 의 표면에 하기 조성의 백 코트층을 도포하고, 건조시켜 형성한다.
건조 후의 백 코트층의 두께는 0.8 ㎛ 로 한다.
백 코트의 조성식 :
카본블랙 100 중량부
열가소성 폴리우레탄 60 중량부
이소시아네이트 화합물 (닛뽕 폴리우레탄 고오교샤 제조 콜로네이트 L)
18 중량부
실리콘 오일 0.5 중량부
메틸에틸케톤 250 중량부
그 후, 8 ㎜ 폭으로 슬릿하고, 시판의 8 ㎜ 비디오 카세트에 로딩한다. 이어서, 하기의 시판 기기를 사용하여 테이프의 특성을 측정한다.
사용기기 :
8 ㎜ 비디오 테이프 레코더 : 소니 (주) 제조 EDV-6000
C/N 측정 : 시바소크 (주) 제조 노이즈 미터
① C/N 측정
기록파장 0.5 ㎛ (주파수 약 7.4 ㎒) 의 신호를 기록하고, 그 재생신호의 6.4 ㎒ 와 7.4 ㎒ 의 값의 비를 그 테이프의 C/N 으로 하고, 시판 8 ㎜ 비디오용 증착 테이프의 C/N 을 0 ㏈ 로 하여 상대치로 나타낸다.
○ : 0 ㏈ 이상
△ : -3 ∼ 0 ㏈
× : -3 ㏈ 이하
② 드롭 아웃 (D/O) 측정
드롭 아웃 카운터를 사용하여 15 ㎲ / 18 ㏈ 으로 1 분간 당 개수를 측정한다.
○ : 0 ∼ 20 개/분
△ : 20 ∼ 50 개/분
× : 50 개 이상/분
③ 백 코트 접착성
백 코트에 스카치 테이프 No.600 (3 M 사 제조) 폭 19.4 ㎜, 길이 8 ㎝ 를 기포가 들어가지 못하도록 부착하고, 그 위를 JIS. C2701 (1975) 기재의 수동식 하중 롤로 고르게 밀고, 부착적층부 5 ㎝ 사이를 동양 보드윈샤 제조 텐시론 UM-11 을 사용하여 헤드속도 300 ㎜/분으로 이 시료를 T 자 박리하여 이 때의 박리세기를 구하고, 이것을 테이프 폭에서 제거하여 g/㎝ 로 구한다. 그리고 T 형 박리에 있어서 적층체는 테이프측을 아래로 하여 인취하고 척 사이를 5 ㎝ 로 한다.
그리고 평가는 박리강도로서 하기의 기준으로 한다.
○ : 50 g/㎝ 이상
△ : 20 g/㎝ 이상 ∼ 50 g/㎠ 미만
× : 20 g/㎝ 미만
실시예 1
2,6-나프탈렌디카르복실산디메틸과 에틸렌글리콜을, 에스테르 교환촉매로 아세트산망간을, 중합촉매로 삼산화안티몬을, 안정화제로 아인산을 첨가하여 통상법으로 중합하고, 실질적으로 불활성입자를 함유하지 않는 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트 (PEN) 를 얻는다.
상기 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트를 170 ℃ 에서 6 시간 건조시킨 후, 압출기에 공급하여 용융온도 280 ∼ 300 ℃ 에서 용융하고, 다이에서 시트상으로 압출하고 급랭하여 두께 82 ㎛ 의 미신장 필름을 얻는다.
얻어진 미신장 필름을 예열하고, 또한 저속·고속의 롤 사이에서 필름온도 95 ℃ 에서 종방향으로 3.5 배로 신장하고, 급랭하고, 이어서 종신장 필름의 일방의 면에 표 1 의 피막층 A 의 조성의 수용성 도액을, 다른 면에 피막층 B 의 수용성 도액을 각각 0.009 ㎛ 및 0.035 ㎛ (신장건조후) 의 두께가 되도록 도포하고, 이어서 스텐터에 공급하여 150 ℃ 에서 횡방향으로 5.6 배로 신장한다. 얻어진 2 축신장 필름을 200 ℃ 의 열풍으로 4 초간 열고정하고, 두께 4.9 ㎛ 의 적층 2 축배향 폴리에스테르 필름을 얻는다. 그 결과를 하기의 표 1 에 나타낸다.
실시예 2·3 및 비교예 1 ∼ 5
피막층 A 와 피막층 B 의 조성을 표 1 과 같이 변경하는 것 이외에는 실시예 1 과 동일한 방법으로 폴리에스테르 필름을 얻는다. 그 결과를 정리하여 하기 표 1 에 나타낸다.
표 1 에서 명백한 바와 같이 본 발명에 의한 복합 폴리에스테르 필름은 저대전성, 내블로킹성, 물질전사의 억제효과가 뛰어나므로 자기기록매체로 이용되는 경우에 전자변환특성, 드롭 아웃 특성, 백 코트 접착성이 매우 우수하다.
이에 비해 본 발명의 요건을 만족하지 않는 것은 이들 특성을 동시에 만족시킬 수 없음을 알 수 있다.
피지층 A 피지층 B
수지종류 함유입자 A 실리콘 변성폴리에스테르수지 기타 수지 함유입자 B
재질 평균입경(㎚) 종류 함유량(wt%) 종류 함유량(wt%) 재질 평균입경(nm) 함유량(wt%)
실시예 1 A 아크릴공중합체 40 C 81 - - 아크릴공중합체 40 9
실시예 2 A 실리카 13 D 30 A 45 가교폴리스티렌 50 15
실시예 3 B 코어쉘형입자※1 25 C 20 E 50 실리카 45 20
비교예 1 A 가교폴리스티렌 28 - - E 70 아크릴공중합체 40 20
비교예 2 B 실리카 13 D 3 B 52 가교폴리스티렌 50 35
비교예 3 A 실리카 13 D 30 F 30 실리카 22 30
비교예 4 A 아크릴공중합체 150 D 30 A 45 가교폴리스티렌 50 15
비교예 5 B 가교폴리스티렌 28 C 90 - - - - -
(주) 피막층의 수지종류A ; 아크릴 변성 폴리에스테르 (다까마쯔유시(주) 제조 IN-170-6)B ; 공중합 폴리에스테르(2,6-나프탈렌디카르복실산/이소프탈산/5-나트륨술포이소프탈산//에틸렌글리콜/비스페놀A·프로피온옥사이드 2 몰 부가체C ; 실리콘 변성 폴리에스테르 (고오가가꾸고오교(주) 제조 RZ654A)D ; 실리콘 변성 폴리에스테르 (고오가가꾸고오교(주) 제조 RZ653A)E ; 아크릴 변성 폴리에스테르/메틸셀룰로오스 (신에쯔가가꾸고오교(주) 제조 SM-15)=2/1※1 피복부 ; 아크릴 공중합체, 핵부 ; 스티렌/디비닐헥센 공중합체의 코어쉘형 입자
피막층 A 성상 피막층 B 성상 Ra(㎚) 필름의 특성 자기기록매체의 특성
돌기빈도(106개/㎟) Ra(㎚) 대전 블로킹 전사물질 전자변환특성C/N D/O 백 코트접착성
실시예 1 20 0.7 2.5
실시예 2 7 0.8 4.5
실시예 3 12 0.6 5.5
비교예 1 10 0.6 2.5 × × × ×
비교예 2 14 0.6 5 × ×
비교예 3 200 1.8 2.4 ×
비교예 4 5 3.0 6.6 ×
비교예 5 300 1.5 3.3 ×
실시예 4
디메틸테레프탈레이트와 에틸렌글리콜을, 에스테르 교환촉매로 아세트산망간을, 중합촉매로 삼산화안티몬을, 안정화제로 아인산을 첨가하여 통상법으로 중합하고, 실질적으로 불활성입자를 함유하지 않는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PEN) 를 얻는다.
상기 폴리에틸렌테레프탈레이트를 170 ℃ 에서 3 시간 건조시킨 후, 압출기에 공급하여 용융온도 280 ∼ 300 ℃ 에서 용융하고, 다이에서 시트상으로 압출하고 급랭하여 두께 82 ㎛ 의 미신장 필름을 얻는다.
얻어진 미신장 필름을 예열하고, 또한 저속·고속의 롤 사이에서 필름온도 95 ℃ 에서 종방향으로 3.2 배로 신장하고, 급랭하고, 이어서 종신장 필름의 일방의 표면에 표 2 및 표 3 에 나타내는 피막층 A 의 조성의 수용성 용액을, 다른 표면에 피막층 B 의 수용성 용액을 각각 0.009 ㎛ 및 0.035 ㎛ (신장건조후) 의 두께가 되도록 도포하고, 이어서 스텐터에 공급하여 110 ℃ 에서 횡방향으로 4.1 배로 신장한다. 얻어진 2 축신장필름을 220 ℃ 의 열풍으로 4 초간 열고정하고, 두께 5.9 ㎛ 의 2 축배향 폴리에스테르 필름을 얻는다. 그 결과를 하기 표 2 및 표 3 에 나타낸다.
비교예 6 ∼ 8
피막층 A 와 피막층 B 의 조성을 표 2 및 표 3 과 같이 변경하는 것 이외에는 실시예 4 와 동일한 방법으로 2 축배향 폴리에스테르 필름을 얻는다. 그 결과를 하기 표 2 및 표 3 에 나타낸다.
실시예 5 및 비교예 9
표 2 및 표 3 에 나타내는 열가소성 수지층의 제 1 층, 제 2 층용 폴리에틸렌테레프탈레이트를 각각의 2 대의 압출기에 공급하여 멀티 매니폴드형 공압출 다이를 사용하여 적층하고, 표 2 의 조성의 피막층 A 의 수성도액을 제 2 층측의 면에, 피막층 B 의 수성도액을 제 2 층측의 면에 도포하는 것 이외에는 실시예 4 와 동일한 방법으로 2 축배향 폴리에스테르 필름을 얻는다. 그 결과를 하기 표 2 및 표 3 에 나타낸다.
실시예 6 및 비교예 10
표 2 및 표 3 에 나타내는 입자를 사용하고 또한 디메틸테레프탈레이트 대신에 2,6-나프탈렌디카르복실산디메틸을 동 몰량 사용한 것 이외에는 실시예 4 와 동일한 방법으로 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트 (PEN) 를 얻는다.
상기 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트를 170 ℃ 에서 6 시간 건조시킨 후, 실시예 4 와 동일하게 하여 각 실시예 및 비교예를 만족하는 미신장 필름을 얻는다.
얻어진 미신장 필름을 예열하고, 또한 저속·고속의 롤 사이에서 필름온도 95 ℃ 에서 종방향으로 3.5 배로 신장하고, 급랭하고, 이어서 표 2 및 표 3 에 나타내는 피막층 A 및 피막층 B 의 수용성 용액을 실시예 4 와 동일하게 도포하고, 이어서 스텐터에 공급하여 155 ℃ 에서 횡방향으로 5.6 배로 신장한다. 얻어진 2 축신장필름을 200 ℃ 의 열풍으로 4 초간 열고정하고, 2 축배향 폴리에스테르 필름을 얻는다. 그 결과를 하기 표 2 및 표 3 에 나타낸다.
실시예 7 및 비교예 11
표 2 및 표 3 에 나타내는 바와 같이 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트를 공압출로 적층하는 것 이외에는 실시예 6 과 동일한 방법으로 2 축배향 폴리에스테르 필름을 얻는다. 그 결과를 하기 표 2 및 표 3 에 나타낸다.
표 3 에서 명백한 바와 같이 본 발명에 의한 열가소성 수지 필름은 저대전성, 내블로킹성, 내절삭성이 뛰어나므로 자기기록매체로 이용되는 경우에 전자변환특성, 백 코트 접착성이 매우 우수하다. 이에 비해 본 발명의 요건을 만족하지 않는 것은 이들 특성을 동시에 만족시킬 수 없다.
피지층 A 열가소성 수지층
수지종류 함유입자 A 제 1 층 제 2 층
종류 함유입자 종류 최대평균입경입자 기타 입자
재질 평균입경(㎚)
재질 평균입경(㎚) 항유량(wt%) 재질 평균입경(㎚) 항유량(wt%) 재질 평균입경(㎚) 항유량(wt%)
실시예4 A 아크릴공중합체 30 PET 없음 - - - - - - - - -
실시예5 B 가교폴리스티렌 28 PET 실리카 60 0.03 PET 실리카 300 0.05 실리카 50 0.30
실시예6 A 실리카 13 PEN 실리카 60 0.01 - - - - - - -
실시예7 A 코어쉘형입자※1 25 PEN 없음 - - PEN 가교폴리스티렌 500 0.01 θ알루미나 200 0.20
비교예6 A 아크릴공중합체 30 PET 없음 - - - - - - - - -
비교예7 B 실리카 13 PET 가교폴리스티렌 160 0.025 - - - - - - -
비교예8 A 실리카 13 PET 실리카 300 0.50 - - - - - - -
비교예9 A 아크릴공중합체 40 PET 없음 - - PET 실리카 500 0.02 θ알루미나 200 0.30
비교예10 B 가교폴리스티렌 28 PEN 실리카 80 0.015 - - - - - - -
비교예11 B 아크릴공중합체 40 PEN 없음 - - PEN 가교폴리스티렌 500 0.01 실리카 100 0.27
(주) 피막층의 수지종류A ; 아크릴 변성 폴리에스테르 (다까마쯔유시(주) 제조 IN-170-6)B ; 공중합 폴리에스테르(2,6-나프탈렌디카르복실산/이소프탈산/5-나트륨술포이소프탈산//에틸렌글리콜/비스페놀A·프로피온옥사이드 2 몰 부가체)C ; 아크릴 산성 폴리에스테르/메틸셀룰로오스 (신에쯔가가꾸고오교(주) 제조 SM-15)=3/1D ; 공중합 폴리에스테르/메틸셀룰로오스 = 5/2E ; 비스아미드계 릭스 (마쯔모토유시 (주) 제조 NS-120)E ; 실리콘 (신에쯔가가꾸고오교(주) 제조 X-22-8053)※1 피복부 ; 아크릴 공중합체, 핵부 ; 스티렌/디비닐벤젠 공중합체의 코어쉘형 입자
피지층 B 층두께 구성
수지종류 첨가제 함유입자 B 피지A층(㎛) 열가소성 수지층 피막B층(㎛)
종류 함유량(wt%) 재질 평균입경(㎚) 함유량(wt%) 1 층(㎛) 2 층(㎛)
실시예4 C E 5 아크릴 공중합체 40 20 0.009 5.9 - 0.035
실시예5 C F 1 실리카 50 15 0.009 8.0 1.0 0.015
실시예6 D F 1 아크릴 공중합체 40 8 0.006 4.0 - 0.030
실시예7 D F 3 아크릴 공중합체 40 5 0.007 4.2 0.6 0.030
비교예6 C - - 아크릴 공중합체 40 20 0.009 6.0 - 0.035
비교예7 C E 40 가교폴리스티렌 55 38 0.009 7.5 - 0.400
비교예8 D F 3 가교폴리스티렌 22 30 0.006 8.8 - 0.028
비교예9 - - - - - - 0.005 5.0 1.0 -
비교예10 C E 10 실리카 50 10 0.007 5.2 - 0.018
비교예11 C E 3 실리카 50 10 0.001 6.0 0.8 0.020
피지층 A 성상 피막층 B 성상 Ra (㎚) 필림의 특성 자기기록매체의 특성
돌기빈도(106개/㎟) t/d Ra(㎚) 대전 블로킹 내절삭성 전자변환특성C/N 백코드접착성
실시예4 10 0.30 0.6 2.5
실시예5 5 0.32 0.8 5.8
실시예6 20 0.46 0.8 3
실시예7 10 0.28 0.6 7.2
비교예6 10 0.30 0.6 3.1 × ×
비교예7 50 0.69 1.0 3.9 ×
비교예8 5 0.46 3.0 2.4 ×
비교예9 14 0.13 0.6 8 × ×
비교예10 300 0.25 1.5 3.3 × ×
비교예11 25 0.03 0.6 6.9 ×

Claims (13)

  1. 기재 필름 C, 그 한쪽 표면상의 피막층 A 및 다른 한쪽 표면상의 피막층 B 로 이루어진 복합 필름으로서,
    (1) 상기 피막층 A 는 평균입경이 5 ∼ 100 ㎚ 인 불활성입자를 함유하는 수용성 수지 또는 분산성 수지로 형성되고, 그 표면에서의 돌기밀도가 1 × 106 ∼ 1 × 108 개/㎟ 이면서 그 표면에서의 중심선 평균거침성 (Ra-A) 이 0.1 ∼ 2 ㎚ 인 막이고,
    (2) 상기 피막층 B 는 평균입경이 20 ∼ 100 ㎚ 인 불활성입자 1 ∼ 40 중량% 및 수용성 수지 또는 수분산성 수지 함유 조성물 60 ∼ 99 중량% 로 형성되고, 단 상기 수지 함유 조성물은 층 B 를 기준으로 실리콘 변성 폴리에스테르 수지를 5 ∼ 85 중량% 함유하거나 혹은 실리콘 또는 왁스를 1 ∼ 30 중량% 함유하고 있고,
    (3) 상기 기재 필름 C 는 불활성입자를 함유하지 않거나 또는 불활성입자를 함유하는 경우 그의 평균입경은 5 ∼ 2000 ㎚ 이며 또한 그 함유량은 0.001 에서 5.0 중량% 인 방향족 폴리에스테르로 이루어지는 필름인 것을 특징으로 하는 저대전성 복합 폴리에스테르 필름.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 피막층 A 를 형성하는 수용성 수지 또는 수분산성 수지가 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지 및 아크릴-폴리에스테르 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 수지인 저대전성 복합 폴리에스테르 필름.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 피막층 B 의 외표면에 있어서의 중심선 평균거침성 (Ra-B) 이 1 ∼ 30 ㎚ 인 저대전성 복합 폴리에스테르 필름.
  4. 제 1 항에 있어서, 피막층 A, 피막층 B 및 기재 필름 C 에 배합되는 불활성입자가, 각각 그 종류 및 평균입경이 다르거나 동일한 유기화합물 및/또는 무기화합물로 이루어지고, 유기화합물은 가교 폴리스티렌, 폴리스티렌-디비닐벤젠, 폴리메틸메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트 공중합체, 메틸메타크릴레이트 공중합 가교체, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리아크릴로니트릴, 벤조구아나민 수지 및 이들 중합체를 성분으로 하는 그라프트 공중합체로 이루어지는 코어쉘 구조 입자에서 선택되고, 또한 무기화합물은 실리카, 알루미나, 이산화티탄, 장석, 카올린, 탈크, 그라파이트, 탄산칼슘, 이황화몰리브덴, 카본블랙, 황산바륨에서 선택되는 저대전성 복합 폴리에스테르 필름.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 피막층 B 는 평균입경이 20 ∼ 100 ㎚ 인 불활성입자 1 ∼ 40 중량% 및 수용성 수지 또는 수분산성 수지 함유 조성물 60 ∼ 99 중량% 로 형성되고, 단 상기 수지 함유 조성물은 층 B 를 기준으로 실리콘 변성 폴리에스테르 수지를 5 ∼ 85 중량% 및 계면활성제 0 ∼ 20 중량% 함유하는 저대전성 복합 폴리에스테르 필름.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 수지 함유 조성물이 층 B 를 기준으로 5 ∼ 40 중량% 의 셀룰로오스 수지를 추가로 함유하고 있는 저대전성 복합 폴리에스테르 필름.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 피막층 B 는 평균입경 20 ∼ 100 ㎚ 의 불활성입자 1 ∼ 40 중량% 및 수용성 수지 또는 수분산성 수지 함유 조성물 60 ∼ 99 중량% 로 형성되고, 단 상기 수지 함유 조성물은 층 B 를 기준으로 실리콘 또는 왁스를 1 ∼ 30 중량% 함유하고 있는 저대전성 복합 폴리에스테르 필름.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 수지 함유 조성물이 층 B 를 기준으로 (ⅰ) 실리콘 또는 왁스를 1 ∼ 30 중량%, (ⅱ) 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지 및 아크릴-폴리에스테르 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 수지 40 ∼ 99 중량% 및 (ⅲ) 계면활성제 0 ∼ 20 중량% 함유하는 저대전성 복합 폴리에스테르 필름.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 수지 함유 조성물이 층 B 를 기준으로 5 ∼ 40 중량% 의 셀룰로오스 수지를 추가로 함유하고 있는 저대전성 복합 폴리에스테르 필름.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 피막층 A 는 1 ∼ 100 ㎚ 의 두께를 갖는 저대전성 복합 폴리에스테르 필름.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 피막층 B 는 1 ∼ 100 ㎚ 의 두께를 갖는 저대전성 복합 폴리에스테르 필름.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 기재 필름 C 는 1 ∼ 30 ㎛ 의 두께를 갖는 저대전성 복합 폴리에스테르 필름.
  13. 제 1 항에 기재된 복합 폴리에스테르 필름의 피막층 A 의 외표면상에 자기기록층을 형성하여 이루어지는 자기기록매체.
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